JPH11143049A - 近接効果補正マスク及び近接効果補正方法 - Google Patents
近接効果補正マスク及び近接効果補正方法Info
- Publication number
- JPH11143049A JPH11143049A JP30769397A JP30769397A JPH11143049A JP H11143049 A JPH11143049 A JP H11143049A JP 30769397 A JP30769397 A JP 30769397A JP 30769397 A JP30769397 A JP 30769397A JP H11143049 A JPH11143049 A JP H11143049A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- correction
- mask pattern
- edge
- mask
- proximity effect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の課題は、レジストパターン寸法精度
をより改善することが可能な近接効果補正マスク及び近
接効果補正方法を提供し、半導体装置の性能向上や製造
歩留まりを向上することである。 【解決手段】 複数の要素パターンからなる補正ルール
用パターンをマスクパターンと重ね合わせて比較し、各
要素パターン毎にマスクパターンとの重なり面積値から
補正パラメータ値を決め、補正パラメータ値の組と換算
表を用いてマスクマスクパターンエッジを修正する。パ
ターンの形状に合わせた最適な補正量で補正を行うた
め、パターン寸法精度を向上することができる。
をより改善することが可能な近接効果補正マスク及び近
接効果補正方法を提供し、半導体装置の性能向上や製造
歩留まりを向上することである。 【解決手段】 複数の要素パターンからなる補正ルール
用パターンをマスクパターンと重ね合わせて比較し、各
要素パターン毎にマスクパターンとの重なり面積値から
補正パラメータ値を決め、補正パラメータ値の組と換算
表を用いてマスクマスクパターンエッジを修正する。パ
ターンの形状に合わせた最適な補正量で補正を行うた
め、パターン寸法精度を向上することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造の露
光工程で用いるマスクに関し、特にマスクの近接効果補
正方法に関する。
光工程で用いるマスクに関し、特にマスクの近接効果補
正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の微細化に伴い、露光
工程においてもパターン寸法精度の確保が問題となって
おり、種々の開発が行われている。特に、近接効果によ
る寸法誤差をマスクパターン形状で補正する方法、すな
わち近接効果補正方法が検討されている。近接効果補正
方法には、フォトレジストパターン形状をシミュレーシ
ョンにより計算してマスクを補正を行う方法と、あらか
じめ用意したパターン補正ルールを用いてマスクを補正
を行う方法とがある。パターン補正ルールを用いる方法
は、シミュレーションによる方法よりも大幅に高速な補
正が可能なため、大規模なパターンを補正する場合に適
している。以下、図５を用いてその方法の詳細を説明す
る。
工程においてもパターン寸法精度の確保が問題となって
おり、種々の開発が行われている。特に、近接効果によ
る寸法誤差をマスクパターン形状で補正する方法、すな
わち近接効果補正方法が検討されている。近接効果補正
方法には、フォトレジストパターン形状をシミュレーシ
ョンにより計算してマスクを補正を行う方法と、あらか
じめ用意したパターン補正ルールを用いてマスクを補正
を行う方法とがある。パターン補正ルールを用いる方法
は、シミュレーションによる方法よりも大幅に高速な補
正が可能なため、大規模なパターンを補正する場合に適
している。以下、図５を用いてその方法の詳細を説明す
る。
【０００３】図５（ａ）は、補正前のマスクパターン５
０において、マスクパターン頂点５１から伸びた着目エ
ッジ５２の一部分であるエッジ角部分５４を補正する場
合を示している。エッジ角部分５４は、マスクパターン
頂点５１からあらかじめ決めた距離Ｘまでのエッジ部分
として定義される。着目エッジ５２と、マスクパターン
頂点５１から伸びたもう一方のエッジ５３とがなす角度
Ｔを算出し、補正パラメータとする。また、垂直線方向
のパターン幅Ｌxと延長線方向のパターン幅ＬY を算出
し、これも補正パラメータとする。これら補正パラメー
タ値の組と換算表を用いて着目エッジ５２の補正値を求
