JPS631032A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS631032A JPS631032A JP14291286A JP14291286A JPS631032A JP S631032 A JPS631032 A JP S631032A JP 14291286 A JP14291286 A JP 14291286A JP 14291286 A JP14291286 A JP 14291286A JP S631032 A JPS631032 A JP S631032A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
パターン形成方法であって、サブフィールド接合部にお
けるビーム照射量を該接合部の両側で分割されるパター
ンの各に振り分けることによりビームを照射し、全体と
して必要な照射量を以ってパターンを形成するようにし
てパターンの精度を向上させようとするものである。
けるビーム照射量を該接合部の両側で分割されるパター
ンの各に振り分けることによりビームを照射し、全体と
して必要な照射量を以ってパターンを形成するようにし
てパターンの精度を向上させようとするものである。
本発明は、２つのサブフィールドの境界において通用さ
れるパターン形成方法に関する。
れるパターン形成方法に関する。
パターン形成方法においては、１チツプを１フイールド
（メインフィールド）内で形成出来る場合は少なく通常
多くのフィールド（サブフィールド）を継げる必要があ
る。例えば第６図（Ａ）の如く、２つのサブフィールド
ＳＦ１．！：ＳＦ２にわたってパターンＰ（アルミ配線
）を形成する場合にこのパターンＰを２つのサブフィー
ルドＳＦＩ、ＳＦ２に分けて形成する。この際、サブフ
ィールド境界部Ｂでパターンが離れたり、重なったり不
都合を生じやすい。即ち、サブフィールドＳＦ２側から
パターンＰ、を、サブフィールドＳＦ２側からパターン
Ｐ２をそれぞれ形成しこれらＰ、とＰ２を接合する（第
６図（Ｂ））。しかし、ビームの偏光装置（第２図）の
調整不能などでパターンＰ１とＰ２が離れた場合に（第
６図（Ｃ））、Ｐによって形成されるアルミ配線が切断
されることになる。
（メインフィールド）内で形成出来る場合は少なく通常
多くのフィールド（サブフィールド）を継げる必要があ
る。例えば第６図（Ａ）の如く、２つのサブフィールド
ＳＦ１．！：ＳＦ２にわたってパターンＰ（アルミ配線
）を形成する場合にこのパターンＰを２つのサブフィー
ルドＳＦＩ、ＳＦ２に分けて形成する。この際、サブフ
ィールド境界部Ｂでパターンが離れたり、重なったり不
都合を生じやすい。即ち、サブフィールドＳＦ２側から
パターンＰ、を、サブフィールドＳＦ２側からパターン
Ｐ２をそれぞれ形成しこれらＰ、とＰ２を接合する（第
６図（Ｂ））。しかし、ビームの偏光装置（第２図）の
調整不能などでパターンＰ１とＰ２が離れた場合に（第
６図（Ｃ））、Ｐによって形成されるアルミ配線が切断
されることになる。
他方、Ｐ、とＰ２が逆に重なり合うときは（第６図（Ｄ
））、アルミが無駄になる。
））、アルミが無駄になる。
従って、サブフィールド境界部Ｂでは、ビームを過不足
なく照射し所定のパターンを精度良く形成する必要があ
る。
なく照射し所定のパターンを精度良く形成する必要があ
る。
従来のサブフィールド境界部におけるパターン形成方法
には２つあった。
には２つあった。
第１の方法はパターンＰ１に継ぎしろＰｅを設ける方法
で、パターンＰ１の延長として継ぎしろパターンＰｅを
設ける（第５図（Ａ））。
で、パターンＰ１の延長として継ぎしろパターンＰｅを
設ける（第５図（Ａ））。
第２の方法はパターンＰ１、パターンＰ２の他に両パタ
ーンにまたがり新たなパターンＰＯを形成する（第５図
（Ｂ））。
ーンにまたがり新たなパターンＰＯを形成する（第５図
（Ｂ））。
上述した従来の第１方法（第５図（Ａ））、第２方法（
第５図（Ｂ））共にサブフィールド境界部Ｂで継ぎをよ
くする効果がある。
第５図（Ｂ））共にサブフィールド境界部Ｂで継ぎをよ
くする効果がある。
しかし、パターンＰ、とＰ２が正しく接合している場合
継ぎ補正用パターンＰｅ、Ｐｏを形成するためにビーム
照射量が少し多くなる、即ちオーバドーズとなる。
継ぎ補正用パターンＰｅ、Ｐｏを形成するためにビーム
照射量が少し多くなる、即ちオーバドーズとなる。
また、接合が正しい場合に照射量が正しくなるように照
射量を選んでおいた場合にも位置ずれの影客を受けやす
