JP2000340492A - 電子線露光用マスクとそれを用いた半導体装置製造方法 - Google Patents
電子線露光用マスクとそれを用いた半導体装置製造方法Info
- Publication number
- JP2000340492A JP2000340492A JP15070599A JP15070599A JP2000340492A JP 2000340492 A JP2000340492 A JP 2000340492A JP 15070599 A JP15070599 A JP 15070599A JP 15070599 A JP15070599 A JP 15070599A JP 2000340492 A JP2000340492 A JP 2000340492A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- electron beam
- divided
- area
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31776—Shaped beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31793—Problems associated with lithography
- H01J2237/31794—Problems associated with lithography affecting masks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 寸法精度の高いマスクと、作成される半導体
デバイスにおけるパターンの寸法精度が高い製造方法を
提供する。 【解決手段】 半導体装置製造の一工程である、電子ビ
ーム転写方式による露光工程で用いられる電子線露光用
マスクにおいて、この電子線露光用マスクに格子状に設
けられたグリレージ１２と、これらのグリレージ間に設
けられ、これらのグリレージより厚さ方向の寸法が小さ
い薄膜領域と、これらの各薄膜領域内に設けられた分割
マスク１１とを有し、前記分割マスクを、チップパター
ンを、電子ビームの照射領域より小さい領域に均等分割
することによって作成した。
デバイスにおけるパターンの寸法精度が高い製造方法を
提供する。 【解決手段】 半導体装置製造の一工程である、電子ビ
ーム転写方式による露光工程で用いられる電子線露光用
マスクにおいて、この電子線露光用マスクに格子状に設
けられたグリレージ１２と、これらのグリレージ間に設
けられ、これらのグリレージより厚さ方向の寸法が小さ
い薄膜領域と、これらの各薄膜領域内に設けられた分割
マスク１１とを有し、前記分割マスクを、チップパター
ンを、電子ビームの照射領域より小さい領域に均等分割
することによって作成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム（Ｅ
Ｂ）をマスクを介して半導体ウェハに照射することによ
って、半導体ウェハ上にパターンを露光する露光装置に
用いられるマスク、およびこのマスクを用いた半導体デ
バイスの製造方法に関する。
Ｂ）をマスクを介して半導体ウェハに照射することによ
って、半導体ウェハ上にパターンを露光する露光装置に
用いられるマスク、およびこのマスクを用いた半導体デ
バイスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体デバイスの製造工程中
の、半導体ウェハ上へのパターンの露光において、部分
一括と呼ばれるＥＢ照射方式が用いられていた。この方
式は、例えば、マスク上の１２５μｍ×１２５μｍの領
域に電子ビームを照射して、この照射による像を例えば
１／２５に縮小することにより、一回の露光でウェハ上
の５μｍ×５μｍの領域を露光するものであった。な
お、この方式のマスクは、１チップのパターン中に繰り
返し現れるパターンを１枚のマスクに作り込み、このマ
スクを繰り返し使って１チップのパターンを完成させる
という使い方をされる。
の、半導体ウェハ上へのパターンの露光において、部分
一括と呼ばれるＥＢ照射方式が用いられていた。この方
式は、例えば、マスク上の１２５μｍ×１２５μｍの領
域に電子ビームを照射して、この照射による像を例えば
１／２５に縮小することにより、一回の露光でウェハ上
の５μｍ×５μｍの領域を露光するものであった。な
お、この方式のマスクは、１チップのパターン中に繰り
返し現れるパターンを１枚のマスクに作り込み、このマ
スクを繰り返し使って１チップのパターンを完成させる
という使い方をされる。
【０００３】この方式では、上記のように、一度に露光
できる領域が狭いので、１チップ分の露光におけるショ
ット数が多くなり、露光を完了するまで時間がかかり、
半導体デバイスの製造におけるスループットが低かっ
