JP3526385B2 - パターン形成装置 - Google Patents

パターン形成装置

Info

Publication number
JP3526385B2
JP3526385B2 JP05630997A JP5630997A JP3526385B2 JP 3526385 B2 JP3526385 B2 JP 3526385B2 JP 05630997 A JP05630997 A JP 05630997A JP 5630997 A JP5630997 A JP 5630997A JP 3526385 B2 JP3526385 B2 JP 3526385B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
correction
correction amount
area
correction data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP05630997A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10256122A (ja
Inventor
亮一 平野
秀介 吉武
一人 松木
徹 東條
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP05630997A priority Critical patent/JP3526385B2/ja
Priority to US09/038,038 priority patent/US6182369B1/en
Publication of JPH10256122A publication Critical patent/JPH10256122A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3526385B2 publication Critical patent/JP3526385B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023—Programme control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/304—Controlling tubes
    • H01J2237/30455—Correction during exposure
    • H01J2237/30461—Correction during exposure pre-calculated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31761—Patterning strategy
    • H01J2237/31764—Dividing into sub-patterns

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路そ
の他の微細な素子パターン等を、荷電ビーム等を用いて
半導体ウエハやパターン転写用のマスク等の試料上に形
成するパターン形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体
装置に要求される回路線幅は益々狭くなってきている。
これらの半導体装置は、所望の回路パターンが形成され
た数十種類の原画パターン（レチクル等のマスク上に描
かれたパターン）を、順次ウエハ上の露光領域に高精度
に位置合わせして転写し、エッチングなどの化学プロセ
スを経て作成される。転写装置には高精度な光学系を有
する縮小投影露光装置が用いられ、転写される側のウエ
ハ全面に露光できるよう、ウエハは高精度なＸＹステー
ジ上に固定されている。このウエハが光学系に対しステ
ップ＆リピートするため、このような転写装置はステッ
パとも呼ばれている。
【０００３】原画パターンは、高精度に仕上げられたガ
ラス基板上にＣｒのパターンとして形成される。パター
ン形成に際しては、片面にＣｒを蒸着したガラス基板上
にレジストを均一に塗布した後、集束した電子或いはレ
ーザー等を光源としたエネルギービームを設計データに
従って基板全面に走査し、所望の場所のレジストを感光
させる。この感光したレジストを現像してレジストパタ
ーンを形成し、これを用いてＣｒをエッチングすること
により所望のＣｒパターンを得る。このように、絞られ
たビームスポットを繋いでパターンを形成していくた
め、ビームのコントロール次第で高精度のパターンを形
成することが可能である。
【０００４】上記のようなパターン描画装置を用いてガ
ラス基板上に作成されたＣｒパターンは、ウエハ上に形