める。換算表は、例えば図５（ｂ）に示すようなもので
あって、図５（ａ）の場合を例にとれば、Ｔ＝２７０
度、ＬX＝Ａ1、ＬY＝Ｂ1のときの補正値ｄＥはＣ11にな
る。各パラメータ値が換算表にない場合は補間により着
目エッジ５２の補正値ｄＥを算出する。補正値ｄＥが正
であればエッジ角部分５４をｄＥだけパターンの外側に
平行移動してパターンを補正し、負の場合には逆にｄＥ
だけ内側に補正する。着目エッジ５２からエッジ角部分
１４を除いた残りのエッジライン部分５５もエッジ角部
分５４と同様にして補正するが、この時は、エッジ角部
分５４とは別の換算表を用いて補正を行う。また、以上
を補正対象のパターンエッジ全てに対して繰り返し行
う。図６に、このようにして得られた補正後のマスクパ
ターン６０及びそのマスクパターン６０を用いて得られ
る補正後のレジストパターン６１を示した。エッジ角部
分５４の補正量は０．５μm 、エッジライン部分５５の
補正量は０μm であった。
０において、マスクパターン頂点５１から伸びた着目エ
ッジ５２の一部分であるエッジ角部分５４を補正する場
合を示している。エッジ角部分５４は、マスクパターン
頂点５１からあらかじめ決めた距離Ｘまでのエッジ部分
として定義される。着目エッジ５２と、マスクパターン
頂点５１から伸びたもう一方のエッジ５３とがなす角度
Ｔを算出し、補正パラメータとする。また、垂直線方向
のパターン幅Ｌxと延長線方向のパターン幅ＬY を算出
し、これも補正パラメータとする。これら補正パラメー
タ値の組と換算表を用いて着目エッジ５２の補正値を求
める。換算表は、例えば図５（ｂ）に示すようなもので
あって、図５（ａ）の場合を例にとれば、Ｔ＝２７０
度、ＬX＝Ａ1、ＬY＝Ｂ1のときの補正値ｄＥはＣ11にな
る。各パラメータ値が換算表にない場合は補間により着
目エッジ５２の補正値ｄＥを算出する。補正値ｄＥが正
であればエッジ角部分５４をｄＥだけパターンの外側に
平行移動してパターンを補正し、負の場合には逆にｄＥ
だけ内側に補正する。着目エッジ５２からエッジ角部分
１４を除いた残りのエッジライン部分５５もエッジ角部
分５４と同様にして補正するが、この時は、エッジ角部
分５４とは別の換算表を用いて補正を行う。また、以上
を補正対象のパターンエッジ全てに対して繰り返し行
う。図６に、このようにして得られた補正後のマスクパ
ターン６０及びそのマスクパターン６０を用いて得られ
る補正後のレジストパターン６１を示した。エッジ角部
分５４の補正量は０．５μm 、エッジライン部分５５の
補正量は０μm であった。
【０００４】上記のように、垂直線方向のパターン幅Ｌ
xと延長線方向のパターン幅ＬYのみを補正パラメータと
して用いた方法では、単純な形状は比較的簡単に近接効
果補正を行うことが可能であった。しかし、例えば図７
に示すような複雑な形状のマスクパターンに対して補正
を行う場合には問題があった。図７において、上述の場
合と同様に補正を行った場合、着目エッジ５２の補正量
は、Ｔ＝２７０度、ＬX＝Ａ1、ＬY＝Ｂ1のとき、先の場
合と同様にＣ11となる。すなわち、形状は異なるのに補
正値が全く同じとなる。その結果、図８に示されるよう
に、エッジライン部分５５の補正量が０μm となり、近
接効果補正が十分になされていなかった。
xと延長線方向のパターン幅ＬYのみを補正パラメータと
して用いた方法では、単純な形状は比較的簡単に近接効
果補正を行うことが可能であった。しかし、例えば図７
に示すような複雑な形状のマスクパターンに対して補正
を行う場合には問題があった。図７において、上述の場
合と同様に補正を行った場合、着目エッジ５２の補正量
は、Ｔ＝２７０度、ＬX＝Ａ1、ＬY＝Ｂ1のとき、先の場
合と同様にＣ11となる。すなわち、形状は異なるのに補
正値が全く同じとなる。その結果、図８に示されるよう
に、エッジライン部分５５の補正量が０μm となり、近
接効果補正が十分になされていなかった。
【０００５】これに対して、例えば特開平９−０４５６
００号においては、パターンの一部を細分化し、それぞ
れの区域について隣接する区域のパターンの有無を判別
し、それぞれの場合に応じて予め設定された補正を行う
方法が示されている。この方法によれば、上記のような
複雑な形状においてもよりきめ細かな補正を行うことが
可能となる点が優れていた。
００号においては、パターンの一部を細分化し、それぞ
れの区域について隣接する区域のパターンの有無を判別
し、それぞれの場合に応じて予め設定された補正を行う
方法が示されている。この方法によれば、上記のような
複雑な形状においてもよりきめ細かな補正を行うことが
可能となる点が優れていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、隣接し
