JPS58110040A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS58110040A JPS58110040A JP56211740A JP21174081A JPS58110040A JP S58110040 A JPS58110040 A JP S58110040A JP 56211740 A JP56211740 A JP 56211740A JP 21174081 A JP21174081 A JP 21174081A JP S58110040 A JPS58110040 A JP S58110040A
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- JP
- Japan
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- pattern
- reticle
- exposure device
- sample
- distortion
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- Granted
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
α） 発明の技術分野
本発明状半導体装置形成の際のシリコン（Ｓｌ）基板上
あるいはホトマスク製造の際のガラス基板上のパターン
の形成方法の改良に関するものである。
あるいはホトマスク製造の際のガラス基板上のパターン
の形成方法の改良に関するものである。
ψ） 技術の背景
近年形成されるパターンの解像度を向上させる方法とし
てホトマスク形成用のレピータ−を用いてパターンを形
成すべき例え＃ｉ、−３２−’ トレジスト膜を浄或し
たＳ１基板上に直接光像を描画させて焼付ける方法がと
られるようになってきている。
てホトマスク形成用のレピータ−を用いてパターンを形
成すべき例え＃ｉ、−３２−’ トレジスト膜を浄或し
たＳ１基板上に直接光像を描画させて焼付ける方法がと
られるようになってきている。
（８） 従来技術と問題点
このようなレピータ−等の露光装置を用いて従来例えば
８１基板上およびガラス基板上に形成したホトレジスト
族を所定のパターンに形成する方法について説明すると
まず第１図に示すように形成すべきパターンの５倍また
は１０倍の寸法のレチクルパターン１を形成したレチク
／Ｌ／２上がら水銀ランプ等の光源３を用いて紫外光線
を照射する。
８１基板上およびガラス基板上に形成したホトレジスト
族を所定のパターンに形成する方法について説明すると
まず第１図に示すように形成すべきパターンの５倍また
は１０倍の寸法のレチクルパターン１を形成したレチク
／Ｌ／２上がら水銀ランプ等の光源３を用いて紫外光線
を照射する。
そして該レチクルよシ透過した光を縮少レンズ４等の光
学系を用いて所定の寸法に縮少し、得られた光像５をＸ
−Ｙ方向の二次元方向に所定のピッチで移動する移動台
６上に載置されているホトレジスト膜を塗布されている
８１基板７上に焼きつけて所定のパターンに該ホトレジ
スト膜を露光している。
学系を用いて所定の寸法に縮少し、得られた光像５をＸ
−Ｙ方向の二次元方向に所定のピッチで移動する移動台
６上に載置されているホトレジスト膜を塗布されている
８１基板７上に焼きつけて所定のパターンに該ホトレジ
スト膜を露光している。
そして該所定のパターンに露光したホトレジスト膜を有
する基板をホトレジスト膜除去剤に浸漬させて露光部あ
るいは未露光部のホトレジスト膜を所定のパターンに形
成するようにしている。
する基板をホトレジスト膜除去剤に浸漬させて露光部あ
るいは未露光部のホトレジスト膜を所定のパターンに形
成するようにしている。
このような方法は前記ホトレジスト膜を形成した８１基
板上に直接所定寸法のパターンのホトマスクを密着させ
、該密着せるホトマスク上よ多光線を照射させて基板上
のホトレジスト膜を露光させるいわゆる密着露光方法よ
りもパターンの解像度が向上しマ、スク合せ精度が向上
する利点があるので最近良く用いられている。
板上に直接所定寸法のパターンのホトマスクを密着させ
、該密着せるホトマスク上よ多光線を照射させて基板上
のホトレジスト膜を露光させるいわゆる密着露光方法よ
りもパターンの解像度が向上しマ、スク合せ精度が向上
する利点があるので最近良く用いられている。
しかし上述した従来のパターン形成方法においては、レ
ピータ−等の露光装置の縮少レンズ等に特有の収差があ
るためレチクルパターンヲｋ。の寸法に縮少して形成さ
れるパターンに歪みが生じ、従って形成されるパターン
が規定の寸法より位置ずれして歪みが生じる不都合が生
じる。この歪みの状態状第２図のようにレチクルパター
ンをｋ。
ピータ−等の露光装置の縮少レンズ等に特有の収差があ
るためレチクルパターンヲｋ。の寸法に縮少して形成さ
れるパターンに歪みが生じ、従って形成されるパターン
が規定の寸法より位置ずれして歪みが生じる不都合が生