成された回路パターンに高精度に重ね合わされて転写さ
れる必要がある。しかし、ウエハ自体は処理が進むに従
って変形する場合があり、変形が生じたウエハ上の回路
パターンに更にパターンを高精度に重ね合わせて転写す
るためには、ウエハの変形に合わせてガラス基板上の回
路パターンを変位させる必要である。また、ウエハ上へ
の最初の回路パターン転写が、パターンが歪んだガラス
基板を用いて行われてしまった場合、高精度の重ね合わ
せを実現するためには、２回目以降の転写に用いられる
ガラス基板上のパターンが、最初の転写に用いられた回
路パターンと同じように歪んでいなければならない。
【０００５】描画位置を変位させる方法としては、例え
ば特願平７−５２９４８号に記載されているように、任
意の点（Ｘ、Ｙ）における補正量を関数により定義し、
演算により求める方法がある。しかし、描画領域全面の
任意の座標における補正値を一つの関数に基づいて計算
しているため、図９に示すように、補正量が描画領域の
一部で局所的に大きくなっているような場合（理想的な
描画位置を示す格子点をＡ、補正によって与えられるべ
き格子点をＢ）、補正量を表現することが難しく、高精
度の補正を行うことができない。また、近似精度を上げ
るために関数の多項式の次数を上げると、補正式の算出
手順が複雑且つ膨大なものとなってしまう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来は、
試料の描画領域全体を補正する場合、例えば補正量が描
画領域の一部で局部的に大きくなっているような場合に
は、高精度の補正を行うことが困難であった。本発明の
目的は、パターンを形成する位置を高精度に補正するこ
とが可能なパターン形成装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、試料上にパタ
ーンを描画する描画手段（例えば、荷電粒子線ビームに
よってパターンを描画する手段）と、前記試料を載置し
前記描画手段によって描画される前記試料の描画位置を
移動させる試料台と、この試料台の位置を測定する位置
測定手段とを有し、前記描画手段により前記位置測定手
段で測定された位置に対応した描画を行うパターン形成
装置において、前記描画手段によって描画される前記試
料の描画領域全体を複数の領域に分割し、該分割された
各領域における描画位置の補正を各領域毎に互いに独立
して行う補正手段（通常は、各領域における補正量を各
領域毎に互いに独立して算出する演算手段）を設けたこ
とを特徴とする。
【０００８】前記補正手段では、例えば以下のようにし
て補正を行う。分割された各領域毎に互いに独立して算
出された補正量と他の方法（例えば、前述した特願平７
−５２９４８号に記載された方法）により算出された補
正量とを加え合わせる。
【０００９】分割された各領域毎に各領域内の少なくと
も一点の座標における補正量を予め与えておく。分割さ
れた各領域内の任意の座標における補正量を該座標近傍
の座標に与えられた補正量（例えば、各領域内の少なく
とも一点の座標における予め与えられた補正量）に基づ
いて算出する。
【００１０】分割された各領域毎に与えられる補正量を
ＸＹ座標をパラメータとする補正関数に基づき数値演算
により求める。任意の座標における補正量を算出する際
に、当該座標に対応する領域が存在しない場合には補正
を行わないようにする。
【００１１】任意の座標における補正量を算出する際
に、当該座標に対応する領域が存在しない場合には、当
該座標近傍に存在する領域の補正量から外挿により補正
量を算出する。
【００１２】任意の座標における補正量を算出する際
に、当該座標に対応する領域が存在しない場合には、当
該座標近傍に存在する領域の補正量をそのまま当該座標
の補正量とする。
【００１３】前記発明によれば、試料の描画領域全体を
複数の領域に分割し、分割された各領域における描画位
置の補正を各領域毎に互いに独立して行うので、例えば
補正量が描画領域全体の一部で局部的に大きくなってい
るような場合にも、描画位置の補正を高精度で行うこと
ができる。
【００１４】また、前記発明では、試料の描画領域全体
を複数の領域に分割して分割された各領域毎に補正を行
う、つまり描画領域全体における描画位置（描画座標）
を考慮した補正を行うので、マスクやウエハの全面にわ
たって描画位置の補正を高精度で行うことができる。例
えば、試料上の副偏向領域（サブフィールド）を描画す
る際に与える補正量を、主偏向領域（フレーム）を複数
の領域に分割して分割された各領域毎に与えるような場
合には、主偏向領域が試料の周辺部であるか中央部であ
るかといったことを考慮せずに主偏向領域内の情報のみ