た区域のパターンの有無のみを判別しているため、なお
補正は十分ではなく、より一層きめ細かな近接効果補正
が要求されていた。
た区域のパターンの有無のみを判別しているため、なお
補正は十分ではなく、より一層きめ細かな近接効果補正
が要求されていた。
【０００７】そこで、本発明の課題は、レジストパター
ン寸法精度をより改善することが可能な近接効果補正マ
スク及び近接効果補正方法を提供し、半導体装置の性能
向上や製造歩留まりを向上することである。
ン寸法精度をより改善することが可能な近接効果補正マ
スク及び近接効果補正方法を提供し、半導体装置の性能
向上や製造歩留まりを向上することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの、本発明の近接効果補正マスクは、複数の要素パタ
ーンからなる補正ルール用パターンをマスクパターンと
重ね合わせて比較し、各要素パターン毎にマスクパター
ンとの重なり面積値から補正パラメータ値を決め、補正
パラメータ値の組と換算表を用いてマスクパターンエッ
ジの補正値を求め、その補正値を用いてマスクパターン
エッジを修正して得られることを特徴とする。
めの、本発明の近接効果補正マスクは、複数の要素パタ
ーンからなる補正ルール用パターンをマスクパターンと
重ね合わせて比較し、各要素パターン毎にマスクパター
ンとの重なり面積値から補正パラメータ値を決め、補正
パラメータ値の組と換算表を用いてマスクパターンエッ
ジの補正値を求め、その補正値を用いてマスクパターン
エッジを修正して得られることを特徴とする。
【０００９】また、本発明の近接効果補正マスクは、マ
スクパターンエッジの基準位置に重ねるための基準位置
と、マスクパターンエッジの方向及びマスクパターンエ
ッジのデータ内部方向の向きと合わせるための基準方向
とを有する補正ルール用パターンを用いて得られること
を特徴とする。
スクパターンエッジの基準位置に重ねるための基準位置
と、マスクパターンエッジの方向及びマスクパターンエ
ッジのデータ内部方向の向きと合わせるための基準方向
とを有する補正ルール用パターンを用いて得られること
を特徴とする。
【００１０】また、本発明の近接効果補正マスクは、マ
スクパターンエッジの種類に応じて選択した換算表を用
いて得られることを特徴とする。
スクパターンエッジの種類に応じて選択した換算表を用
いて得られることを特徴とする。
【００１１】また、本発明の近接効果補正マスクは、最
初にマスクパターン角部のエッジを補正し、次にその時
の補正量に応じて修正した新たな補正パラメータ値を用
いてマスクパターン角部以外のエッジの補正を行って得
られることを特徴とする。
初にマスクパターン角部のエッジを補正し、次にその時
の補正量に応じて修正した新たな補正パラメータ値を用
いてマスクパターン角部以外のエッジの補正を行って得
られることを特徴とする。
【００１２】また、本発明の近接効果補正方法は、複数
の要素パターンからなる補正ルール用パターンをマスク
パターンと重ね合わせて比較し、各要素パターン毎にマ
スクパターンとの重なり面積値から補正パラメータ値を
決め、補正パラメータ値の組と換算表を用いてマスクパ
ターンエッジの補正値を求め、その補正値を用いてマス
クパターンエッジを修正することを特徴とする。
の要素パターンからなる補正ルール用パターンをマスク
パターンと重ね合わせて比較し、各要素パターン毎にマ
スクパターンとの重なり面積値から補正パラメータ値を
決め、補正パラメータ値の組と換算表を用いてマスクパ
ターンエッジの補正値を求め、その補正値を用いてマス
クパターンエッジを修正することを特徴とする。
【００１３】また、本発明の近接効果補正方法は、マス
クパターンエッジの基準位置に重ねるための基準位置
と、マスクパターンエッジの方向及びマスクパターンエ
ッジのデータ内部方向の向きと合わせるための基準方向
とを有する補正ルール用パターンを用いることを特徴と
する。
クパターンエッジの基準位置に重ねるための基準位置
と、マスクパターンエッジの方向及びマスクパターンエ
ッジのデータ内部方向の向きと合わせるための基準方向
とを有する補正ルール用パターンを用いることを特徴と
する。
【００１４】また、本発明の近接効果補正方法は、マス
クパターンエッジの種類に応じて複数の換算表を有し、
その中から適切な換算表を選択して用いることを特徴と
する。
クパターンエッジの種類に応じて複数の換算表を有し、
その中から適切な換算表を選択して用いることを特徴と
する。
【００１５】また、本発明の近接効果補正方法は、最初
にマスクパターン角部のエッジを補正し、次にその時の
補正量に応じて修正した新たな補正パラメータ値を用い
てマスクパターン角部以外のエッジの補正を行うことを
特徴とする。
にマスクパターン角部のエッジを補正し、次にその時の
補正量に応じて修正した新たな補正パラメータ値を用い
てマスクパターン角部以外のエッジの補正を行うことを
特徴とする。
【００１６】本発明においては、補正ルール用パターン
とマスクパターンを重ねて比較し、補正ルール用パター
ンの各要素パターンと重なるマスクパターンの面積値を
算出する。図１に本発明で用いる補正ルール用パターン
の例を示す。補正ルール用パターン１１は複数の要素パ
ターンＰkl（k 、l は要素パターンの位置に対応する整
数）から構成される。またマスクパターン５０の頂点５
１に対応する基準点１２と、着目エッジ５２の向きに対
応する基準向き１３と、着目エッジ５３のデータ内部方
向の向きに対応する基準向き１４とが設定されている。
とマスクパターンを重ねて比較し、補正ルール用パター
ンの各要素パターンと重なるマスクパターンの面積値を
算出する。図１に本発明で用いる補正ルール用パターン
の例を示す。補正ルール用パターン１１は複数の要素パ
ターンＰkl（k 、l は要素パターンの位置に対応する整
数）から構成される。またマスクパターン５０の頂点５
１に対応する基準点１２と、着目エッジ５２の向きに対
応する基準向き１３と、着目エッジ５３のデータ内部方
向の向きに対応する基準向き１４とが設定されている。
【００１７】次に、図１に示した補正ルール用パターン
１１と、図５（ａ）に示したマスクパターン５０とを重
ね合わせたところを図２（ａ）に示す。補正ルール用パ
ターン１１の各要素パターンＰklと重なったマスクパタ
ーン５０のデータ部分の面積値Ｓklを算出し、これらの
組を補正パラメータとする。
１１と、図５（ａ）に示したマスクパターン５０とを重
ね合わせたところを図２（ａ）に示す。補正ルール用パ
ターン１１の各要素パターンＰklと重なったマスクパタ
ーン５０のデータ部分の面積値Ｓklを算出し、これらの
組を補正パラメータとする。
【００１８】次に、各要素パターンの面積値からなる補
正パラメータ値の組と換算表から補正値を決定する。図
２（ｂ）は、エッジ角部分５４の補正値を求めるための
換算表の一部を示す。補正値ｄＥは例えば各位置の面積
値Ｓ-l-m＋・・・＋Ｓlmと換算表の換算因子値Ａ-l-m＋
・・・＋Ａlmと設定値Ｂを用いて以下の式により計算す
る。 ｄＥ＝Ｂ−（Ａ-l-m×Ｓ-l-m＋・・・＋Ａlm×Ｓlm）2 このようにして求めた補正値ｄＥを用いて、従来と同様
にマスクパターンのエッジ角部分５４を補正する。
正パラメータ値の組と換算表から補正値を決定する。図
２（ｂ）は、エッジ角部分５４の補正値を求めるための
換算表の一部を示す。補正値ｄＥは例えば各位置の面積
値Ｓ-l-m＋・・・＋Ｓlmと換算表の換算因子値Ａ-l-m＋
・・・＋Ａlmと設定値Ｂを用いて以下の式により計算す
る。 ｄＥ＝Ｂ−（Ａ-l-m×Ｓ-l-m＋・・・＋Ａlm×Ｓlm）2 このようにして求めた補正値ｄＥを用いて、従来と同様
にマスクパターンのエッジ角部分５４を補正する。
【００１９】次にエッジライン部分５５についても同様
にして補正値を求める。ただし、この場合には、エッジ
ライン部分５５用の換算表を用いる。また、各面積値Ｓ
klは先にエッジ角部分５４を補正した後のパターンを用
いて求める。
にして補正値を求める。ただし、この場合には、エッジ
ライン部分５５用の換算表を用いる。また、各面積値Ｓ
klは先にエッジ角部分５４を補正した後のパターンを用
いて求める。
【００２０】さらに、他の補正対象エッジについても、
同様に補正を行い、近接効果補正がなされたマスクパタ
ーンを得る。
同様に補正を行い、近接効果補正がなされたマスクパタ
ーンを得る。
【００２１】
【実施例】本発明の一実施例を図３に示すとともに以下
に説明する。本実施例においては、図１に示した補正ル
ール用パターン１１を用いて図７のマスクパターン５０
を補正する。補正ルール用パターン１１の基準点１２と
マスクパターン５０の頂点５１、基準向き１３と着目エ
ッジ５２の向き、及び基準向き１４と着目エッジ５２の
データ内部方向の向きが一致するように重ねる。補正ル
ール用パターン１１の各要素パターンＰklと重なったマ
スクパターン５０のデータ部分の各面積値Ｓklを算出
し、これらの組を補正パラメータとする。換算表を用い
て補正値ｄＥを求め、マスクパターンエッジの角部分５
４を補正する。このときエッジ角部分５４の補正値は
０．０８μm となる。次にエッジライン部分５５につい
ても同様に、エッジライン部分５５用の換算表より補正
値を求め、補正を行う。この結果、得られる補正後のレ
ジストパターン２１は十分に補正されている。
に説明する。本実施例においては、図１に示した補正ル
ール用パターン１１を用いて図７のマスクパターン５０
を補正する。補正ルール用パターン１１の基準点１２と
マスクパターン５０の頂点５１、基準向き１３と着目エ
ッジ５２の向き、及び基準向き１４と着目エッジ５２の
データ内部方向の向きが一致するように重ねる。補正ル
ール用パターン１１の各要素パターンＰklと重なったマ
スクパターン５０のデータ部分の各面積値Ｓklを算出
し、これらの組を補正パラメータとする。換算表を用い
て補正値ｄＥを求め、マスクパターンエッジの角部分５
４を補正する。このときエッジ角部分５４の補正値は
０．０８μm となる。次にエッジライン部分５５につい
ても同様に、エッジライン部分５５用の換算表より補正
値を求め、補正を行う。この結果、得られる補正後のレ
ジストパターン２１は十分に補正されている。
【００２２】次に、別の実施例を図４に示すとともに以
下に説明する。本実施例では、エッジライン部分５５を
あらかじめ設定した長さＹで２つのエッジに分割する。
従来技術によれば両エッジの補正量は同じとなるが、本
発明による方法では、新エッジａ６０の基準点Ａは新基
準点６２、新エッジｂ６１の基準点Ｂは新基準点６３と
なるため、２つの新エッジ６０、６１の補正量は異なっ
ている。このときの新エッジａ６０の補正値は０．０３
μm 、新エッジｂ６１の補正値は０μm である。従っ
て、より高精度な近接効果補正が可能である。
下に説明する。本実施例では、エッジライン部分５５を
あらかじめ設定した長さＹで２つのエッジに分割する。
従来技術によれば両エッジの補正量は同じとなるが、本
発明による方法では、新エッジａ６０の基準点Ａは新基
準点６２、新エッジｂ６１の基準点Ｂは新基準点６３と
なるため、２つの新エッジ６０、６１の補正量は異なっ
ている。このときの新エッジａ６０の補正値は０．０３
μm 、新エッジｂ６１の補正値は０μm である。従っ
て、より高精度な近接効果補正が可能である。
【００２３】
【発明の効果】従来の技術では異なるパターンでも補正
量が同じになる場合があったが、本発明においては、パ
ターンの形状に合わせた最適な補正量で補正を行うた
め、パターン寸法精度を向上することができる。また、
着目した補正対象エッジについて、隣接する区域のパタ
ーンの有無を判別するにとどまらず、その周辺部分の面
積値を算出してこれを補正パラメータとして用いるの
で、より精度の高い近接効果補正が可能となる。
量が同じになる場合があったが、本発明においては、パ
ターンの形状に合わせた最適な補正量で補正を行うた
め、パターン寸法精度を向上することができる。また、
着目した補正対象エッジについて、隣接する区域のパタ
ーンの有無を判別するにとどまらず、その周辺部分の面
積値を算出してこれを補正パラメータとして用いるの
で、より精度の高い近接効果補正が可能となる。
【図１】 本発明における補正ルール用パターンを示す
図である。
図である。
【図２】 本発明における補正方法を説明するための図
である。
である。
【図３】 本発明の一実施例を示す図である。
【図４】 本発明の別の実施例を示す図である。
【図５】 従来の方法を説明するための図である。
【図６】 従来の方法を説明するための図である。
【図７】 従来の方法を説明するための図である。
【図８】 従来の方法を説明するための図である。
１１ 補正ルール用パターン １２ 基準点 １３ 基準方向Ａ １４ 基準方法Ｂ ２０ 補正後マスクパターン ２１ 補正後レジストパターン ５０ 補正前マスクパターン ５１ マスクパターン頂点 ５２ 着目エッジ ５３ 着目エッジと頂点で交差するエッジ ５４ エッジ角部分 ５５ エッジライン部分 ５６ 補正前レジストパターン ６０ 新エッジａ ６１ 新エッジｂ ６２ 新基準点Ａ ６３ 新基準点Ｂ
Claims (8)
- 【請求項１】 複数の要素パターンからなる補正ルール
用パターンをマスクパターンと重ね合わせて比較し、各
要素パターン毎にマスクパターンとの重なり面積値から
補正パラメータ値を決め、補正パラメータ値の組と換算
表を用いてマスクパターンエッジの補正値を求め、その
補正値を用いてマスクパターンエッジを修正して得られ
ることを特徴とする近接効果補正マスク。 - 【請求項２】 マスクパターンエッジの基準位置に重ね
るための基準位置と、マスクパターンエッジの向き及び
マスクパターンエッジのデータ内部方向の向きに合わせ
るための基準方向とを有する補正ルール用パターンを用
いて得られることを特徴とする請求項１に記載の近接効