じる。この歪みの状態状第２図のようにレチクルパター
ンをｋ。
に縮少して８１基板上に形成した例えば縦、横１０１の
パターン１１においてパターン寸法が０．８μｍ程度縦
、横の方向に４寸法だけ位置ずれするようなことがある
。
パターン１１においてパターン寸法が０．８μｍ程度縦
、横の方向に４寸法だけ位置ずれするようなことがある
。
従ってこのようなパターン形成方法であると例エバトラ
ンジスタのエミッタ領域の拡散用マスクとしての所定パ
ターンの二酸化シリコン膜（ＳｉＯｓ＋）の鷹開叶、あ
るいはエミッタ領域からの配線取り出し用窓開は等一つ
の半導体装置を形成するだめのすべての窓開けの工程を
、レチクルパターンを形成した露光装置と同程度の光学
系の歪みを有する露光装置、極端に云えば同一の露光装
置を用いて一貫して形成しなければ形成される半導体装
置がパターンずれを起す欠点を生じる。
ンジスタのエミッタ領域の拡散用マスクとしての所定パ
ターンの二酸化シリコン膜（ＳｉＯｓ＋）の鷹開叶、あ
るいはエミッタ領域からの配線取り出し用窓開は等一つ
の半導体装置を形成するだめのすべての窓開けの工程を
、レチクルパターンを形成した露光装置と同程度の光学
系の歪みを有する露光装置、極端に云えば同一の露光装
置を用いて一貫して形成しなければ形成される半導体装
置がパターンずれを起す欠点を生じる。
しかしこのように同一の露光装置を用いて一つの半導体
装置を一貫して形成するには極端に云えばレチクルパタ
ーン基に装置を多数設置する必要がめシ、′まだある工
場で一つの工程を終了した８１基板を他の工場へ移送し
て次の工程の作業を実施する場合不可能である等問題点
が多い。
装置を一貫して形成するには極端に云えばレチクルパタ
ーン基に装置を多数設置する必要がめシ、′まだある工
場で一つの工程を終了した８１基板を他の工場へ移送し
て次の工程の作業を実施する場合不可能である等問題点
が多い。
（４）発明の目的
本発明は上述した欠点を除去し、同一の露光装置を用い
なくてもパターンの位置ずれを生じないような新規なパ
ターンの形成方法を提供することを目的とするものであ
る。
なくてもパターンの位置ずれを生じないような新規なパ
ターンの形成方法を提供することを目的とするものであ
る。
（５）発明の構成
かかる目的を達成するためのパターンの形成方法は、Ｘ
、Ｙの二次元方向に所定のピッチで移動する露光装置の
ステージ上に試料を設置し、該試料を二次元方向に走査
させながら該試料にレチクルおよび収縮レンズ等の光学
系を透過した露光装置からの光ビームを照射させて所定
パターンの光像を描画させ、前記試料にパターンを形成
するパターン形成方法において、用いるべき露光装置の
収縮レンズ等の光学系の歪によって変動する寸法に対応
するようにあらかじめ前記レチクルのパターンを修正し
、該修正したレチクルパターンを用いて試料にパターン
を形成することを特徴とするものである。
、Ｙの二次元方向に所定のピッチで移動する露光装置の
ステージ上に試料を設置し、該試料を二次元方向に走査
させながら該試料にレチクルおよび収縮レンズ等の光学
系を透過した露光装置からの光ビームを照射させて所定
パターンの光像を描画させ、前記試料にパターンを形成
するパターン形成方法において、用いるべき露光装置の
収縮レンズ等の光学系の歪によって変動する寸法に対応
するようにあらかじめ前記レチクルのパターンを修正し
、該修正したレチクルパターンを用いて試料にパターン
を形成することを特徴とするものである。
また前記試料が半導体基板あるいはホトマスク形成用の
ガラス基板のいずれかであることを特徴とするものであ
る。
ガラス基板のいずれかであることを特徴とするものであ
る。
（６） 発明の実施例
以下図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に説
明する。
明する。
本発明のパターン形成方法の従来の方法と異なる点は前
記レチクルパターンをあらかじめ使用すべき所定の露光
装置の収縮レンズ等の光学系の歪みに対応して電子ビー
ム露光法を用いて修正して作製しておき、この修正して
作製したレチクルパターンを用いて露光するこ°とにあ
る。
記レチクルパターンをあらかじめ使用すべき所定の露光
装置の収縮レンズ等の光学系の歪みに対応して電子ビー
ム露光法を用いて修正して作製しておき、この修正して
作製したレチクルパターンを用いて露光するこ°とにあ
る。
この方法を説明すると例えば一つの露光装置を用イて焼
きつけたレチクルパターンを、レーザビーム測長器等を
用いて該パターンを形成した露光装置の収縮レンズ等の
光学系の彊みによって生ずる位置ずれ寸法をあらかじめ
測長する。
きつけたレチクルパターンを、レーザビーム測長器等を
用いて該パターンを形成した露光装置の収縮レンズ等の
光学系の彊みによって生ずる位置ずれ寸法をあらかじめ
測長する。
その後例えばあるレチクルを用いてそれをと。
に縮少して形成されたパターンがＸ−Ｙの二次元方向に
それぞれα８μｍの歪みを有していた場合、このデータ
ーを基にＨ８に縮少すべきレチクルを形成する場合を説
明する。第８図に示すようにレチクルを゛形成するレピ
ータ−の走査範囲２１はＸ−Ｙの二次元方向にそれぞれ
１００Ｊ１１づつであシ、ここでＸ−Ｙ方向に歪まず寸
法ｌをそれぞれ歪みの寸法α８μｍの１０倍の寸法の８
μｍづつになるようにして電子ビーム露光装置の電子ビ
ームをレチクルパターン形成用のガラス基板上のホトレ
ジスト膜上に走査させるとよい。
それぞれα８μｍの歪みを有していた場合、このデータ
ーを基にＨ８に縮少すべきレチクルを形成する場合を説
明する。第８図に示すようにレチクルを゛形成するレピ
ータ−の走査範囲２１はＸ−Ｙの二次元方向にそれぞれ
１００Ｊ１１づつであシ、ここでＸ−Ｙ方向に歪まず寸
法ｌをそれぞれ歪みの寸法α８μｍの１０倍の寸法の８
μｍづつになるようにして電子ビーム露光装置の電子ビ
ームをレチクルパターン形成用のガラス基板上のホトレ
ジスト膜上に走査させるとよい。
このように電子ビームをレジスト膜を形成したレチクル
パターン形成用のガラス基板上に走査させるには、一般
に該ガラス基板を設置しているステージがＸ−Ｙ方向に
それぞれ電子ビームの走査範囲２ｎ口程度に一致したピ
ッチで移動するのでこのヌテージ上に電子ビームを照射
してこの走査範囲をつなぎながらパターンを描画してい
るので、ステージの移動位置をレーザーモニター等ヲ用
いて測長してこの測長した値によりステージの移動位置
を指示している計算機に補正情報を提供するζ生、・で
磁気テープ等に貯えられているレチクルパターンのＸ−
Ｙ方向の寸法を所望の寸法に歪ませることができる。
パターン形成用のガラス基板上に走査させるには、一般
に該ガラス基板を設置しているステージがＸ−Ｙ方向に
それぞれ電子ビームの走査範囲２ｎ口程度に一致したピ
ッチで移動するのでこのヌテージ上に電子ビームを照射
してこの走査範囲をつなぎながらパターンを描画してい
るので、ステージの移動位置をレーザーモニター等ヲ用
いて測長してこの測長した値によりステージの移動位置
を指示している計算機に補正情報を提供するζ生、・で
磁気テープ等に貯えられているレチクルパターンのＸ−
Ｙ方向の寸法を所望の寸法に歪ませることができる。
このように電子ビーム露光装置を用いてレチクルパター
ンを所定の寸法に歪ませて形成することは賽島であるの
で一つの露光装置において例えばトランジスタのエミッ
タ拡散形成用窓開１ｔｆｔ＜ターンやエミッタ領域接続
電極用窓開はパターン等を該露光装置の収縮レンズ等の
光学系の歪みに対応させて作製してこのレチクルパター
ンを用いて露光すればパターンの位置ずれを生じること
なく露光でき、高価な露光装置を多数設置する必要もな
くなり、ｔｔ一つの工場で一つの作業を終了した８１基
板を用いて次の工場で次の作業が実施できる。
ンを所定の寸法に歪ませて形成することは賽島であるの
で一つの露光装置において例えばトランジスタのエミッ
タ拡散形成用窓開１ｔｆｔ＜ターンやエミッタ領域接続
電極用窓開はパターン等を該露光装置の収縮レンズ等の
光学系の歪みに対応させて作製してこのレチクルパター
ンを用いて露光すればパターンの位置ずれを生じること
なく露光でき、高価な露光装置を多数設置する必要もな
くなり、ｔｔ一つの工場で一つの作業を終了した８１基
板を用いて次の工場で次の作業が実施できる。
（７）発明の効果
以上述べたように本発明の方法を用いれば半導体装置形
成用のパターンの位置ずれを生じることがなくなシ、ま
た高価な設備を多数用意する必要もなくなるので、この
ような方法を月いて半導体装置を形成すれば形成される
半導体装置が低コストで高信頼度のものとなる。
成用のパターンの位置ずれを生じることがなくなシ、ま
た高価な設備を多数用意する必要もなくなるので、この
ような方法を月いて半導体装置を形成すれば形成される
半導体装置が低コストで高信頼度のものとなる。
また以上の実施例においてはＳｉｌ板上にパターンを形
成する場合について述べたがその他ホトマスク形成用の
ガラス基板上に本発明の方法を適用すると−とも可能で
ある。
成する場合について述べたがその他ホトマスク形成用の
ガラス基板上に本発明の方法を適用すると−とも可能で
ある。
第１図はパターン形成方法を示す図で、第２図ハ従来の
パターンの形成図、第８図はレチクルパターンの補正方
法を示す図である。 図においてｌはレチクルパターン、２はレチクル、８は
光源、４は縮少レンズ、５は光像、６は移動台、７は８
１基板、１１はパターン、２１は走査範囲、ｌは歪みの
寸法、４′は歪ますべき寸法を示す。
パターンの形成図、第８図はレチクルパターンの補正方
法を示す図である。 図においてｌはレチクルパターン、２はレチクル、８は
光源、４は縮少レンズ、５は光像、６は移動台、７は８
１基板、１１はパターン、２１は走査範囲、ｌは歪みの
寸法、４′は歪ますべき寸法を示す。
Claims (2)
- （１）Ｘ、Ｙの二次元方向に所定のピッチで移動する露
光装置のステージ上に試料を設置し、該試料を二次元方
向に走査させながら、該試料にレチクルおよび縮少レン
ズ等の光学系を透過した露光装置からの光ビームを照射
させて所定パターンの光像を描画させ、前記試料にパタ
ーンを形成するパターン形成方法において、前記用いる
べき露光装置の縮少レンズ等の光学系の歪によって変動
する寸法に対応するようにあらかじめ前記レチクルのパ
ターンを修正し、該修正したレチクルパターンを用いて
試料にパターンを形成することを特徴とするパターン形
成方法。 - （２） 前記試料が半導体基板あるいはホトマスク形
成用のガラス基板のいずれかであることを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56211740A JPS58110040A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56211740A JPS58110040A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58110040A true JPS58110040A (ja) | 1983-06-30 |
| JPH0365011B2 JPH0365011B2 (ja) | 1991-10-09 |
Family
ID=16610796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56211740A Granted JPS58110040A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58110040A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256636A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-14 | Nec Corp | 縮小投影露光装置 |
| JPH02151861A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-11 | Sony Corp | パターン形成方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5152786A (en) * | 1974-11-05 | 1976-05-10 | Canon Kk | Keijono henkakanonanijikogen ojusuru yakitsukesochi |
| JPS54101274A (en) * | 1978-01-27 | 1979-08-09 | Hitachi Ltd | Manufacture for semiconductor device |
| JPS57106128A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-01 | Nec Corp | Forming method for pattern |
-
1981
- 1981-12-23 JP JP56211740A patent/JPS58110040A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5152786A (en) * | 1974-11-05 | 1976-05-10 | Canon Kk | Keijono henkakanonanijikogen ojusuru yakitsukesochi |
| JPS54101274A (en) * | 1978-01-27 | 1979-08-09 | Hitachi Ltd | Manufacture for semiconductor device |
| JPS57106128A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-01 | Nec Corp | Forming method for pattern |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256636A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-14 | Nec Corp | 縮小投影露光装置 |
| JPH0513370B2 (ja) * | 1985-05-09 | 1993-02-22 | Nippon Electric Co | |
| JPH02151861A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-11 | Sony Corp | パターン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0365011B2 (ja) | 1991-10-09 |
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