に基づいて補正を行う（つまり、描画領域全体における
描画位置（描画座標）を考慮せずに補正を行う）ことに
なり、十分な補正精度を得ることが難しい。前記発明で
は、描画領域全体における座標を情報として取り込むこ
とにより、描画領域全体にわたって高精度の補正を行う
ことができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を電子ビ
ーム描画を例に説明する。図１は、本発明のパターン形
成装置の基本的構成について示した概略構成図である。
【００１６】１は図示しない描画器（電子銃、レンズ、
偏向器、成形アパーチャ等、一般的な電子ビーム描画装
置と同様に構成されている。）によって回路パターン等
が描画されるマスクであり、このマスク１はＸＹステー
ジ２上に載置され、ＸＹステージ２の移動に伴って描画
領域が走査される。３は位置測定器であり、ＸＹステー
ジ２の座標を測定するものである。４は演算器であり、
マスク１上の理想的な描画位置（マスクに歪み等の変形
がない場合等、描画位置の補正を行わなくてもよい場合
の描画位置）に対する補正量を演算するものである。５
はＸＹステージ２を移動させるためのモータである。な
お、基本的な構成や描画動作等については、演算器４を
除いて、一般的な電子ビーム描画装置と同様である。
【００１７】パターン形成に際しては、通常の電子ビー
ム描画装置と同様に、Ｃｒ及びレジストが形成されたガ
ラスマスク１をＸＹステージ２上に載置し、マスク１を
電子ビームに対して走査することにより描画を行う。マ
スク１上のパターン形成位置は、位置測定器３でＸＹス
テージ２の座標を測定することによって決められる。こ
の座標におけるパターン形成位置の補正量は、演算手段
４より、以下のようにして決定される。すなわち、図２
に示すように、マスク１上の描画領域全体７を複数の領
域８に分割し、各分割領域８に対して各領域毎に独立し
て補正量（ａ0〜ａ5 、………、ｆ0 〜ｆ5 ）を与え
る。具体的な補正量の与え方については後述する。この
ように、各分割領域８毎に互いに独立して補正量を与え
るので、例えば局部的に補正量が増加する場合であって
も、高精度の描画位置補正を行うことができる。
【００１８】図３は、補正量の具体的な与え方について
第１の具体例を示したものである。図中、Ａは理想的な
描画位置を示す格子点、Ｂは補正によって与えられるべ
き格子点を示したものである（他の具体例についても同
様）。本具体例は、マスク上のパターン形成位置を決定
するにあたり、従来の方法（例えば、前述した特願平７
−５２９４８号に記載された方法）により算出されたパ
ターン位置補正量（図３（ａ））と、前述の図２に示し
たような手法により算出されたパターン位置補正量（図
３（ｂ））とをそれぞれ足し合わせたものを、パターン
位置補正量（図３（ｃ））として与えるというものであ
る。足し合わせによって得られる補正量も、各分割領域
毎に互いに独立して与えられた補正量と考えることがで
き、高精度の描画位置補正が可能となる。
【００１９】図４は、補正量の具体的な与え方について
第２の具体例を示したものである。描画領域全体７を分
割した各領域８に対して補正量を独立に与えるにあた
り、各領域８内の少なくとも１点の座標における補正量
を予め与えておく。図４に示した例では、座標（Ｐ
１），（Ｐ２），（Ｐ３）及び（Ｐ４）における補正量
（ｄｘ（１），ｄｙ（１）），（ｄｘ（２），ｄｙ
（２）），（ｄｘ（３），ｄｙ（３））及び（ｄｘ
（４），ｄｙ（４））を予め与えておく。そして、これ
らの補正量を補間することにより、領域８内の任意の座
標（ｘ，ｙ）における補正量（ｄｘ，ｄｙ）を求め、高
精度の描画位置補正を実現している。なお、図４に示し
た例では４点の座標に対して予め補正値を与えたが、少
なくとも１点以上であればよい。
【００２０】図５は、補正量の具体的な与え方について
第３の具体例を示したものである。描画領域全体７を分
割した各領域８に対して補正量を独立に与えるにあた
り、各領域８内の補正量を描画位置座標（ｘ，ｙ）の関
数として予め与えておく。領域８内の任意の座標（ｘ，
ｙ）における補正量（ｄｘ，ｄｙ）は、与えられた関数
（ｄｘ＝ｆ（ｘ，ｙ），ｄｙ＝ｇ（ｘ，ｙ））に基づい
て演算を行うことにより算出され、高精度の描画位置補
正が実現できる。
【００２１】図６は、補正量の具体的な与え方について
第４の具体例を示したものである。描画領域全体７を分
割した各領域８に対して補正量を独立に与えるにあた
り、描画座標（ｘ，ｙ）が補正量の与えられている何れ
の領域にも含まれない場合、補正量（ｄｘ，ｄｙ）を零
とするように演算を行う。これにより、描画領域全域に