い。これは継ぎ補正用パターンＰｅ、Ｐｏがサブフィー
ルドＳＦＩ又はサブフィールドＳＦ２のパターンとして
形成されるためである。例えば第５図（Ａ）（Ｂ）の場
合パターンが縦方向にずれた場合、それぞれ第５図（Ｃ
）（Ｄ）の、 ように境界部Ｂの両パターンＰ ＋ 、
Ｐ ｚの接合部が細くなり過ぎる。
射量を選んでおいた場合にも位置ずれの影客を受けやす
い。これは継ぎ補正用パターンＰｅ、Ｐｏがサブフィー
ルドＳＦＩ又はサブフィールドＳＦ２のパターンとして
形成されるためである。例えば第５図（Ａ）（Ｂ）の場
合パターンが縦方向にずれた場合、それぞれ第５図（Ｃ
）（Ｄ）の、 ように境界部Ｂの両パターンＰ ＋ 、
Ｐ ｚの接合部が細くなり過ぎる。
両パターンＰ、、Ｐ、が縦方向にずれた場合は、例えば
従来の第２方法（第５図（Ｂ））によれば継ぎ補正用パ
ターンＰｏが継ぎの中間にくるのが一番望ましいが（第
５図（Ｅ））、正確に中間にパターンを形成するのは困
難である。
従来の第２方法（第５図（Ｂ））によれば継ぎ補正用パ
ターンＰｏが継ぎの中間にくるのが一番望ましいが（第
５図（Ｅ））、正確に中間にパターンを形成するのは困
難である。
即ち、従来は、サブフィールド境界部において形成され
るパターンの精度が低下するという問題点があった。
るパターンの精度が低下するという問題点があった。
本発明の目的は、上記問題点を解決しサブフィールド境
界部におけるパターン精度を向上させることにある。
界部におけるパターン精度を向上させることにある。
そのための手段は、第１図に示すように１、半導体ウェ
ハを構成するメインフィールドＭＦを複数個のサブフィ
ールドＳＦＩ、ＳＦ２に分割し、隣接サブフィールド間
の境界部ＢにまたがったパターンＰを形成する方法にお
いて（第１図（Ａ））、上記境界部Ｂの両側から、一方
のサブフィールド側のパターン形成領域Ｐ、、Ｐ２に電
子ビームを照射すると共に他方のサブフィールド側に向
かって継ぎ補正用パターン形成領域Ｐ ＩＩ ＋ Ｐ
２１に上記一方のサブフィールド側パターン形成領域の
電子ビーム照射ｆｆ１（１，０）より少ない量の電子ビ
ーム（０，５）を照射しく第１図（Ｂ）（Ｃ））、これ
ら境界部の両側から電子ビームが照射されたサブフィー
ルド側パターン形成領域Ｐ、、Ｐ２と継ぎ補正用パター
ン形成領域Ｐ１□、Ｐ２１の照射量の和が（第１図（Ｄ
））、全体のパターン形成領域の照射量に（第１図（Ａ
））等しくなるようにしたことを特徴とするパターン形
成方法である。
ハを構成するメインフィールドＭＦを複数個のサブフィ
ールドＳＦＩ、ＳＦ２に分割し、隣接サブフィールド間
の境界部ＢにまたがったパターンＰを形成する方法にお
いて（第１図（Ａ））、上記境界部Ｂの両側から、一方
のサブフィールド側のパターン形成領域Ｐ、、Ｐ２に電
子ビームを照射すると共に他方のサブフィールド側に向
かって継ぎ補正用パターン形成領域Ｐ ＩＩ ＋ Ｐ
２１に上記一方のサブフィールド側パターン形成領域の
電子ビーム照射ｆｆ１（１，０）より少ない量の電子ビ
ーム（０，５）を照射しく第１図（Ｂ）（Ｃ））、これ
ら境界部の両側から電子ビームが照射されたサブフィー
ルド側パターン形成領域Ｐ、、Ｐ２と継ぎ補正用パター
ン形成領域Ｐ１□、Ｐ２１の照射量の和が（第１図（Ｄ
））、全体のパターン形成領域の照射量に（第１図（Ａ
））等しくなるようにしたことを特徴とするパターン形
成方法である。
上述のとおり、本発明によれば、サブフィールド境界部
における電子ビーム照射量を該境界部から離れたパター
ン形成筒１域と境界部近傍の３４！ぎ補正用パターン形
成領域とで振り分けることにより、全体のパターン形成
領域に必要な照射量を得ることができるので境界部の両
側にまたがったパターンの精度を向上させることができ
るようになった。
における電子ビーム照射量を該境界部から離れたパター
ン形成筒１域と境界部近傍の３４！ぎ補正用パターン形
成領域とで振り分けることにより、全体のパターン形成
領域に必要な照射量を得ることができるので境界部の両
側にまたがったパターンの精度を向上させることができ
るようになった。
以下、本発明を、実施例により添付図面を参照して、説
明する。
明する。
第２図と３図は、それぞれ本発明の第１実施例、第２実
施例を示す図、第４図は本発明を実施するための装置構
成図である。
施例を示す図、第４図は本発明を実施するための装置構
成図である。
第２図の第１実施例は形成すべきパターンＰが隣接する
サブフィールドＳＦＩ、ＳＦ２の境界部Ｂの両側にまた
がる場合、第３図の第２実施例は形成すべきパターンＰ
が４つのサブフィールドＳＦＩ。
サブフィールドＳＦＩ、ＳＦ２の境界部Ｂの両側にまた
がる場合、第３図の第２実施例は形成すべきパターンＰ
が４つのサブフィールドＳＦＩ。
ＳＦ２ 、 ＳＦ３ 、 ＳＦ４の境界部Ｂ、□、Ｂ１
３ ＋ Ｂ ：１４ ＋８２４の両側にまたがる場合で
ある。
３ ＋ Ｂ ：１４ ＋８２４の両側にまたがる場合で
ある。
第２図と３図の実施例においては、先ず半導体ウェハ６
をそのステージ７上に載置し、上方の電子銃１から破線
で示す電子ビーム８を該半導体ウェハ６のサブフィール
ド上に照射する（第４図）。
をそのステージ７上に載置し、上方の電子銃１から破線
で示す電子ビーム８を該半導体ウェハ６のサブフィール
ド上に照射する（第４図）。
サブフィールドの境界部Ｂ（第２図）、Ｂ＋。
Ｂｚ（第３図）の両側にまたがって形成すべきパターン
の情報は予めパターンジェネレータ１０のメモリ中に格
納されている。この情報は例えば、第２図（Ａ）の場合
は第１サブフイールドＳＦＩ側のパターン形成領域Ｐ１
の始点と終点の座標（Ｘｌ。
の情報は予めパターンジェネレータ１０のメモリ中に格
納されている。この情報は例えば、第２図（Ａ）の場合
は第１サブフイールドＳＦＩ側のパターン形成領域Ｐ１
の始点と終点の座標（Ｘｌ。
ｙ＋）（Ｘ２．ＹＺ）及びその間の電子ビーム照射時間
ｔである。継ぎ補正用パターン形成領域Ｐ Ｉ Ｉ ＋
Ｐａｌ、第２サブフイールド側パターン形成領域Ｐ２に
ついても同様である。
ｔである。継ぎ補正用パターン形成領域Ｐ Ｉ Ｉ ＋
Ｐａｌ、第２サブフイールド側パターン形成領域Ｐ２に
ついても同様である。
この情報（よ、ＣＰＵ９の指示の下にパターンジェネレ
ータ１０からＤ／Ａコンバータ１１、増幅器１２を介し
てブランキング装置２の電極へ入力される。
ータ１０からＤ／Ａコンバータ１１、増幅器１２を介し
てブランキング装置２の電極へ入力される。
従って上記Ｐ、に関しては（ＸＩ、Ｙｌ）から（Ｘ２゜
Ｙ２）まではブランキングが解除されて電極間の電圧は
零になり、Ｐ、におけるビームは照射量が１．０となる
ような時間だけ照射される。同様に、Ｐｌ＋については
（Ｘ ｚ、 Ｙ ｚ）、（Ｘｉ、Ｙ’＋）間で照射量が
０．５、ｐｚ＋については（ｘ３．ｙｉ）、（ＸｉＹ４
）間で０．５、Ｆ２については（Ｘ、、Ｙ４）、（Ｘｓ
、Ｙｓ）間で１．０、それぞれビームが照射されるよう
にそれに比例した時間だけ、ビームが照射される。
Ｙ２）まではブランキングが解除されて電極間の電圧は
零になり、Ｐ、におけるビームは照射量が１．０となる
ような時間だけ照射される。同様に、Ｐｌ＋については
（Ｘ ｚ、 Ｙ ｚ）、（Ｘｉ、Ｙ’＋）間で照射量が
０．５、ｐｚ＋については（ｘ３．ｙｉ）、（ＸｉＹ４
）間で０．５、Ｆ２については（Ｘ、、Ｙ４）、（Ｘｓ
、Ｙｓ）間で１．０、それぞれビームが照射されるよう
にそれに比例した時間だけ、ビームが照射される。
このパターン情報は一方で、制御回路１３、Ｄ／Ａコン
バータ１４、増幅器１５を介して偏光装置４へ送出され
、所定の印加電圧に対応して電子ビーム８が、上方と下
方のスリット３と５を通って振れるようになっている。
バータ１４、増幅器１５を介して偏光装置４へ送出され
、所定の印加電圧に対応して電子ビーム８が、上方と下
方のスリット３と５を通って振れるようになっている。
このような前提の下で、先ず第２図の実施例を説明する
。
。
第２図（Ａ）は継ぎ補正用パターンＰ ＩＩ ＋ Ｐ
２１が全く重ならないで長さ寸法２ａずつを占める場合
である。この場合継ぎ補正用パターンＰ１、。
２１が全く重ならないで長さ寸法２ａずつを占める場合
である。この場合継ぎ補正用パターンＰ１、。
Ｐ ２１の部分は照射量はＰ、、Ｆ２の半分でパターン
は多少綿るが形成されろ。
は多少綿るが形成されろ。
第２図（Ｂ）は継ぎ補正用パターンが互いに境界部Ｂの
反対側へ侵入した場合で、重なり部分Ｐ、＋Ｐ２いＰＩ
Ｉ＋ＰＺの照射量はパターンＰ１゜Ｆ２の１．５倍とな
りパターンは多少大るが形成される。
反対側へ侵入した場合で、重なり部分Ｐ、＋Ｐ２いＰＩ
Ｉ＋ＰＺの照射量はパターンＰ１゜Ｆ２の１．５倍とな
りパターンは多少大るが形成される。
第２図（Ｃ）は双方のパターン形成領域と継ぎ補正用パ
ターン形成領域がずれている場合照射量は同図に示す如
くなる。
ターン形成領域がずれている場合照射量は同図に示す如
くなる。
第３図（Ａ）は１つのパターンＰが４つのサブフィール
ドＳＦＩ乃至ＳＦ４にわたる場合である。
ドＳＦＩ乃至ＳＦ４にわたる場合である。
パターンＰを第３図（Ｂ）乃至（Ｅ）に分は全体の照射
量が所要の照射量となるようにする照射方法は第１実施
例と同様である。即ち、各サブフィールド側のパターン
形成領域Ｐ＋−Ｐｚ、Ｐｚ、Ｆ４の照射量を１とすれば
、継ぎ補正用パターン形成領域ｐＨ，Ｆ２１．Ｐｌ□、
Ｐ２□、Ｐｔ□＋ Ｐ ：ｌＩ ＋ Ｐ ４１１Ｐ４□
の照射量は２、更に４つのサブフィールドにまたがる継
ぎ補正用パターン形成領域ＰＩ３１Ｐ２３１Ｐｆｆ３．
Ｆ４３の照射量はχである。
量が所要の照射量となるようにする照射方法は第１実施
例と同様である。即ち、各サブフィールド側のパターン
形成領域Ｐ＋−Ｐｚ、Ｐｚ、Ｆ４の照射量を１とすれば
、継ぎ補正用パターン形成領域ｐＨ，Ｆ２１．Ｐｌ□、
Ｐ２□、Ｐｔ□＋ Ｐ ：ｌＩ ＋ Ｐ ４１１Ｐ４□
の照射量は２、更に４つのサブフィールドにまたがる継
ぎ補正用パターン形成領域ＰＩ３１Ｐ２３１Ｐｆｆ３．
Ｆ４３の照射量はχである。
これらを重ね合わせた１つのパターン形成領域Ｐの照射
量はすべて１となる。
量はすべて１となる。
照射量は、サブフィールド境界部での近接効果やビーム
照射時の時間差による熱効果を考慮すれば上述したもの
より増減できろ。
照射時の時間差による熱効果を考慮すれば上述したもの
より増減できろ。
本方法における利点はバクーン継ぎを補正するパターン
が継りべきパターンの各々についているため継ぎのずれ
に応じて継ぎ補正用パターンが移動じ、継ぎの効果を発
揮することにある。又、パターン接合部が離れやすい場
合や、重なりやすい場合には、ネガレジスト、ポジレジ
スト共オーバードース気味にするとより効果を大きくす
ることができる。
が継りべきパターンの各々についているため継ぎのずれ
に応じて継ぎ補正用パターンが移動じ、継ぎの効果を発
揮することにある。又、パターン接合部が離れやすい場
合や、重なりやすい場合には、ネガレジスト、ポジレジ
スト共オーバードース気味にするとより効果を大きくす
ることができる。
上述のとおり、本発明によれば、サブフィールド境界部
における電子ビーム照射量を該境界部から離れたパター
ン形成領域と境界部近傍の継ぎ補正用パターン形成領域
とで振り分けることにより、全体のパターン形成領域に
必要な照射量を得ることができるので境界部の両側にま
たがったパターンの精度を向上させることができるよう
になった。
における電子ビーム照射量を該境界部から離れたパター
ン形成領域と境界部近傍の継ぎ補正用パターン形成領域
とで振り分けることにより、全体のパターン形成領域に
必要な照射量を得ることができるので境界部の両側にま
たがったパターンの精度を向上させることができるよう
になった。
第１図は本発明の原理図、第２図は本発明の第１実施例
を示す図、第３図は本発明の第２実施例を示す図、第４
図は本発明を実施するための装置構成図、第５図は従来
技術の説明図、第６図は産業上の利用分野の説明図であ
る。 ＳＦＩ・・・第１サブフイールド、 ＳＦ２・・・第２サブフイールド、 Ｂ・・・境界部、 Ｐ・・・パターン形成領域
、Ｐ＋、’Ｐｚ・・・各サブフィールドパターン形成領
域、Ｐｚ、Ｐｚ＋・・・継ぎ補正用パターン形成領域、
０．５．１．０．１．５・・・電子ビーム照射量、２ａ
・・・継ぎ補正用パターン形成領域の長さ寸法、（Ｘ、
、Ｙ、）、（Ｘ２．Ｙ２）・・・各パターン形成領域の
座標。
を示す図、第３図は本発明の第２実施例を示す図、第４
図は本発明を実施するための装置構成図、第５図は従来
技術の説明図、第６図は産業上の利用分野の説明図であ
る。 ＳＦＩ・・・第１サブフイールド、 ＳＦ２・・・第２サブフイールド、 Ｂ・・・境界部、 Ｐ・・・パターン形成領域
、Ｐ＋、’Ｐｚ・・・各サブフィールドパターン形成領
域、Ｐｚ、Ｐｚ＋・・・継ぎ補正用パターン形成領域、
０．５．１．０．１．５・・・電子ビーム照射量、２ａ
・・・継ぎ補正用パターン形成領域の長さ寸法、（Ｘ、
、Ｙ、）、（Ｘ２．Ｙ２）・・・各パターン形成領域の
座標。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体ウェハを構成するメインフィールドを複数個のサ
ブフィールドに分割し、隣接サブフィールド間の境界部
にまたがったパターンを形成する方法において、 上記境界部の両側から、一方のサブフィールド側のパタ
ーン形成領域に電子ビームを照射すると共に他方のサブ
フィールド側に向かって継ぎ補正用パターン形成領域に
上記一方のサブフィールド側パターン形成領域の電子ビ
ーム照射量より少ない量の電子ビームを照射し、 これら境界部の両側から電子ビームが照射されたサブフ
ィールド側パターン形成領域と継ぎ補正用パターン形成
