JP2805622B2 - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、パターン形成方法に関する。本発明は、例
えば、半導体装置製造の分野に適用して、半導体装置上
の各種パターンを形成するための露光用マスクのパター
ン形成方法として利用することができる。
えば、半導体装置製造の分野に適用して、半導体装置上
の各種パターンを形成するための露光用マスクのパター
ン形成方法として利用することができる。
本発明は、露光用マスク上のもとのパターンと、露光
面上に転写されて形成されたパターンとの間の変換量に
応じて露光用マスクを形成することにより、装置の各種
要因等によるパターン形成のバラツキを解消して、正確
なパターン転写を可能ならしめたものである。
面上に転写されて形成されたパターンとの間の変換量に
応じて露光用マスクを形成することにより、装置の各種
要因等によるパターン形成のバラツキを解消して、正確
なパターン転写を可能ならしめたものである。
従来のパターン形成方法、例えば超LSI等の半導体装
置のパターン形成に用いる露光用マスクのマスクパター
ンを形成する方法にあっては、設計されたパターンに基
づいて、該パターンを設計パターンに忠実に作るように
している。ところが、設計されたパターンに忠実にパタ
ーン形成すると、実際に露光装置を用いてパターン転写
した場合に、却って所定の設計どおりのパターンが得ら
れないことがある。
置のパターン形成に用いる露光用マスクのマスクパター
ンを形成する方法にあっては、設計されたパターンに基
づいて、該パターンを設計パターンに忠実に作るように
している。ところが、設計されたパターンに忠実にパタ
ーン形成すると、実際に露光装置を用いてパターン転写
した場合に、却って所定の設計どおりのパターンが得ら
れないことがある。
即ち、マスクパターンそれ自体も、一般に、パターン
露光して焼き付ける工程を含む製造工程によって形成さ
れるが、このとき用いる実際の露光装置には、レンズの
歪その他による、解像能力等の露光面内でのバラツキが
ある。このため、例えば、露光面の中心と周辺とでは、
同一線幅のものでも異なった幅で焼き付けられてしまう
ことがある。例えば露光面の中心では、0.50μｍのライ
ンが正確に0.50μｍに焼き付けられるのに、周辺部で
は、0.55μｍになってしまうというようなことがよくあ
る。微細パターンの形成にとっては、このような0.05μ
ｍの差は極めて重大である。また、同じく0.50μｍのラ
インが、0.45μｍに細って焼き付けられることも出て来
るが、このときは、該パターンが例えばコンタクトホー
ル形成用のものである場合など、必要なコンタクトホー
ルが開口されない場合が出て来て、マスクパターンとし
ての機能を果たし得ないことがある。
露光して焼き付ける工程を含む製造工程によって形成さ
れるが、このとき用いる実際の露光装置には、レンズの
歪その他による、解像能力等の露光面内でのバラツキが
ある。このため、例えば、露光面の中心と周辺とでは、
同一線幅のものでも異なった幅で焼き付けられてしまう
ことがある。例えば露光面の中心では、0.50μｍのライ
ンが正確に0.50μｍに焼き付けられるのに、周辺部で
は、0.55μｍになってしまうというようなことがよくあ
る。微細パターンの形成にとっては、このような0.05μ
ｍの差は極めて重大である。また、同じく0.50μｍのラ
インが、0.45μｍに細って焼き付けられることも出て来
るが、このときは、該パターンが例えばコンタクトホー
ル形成用のものである場合など、必要なコンタクトホー
ルが開口されない場合が出て来て、マスクパターンとし
ての機能を果たし得ないことがある。
（上記解像力と、例えばレンズNAとの関係等について
は、プレスジャーナル社「月刊Semiconductor World」1
987.5、第77〜84頁、特に第78〜81頁参照）。
は、プレスジャーナル社「月刊Semiconductor World」1
987.5、第77〜84頁、特に第78〜81頁参照）。
上記問題が生ずるのは、レンズの性能の限界近くで作
業しているためであり、現状では0.50μｍ程度が限界で
あるので、実際工場などで使う時には、設計ルールをゆ
るくして、即ち少し太めに設定して、例えば0.60μｍの
ラインをレンズの中心及び周辺のどちらでも焼き付けら
れるようにしている。
業しているためであり、現状では0.50μｍ程度が限界で
あるので、実際工場などで使う時には、設計ルールをゆ
るくして、即ち少し太めに設定して、例えば0.60μｍの
ラインをレンズの中心及び周辺のどちらでも焼き付けら