対して補正量を与えることなく、補正が必要な領域のみ
に補正量を与えることが可能となり、拡張性に富んだ高
精度な描画位置補正が実現できる。
【００２２】図７は、補正量の具体的な与え方について
第５の具体例を示したものである。描画領域全体７を分
割した各領域８に対して補正量を独立に与えるにあた
り、描画座標（ｘ，ｙ）が補正量が与えられている何れ
の領域にも含まれない場合、描画座標近傍に存在する領
域ａの補正量から外挿することにより、当該座標（ｘ，
ｙ）の補正量を求める。これにより、描画領域全域に対
して補正量を与えることなく、補正が必要な領域のみに
補正量を与えることが可能となり、拡張性に富んだ高精
度な描画位置補正が実現できる。
【００２３】図８は、補正量の具体的な与え方について
第６の具体例を示したものである。描画領域全体７を分
割した各領域８に対して補正量を独立に与えるにあた
り、描画座標（ｘ，ｙ）が補正量が与えられている何れ
の領域にも含まれない場合、描画座標近傍に存在する領
域ａの補正量をそのまま適用することにより、当該座標
（ｘ，ｙ）の補正量とする。これにより、描画領域全域
に対して補正量を与えることなく、補正が必要な領域の
みに補正量を与えることが可能となり、拡張性に富んだ
高精度な描画位置補正が実現できる。
【００２４】なお、以上説明した例では電子ビーム描画
装置における描画座標補正について述べたが、電子ビー
ム描画装置に限定されるものではなく、各種の粒子線ビ
ーム描画装置、その他各種のパターン形成装置にも適宜
変形して適用することが可能である。
【００２５】また、以上説明した例ではパターンが描画
される試料としてパターン転写用のマスクを例に述べた
が、試料として半導体ウエハを用いた場合にも同様に適
用可能である。その他、本発明はその趣旨を逸脱しない
範囲内において種々変形して実施可能である。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、試料の描画領域全体を
複数の領域に分割し、分割された各領域における描画位
置の補正を各領域毎に互いに独立して補正するので、例
えば補正量が描画領域全体の一部で局部的に大きくなっ
ているような場合にも、描画位置の補正を高精度で行う
ことができる。
【００２７】また、本発明では、試料の描画領域全体を
複数の領域に分割して分割された各領域毎に補正を行
う、つまり描画領域全体における描画位置を考慮した補
正を行うので、試料の描画領域全体にわたって描画位置
の補正を高精度で行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のパターン形成装置の基本的構成例につ
いて示した概略構成図。
【図２】本発明に係るパターン形成装置について、その
補正量の基本的な与え方について示した図
【図３】本発明に係るパターン形成装置について、その
補正量の具体的な与え方について第１の具体例を示した
図。
【図４】本発明に係るパターン形成装置について、その
補正量の具体的な与え方について第２の具体例を示した
図。
【図５】本発明に係るパターン形成装置について、その
補正量の具体的な与え方について第３の具体例を示した
図。
【図６】本発明に係るパターン形成装置について、その
補正量の具体的な与え方について第４の具体例を示した
図。
【図７】本発明に係るパターン形成装置について、その
補正量の具体的な与え方について第５の具体例を示した
図。
【図８】本発明に係るパターン形成装置について、その
補正量の具体的な与え方について第６の具体例を示した
図。
【図９】従来技術に係るパターン形成装置について、そ
の補正量の与え方について示した図。
【符号の説明】
１…マスク（試料） ２…ＸＹテーブル（試料台） ３…位置測定手段 ４…演算手段（補正手段） ７…描画領域全体 ８…分割された領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 東條 徹 東京都中央区銀座四丁目２番11号 東芝 機械株式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−13725（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−149127（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−88166（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−87516（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 H01L 21/66