果補正マスク。 - 【請求項３】 マスクパターンエッジの種類に応じて選
択した換算表を用いて得られることを特徴とする請求項
１又は請求項２に記載の近接効果補正マスク。 - 【請求項４】 最初にマスクパターン角部のエッジを補
正し、次にその時の補正量に応じて修正した新たな補正
パラメータ値を用いてマスクパターン角部以外のエッジ
の補正を行って得られることを特徴とする請求項１〜３
のいずれか一に記載の近接効果補正マスク。 - 【請求項５】 複数の要素パターンからなる補正ルール
用パターンをマスクパターンと重ね合わせて比較し、各
要素パターン毎にマスクパターンとの重なり面積値から
補正パラメータ値を決め、補正パラメータ値の組と換算
表を用いてマスクパターンエッジの補正値を求め、その
補正値を用いてマスクパターンエッジを修正することを
特徴とする近接効果補正方法。 - 【請求項６】 マスクパターンエッジの基準位置に重ね
るための基準位置と、マスクパターンエッジの向き及び
マスクパターンエッジのデータ内部方向の向きに合わせ
るための基準方向とを有する補正ルール用パターンを用
いることを特徴とする請求項５に記載の近接効果補正方
法。 - 【請求項７】 マスクパターンエッジの種類に応じて複
数の換算表を有し、その中から適切な換算表を選択して
用いることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の
近接効果補正方法。 - 【請求項８】 最初にマスクパターン角部のエッジを補
正し、次にその時の補正量に応じて修正した新たな補正
パラメータ値を用いてマスクパターン角部以外のエッジ
の補正を行うことを特徴とする請求項５〜７のいずれか
一に記載の近接効果補正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30769397A JP3116880B2 (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 近接効果補正マスク及び近接効果補正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30769397A JP3116880B2 (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 近接効果補正マスク及び近接効果補正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11143049A true JPH11143049A (ja) | 1999-05-28 |
| JP3116880B2 JP3116880B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=17972096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30769397A Expired - Fee Related JP3116880B2 (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 近接効果補正マスク及び近接効果補正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3116880B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100428884B1 (ko) * | 2000-06-13 | 2004-04-28 | 에이에스엠엘 마스크툴즈 비.브이. | 가변치수를 갖는 세리프를 이용하는 광근접 보정방법 |
| JP2009139632A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Elpida Memory Inc | マスクパターン補正方法及び露光用マスク |
-
1997
- 1997-11-10 JP JP30769397A patent/JP3116880B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100428884B1 (ko) * | 2000-06-13 | 2004-04-28 | 에이에스엠엘 마스크툴즈 비.브이. | 가변치수를 갖는 세리프를 이용하는 광근접 보정방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3116880B2 (ja) | 2000-12-11 |
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