れるようにしている。
しかし今後、露光技術がほとんど極限に近くなること
が想定される。このようになると、露光装置の能力と使
用条件（使用する最小寸法）とのマージンが、どんどん
小さくなる。
が想定される。このようになると、露光装置の能力と使
用条件（使用する最小寸法）とのマージンが、どんどん
小さくなる。
従って現状でも、限界近くでパターン形成する場合に
は、同じく0.50μｍで設計したパターンでも、上述した
理由により、露光面の中心近くでは0.50μｍにできても
周辺ではできないので、露光量をオーバーにする等し
て、例えば中心では0.48μｍ、周辺では0.52μｍといっ
たように仕上がるように調整して、作業を行うようにし
ている。
は、同じく0.50μｍで設計したパターンでも、上述した
理由により、露光面の中心近くでは0.50μｍにできても
周辺ではできないので、露光量をオーバーにする等し
て、例えば中心では0.48μｍ、周辺では0.52μｍといっ
たように仕上がるように調整して、作業を行うようにし
ている。
上記のようなやり方は、パターンを正しく転写すると
いう意味からすれば、はじめからねらいの寸法とは異な
った値になることを覚悟で平均値としての最適条件しか
求めないので、パターン転写を行っているものと言わざ
るを得ない。これではおのずと限界がくることは明らか
である。
いう意味からすれば、はじめからねらいの寸法とは異な
った値になることを覚悟で平均値としての最適条件しか
求めないので、パターン転写を行っているものと言わざ
るを得ない。これではおのずと限界がくることは明らか
である。
本発明は、上記従来技術の問題点を解決しようとする
もので、従来、装置の想像力、寸法変換差、適正露光量
等のバラツキにより、パターンが正確に転写形成され
ず、バラツキ例えば露光面の中心部と周辺部とでのパタ
ーン転写のバラツキがあったのを解消して、正確なパタ
ーン転写が可能である、精密なパターン形成方法を提供
せんとするものである。
もので、従来、装置の想像力、寸法変換差、適正露光量
等のバラツキにより、パターンが正確に転写形成され
ず、バラツキ例えば露光面の中心部と周辺部とでのパタ
ーン転写のバラツキがあったのを解消して、正確なパタ
ーン転写が可能である、精密なパターン形成方法を提供
せんとするものである。
上記した問題点を解決するため、本願の請求項１のパ
ターン形成方法は、半導体チップ形成用の露光用マスク
のマスクパターンを形成する際に、同一露光面を複数の
部分に分割し、各部分でのパターンの変換量に応じて、
露光用マスクを形成するパターン形成方法において、 半導体チップを上記複数の部分に対応して複数の部分
に分割し、 特定の相異なる大きさの２以上のパターンを有するテ
ストマスクを用いて、露光して、上記複数の部分に分割
した各部分について該各大きさのパターンによりパター
ン形成した場合の上記各部分での上記各大きさのパター
ンに対する転写パターンの変換量をマップ化し、 該マップの変換量に基づいて得た上記各部分での上記
各大きさのパターンについての所要補正値をマップ化
し、 該マップの所要補正値に基づいてマスクパターンを作
成して半導体チップ形成用の露光用マスクを形成する 手段を採る。
ターン形成方法は、半導体チップ形成用の露光用マスク
のマスクパターンを形成する際に、同一露光面を複数の
部分に分割し、各部分でのパターンの変換量に応じて、
露光用マスクを形成するパターン形成方法において、 半導体チップを上記複数の部分に対応して複数の部分
に分割し、 特定の相異なる大きさの２以上のパターンを有するテ
ストマスクを用いて、露光して、上記複数の部分に分割
した各部分について該各大きさのパターンによりパター
ン形成した場合の上記各部分での上記各大きさのパター
ンに対する転写パターンの変換量をマップ化し、 該マップの変換量に基づいて得た上記各部分での上記
各大きさのパターンについての所要補正値をマップ化
し、 該マップの所要補正値に基づいてマスクパターンを作
成して半導体チップ形成用の露光用マスクを形成する 手段を採る。
また、本願の請求項２のパターン形成方法は、 半導体チップ形成用の露光用マスクのマスクパターン
を形成する際に、同一露光面を複数の部分に分割し、各
部分でのパターン変換量に応じて、露光用マスクのパタ
ーン幅を各部分で異ならせ、同一露光面全体で略同一幅
のパターンを形成するパターン形成方法において、 半導体チップを上記複数の部分に対応して複数の部分
に分割し、 特定の相異なる大きさの２以上のパターンを有するテ
ストマスクを用いて、露光して、上記複数の部分に分割
した各部分について該各大きさのパターンによりパター