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 パターン形成位置を示す原描画用データ
    に基づいて試料上にパターンを形成するように構成され
    たパターン形成装置において、 前記試料の描画領域全体を分割して得られた各領域につ
    いて補正されたパターン形成位置を示す補正データを作
    成するように構成された補正回路と、前記補正データ に基づいて試料上にパターンを描画する
    ように構成された描画器とを備え、 前記補正回路は、前記描画領域全体を分割して得られた
    各領域に対して独立して補正データを与え、描画座標が
    補正データの与えられた領域の何れにも含まれない場合
    には前記描画座標の補正データをゼロに設定するように
    構成されていることを特徴とするパターン形成装置。
  2. 【請求項２】 パターン形成位置を示す原描画用データ
    に基づいて試料上にパターンを形成するように構成され
    たパターン形成装置において、 前記試料の描画領域全体を分割して得られた各領域につ
    いて補正されたパターン形成位置を示す補正データを作
    成するように構成された補正回路と、前記補正データ に基づいて試料上にパターンを描画する
    ように構成された描画器とを備え、 前記補正回路は、前記描画領域全体を分割して得られた
    各領域に対して独立して補正データを与え、描画座標が
    補正データの与えられた領域の何れにも含まれない場合
    には前記描画座標近傍の領域の補正データを外挿するこ
    とにより前記描画座標の補正データを求めるように構成
    されていることを特徴とするパターン形成装置。
  3. 【請求項３】 パターン形成位置を示す原描画用データ
    に基づいて試料上にパターンを形成するように構成され
    たパターン形成装置において、 前記試料の描画領域全体を分割して得られた各領域につ
    いて補正されたパターン形成位置を示す補正データを作
    成するように構成された補正回路と、前記補正データ に基づいて試料上にパターンを描画する
    ように構成された描画器とを備え、 前記補正回路は、前記描画領域全体を分割して得られた
    各領域に対して独立して補正データを与え、描画座標が
    補正データの与えられた領域の何れにも含まれない場合
    には前記描画座標近傍の領域の補正データを前記描画座
    標の補正データとして適用するように構成されているこ
    とを特徴とするパターン形成装置。
JP05630997A 1997-03-11 1997-03-11 パターン形成装置 Expired - Fee Related JP3526385B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP05630997A JP3526385B2 (ja) 1997-03-11 1997-03-11 パターン形成装置
US09/038,038 US6182369B1 (en) 1997-03-11 1998-03-11 Pattern forming apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP05630997A JP3526385B2 (ja) 1997-03-11 1997-03-11 パターン形成装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10256122A JPH10256122A (ja) 1998-09-25
JP3526385B2 true JP3526385B2 (ja) 2004-05-10