た。
できる領域が狭いので、１チップ分の露光におけるショ
ット数が多くなり、露光を完了するまで時間がかかり、
半導体デバイスの製造におけるスループットが低かっ
た。
【０００４】これに対し、１９９０年頃より、飛躍的な
スループット向上を狙った大面積ＥＢ転写方式が提案さ
れ始めた。この方式では、マスク上の１ｍｍ×１ｍｍの
大面積の領域に一度に電子ビームを照射できるので、こ
の照射による像を例えば１／４に縮小すれば、ウェハ上
の２５０μｍ×２５０μｍの領域を一度に露光すること
ができる。
スループット向上を狙った大面積ＥＢ転写方式が提案さ
れ始めた。この方式では、マスク上の１ｍｍ×１ｍｍの
大面積の領域に一度に電子ビームを照射できるので、こ
の照射による像を例えば１／４に縮小すれば、ウェハ上
の２５０μｍ×２５０μｍの領域を一度に露光すること
ができる。
【０００５】この方式で用いられるマスクは、１チップ
のパターン全体を分割してマスクに作り込むという使い
方をされる。この分割を、単純に、例えば図６に示すよ
うに左下から順に、電子ビームの最大照射領域に合わせ
て分割すると、最後の右上の領域のように、電子ビーム
の照射領域と比較して非常に小さい半端な分割領域がで
きてしまう可能性がある。
のパターン全体を分割してマスクに作り込むという使い
方をされる。この分割を、単純に、例えば図６に示すよ
うに左下から順に、電子ビームの最大照射領域に合わせ
て分割すると、最後の右上の領域のように、電子ビーム
の照射領域と比較して非常に小さい半端な分割領域がで
きてしまう可能性がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような半端な分割
領域では、パターンのエッチング速度が、マイクロロー
ディング効果によって、これ以外の分割領域のエッチン
グ速度と差がついてしまい、パターンの寸法がばらつく
可能性がある。
領域では、パターンのエッチング速度が、マイクロロー
ディング効果によって、これ以外の分割領域のエッチン
グ速度と差がついてしまい、パターンの寸法がばらつく
可能性がある。
【０００７】また、分割マスクの大きさがあまりに異な
ると、分割マスクを通過するビーム電流が大きく異なっ
てしまい、クーロン効果によってビームだれが大きく異
なり、寸法精度低下の要因となる可能性がある。また、
大きく焦点距離が変化してしまうと、露光装置における
補正範囲を越えてしまうという問題がある。
ると、分割マスクを通過するビーム電流が大きく異なっ
てしまい、クーロン効果によってビームだれが大きく異
なり、寸法精度低下の要因となる可能性がある。また、
大きく焦点距離が変化してしまうと、露光装置における
補正範囲を越えてしまうという問題がある。
【０００８】また、電子ビームの最大照射領域とほぼ同
じ大きさにマスクを分割すると、分割マスク内の周辺領
域に、電子ビームの強度分布が一様でない領域ができて
しまう可能性がある。すなわち、図４に示すように、電
子ビームの照射領域の周辺では、一般にビームの強度が
落ちるので、照射むらが起き、やはり寸法精度が低下す
る可能性があるという問題がある。
じ大きさにマスクを分割すると、分割マスク内の周辺領
域に、電子ビームの強度分布が一様でない領域ができて
しまう可能性がある。すなわち、図４に示すように、電
子ビームの照射領域の周辺では、一般にビームの強度が
落ちるので、照射むらが起き、やはり寸法精度が低下す
る可能性があるという問題がある。
【０００９】さらに、大面積ＥＢ転写方式では、装置構
成上、低倍マスク、例えば４倍マスクを使用するので、
従来の部分一括で使用する２５〜６０倍マスクと比較し
て、より高精度のマスクを使用する必要がある。
成上、低倍マスク、例えば４倍マスクを使用するので、
従来の部分一括で使用する２５〜６０倍マスクと比較し
て、より高精度のマスクを使用する必要がある。
【００１０】本発明は、上記の問題を解決するためにな
されたもので、寸法精度の高いマスクと、作成される半
導体デバイスにおけるパターンの寸法精度が高い製造方
法を提供するものである。
されたもので、寸法精度の高いマスクと、作成される半
導体デバイスにおけるパターンの寸法精度が高い製造方
法を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、半導体装置製造の一工程である、電子ビーム転写方
式による露光工程で用いられる電子線露光用マスクにお
いて、この電子線露光用マスクの片面もしくは両面に格
子状に設けられたグリレージと、これらのグリレージ間
に設けられ、これらのグリレージより厚さ方向の寸法が
小さい薄膜領域と、これらの各薄膜領域内に設けられた
分割マスクとを有し、前記分割マスクは、少なくとも１
チップのマスクパターンを、電子ビームの照射領域より
小さい領域に均等分割することによって作成されること
を特徴とする電子線露光用マスクである。
は、半導体装置製造の一工程である、電子ビーム転写方
式による露光工程で用いられる電子線露光用マスクにお
いて、この電子線露光用マスクの片面もしくは両面に格
子状に設けられたグリレージと、これらのグリレージ間
に設けられ、これらのグリレージより厚さ方向の寸法が
小さい薄膜領域と、これらの各薄膜領域内に設けられた
分割マスクとを有し、前記分割マスクは、少なくとも１
チップのマスクパターンを、電子ビームの照射領域より
小さい領域に均等分割することによって作成されること
を特徴とする電子線露光用マスクである。
【００１２】請求項２に記載の発明は、前記分割マスク
は、隣り合うグリレージ間の中心に配置されていること
を特徴とする請求項１に記載の電子線露光用マスクであ
る。
は、隣り合うグリレージ間の中心に配置されていること
を特徴とする請求項１に記載の電子線露光用マスクであ
る。
【００１３】請求項３に記載の発明は、前記分割マスク
以外の領域は、全て前記グリレージとなっていることを
特徴とする請求項１または２に記載の電子線露光用マス
クである。
以外の領域は、全て前記グリレージとなっていることを
特徴とする請求項１または２に記載の電子線露光用マス
クである。
【００１４】請求項４に記載の発明は、前記分割マスク
の中心と、電子ビーム照射領域の中心とを一致させたと
き、電子ビーム照射領域が隣の分割マスクにかからない
ように、分割マスク間の寸法が設定されていることを特
徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の電子線露
光用マスクである。
の中心と、電子ビーム照射領域の中心とを一致させたと
き、電子ビーム照射領域が隣の分割マスクにかからない
ように、分割マスク間の寸法が設定されていることを特
徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の電子線露
光用マスクである。
【００１５】請求項５に記載の発明は、分割マスクの中
心と、電子ビーム照射領域の中心とを一致させて露光を
行う露光工程を有することを特徴とする電子線露光用マ
スクを用いた半導体装置製造方法である。
心と、電子ビーム照射領域の中心とを一致させて露光を
行う露光工程を有することを特徴とする電子線露光用マ
スクを用いた半導体装置製造方法である。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１に、本発明の一実施形態にお
ける、半導体デバイスの１チップのパターンおよびこの
パターンを投影するためのマスクの構成を示す。図１
（ａ）は、作成しようとする半導体デバイスの、１チッ
プのパターンの全パターンを表しており、図１（ｂ）
は、このパターンをウェハ上に投影するためのマスクの
構成を示している。
ける、半導体デバイスの１チップのパターンおよびこの
パターンを投影するためのマスクの構成を示す。図１
（ａ）は、作成しようとする半導体デバイスの、１チッ
プのパターンの全パターンを表しており、図１（ｂ）
は、このパターンをウェハ上に投影するためのマスクの
構成を示している。
【００１７】このマスクは、一度に大面積の電子ビーム
の照射を行う、大面積ＥＢ転写方式と呼ばれる露光方式
に使用される。本実施形態では、マスク上の１ｍｍ×１
ｍｍの領域に一度に電子ビームを照射することができ、
マスクパターンを１／４に縮小してウェハ上に投影す
る。従って、ウェハ上の２５０μｍ×２５０μｍの領域
を一度に露光することができる。
の照射を行う、大面積ＥＢ転写方式と呼ばれる露光方式
に使用される。本実施形態では、マスク上の１ｍｍ×１
ｍｍの領域に一度に電子ビームを照射することができ、
マスクパターンを１／４に縮小してウェハ上に投影す
る。従って、ウェハ上の２５０μｍ×２５０μｍの領域
を一度に露光することができる。
【００１８】本実施形態におけるマスクの作成方法につ
いて説明する。１チップのパターンの全パターンが図１
（ａ）に示すようなものであった場合、このパターン
を、それぞれが均等な大きさで、かつ最大ＥＢ照射領域
１４より小さい領域（以下、分割パターン１５と記す）
に分割する。
いて説明する。１チップのパターンの全パターンが図１
（ａ）に示すようなものであった場合、このパターン
を、それぞれが均等な大きさで、かつ最大ＥＢ照射領域
１４より小さい領域（以下、分割パターン１５と記す）
に分割する。
【００１９】これらの各分割パターンを、マスク上の、
熱伝導性と機械的強度を増すためのグリレージ１２間に
形成させる。なお、グリレージ１２とは、図５に示すよ
うに、薄膜領域１０の間に設けられた、薄膜領域１０よ
り厚さ方向の寸法が大きい部分を示すものとする。な
お、図５（ａ）はマスク５の上面図、図５（ｂ）は断面
図である。薄膜領域１０内に、分割マスク１１のパター
ンが形成される。
熱伝導性と機械的強度を増すためのグリレージ１２間に
形成させる。なお、グリレージ１２とは、図５に示すよ
うに、薄膜領域１０の間に設けられた、薄膜領域１０よ
り厚さ方向の寸法が大きい部分を示すものとする。な
お、図５（ａ）はマスク５の上面図、図５（ｂ）は断面
図である。薄膜領域１０内に、分割マスク１１のパター
ンが形成される。
【００２０】上記より、グリレージ１２間に形成された
分割マスク１１は、１ｍｍ×１ｍｍより小さくなる。分
割マスク１１は、隣り合うグリレージ１２間のちょうど
中心位置に形成される。
分割マスク１１は、１ｍｍ×１ｍｍより小さくなる。分
割マスク１１は、隣り合うグリレージ１２間のちょうど
中心位置に形成される。
【００２１】次に、図２に示す露光装置の概略構成図を
参照して、本実施形態におけるマスク５を使用する露光
装置の構成および動作を説明する。
参照して、本実施形態におけるマスク５を使用する露光
装置の構成および動作を説明する。
【００２２】まず、ダブレット光学系と呼ばれる一般的
な露光装置の構成を説明する。電子銃１の下に、偏向器
３及び投影レンズ２が配置され、さらにこの下に、マス
クステージ４が配置されている。マスクステージ４上に
は、マスク５が載せられる。このマスク５は、前記マス
クステージ４によって、マスク５の上面に平行な方向
（ｘ、ｙ方向）に移動可能となっている。
な露光装置の構成を説明する。電子銃１の下に、偏向器
３及び投影レンズ２が配置され、さらにこの下に、マス
クステージ４が配置されている。マスクステージ４上に
は、マスク５が載せられる。このマスク５は、前記マス
クステージ４によって、マスク５の上面に平行な方向
（ｘ、ｙ方向）に移動可能となっている。
【００２３】マスクステージ４の下には、やはり偏向器
７及び対物レンズ６が配置され、さらにこの下に、ウェ
ハステージ８が配置されている。ウェハステージ８上に
は、ウェハ９が載せられる。ウェハ９は、前記ウェハス
テージ８によって、ウェハ９の上面に平行な方向（ｘ、
ｙ方向）に移動可能となっている。
７及び対物レンズ６が配置され、さらにこの下に、ウェ
ハステージ８が配置されている。ウェハステージ８上に
は、ウェハ９が載せられる。ウェハ９は、前記ウェハス
テージ８によって、ウェハ９の上面に平行な方向（ｘ、
ｙ方向）に移動可能となっている。
【００２４】次に、この露光装置の動作を説明する。電
子銃１から発せられた電子ビームは、投影レンズ２及び
偏向器３によって偏向され、マスク上の所望の分割マス
クに照射される。
子銃１から発せられた電子ビームは、投影レンズ２及び
偏向器３によって偏向され、マスク上の所望の分割マス
クに照射される。
【００２５】照射された電子ビームは、前記分割マスク
を透過し、対物レンズ６に内蔵された偏向器７によって
偏向され、ウェハ９上の所望の位置に投影される。
を透過し、対物レンズ６に内蔵された偏向器７によって
偏向され、ウェハ９上の所望の位置に投影される。
【００２６】次に、図３のフローチャートを参照し、前
記露光装置で用いられるマスク５を作成するためのデー
タを作成する手順を説明する。なお、以下の説明におけ
るＳ１〜Ｓ８は、フローチャート中のステップを表す。
記露光装置で用いられるマスク５を作成するためのデー
タを作成する手順を説明する。なお、以下の説明におけ
るＳ１〜Ｓ８は、フローチャート中のステップを表す。
【００２７】まず、所望チップパターン全体を、最大Ｅ
Ｂショット領域より小さく、かつ均等な大きさの分割パ
ターン１５にｎ（ｎは自然数）分割する（Ｓ１）。ここ
で、最大ＥＢショット領域とは、図４のＡに示すよう
な、電子ビームの強度がほぼ均一な領域を意味するもの
とする。次に、それぞれの分割パターンにＮｏ．＝１〜
ｎを付け（Ｓ２）、さらに、それぞれのＮｏ．＝１〜ｎ
の分割パターンの中心点の座標を求める（Ｓ３）。
Ｂショット領域より小さく、かつ均等な大きさの分割パ
ターン１５にｎ（ｎは自然数）分割する（Ｓ１）。ここ
で、最大ＥＢショット領域とは、図４のＡに示すよう
な、電子ビームの強度がほぼ均一な領域を意味するもの
とする。次に、それぞれの分割パターンにＮｏ．＝１〜
ｎを付け（Ｓ２）、さらに、それぞれのＮｏ．＝１〜ｎ
の分割パターンの中心点の座標を求める（Ｓ３）。
【００２８】次に、下地（所望チップパターン貼り付け
のための空白エリア）を、最大ＥＢショット領域でｎ分
割する（Ｓ４）。次に、それぞれの分割下地にＮｏ．＝
１〜ｎを付け（Ｓ５）、さらに、それぞれのＮｏ．＝１
〜ｎの分割下地の中心点の座標を求める（Ｓ６）。
のための空白エリア）を、最大ＥＢショット領域でｎ分
割する（Ｓ４）。次に、それぞれの分割下地にＮｏ．＝
１〜ｎを付け（Ｓ５）、さらに、それぞれのＮｏ．＝１
〜ｎの分割下地の中心点の座標を求める（Ｓ６）。
【００２９】次に、Ｎｏ．＝１の分割下地の中心点と、
Ｎｏ．＝１の分割パターンの中心点との座標が一致する
ように、分割下地上に分割パターンを貼り付け（Ｓ
７）、この動作をＮｏ．＝ｎまで繰り返す（Ｓ８）。以
上でデータの作成を終了する。
Ｎｏ．＝１の分割パターンの中心点との座標が一致する
ように、分割下地上に分割パターンを貼り付け（Ｓ
７）、この動作をＮｏ．＝ｎまで繰り返す（Ｓ８）。以
上でデータの作成を終了する。
【００３０】なお、ステップＳ１〜３における動作と、
ステップＳ４〜６における動作とを並行して同時に行っ
てもよく、このような動作を行えば、データ作成の時間
を短縮することができる。
ステップＳ４〜６における動作とを並行して同時に行っ
てもよく、このような動作を行えば、データ作成の時間
を短縮することができる。
【００３１】なお、本発明のマスクは、ステンシルマス
ク、メンブレンマスクのどちらにも適用可能である。
ク、メンブレンマスクのどちらにも適用可能である。
【００３２】また、マスクパターン全体を均等分割する
ことによって、個々の分割マスク１１は、従来と比較し
て小さくなる。これによって余った領域１３（図５
（ａ）参照）は、図５（ｂ）に示すように薄膜の状態と
してもよいし、図５（ｃ）に示すようにグリレージ１２
の幅を広くし、グリレージ１２と分割マスク１１とが接
するようにマスクを構成してもよい。後者のように構成
すれば、マスク全体で、厚さ方向の寸法が大きいグリレ
ージ１２が従来と比較して増えるので、熱伝導率が良く
なり、その結果、熱によるマスクの歪が小さくなる。ま
た、厚さ方向の寸法が大きいグリレージ１２が増えれ
ば、マスクの機械的強度も増すので、マスクのたわみ、
歪みが小さくなり、マスクの寸法精度が向上する。
ことによって、個々の分割マスク１１は、従来と比較し
て小さくなる。これによって余った領域１３（図５
（ａ）参照）は、図５（ｂ）に示すように薄膜の状態と
してもよいし、図５（ｃ）に示すようにグリレージ１２
の幅を広くし、グリレージ１２と分割マスク１１とが接
するようにマスクを構成してもよい。後者のように構成
すれば、マスク全体で、厚さ方向の寸法が大きいグリレ
ージ１２が従来と比較して増えるので、熱伝導率が良く
なり、その結果、熱によるマスクの歪が小さくなる。ま
た、厚さ方向の寸法が大きいグリレージ１２が増えれ
ば、マスクの機械的強度も増すので、マスクのたわみ、
歪みが小さくなり、マスクの寸法精度が向上する。
【００３３】また、グリレージ１２の幅はそのままに
し、余った領域１３を縮小あるいは削除してマスク全体
を小さくすることもできる。ただし、ＥＢ照射領域が隣
の分割マスク１１にかからない範囲内とする必要があ
る。
し、余った領域１３を縮小あるいは削除してマスク全体
を小さくすることもできる。ただし、ＥＢ照射領域が隣
の分割マスク１１にかからない範囲内とする必要があ
る。
【００３４】
【発明の効果】本発明の電子線露光用マスクによれば、
１チップのパターンを均等分割して分割マスクとしてい
るので、各分割マスクの開口率がほぼ一定となり、エッ
チング速度をほぼ均一にできるので、パターン寸法の精
度が向上する。また、分割マスクを通過する電荷量もほ
ぼ均一になるので、各分割マスクのパターンの投影にお
けるビームだれや焦点位置のばらつきも小さくなる。
１チップのパターンを均等分割して分割マスクとしてい
るので、各分割マスクの開口率がほぼ一定となり、エッ
チング速度をほぼ均一にできるので、パターン寸法の精
度が向上する。また、分割マスクを通過する電荷量もほ
ぼ均一になるので、各分割マスクのパターンの投影にお
けるビームだれや焦点位置のばらつきも小さくなる。
【００３５】また、分割マスクを隣り合うグリレージ間
の中心に配置すれば、マスクにかかる応力を均一にする
ことができるので、マスクのたわみ、歪みを小さくする
ことができる。
の中心に配置すれば、マスクにかかる応力を均一にする
ことができるので、マスクのたわみ、歪みを小さくする
ことができる。
【００３６】また、グリレージの幅を、分割マスクと接
するまで広げれば、マスクの熱伝導率が良くなり、熱に
よるマスク寸法の変動を抑えることができる。また、マ
スクの機械的強度が増すので、マスクのたわみ、歪みを
小さくすることができる。
するまで広げれば、マスクの熱伝導率が良くなり、熱に
よるマスク寸法の変動を抑えることができる。また、マ
スクの機械的強度が増すので、マスクのたわみ、歪みを
小さくすることができる。
【００３７】また、分割マスクの中心と、電子ビーム照
射領域の中心とを一致させたとき、電子ビーム照射領域
が隣の分割マスクにかからないように、分割マスク間の
寸法を設定すれば、隣の分割マスクを介して、意図しな
い領域が露光されてしまうようなことがない。
射領域の中心とを一致させたとき、電子ビーム照射領域
が隣の分割マスクにかからないように、分割マスク間の
寸法を設定すれば、隣の分割マスクを介して、意図しな
い領域が露光されてしまうようなことがない。
【００３８】また、分割マスクの中心と、電子ビーム照
射領域の中心とを一致させて露光を行えば、電子ビーム
照射領域のビーム強度が均一な部分を用いて露光を行え
るので、ウェハに照射される電子ビームの強度も均一と
なり、ウェハ上に形成されるパターンの寸法精度が向上
する。
射領域の中心とを一致させて露光を行えば、電子ビーム
照射領域のビーム強度が均一な部分を用いて露光を行え
るので、ウェハに照射される電子ビームの強度も均一と
なり、ウェハ上に形成されるパターンの寸法精度が向上
する。
【図１】 本発明の一実施形態における１チップの全体
像およびマスクの概略構成図。
像およびマスクの概略構成図。
【図２】 本実施形態のマスクを使用する露光装置の概
略構成図。
略構成図。
【図３】 本実施形態のマスクを作成するためのデータ
を作成する手順を示すフローチャート。
を作成する手順を示すフローチャート。
【図４】 電子ビームの強度分布を示す図。
【図５】 本実施形態のマスクの詳細な構成図。
【図６】 従来の１チップの全体像およびマスクの概略
構成図。
構成図。
１ 電子銃 ２ 投影レンズ ３ 偏向器 ４ マスクステージ ５ マスク ６ 対物レンズ ７ 偏向器 ８ ウェハステージ ９ ウェハ １０ 薄膜領域 １１ 分割マスク １２ グリレージ １３ 領域
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体装置製造の一工程である、電子ビ
ーム転写方式による露光工程で用いられる電子線露光用
マスクにおいて、 この電子線露光用マスクに格子状に設けられたグリレー
ジと、 これらのグリレージ間に設けられ、これらのグリレージ
より厚さ方向の寸法が小さい薄膜領域と、 これらの各薄膜領域内に設けられた分割マスクとを有
し、 前記分割マスクは、チップパターンを、電子ビームの照
射領域より小さい領域に均等分割することによって作成
されることを特徴とする電子線露光用マスク。 - 【請求項２】 前記分割マスクは、隣り合うグリレージ
間の中心に配置されていることを特徴とする請求項１に
記載の電子線露光用マスク。 - 【請求項３】 前記分割マスク以外の領域は、全て前記
グリレージとなっていることを特徴とする請求項１また
は２に記載の電子線露光用マスク。 - 【請求項４】 前記分割マスクの中心と、電子ビーム照
射領域の中心とを一致させたとき、電子ビーム照射領域
が隣の分割マスクにかからないように、分割マスク間の
寸法が設定されていることを特徴とする請求項１ないし
３のいずれかに記載の電子線露光用マスク。 - 【請求項５】 分割マスクの中心と、電子ビーム照射領
域の中心とを一致させて露光を行う露光工程を有するこ
とを特徴とする電子線露光用マスクを用いた半導体装置
製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15070599A JP2000340492A (ja) | 1999-05-28 | 1999-05-28 | 電子線露光用マスクとそれを用いた半導体装置製造方法 |
| KR10-2000-0028524A KR100379290B1 (ko) | 1999-05-28 | 2000-05-26 | 전자빔 노광용 마스크와 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
| US09/578,476 US6352802B1 (en) | 1999-05-28 | 2000-05-26 | Mask for electron beam exposure and method of manufacturing semiconductor device using the same |
| TW089110294A TW457551B (en) | 1999-05-28 | 2000-05-26 | Mask for electron beam exposure and method of manufacturing semiconductor device using the same |
| CNB001093223A CN1144265C (zh) | 1999-05-28 | 2000-05-26 | 电子束曝光掩模和用该掩模制造半导体器件的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15070599A JP2000340492A (ja) | 1999-05-28 | 1999-05-28 | 電子線露光用マスクとそれを用いた半導体装置製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000340492A true JP2000340492A (ja) | 2000-12-08 |
Family
ID=15502623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15070599A Pending JP2000340492A (ja) | 1999-05-28 | 1999-05-28 | 電子線露光用マスクとそれを用いた半導体装置製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6352802B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000340492A (ja) |
| KR (1) | KR100379290B1 (ja) |
| CN (1) | CN1144265C (ja) |
| TW (1) | TW457551B (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6894295B2 (en) * | 2000-12-11 | 2005-05-17 | Leepl Corporation | Electron beam proximity exposure apparatus and mask unit therefor |
| JP4266079B2 (ja) | 2001-04-09 | 2009-05-20 | 株式会社東芝 | 原版とその作製方法及びその原版を用いた露光方法 |
| CN100468198C (zh) * | 2004-04-02 | 2009-03-11 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 薄膜工件的切割方法 |
| JP2006032755A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Renesas Technology Corp | 荷電粒子線マスクの設計方法及び設計データ構造、荷電粒子線マスク、並びに荷電粒子線転写方法。 |
| CN1296776C (zh) * | 2004-09-22 | 2007-01-24 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 厚外延层上进行投影光刻的方法 |
| FR2880469B1 (fr) | 2005-01-03 | 2007-04-27 | Cit Alcatel | Dispositif de fabrication d'un masque par gravure par plasma d'un substrat semiconducteur |
| JP6567843B2 (ja) * | 2014-07-02 | 2019-08-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| CN105880229A (zh) * | 2014-09-24 | 2016-08-24 | 连江县宏大激光测量仪器研究所 | 坐便器下水管道阻塞自动化疏通 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3265718B2 (ja) * | 1993-06-23 | 2002-03-18 | 株式会社日立製作所 | Ｓｉ転写マスク、及び、Ｓｉ転写マスクの製造方法 |
| JP3357927B2 (ja) * | 1993-07-09 | 2002-12-16 | 株式会社ニコン | 荷電粒子線露光装置および荷電粒子線露光方法 |
| JP2785811B2 (ja) * | 1996-06-27 | 1998-08-13 | 日本電気株式会社 | 電子線露光装置用露光マスクデータの作成方法および電子線露光装置用マスク |
| KR19990011457A (ko) * | 1997-07-23 | 1999-02-18 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 스텐실 마스크의 제조방법 |
| JP4268233B2 (ja) * | 1998-02-25 | 2009-05-27 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR100307223B1 (ko) * | 1998-04-24 | 2002-01-19 | 박종섭 | 전자빔을 이용한 반도체소자의 제조방법 |
| JPH11354422A (ja) * | 1998-06-05 | 1999-12-24 | Nikon Corp | 電子線転写方法及びそれに用いるマスク |
-
1999
- 1999-05-28 JP JP15070599A patent/JP2000340492A/ja active Pending
-
2000
- 2000-05-26 TW TW089110294A patent/TW457551B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-05-26 KR KR10-2000-0028524A patent/KR100379290B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-05-26 CN CNB001093223A patent/CN1144265C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-05-26 US US09/578,476 patent/US6352802B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1144265C (zh) | 2004-03-31 |
| TW457551B (en) | 2001-10-01 |
| CN1275797A (zh) | 2000-12-06 |
| KR100379290B1 (ko) | 2003-04-10 |
| KR20000077439A (ko) | 2000-12-26 |
| US6352802B1 (en) | 2002-03-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6333138B1 (en) | Exposure method utilizing partial exposure stitch area | |
| US6806941B2 (en) | Pattern forming method and pattern forming apparatus | |
| JPH04155337A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JPH05335221A (ja) | 荷電粒子線露光法および露光装置 | |
| JP3360662B2 (ja) | 電子線ビーム描画方法および電子線ビーム描画用マスク | |
| JP2000340492A (ja) | 電子線露光用マスクとそれを用いた半導体装置製造方法 | |
| JPH09199389A (ja) | 電子ビーム描画方法 | |
| EP0688036B1 (en) | Method for transferring patterns with charged particle beam | |
| JPS59184524A (ja) | 電子ビ−ム露光装置 | |
| JP2003045789A (ja) | 描画装置及び描画方法 | |
| JPS6051261B2 (ja) | 荷電粒子ビ−ム描画装置 | |
| JP2003100591A (ja) | 荷電粒子線露光装置における露光方法、半導体デバイスの製造方法及び荷電粒子線露光装置 | |
| JP3526385B2 (ja) | パターン形成装置 | |
| JPH08236428A (ja) | 荷電粒子線露光方法及びそれに用いるマスク | |
| US6335127B1 (en) | Charged beam mask having strut wider than charged beam, with shape that matches charged beam | |
| US8178280B2 (en) | Self-contained proximity effect correction inspiration for advanced lithography (special) | |
| JPH10274841A (ja) | マスク及びそれを用いた電子線露光方法 | |
| US9343323B2 (en) | Method of producing aperture member | |
| JPH11274038A (ja) | パターン描画方法及び描画装置 | |
| KR101116529B1 (ko) | 포토마스크, 반도체 장치, 하전 빔 묘화 장치 | |
| JP2005302868A (ja) | 電子ビーム描画方法および装置 | |
| JPH06140309A (ja) | 電子ビーム露光方法 | |
| JPS61164222A (ja) | 電子ビ−ム露光方法 | |
| KR101001498B1 (ko) | 빔 번짐 효과를 감소시킨 브이에스비 방식의 마스크제조방법 | |
| JP2006072024A (ja) | 電子ビーム用露光マスク、電子ビーム露光装置、及び電子ビーム露光方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020827 |