ン形成した場合の上記各部分での上記各大きさのパター
ンに対する転写パターンの変換量をマップ化し、 該マップの変換量に基づいて得た上記各部分での上記
各大きさのパターンについての所要補正値をマップ化
し、 該マップの所要補正値に基づいてマスクパターンを作
成して半導体チップ形成用の露光用マスクを形成する 手段を採る。
を形成する際に、同一露光面を複数の部分に分割し、各
部分でのパターン変換量に応じて、露光用マスクのパタ
ーン幅を各部分で異ならせ、同一露光面全体で略同一幅
のパターンを形成するパターン形成方法において、 半導体チップを上記複数の部分に対応して複数の部分
に分割し、 特定の相異なる大きさの２以上のパターンを有するテ
ストマスクを用いて、露光して、上記複数の部分に分割
した各部分について該各大きさのパターンによりパター
ン形成した場合の上記各部分での上記各大きさのパター
ンに対する転写パターンの変換量をマップ化し、 該マップの変換量に基づいて得た上記各部分での上記
各大きさのパターンについての所要補正値をマップ化
し、 該マップの所要補正値に基づいてマスクパターンを作
成して半導体チップ形成用の露光用マスクを形成する 手段を採る。
本発明について、後記詳述する本発明の一実施例を示
す第１図以下の例示を参照して説明すると、次のとおり
である。
す第１図以下の例示を参照して説明すると、次のとおり
である。
本発明においては、同一露光面を複数の部分に分割す
る（第１図の符号Ｉで示す工程）。例えば、第２図に略
示する如く、露光面を複数に（図では９区分に）分割す
る。
る（第１図の符号Ｉで示す工程）。例えば、第２図に略
示する如く、露光面を複数に（図では９区分に）分割す
る。
次に、各部分でのパターンの変換量に応じて、露光用
マスクを形成する（第１図の符号IIで示す工程）。
マスクを形成する（第１図の符号IIで示す工程）。
これは、複数の部分に分割した各部分でのパターン変
換量に応じて、露光用マスクのパターン幅を各部分で異
ならせることで、露光用マスクを形成するようにでき
る。
換量に応じて、露光用マスクのパターン幅を各部分で異
ならせることで、露光用マスクを形成するようにでき
る。
例えば、分割された或る部分において、0.50μｍのテ
ストマスクを使用して、該当する装置を用いてパターン
形成する（第１図の符号IIaの工程）と、実際には例え
ば0.48μｍの転写パターンが形成されたとする（第１図
の符号IIb参照）。この場合、パターンの変換量は0.02
μｍということがわかるので、この値を求める（第１図
の符号IIcの工程）。このようにして得られた各部分で
のパターン変換量に応じて、露光用マスクを形成するの
であり、例えば図示例示の上記符号IIcの工程で得たパ
ターンの変換量に応じて、図示IIdの工程で露光用マス
クのパターン幅を各部分で異ならせて、マスクパターン
を形成する。このように補正したマスクパターンを用い
て、露光してパターンを形成する（第１図の符号IIIで
示す工程）ことにより、同一露光面全体で略同一幅のパ
ターンを形成するようにできる。
ストマスクを使用して、該当する装置を用いてパターン
形成する（第１図の符号IIaの工程）と、実際には例え
ば0.48μｍの転写パターンが形成されたとする（第１図
の符号IIb参照）。この場合、パターンの変換量は0.02
μｍということがわかるので、この値を求める（第１図
の符号IIcの工程）。このようにして得られた各部分で
のパターン変換量に応じて、露光用マスクを形成するの
であり、例えば図示例示の上記符号IIcの工程で得たパ
ターンの変換量に応じて、図示IIdの工程で露光用マス
クのパターン幅を各部分で異ならせて、マスクパターン
を形成する。このように補正したマスクパターンを用い
て、露光してパターンを形成する（第１図の符号IIIで
示す工程）ことにより、同一露光面全体で略同一幅のパ
ターンを形成するようにできる。
上記の内、例えばパターンの変換量を得る工程IIcま
ではCAD（Computer Aid Design）システムにより達成
し、該CADシステムにより得たデータに基づいて、補正
したマスクパターンを形成するようにできる。
ではCAD（Computer Aid Design）システムにより達成
し、該CADシステムにより得たデータに基づいて、補正
したマスクパターンを形成するようにできる。
上記のように、本願の請求項１の発明によれば、複数
に分割した各部分について、それぞれの部分でのパター
ン変換量を得て、その変換量に応じて露光用マスクを形
成するので、各部分について設計されたパターンとこれ
を用いて露光したときに実際に転写されるパターンとが
