JPS623506B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS623506B2 JPS623506B2 JP58157070A JP15707083A JPS623506B2 JP S623506 B2 JPS623506 B2 JP S623506B2 JP 58157070 A JP58157070 A JP 58157070A JP 15707083 A JP15707083 A JP 15707083A JP S623506 B2 JPS623506 B2 JP S623506B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- bubble
- transfer path
- rotating magnetic
- ion implantation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は電子計算装置等の記憶装置として用い
られる磁気バブルメモリに係り、その制御方式に
関するものである。
られる磁気バブルメモリに係り、その制御方式に
関するものである。
技術の背景
従来、磁気バブルメモリ装置においてはバブル
転送路にパーマロイ等の軟磁性薄膜パターンを用
いていたが、記憶密度を向上するために最近では
イオン注入法によつて形成される転送路が用いら
れるようになつて来ている。
転送路にパーマロイ等の軟磁性薄膜パターンを用
いていたが、記憶密度を向上するために最近では
イオン注入法によつて形成される転送路が用いら
れるようになつて来ている。
従来技術と問題点
第１図はイオン注入法によつて形成されたバブ
ル転送路をマイナーループに用いたイオン注入素
子の制御方式を説明するための図である。同図に
おいて、１はイオン注入領域、２は非イオン注入
領域、３はマイナーループ、４はホールド磁界、
５は回転磁界をそれぞれ示している。この第１図
に示す従来方式では、スタートストツプ方向は回
転磁界位相90゜あるいは270゜であり、この時の
ホールド磁界４の印刷方向は白ぬき矢印で示す如
くスタートストツプ方向と同じ方向である。そし
て90゜、270゜のいずれの場合もバブル６はカス
プ部７と８に安定に止まる。ところがパーマロイ
素子では回転磁界位相０゜あるいは180゜方向で
スタートストツプしている。このためイオン注入
素子をパーマロイ素子と互換性をもたせるために
は、イオン注入素子も回転磁界位相０゜あるいは
180゜方向でスタートストツプしなければならな
い。このため例えば180゜方向でストツプすると
カスプ７のバブルはテイツプ部９に止まることに
なり、不安定となるという欠点があつた。
ル転送路をマイナーループに用いたイオン注入素
子の制御方式を説明するための図である。同図に
おいて、１はイオン注入領域、２は非イオン注入
領域、３はマイナーループ、４はホールド磁界、
５は回転磁界をそれぞれ示している。この第１図
に示す従来方式では、スタートストツプ方向は回
転磁界位相90゜あるいは270゜であり、この時の
ホールド磁界４の印刷方向は白ぬき矢印で示す如
くスタートストツプ方向と同じ方向である。そし
て90゜、270゜のいずれの場合もバブル６はカス
プ部７と８に安定に止まる。ところがパーマロイ
素子では回転磁界位相０゜あるいは180゜方向で
スタートストツプしている。このためイオン注入
素子をパーマロイ素子と互換性をもたせるために
は、イオン注入素子も回転磁界位相０゜あるいは
180゜方向でスタートストツプしなければならな
い。このため例えば180゜方向でストツプすると
カスプ７のバブルはテイツプ部９に止まることに
なり、不安定となるという欠点があつた。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、イオン注入マ
イナーループのカスプ部のみにバブルが止まり、
パーマロイ素子とスタートストツプ方向が一致す
るようにした磁気バブルメモリの制御方式を提供
することを目的とするものである。
イナーループのカスプ部のみにバブルが止まり、
パーマロイ素子とスタートストツプ方向が一致す
るようにした磁気バブルメモリの制御方式を提供
することを目的とするものである。
発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、回転磁界に
より、カスプとテイツプが交互に位置するイオン
注入マイナーループの転送路に沿つてバブルを駆
動し、該回転磁界を停止した後はホールド磁界に
よつてバブルを前記転送路上に保持するようにし
た磁気バブルメモリの制御方式において、ホール
ド磁界と回転磁界のスタートストツプ方向とが異
なり、前記マイナーループの一方の転送路ではバ
ブルが回転磁界の停止により転送路のテイツプに
止まり、次いでホールド磁界によりカスプに停止
するようにし、他方の転送路では常にカスプに停
止するようにしたことを特徴とする磁気バブル制
御方式を提供することによつて達成される。
より、カスプとテイツプが交互に位置するイオン
注入マイナーループの転送路に沿つてバブルを駆
動し、該回転磁界を停止した後はホールド磁界に
よつてバブルを前記転送路上に保持するようにし
た磁気バブルメモリの制御方式において、ホール
ド磁界と回転磁界のスタートストツプ方向とが異
なり、前記マイナーループの一方の転送路ではバ
ブルが回転磁界の停止により転送路のテイツプに
止まり、次いでホールド磁界によりカスプに停止
するようにし、他方の転送路では常にカスプに停
止するようにしたことを特徴とする磁気バブル制
御方式を提供することによつて達成される。
発明の実施例
第２図は本発明による磁気バブル制御方式を説
明するための図である。同図において、１０はイ
オン注入領域、１１は非イオン注入領域、１２は
マイナーループ、１３はホールド磁界、１４は回
転磁界をそれぞれ示している。
明するための図である。同図において、１０はイ
オン注入領域、１１は非イオン注入領域、１２は
マイナーループ、１３はホールド磁界、１４は回
転磁界をそれぞれ示している。
本実施例はマイナーループ１２がダイアモンド
型の場合であり、回転磁界１４のスタートストツ
プ方向を回転磁界位相の180゜方向とし、ホール
ド磁界１３を回転磁界のスタートストツプ方向と
異なる方向（図では回転磁界位相の270゜方向）
に印加したものである。このようにホールド磁界
１３を印加しておくと、回転磁界のOFF状態で
バブル１５は、下方のトラツクＡではカスプ部１
６に止まり、上方のトラツクＢではテイツプ部１
７に止まる。そしてテイツプ部１７に止まつたバ
ブルはホールド磁界１３の効果でカスプ部１８に
移行し安定化される。なおカスプ１６に止まつた
バブルはホールド磁界が270゜でも180゜の時と同
じ位置に安定化される。
型の場合であり、回転磁界１４のスタートストツ
プ方向を回転磁界位相の180゜方向とし、ホール
ド磁界１３を回転磁界のスタートストツプ方向と
異なる方向（図では回転磁界位相の270゜方向）
に印加したものである。このようにホールド磁界
１３を印加しておくと、回転磁界のOFF状態で
バブル１５は、下方のトラツクＡではカスプ部１
６に止まり、上方のトラツクＢではテイツプ部１
７に止まる。そしてテイツプ部１７に止まつたバ
ブルはホールド磁界１３の効果でカスプ部１８に
移行し安定化される。なおカスプ１６に止まつた
バブルはホールド磁界が270゜でも180゜の時と同
じ位置に安定化される。
第３図は他の実施例を説明するための図であ
り、同図において第２図と同一部分は同一符号を
付して示した。
り、同図において第２図と同一部分は同一符号を
付して示した。
本実施例はマイナーループ１２が鋸歯型パター
ンの場合であり、回転磁界１４のスタートストツ
プ方向は回転磁界位相の180゜方向、ホールド磁
界１３は270゜方向であり、これは前実施例と同
様である。従つてその作用は前実施例と同様であ
り、また効果も前実施例と同様の効果が得られ
る。
ンの場合であり、回転磁界１４のスタートストツ
プ方向は回転磁界位相の180゜方向、ホールド磁
界１３は270゜方向であり、これは前実施例と同
様である。従つてその作用は前実施例と同様であ
り、また効果も前実施例と同様の効果が得られ
る。
発明の効果
以上、詳細に説明したように本発明による磁気
バブル制御方式は、イオン注入マイナーループの
長手方向と直角方向でスタートストツプし、ホー
ルド磁界をテイツプに止まつたバブルがカスプに
移行するように印加してバブルを安定に止まるよ
うにしたものであり、イオン注入素子にパーマロ
イ素子との互換性を持たせた場合にも安定した動
作を行なわせることができるといつた効果大なる
ものである。
バブル制御方式は、イオン注入マイナーループの
長手方向と直角方向でスタートストツプし、ホー
ルド磁界をテイツプに止まつたバブルがカスプに
移行するように印加してバブルを安定に止まるよ
うにしたものであり、イオン注入素子にパーマロ
イ素子との互換性を持たせた場合にも安定した動
作を行なわせることができるといつた効果大なる
ものである。
第１図は従来のイオン注入磁気バブルの制御方
式を説明するための図、第２図は本発明による磁
気バブル制御方式を説明するための図、第３図は
他の実施例を説明するための図である。 図面において、１０はイオン注入領域、１１は
非イオン注入領域、１２はマイナーループ、１３
はホールド磁界、１４は回転磁界、１５はバブ
ル、１６はカスプ、１７はテイツプをそれぞれ示
す。
式を説明するための図、第２図は本発明による磁
気バブル制御方式を説明するための図、第３図は
他の実施例を説明するための図である。 図面において、１０はイオン注入領域、１１は
非イオン注入領域、１２はマイナーループ、１３
はホールド磁界、１４は回転磁界、１５はバブ
ル、１６はカスプ、１７はテイツプをそれぞれ示
す。
Claims (1)
- １ 回転磁界により、カスプとテイツプが交互に
位置するイオン注入マイナーループの転送路に沿
つてバブルを駆動し、該回転磁界を停止した後は
ホールド磁界によつてバブルを前記転送路上に保
持するようにした磁気バブルメモリの制御方式に
おいて、ホールド磁界と回転磁界のスタートスト
ツプ方向とが異なり、前記マイナループの一方の
転送路ではバブルが回転磁界の停止により転送路
のテイツプに止まり、次いでホールド磁界により
カスプに停止するようにし他方の転送路では、常
にカスプに停止するようにしたことを特徴とする
磁気バブル制御方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157070A JPS6050690A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 磁気バブルメモリ制御方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157070A JPS6050690A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 磁気バブルメモリ制御方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050690A JPS6050690A (ja) | 1985-03-20 |
| JPS623506B2 true JPS623506B2 (ja) | 1987-01-26 |
Family
ID=15641571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58157070A Granted JPS6050690A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 磁気バブルメモリ制御方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050690A (ja) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53103329A (en) * | 1977-02-21 | 1978-09-08 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble device |
| JPS5471529A (en) * | 1977-11-18 | 1979-06-08 | Fujitsu Ltd | Drive control system for magnetic bubble device |
| JPS5534374A (en) * | 1978-09-01 | 1980-03-10 | Nec Corp | Magnetic bubble domain element using contiguous pattern |
| US4247912A (en) * | 1978-11-13 | 1981-01-27 | International Business Machines Corporation | Magnetic bubble domain chip with enhanced propagation margins |
| JPS5587371A (en) * | 1978-12-25 | 1980-07-02 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble memory device |
| JPS5680105A (en) * | 1979-12-05 | 1981-07-01 | Nec Corp | Bubble magnetic domain element |
| JPS5883380A (ja) * | 1981-11-09 | 1983-05-19 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
-
1983
- 1983-08-30 JP JP58157070A patent/JPS6050690A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6050690A (ja) | 1985-03-20 |
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