領域の照射量が全体のパターン形成領域の照射量に等し
くなるようにしたことを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14291286A JPS631032A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14291286A JPS631032A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS631032A true JPS631032A (ja) | 1988-01-06 |
Family
ID=15326509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14291286A Pending JPS631032A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS631032A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63248129A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-14 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビ−ム描画方法 |
| JPS6425415A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-27 | Ibm | Beam exposure system |
| JPH01215022A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5693453A (en) * | 1995-02-20 | 1997-12-02 | Nec Corporation | Method of forming micropattern |
| US6162581A (en) * | 1997-12-03 | 2000-12-19 | Nikon Corporation | Charged particle beam pattern-transfer method utilizing non-uniform dose distribution in stitching region |
| US6828573B1 (en) | 1998-05-29 | 2004-12-07 | Hitachi, Ltd. | Electron beam lithography system |
-
1986
- 1986-06-20 JP JP14291286A patent/JPS631032A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63248129A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-14 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビ−ム描画方法 |
| JPS6425415A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-27 | Ibm | Beam exposure system |
| JPH01215022A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5693453A (en) * | 1995-02-20 | 1997-12-02 | Nec Corporation | Method of forming micropattern |
| US6162581A (en) * | 1997-12-03 | 2000-12-19 | Nikon Corporation | Charged particle beam pattern-transfer method utilizing non-uniform dose distribution in stitching region |
| US6828573B1 (en) | 1998-05-29 | 2004-12-07 | Hitachi, Ltd. | Electron beam lithography system |
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