異なる場合でも、該異なる量即ち変換量で補正した露光
用マスクを形成できるので、これにより得られるパター
ンは、所定のパターンとなる。
に分割した各部分について、それぞれの部分でのパター
ン変換量を得て、その変換量に応じて露光用マスクを形
成するので、各部分について設計されたパターンとこれ
を用いて露光したときに実際に転写されるパターンとが
異なる場合でも、該異なる量即ち変換量で補正した露光
用マスクを形成できるので、これにより得られるパター
ンは、所定のパターンとなる。
また、パターン幅を各部分で異ならせる本願の請求項
２の発明によれば、パターンの線幅について。上記の如
き補正がなされ、露光面全体が所定の同一の幅に対して
は所定の同一の幅でパターン形成されることになる。
２の発明によれば、パターンの線幅について。上記の如
き補正がなされ、露光面全体が所定の同一の幅に対して
は所定の同一の幅でパターン形成されることになる。
以下本発明の一実施例を、図面を参照して説明する。
なお当然のことではあるが、本発明は以下に示す実施例
により限定されるものではない。
なお当然のことではあるが、本発明は以下に示す実施例
により限定されるものではない。
この実施例は、本発明を、微細パターンを有する超LS
I等の半導体装置のパターン形成に用いる露光用マスク
パターンを形成する場合に、適用したものである。
I等の半導体装置のパターン形成に用いる露光用マスク
パターンを形成する場合に、適用したものである。
本実施例は、露光用マスクパターンを形成する露光装
置の想像力データをパターンの変換量、例えば0.50μｍ
の穴（例えばコンタクトホール用の穴）が露光面内でど
のような寸法の変化をするかという変換量として数値表
現化し、この解像データを基にして、即ち変換量に応じ
て、設計された回路パターン情報に変調を施し、この変
調されたパターン情報に従って、マスクパターンを形成
するようにしたものである。
置の想像力データをパターンの変換量、例えば0.50μｍ
の穴（例えばコンタクトホール用の穴）が露光面内でど
のような寸法の変化をするかという変換量として数値表
現化し、この解像データを基にして、即ち変換量に応じ
て、設計された回路パターン情報に変調を施し、この変
調されたパターン情報に従って、マスクパターンを形成
するようにしたものである。
本発明においては、同一露光面を複数の部分に分割し
て、各部分について上記パターンの変換量を求めるので
あるが、本実施例においては、このデータ（変換量）を
マップ化して、該変換量に応じてマスクパターンを補正
して形成するようにした。
て、各部分について上記パターンの変換量を求めるので
あるが、本実施例においては、このデータ（変換量）を
マップ化して、該変換量に応じてマスクパターンを補正
して形成するようにした。
また本実施例では、回路パターン情報に対して変調を
施す基となる各部分についての変換量を、CADシステム
を用いてデータ計算するようにした。即ち、CADシステ
ムでデータを得、これらよって露光マスク（レティク
ル）をEB変換により形成するようにしたものである。
施す基となる各部分についての変換量を、CADシステム
を用いてデータ計算するようにした。即ち、CADシステ
ムでデータを得、これらよって露光マスク（レティク
ル）をEB変換により形成するようにしたものである。
以下本実施例について更に詳しく述べる。
本実施例においては、素子１チップを形成する露光マ
スクパターンを形成するもので、マスクパターンを形成
すべき露光面１を第２図に略示するように例えば９カ所
に分割する。図の如く、中心部11と、周辺部12〜19とに
分割したとする。
スクパターンを形成するもので、マスクパターンを形成
すべき露光面１を第２図に略示するように例えば９カ所
に分割する。図の如く、中心部11と、周辺部12〜19とに
分割したとする。
次いで、0.50μｍ、0.55μｍ、0.60μｍの各パターン
幅のコンタクトホールパターンを有するテストマスクを
用いて、該当する露光装置により、各部分11〜19の、例
えば第１図に○を付して示した部分を焼き付ける。
幅のコンタクトホールパターンを有するテストマスクを
用いて、該当する露光装置により、各部分11〜19の、例
えば第１図に○を付して示した部分を焼き付ける。
これによる寸法仕上がりが、第３図に示したようなマ
ップだったと仮定する。第３図のマップは、中心部11に
ついては、0.50μｍ、0,55μｍ、0.60μｍがそれぞれ正
確な線幅でパターン転写されているが、周辺部、例えば
周辺部12については、0.50μｍのパターン幅が0.48μｍ
のパターン幅になって転写され、0.55μｍのパターン幅
は同じく0.54μｍで転写され、0.60μｍのものについて
は正確に転写されていることを示す。このように実際に
転写されたパターン幅がばらつくのは、解像力のバラツ
キ、適性露光量のバラツキ、寸法変換差のバラツキな
ど、使用する装置における様々な要因に基づく。
ップだったと仮定する。第３図のマップは、中心部11に
ついては、0.50μｍ、0,55μｍ、0.60μｍがそれぞれ正
確な線幅でパターン転写されているが、周辺部、例えば
周辺部12については、0.50μｍのパターン幅が0.48μｍ
のパターン幅になって転写され、0.55μｍのパターン幅
は同じく0.54μｍで転写され、0.60μｍのものについて
は正確に転写されていることを示す。このように実際に
転写されたパターン幅がばらつくのは、解像力のバラツ
キ、適性露光量のバラツキ、寸法変換差のバラツキな
ど、使用する装置における様々な要因に基づく。
次いで、上記第３図のような仕上がり寸法に基づい
て、これを定められたルールで処理することにより、そ
れぞれの設計寸法に応じたデータ変換量を求める。第３
図のマップに対しては、第４図に示すような変換量のマ
ップが得られる。第４図のマップは、中心部11では変換
量は各線幅パターンについてゼロであるが、例えば周辺
部12については、0.50μｍのパターンについては、これ
が0.48μｍで形成されたため、＋0.02の補正値を要する
ということである。どの程度迄を許容するかは具体的に
設定したルールによる。この例では0.01μｍ迄の変換は
許容範囲とした。従って、周辺部12において、0.55μｍ
のパターンは実際には0.54μｍのパターンで形成された
が、これは許容し、従って補正値はゼロとした。またこ
のようなルール設定に伴い、補正値が必ずしも所定パタ
ーン幅と形成されたパターン幅との差になっていない場
合もある。これらはそれぞれの計算システムによって異
なって来る。
て、これを定められたルールで処理することにより、そ
れぞれの設計寸法に応じたデータ変換量を求める。第３
図のマップに対しては、第４図に示すような変換量のマ
ップが得られる。第４図のマップは、中心部11では変換
量は各線幅パターンについてゼロであるが、例えば周辺
部12については、0.50μｍのパターンについては、これ
が0.48μｍで形成されたため、＋0.02の補正値を要する
ということである。どの程度迄を許容するかは具体的に
設定したルールによる。この例では0.01μｍ迄の変換は
許容範囲とした。従って、周辺部12において、0.55μｍ
のパターンは実際には0.54μｍのパターンで形成された
が、これは許容し、従って補正値はゼロとした。またこ
のようなルール設定に伴い、補正値が必ずしも所定パタ
ーン幅と形成されたパターン幅との差になっていない場
合もある。これらはそれぞれの計算システムによって異
なって来る。
次に、上記により得られた変換量に応じて、実際にマ
スクパターンを作成する。一般に、露光用マスクのマス
クパターンは、EB（電子線）照射によりクロムでパター
ンを形成するので、本例においても、該EBを制御する信
号を上記変換量に基づいて変調して補正することによ
り、マスク（レティクル）を得た。これにより、同一露
光面全体が、同一幅のパターンに対しては略同一の幅の
パターンで形成されるようになる。即ち、露光されて形
成されたパターンの寸法は、第５図に示すようになる。
スクパターンを作成する。一般に、露光用マスクのマス
クパターンは、EB（電子線）照射によりクロムでパター
ンを形成するので、本例においても、該EBを制御する信
号を上記変換量に基づいて変調して補正することによ
り、マスク（レティクル）を得た。これにより、同一露
光面全体が、同一幅のパターンに対しては略同一の幅の
パターンで形成されるようになる。即ち、露光されて形
成されたパターンの寸法は、第５図に示すようになる。
第５図から明らかなように、補正したマスクで露光し
たパターンの仕上がりは、第３図と比べると、寸法のバ
ラツキが大きく低減されていることが判る。
たパターンの仕上がりは、第３図と比べると、寸法のバ
ラツキが大きく低減されていることが判る。
上記により作成したマスク（レティクル）は、特定の
露光装置だけで使用し得るものではあるが、該露光装置
の能力の限界で、レンズの歪その他に基づくバラツキの
問題を完全に回避できる。
露光装置だけで使用し得るものではあるが、該露光装置
の能力の限界で、レンズの歪その他に基づくバラツキの
問題を完全に回避できる。
上記実施例では、解像データとして、コンタクトホー
ルの幅（コンタクトサイズ）を用いて実施したが、その