Family

ID=13023555

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP05630997A Expired - Fee Related JP3526385B2 (ja) 1997-03-11 1997-03-11 パターン形成装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6182369B1 (ja)
JP (1) JP3526385B2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9815830D0 (en) 1998-07-22 1998-09-16 Renishaw Plc Method of and apparatus for reducing vibrations on probes carried by coordinate measuring machines
US6442857B1 (en) * 2000-11-10 2002-09-03 Toto Ltd. Portable surface inspector
EP1494077A3 (en) 2003-07-02 2006-12-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image forming apparatus and image forming method
US7705322B2 (en) 2007-07-12 2010-04-27 Nuflare Technology, Inc. Charged-particle beam writing method
JP5828610B2 (ja) * 2007-07-12 2015-12-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置
JP5204451B2 (ja) 2007-09-28 2013-06-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
CN107073614B (zh) * 2015-10-30 2019-01-04 三菱电机株式会社 线放电加工机、线放电加工机的控制装置的控制方法及定位方法
US10923456B2 (en) * 2018-12-20 2021-02-16 Cerebras Systems Inc. Systems and methods for hierarchical exposure of an integrated circuit having multiple interconnected die

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4914601A (en) * 1988-02-25 1990-04-03 Hewlett-Packard Company Method for profiling wafers and for locating dies thereon
US5111302A (en) * 1988-12-02 1992-05-05 Hewlett-Packard Company Method and system for enhancing the quality of both color and black and white images produced by ink jet and electrophotographic printers
US5107349A (en) * 1990-04-16 1992-04-21 Eastman Kodak Company Multiple screen frequency half-toning with one screen angle
US5065092A (en) * 1990-05-14 1991-11-12 Triple S Engineering, Inc. System for locating probe tips on an integrated circuit probe card and method therefor
GB9021447D0 (en) * 1990-10-03 1990-11-14 Renishaw Plc Capacitance probes
US5105207A (en) * 1990-12-31 1992-04-14 Texas Instruments Incorporated System and method for achieving gray scale DMD operation
US5185852A (en) * 1991-05-31 1993-02-09 Digital Equipment Corporation Antialiasing apparatus and method for computer printers
US5291392A (en) * 1992-02-19 1994-03-01 Gerber Systems Corporation Method and apparatus for enhancing the accuracy of scanner systems
US5602943A (en) * 1992-04-28 1997-02-11 Velho; Luiz C. Digital halftoning space filling curves
JPH06129814A (ja) 1992-10-20 1994-05-13 Nikon Corp パターン位置測定装置
US5519415A (en) * 1993-04-30 1996-05-21 Hewlett-Packard Company Encoder-signal timing uncertainty adjusted to improve esthetic quality in bidirectional inkjet printing
DE4437284A1 (de) * 1994-10-18 1996-04-25 Eos Electro Optical Syst Verfahren zum Kalibrieren einer Steuerung zur Ablenkung eines Laserstrahls
JP3393947B2 (ja) 1995-03-13 2003-04-07 株式会社東芝 半導体回路パターンの評価方法と評価システム及び描画方法及び描画システム

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10256122A (ja) 1998-09-25
US6182369B1 (en) 2001-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5308991A (en) Method and apparatus for making a predistorted reticle to compensate for lens distortions
KR100246875B1 (ko) 하전빔 묘화방법
JPS6311657B2 (ja)
US7202488B2 (en) Correction system, method of correcting deflection distortion, program and method for manufacturing a semiconductor device
JP2001022051A (ja) レチクル及び半導体装置の製造方法
JP2000098584A (ja) マスクパタ―ン補正方法及びマスクパタ―ン補正プログラムを記録した記録媒体
JP3526385B2 (ja) パターン形成装置
JP2998651B2 (ja) 露光用設計パターンの修正方法
JPH11176749A (ja) 露光方法およびデバイス製造方法
JP2000232053A (ja) マスクパターン転写方法、該マスクパターン転写方法を用いたマスクパターン転写装置及びデバイス製造方法
KR100257640B1 (ko) 전자선 노광 방법 및 그 장치
JP2003100591A (ja) 荷電粒子線露光装置における露光方法、半導体デバイスの製造方法及び荷電粒子線露光装置
JP2002057084A (ja) 半導体装置の製造方法および露光用マスク
JP2000340492A (ja) 電子線露光用マスクとそれを用いた半導体装置製造方法
JP2000315641A (ja) 電子線露光用マスク、その製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2007220937A (ja) 基板の重ね描画方法
US6560767B2 (en) Process for making photomask pattern data and photomask
JP2005108938A (ja) ステンシルマスクおよびその製造方法、露光装置および露光方法、並びに電子装置の製造方法
JPS6250975B2 (ja)
JP2994306B2 (ja) 光リソグラフィおよび電子ビーム・リソグラフィを用いたｘ線マスクの高精度製作方法
JP2000323372A (ja) 近接効果補正方法及びそれを用いた半導体素子製造方法
JP2003086496A (ja) 転写マスク、その製造方法及び投影露光方法
JP3279746B2 (ja) 荷電ビーム描画装置の調整方法
JP3370317B2 (ja) アライメントパターンを有するパターン版の描画方法及びその方法によって描画されたパターン版
JPH10172875A (ja) 露光パターンデータ補正方法

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040210

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040213

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080227

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090227

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100227

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100227

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110227

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120227

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120227

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140227

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees