JPS6050690A - 磁気バブルメモリ制御方式 - Google Patents
磁気バブルメモリ制御方式Info
- Publication number
- JPS6050690A JPS6050690A JP58157070A JP15707083A JPS6050690A JP S6050690 A JPS6050690 A JP S6050690A JP 58157070 A JP58157070 A JP 58157070A JP 15707083 A JP15707083 A JP 15707083A JP S6050690 A JPS6050690 A JP S6050690A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- bubble
- stop
- cusp
- hold
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は１（Ｌ子計算装置等の記憶装置として用いられ
る磁気バブルメモリに係り、その制６１１１方式に関す
るものである。
る磁気バブルメモリに係り、その制６１１１方式に関す
るものである。
技術の背景
従来、磁気バブルメモリ装置においてはバブルン注入法
によって形成される転送路が用いられるようになって来
ている。
によって形成される転送路が用いられるようになって来
ている。
従来技術と間頌点
第１図はイオン注入法によって形成されたバブル転送路
をマイナーループに用いたイオン注入素子の制御方式を
説明するための図である。同図に４５いて、１はイオン
注入領域、２は非イオン注入領域、３はマイナーループ
、４はホールド磁界、５は回転磁界をそれぞれ示してい
る。この第１図に示す従来方式では、スタートストップ
方向は同転磁界位相９０°あるいは２７０°であり、こ
の時のボールド磁界４の印加方向は白ぬき矢印で示す如
くスタートストップ方向と同じ方向である。そして９０
°、２７０°のいずれの場合もバブル６けカスプ部７と
８に安定に止まる。ところがパーマロイ素子では回転磁
界位相０°あるいは１８０゜方向でスタートストップし
ている。このためイオン注入素子をパーマロイ素子と互
換性をもたせるためには、イオン注入素子も回転磁界位
相ｏ０あるいは１８０°方向でスタートストップしなけ
ればならない。このため例えば１８ｏＯ方向でストップ
するとカスブ７のバブルはティップ部９に止することに
なり、不安定となるという欠点があった。
をマイナーループに用いたイオン注入素子の制御方式を
説明するための図である。同図に４５いて、１はイオン
注入領域、２は非イオン注入領域、３はマイナーループ
、４はホールド磁界、５は回転磁界をそれぞれ示してい
る。この第１図に示す従来方式では、スタートストップ
方向は同転磁界位相９０°あるいは２７０°であり、こ
の時のボールド磁界４の印加方向は白ぬき矢印で示す如
くスタートストップ方向と同じ方向である。そして９０
°、２７０°のいずれの場合もバブル６けカスプ部７と
８に安定に止まる。ところがパーマロイ素子では回転磁
界位相０°あるいは１８０゜方向でスタートストップし
ている。このためイオン注入素子をパーマロイ素子と互
換性をもたせるためには、イオン注入素子も回転磁界位
相ｏ０あるいは１８０°方向でスタートストップしなけ
ればならない。このため例えば１８ｏＯ方向でストップ
するとカスブ７のバブルはティップ部９に止することに
なり、不安定となるという欠点があった。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点にρζみ、イオン注入マイナー
ループのカスブ部のみにバブルが止まり、パーマロイ素
子とスタートストップ方向が一致するようにした磁気バ
ブルメモリ°の制御方式を提倶することを目的とするも
のである。
ループのカスブ部のみにバブルが止まり、パーマロイ素
子とスタートストップ方向が一致するようにした磁気バ
ブルメモリ°の制御方式を提倶することを目的とするも
のである。
発明の借成
そしてこの目的は本発明によれば、回転磁界により転送
路に沿ってバブルを１＜、 Ｑ＋ Ｌ 、該回転イＩ？
！界を停止した後はホールド磁界によってバブルを保持
するようにしたイオン注入バブルメモリの制御方式にお
いて、ホールド磁界と回転磁界のスタートストップ方向
とが異なりマイナーループの一方の転送路ではバブルが
回転磁界の停止により転送路のティップに止まり、次い
でホールド磁界によりカスブに停止するようにし、他方
の軟送路で（ま常にカスブに停止するようにしたことを
ｑ＋ｉ徴とする磁気バブル制御方式をＪ、ｌ、（供する
ことによって達成される。
路に沿ってバブルを１＜、 Ｑ＋ Ｌ 、該回転イＩ？
！界を停止した後はホールド磁界によってバブルを保持
するようにしたイオン注入バブルメモリの制御方式にお
いて、ホールド磁界と回転磁界のスタートストップ方向
とが異なりマイナーループの一方の転送路ではバブルが
回転磁界の停止により転送路のティップに止まり、次い
でホールド磁界によりカスブに停止するようにし、他方
の軟送路で（ま常にカスブに停止するようにしたことを
ｑ＋ｉ徴とする磁気バブル制御方式をＪ、ｌ、（供する
ことによって達成される。
発明の実施例
第２図は本発明による磁気バブル制御方式を説明するだ
めの図である。同図において、１０はイオン注入素子、
１１は非イオン注入領域、１２はマ・ｆナーループ、１
３はホールド（υを界、１４は回転磁界をそれぞれ示し
ている。
めの図である。同図において、１０はイオン注入素子、
１１は非イオン注入領域、１２はマ・ｆナーループ、１
３はホールド（υを界、１４は回転磁界をそれぞれ示し
ている。
本実施例はマイナーループ１２がり゛イアモンド型の場
合であり、回転イ、η界１４のスタートスト２ブ方向を
回転磁界位相の１８００方向とし、ホールド磁界１６を
回転磁界のスタートストップ方向と異なる方向（図では
回転磁界位相の２７００方向）に印加したものである。
合であり、回転イ、η界１４のスタートスト２ブ方向を
回転磁界位相の１８００方向とし、ホールド磁界１６を
回転磁界のスタートストップ方向と異なる方向（図では
回転磁界位相の２７００方向）に印加したものである。
このようにホールド磁界１３を印加しておくと、回転（
１υ界のＯＦ Ｆ状態でバブル１５１ｊ：、下方のトラ
ック！（ではノノスプ部１６に止まり、上方のトラック
Ｂで（ｊティップ部１７に止まる。そしてティップ部１
７に止まったバブルはホールド磁界１６の効果でカスブ
部１８に移行し安定化される。なおりスプ１６に止まっ
たバブルはホールド磁界が２７０°でも１８０° の時
と同じ位置に安定化される。
１υ界のＯＦ Ｆ状態でバブル１５１ｊ：、下方のトラ
ック！（ではノノスプ部１６に止まり、上方のトラック
Ｂで（ｊティップ部１７に止まる。そしてティップ部１
７に止まったバブルはホールド磁界１６の効果でカスブ
部１８に移行し安定化される。なおりスプ１６に止まっ
たバブルはホールド磁界が２７０°でも１８０° の時
と同じ位置に安定化される。
第３図は他の実施例を説明するための図であり、同図に
おいて第２図と同一部分は同一符号をイ１して示した。
おいて第２図と同一部分は同一符号をイ１して示した。
本実施例はマイナーループ１２が鋸？Ｉｔ ｉｒ、リパ
ターンの場合であり、回転磁界１４のスタートストップ
方向は回転磁界位相の１８０°方向、ホールド磁界１３
は２７０°方向であり、これは１〕ｉＪ実／ｌ１ｉｉ例
と同様である。従ってその仰用は前実施例と同様であり
、また効果も前実施例と同様の効果が得られる。
ターンの場合であり、回転磁界１４のスタートストップ
方向は回転磁界位相の１８０°方向、ホールド磁界１３
は２７０°方向であり、これは１〕ｉＪ実／ｌ１ｉｉ例
と同様である。従ってその仰用は前実施例と同様であり
、また効果も前実施例と同様の効果が得られる。
発明の効果
以上、詳細にｈ１２明したように本発明による（ｉｒ３
％バブル制御方式は、イオン注入マイナールーズの長
手方向と直角方向でスタートスト、プし、ホールド磁界
をティップに止まったバブルがカスブに移行するように
印加してバブルを安定に］にまるよ・）にしたものであ
り、イオン注入素子にパーマロイ止子との互換性を持た
せたｊＪ５台にも安定した動作を行ｔＩ″わせることか
できるといった効果大なるものである。
％バブル制御方式は、イオン注入マイナールーズの長
手方向と直角方向でスタートスト、プし、ホールド磁界
をティップに止まったバブルがカスブに移行するように
印加してバブルを安定に］にまるよ・）にしたものであ
り、イオン注入素子にパーマロイ止子との互換性を持た
せたｊＪ５台にも安定した動作を行ｔＩ″わせることか
できるといった効果大なるものである。
第１図は従来のイオン注入磁気バブルの制御方式をｊｔ
！ａ ”’Ｊするだめの］渇、＃７ｒ２図は本ざＶ明に
よる？−気バプル制御方式を説明するだめの図、第３図
εＪ他の実ｈ１１例表・説明するための１２１である。 図面において、１０はイオン注入領域、１１は非イオン
注入領域、１２はマイナーループ、１３はホールドｍ界
、１４は回転磁界、１５はバブル、１６はカスブ、１７
はディップをそれぞれ示す。
！ａ ”’Ｊするだめの］渇、＃７ｒ２図は本ざＶ明に
よる？−気バプル制御方式を説明するだめの図、第３図
εＪ他の実ｈ１１例表・説明するための１２１である。 図面において、１０はイオン注入領域、１１は非イオン
注入領域、１２はマイナーループ、１３はホールドｍ界
、１４は回転磁界、１５はバブル、１６はカスブ、１７
はディップをそれぞれ示す。
Claims (1)
- １、 回転磁界により転送路に沿ってバブルを圧動し、
該回転磁界を停止した後はホールド磁界によってバブル
を保持するようにしたイオン注入バブルメモリの制御方
式において、ホールド磁界と回転磁界のスタートストッ
プ方向とが異なり、マイナループの一方の転送路ではバ
ブルが回転磁界の停止により転送路のティ、プに止まり
、次いでホールド磁界によりカスプに停止するようにし
他方の転送路では、常にカスブに停止するようにしたこ
とを特徴とする磁気バブル制御方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157070A JPS6050690A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 磁気バブルメモリ制御方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157070A JPS6050690A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 磁気バブルメモリ制御方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050690A true JPS6050690A (ja) | 1985-03-20 |
| JPS623506B2 JPS623506B2 (ja) | 1987-01-26 |
Family
ID=15641571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58157070A Granted JPS6050690A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 磁気バブルメモリ制御方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050690A (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53103329A (en) * | 1977-02-21 | 1978-09-08 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble device |
| JPS5471529A (en) * | 1977-11-18 | 1979-06-08 | Fujitsu Ltd | Drive control system for magnetic bubble device |
| JPS5534374A (en) * | 1978-09-01 | 1980-03-10 | Nec Corp | Magnetic bubble domain element using contiguous pattern |
| JPS5567991A (en) * | 1978-11-13 | 1980-05-22 | Ibm | Magnetic bubbleedemainntip |
| JPS5587371A (en) * | 1978-12-25 | 1980-07-02 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble memory device |
| JPS5680105A (en) * | 1979-12-05 | 1981-07-01 | Nec Corp | Bubble magnetic domain element |
| JPS5883380A (ja) * | 1981-11-09 | 1983-05-19 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
-
1983
- 1983-08-30 JP JP58157070A patent/JPS6050690A/ja active Granted
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53103329A (en) * | 1977-02-21 | 1978-09-08 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble device |
| JPS5471529A (en) * | 1977-11-18 | 1979-06-08 | Fujitsu Ltd | Drive control system for magnetic bubble device |
| JPS5534374A (en) * | 1978-09-01 | 1980-03-10 | Nec Corp | Magnetic bubble domain element using contiguous pattern |
| JPS5567991A (en) * | 1978-11-13 | 1980-05-22 | Ibm | Magnetic bubbleedemainntip |
| JPS5587371A (en) * | 1978-12-25 | 1980-07-02 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble memory device |
| JPS5680105A (en) * | 1979-12-05 | 1981-07-01 | Nec Corp | Bubble magnetic domain element |
| JPS5883380A (ja) * | 1981-11-09 | 1983-05-19 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS623506B2 (ja) | 1987-01-26 |
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