他の線幅、スペース幅、ライン＆スペース等をデータと
して用いることができ、またコンタクトホール等のタ
テ、ヨコ比の補正により、非点収差を解消して真円が楕
円になってしまうようなことを防ぐ補正を行うことがで
きる。これらの任意のデータについて、そのマスク寸法
依存性をとって、上記操作を行えばよい。
ルの幅（コンタクトサイズ）を用いて実施したが、その
他の線幅、スペース幅、ライン＆スペース等をデータと
して用いることができ、またコンタクトホール等のタ
テ、ヨコ比の補正により、非点収差を解消して真円が楕
円になってしまうようなことを防ぐ補正を行うことがで
きる。これらの任意のデータについて、そのマスク寸法
依存性をとって、上記操作を行えばよい。
また、どのようなパターンについて適用するかも任意
であり、例えば一般的なレジストパターン用露光用マス
クのパターン形成として利用することができ、その他各
種のパターン形成の手段として具体化できる。
であり、例えば一般的なレジストパターン用露光用マス
クのパターン形成として利用することができ、その他各
種のパターン形成の手段として具体化できる。
またデータとしては、露光面をいくつかの領域に分割
したそれぞれの領域内での平均的な数値を用いること
で、コンピュータの計算時間を短縮することができる。
したそれぞれの領域内での平均的な数値を用いること
で、コンピュータの計算時間を短縮することができる。
上述の如く、本実施例では、露光装置における解像
力、寸法変換差等のマップ情報を得、上記マップ情報か
らパターン修正用データを求め、設計データにこのパタ
ーン修正用データを作用させてマスクパターンデータを
得。上記マスクパターンデータによりマスクを作成し、
上記露光装置でのパターン転写に用いるようにしたの
で、下記のような具体的効果を有するものである。
力、寸法変換差等のマップ情報を得、上記マップ情報か
らパターン修正用データを求め、設計データにこのパタ
ーン修正用データを作用させてマスクパターンデータを
得。上記マスクパターンデータによりマスクを作成し、
上記露光装置でのパターン転写に用いるようにしたの
で、下記のような具体的効果を有するものである。
まず、露光面内における解像力のバラツキ、適正露光
量のバラツキ等のフィードバックがかかったマスクを用
いるので、装置の能力の限界まで、所定の寸法での、精
度及び均一性の良いパターニングができる。
量のバラツキ等のフィードバックがかかったマスクを用
いるので、装置の能力の限界まで、所定の寸法での、精
度及び均一性の良いパターニングができる。
また、データのフィードバックは、ある定められたア
ルゴリズムに従って自動的に行うようにできるので、人
手により経験的に行ってきたパターン上の細工に比べ、
確実、正確な作業ができる。
ルゴリズムに従って自動的に行うようにできるので、人
手により経験的に行ってきたパターン上の細工に比べ、
確実、正確な作業ができる。
更に本実施例においては、パターン修正用データは、
露光領域をいくつかに分割し、それぞれの分割領域での
平均的な数値を用いるようにすることができ、この場合
は、計算時間を短縮することが可能である。
露光領域をいくつかに分割し、それぞれの分割領域での
平均的な数値を用いるようにすることができ、この場合
は、計算時間を短縮することが可能である。
上述の如く、本発明によれば、従来、装置の解像力、
寸法変換差、適正露光量等のバラツキにより、パターン
が正確に転写されないことがあったのを、パターンの変
換量に応じて露光用マスクを形成することにより、バラ
ツキ、例えば露光面の中心部と周辺部とでのパターン転
写のバラツキを解消して、精密なパターン転写によりパ
ターンを形成することができる。
寸法変換差、適正露光量等のバラツキにより、パターン
が正確に転写されないことがあったのを、パターンの変
換量に応じて露光用マスクを形成することにより、バラ
ツキ、例えば露光面の中心部と周辺部とでのパターン転
写のバラツキを解消して、精密なパターン転写によりパ
ターンを形成することができる。
第１図は本発明の一実施例を工程図で示すものである。
第２図は、露光面の分割例を模式的に示すもの、第３図
は変換量を得るために形成したパターンの仕上がり寸法
の例を示すマップ、第４図は、同じく変換量に基づく補
正値の例を示すマップ、第５図は補正したマスクで露光
したパターンの仕上がり例を示すマップである。 Ｉ……同一露光面の分割工程、II……パターンの変換量
に応じたマスクパターン形成工程。
第２図は、露光面の分割例を模式的に示すもの、第３図
は変換量を得るために形成したパターンの仕上がり寸法
の例を示すマップ、第４図は、同じく変換量に基づく補
正値の例を示すマップ、第５図は補正したマスクで露光
したパターンの仕上がり例を示すマップである。 Ｉ……同一露光面の分割工程、II……パターンの変換量
に応じたマスクパターン形成工程。
Claims (2)
- 【請求項１】半導体チップ形成用の露光用マスクのマス
クパターンを形成する際に、同一露光面を複数の部分に
分割し、各部分でのパターンの変換量に応じて、露光用
マスクを形成するパターン形成方法において、 半導体チップを上記複数の部分に対応して複数の部分に
分割し、 特定の相異なる大きさの２以上のパターンを有するテス
トマスクを用いて、露光して、上記複数の部分に分割し
た各部分について該各大きさのパターンによりパターン
形成した場合の上記各部分での上記各大きさのパターン
に対する転写パターンの変換量をマップ化し、 該マップの変換量に基づいて得た上記各部分での上記各
大きさのパターンについての所要補正値をマップ化し、 該マップの所要補正値に基づいてマスクパターンを作成
して半導体チップ形成用の露光用マスクを形成する パターン形成方法。 - 【請求項２】半導体チップ形成用の露光用マスクのマス
クパターンを形成する際に、同一露光面を複数の部分に
分割し、各部分でのパターン変換量に応じて、露光用マ
スクのパターン幅を各部分で異ならせ、同一露光面全体
で略同一幅のパターンを形成するパターン形成方法にお
いて、 半導体チップを上記複数の部分に対応して複数の部分に
分割し、 特定の相異なる大きさの２以上のパターンを有するテス
トマスクを用いて、露光して、上記複数の部分に分割し
た各部分について該各大きさのパターンによりパターン
形成した場合の上記各部分での上記各大きさのパターン
に対する転写パターンの変換量をマップ化し、 該マップの変換量に基づいて得た上記各部分での上記各
大きさのパターンについての所要補正値をマップ化し、 該マップの所要補正値に基づいてマスクパターンを作成
して半導体チップ形成用の露光用マスクを形成する パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30722988A JP2805622B2 (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30722988A JP2805622B2 (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02151861A JPH02151861A (ja) | 1990-06-11 |
| JP2805622B2 true JP2805622B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=17966597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30722988A Expired - Fee Related JP2805622B2 (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2805622B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4617650B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2011-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | 多面取り用フォトマスク、電気光学装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58110040A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-06-30 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS59116657A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-07-05 | Fujitsu Ltd | ホトマスクの作成方法 |
-
1988
- 1988-12-05 JP JP30722988A patent/JP2805622B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02151861A (ja) | 1990-06-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |