JPS6051261B2 - 荷電粒子ビ−ム描画装置 - Google Patents
荷電粒子ビ−ム描画装置Info
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- JPS6051261B2 JPS6051261B2 JP51060175A JP6017576A JPS6051261B2 JP S6051261 B2 JPS6051261 B2 JP S6051261B2 JP 51060175 A JP51060175 A JP 51060175A JP 6017576 A JP6017576 A JP 6017576A JP S6051261 B2 JPS6051261 B2 JP S6051261B2
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- Japan
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- slit
- charged particle
- particle beam
- drawn
- drawing apparatus
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- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1471—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path for centering, aligning or positioning of ray or beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子ビーム露光、イオンビーム注入等に適合
する荷電粒子ビーム描画装置に関する。
する荷電粒子ビーム描画装置に関する。
例えば電子ビーム露光方式は、一筆書き方式と一括露光
方式とに大別される。この２つの方式のうち後者の方が
描画速度において優れているが、原図パターン即ち被露
光物体に結像されるべきパターン形状を有するマスクを
必要とする。このパターンは通常かなり複雑であり、マ
スク製作の困難さ、取り換えの困難さ、周囲を取り囲ま
れた図形を用いることができない等の種々の問題がある
。本発明は上記問題点に対処されてなされたもので、一
括照射方式における広い面積を一度に照射できるという
特徴を生かした荷電粒子ビーム描画装置を提供するもの
である。
方式とに大別される。この２つの方式のうち後者の方が
描画速度において優れているが、原図パターン即ち被露
光物体に結像されるべきパターン形状を有するマスクを
必要とする。このパターンは通常かなり複雑であり、マ
スク製作の困難さ、取り換えの困難さ、周囲を取り囲ま
れた図形を用いることができない等の種々の問題がある
。本発明は上記問題点に対処されてなされたもので、一
括照射方式における広い面積を一度に照射できるという
特徴を生かした荷電粒子ビーム描画装置を提供するもの
である。
次に本発明の基本的な概念を第１図を参照して説明する
。
。
この第１図で荷電粒子ビーム、例えば電子ビームの光源
、所謂る電子銃１１から電子ビーム１１ａが引き出され
、このビーム１１ａはブランキング用スリット（図示せ
ず）でオン●オフされ、このブランキング用スリットを
通過した電子ビーム１１ａは第１のスリット１２ａ及び
第２のスリット１２ｂを介して電子レンズ１３により所
定の図形１４が結像される。本発明中においてスリット
という言葉は単に細長い形状のみならず、一般にアパー
チャと呼ばれるような正方形、円形等の種々の形て切り
とられた孔を有するビームの進行をさまたげるような物
体を指するものと．する。ここで重要なことは第２のス
リット１２ｂを設けたことである。即ちこの第２のスリ
ット１２ｂは電気的にＸ方向及びＹ方向に移動するもの
である。ここで第２のスリットを実際に動かすかわりに
ビームを偏向して等価的に第１と第２のス．リフトの相
対関係を変えてもよい。この第２のスリット１２ｂの移
動により図形を例えば第２図Ａ，ｂ，ｃに示す如く適宜
変えることができる。次いで第３図を参照して本発明の
一実施例として正方形のスリットの場合を例にとつて詳
細に説・明する。スリットで定儀する形は例えば平行四
辺形、円形等の形でも勿論よい。第３図て３１が電子銃
であり、この電子銃３１から電子ビーム３１ａが引き出
される。
、所謂る電子銃１１から電子ビーム１１ａが引き出され
、このビーム１１ａはブランキング用スリット（図示せ
ず）でオン●オフされ、このブランキング用スリットを
通過した電子ビーム１１ａは第１のスリット１２ａ及び
第２のスリット１２ｂを介して電子レンズ１３により所
定の図形１４が結像される。本発明中においてスリット
という言葉は単に細長い形状のみならず、一般にアパー
チャと呼ばれるような正方形、円形等の種々の形て切り
とられた孔を有するビームの進行をさまたげるような物
体を指するものと．する。ここで重要なことは第２のス
リット１２ｂを設けたことである。即ちこの第２のスリ
ット１２ｂは電気的にＸ方向及びＹ方向に移動するもの
である。ここで第２のスリットを実際に動かすかわりに
ビームを偏向して等価的に第１と第２のス．リフトの相
対関係を変えてもよい。この第２のスリット１２ｂの移
動により図形を例えば第２図Ａ，ｂ，ｃに示す如く適宜
変えることができる。次いで第３図を参照して本発明の
一実施例として正方形のスリットの場合を例にとつて詳
細に説・明する。スリットで定儀する形は例えば平行四
辺形、円形等の形でも勿論よい。第３図て３１が電子銃
であり、この電子銃３１から電子ビーム３１ａが引き出
される。
このビーム３１ａは第１の電子レンズ３３によりブラン
キング電極３４，３４″の略中央部に焦点としていわゆ
るクロスオーバ像を結ぶようになる。３５はブランキン
グ用のスリットであり、ブランキング電極３４，３４″
のブランキング電圧発生回路３６の電圧が０〔Ｖ〕の時
にビーム３１ａを通過させ、４０〔■〕の時にビーム３
１ａをカットオフするようになつている。
キング電極３４，３４″の略中央部に焦点としていわゆ
るクロスオーバ像を結ぶようになる。３５はブランキン
グ用のスリットであり、ブランキング電極３４，３４″
のブランキング電圧発生回路３６の電圧が０〔Ｖ〕の時
にビーム３１ａを通過させ、４０〔■〕の時にビーム３
１ａをカットオフするようになつている。
そしてブランキング用スリット３５を通過したビーム３
１ｂはコンデンサレノンズからなる第２のレンズ３７に
よつて平行なビームに変えられて矩形状に規定される第
１のスリット３８に照射される。この場合図に示すよう
に、平行な電子ビームは第１のスリット３８の所定に切
りとられた孔の全域にわたり照射される。この場合、ク
ロスオーバ像は第１のスリット３８位置には結ばれない
。この第１のスリット３８は第１図の１２ａに原理的に
対応するものである。以後はビームの光源を第１のスリ
ット３８の部分と考えて説明するが、注意すべきことは
第１の・スリット３８以下での光束の表わし方は焦点を
結ぶ点で開き、普通の光源束の表現と表わし方が逆にな
つている点に注意を要する。これは図面の簡略化を計る
ためである。第１のスリット３８を光源とするここでは
矩形の特殊形状とみなす正方形の像は第３のレンズ３９
によつて矩形状に規定される第２のスリット４０上に焦
点を結ぶように構成される。この場合、クロスオーバー
像は第２のスリット４０位置には結ばれない。またこの
装置で用いている３つのスリットは、図に示すように周
囲を閉じた所謂る中央部に孔のあるスリットを用い、露
光精度を高めるようにしてある。ここで、ビーム３２ａ
は偏向電極４１，４「及び４４，４４″に加えられる電
圧が０〔Ｖ〕の時に全部が透過して、第２のスリット４
０に正方形を生成することになる。
１ｂはコンデンサレノンズからなる第２のレンズ３７に
よつて平行なビームに変えられて矩形状に規定される第
１のスリット３８に照射される。この場合図に示すよう
に、平行な電子ビームは第１のスリット３８の所定に切
りとられた孔の全域にわたり照射される。この場合、ク
ロスオーバ像は第１のスリット３８位置には結ばれない
。この第１のスリット３８は第１図の１２ａに原理的に
対応するものである。以後はビームの光源を第１のスリ
ット３８の部分と考えて説明するが、注意すべきことは
第１の・スリット３８以下での光束の表わし方は焦点を
結ぶ点で開き、普通の光源束の表現と表わし方が逆にな
つている点に注意を要する。これは図面の簡略化を計る
ためである。第１のスリット３８を光源とするここでは
矩形の特殊形状とみなす正方形の像は第３のレンズ３９
によつて矩形状に規定される第２のスリット４０上に焦
点を結ぶように構成される。この場合、クロスオーバー
像は第２のスリット４０位置には結ばれない。またこの
装置で用いている３つのスリットは、図に示すように周
囲を閉じた所謂る中央部に孔のあるスリットを用い、露
光精度を高めるようにしてある。ここで、ビーム３２ａ
は偏向電極４１，４「及び４４，４４″に加えられる電
圧が０〔Ｖ〕の時に全部が透過して、第２のスリット４
０に正方形を生成することになる。
そして第２のスリット４０に設けられたここでは矩形の
特殊形状とみなす正方形の窓は一辺が２．５６〔順〕の
ものてある。またビーム３２ａは偏向電極４１，４「に
よつて０．１〔■〕につき０．０１〔朗〕偏向するよう
に設計されている。そこで偏向電極４１，４「間に２５
．６〔■〕の電圧が加つた時にビーム３２ａは全て切断
されることになる。例えば最終的に５〔Ｐｍ〕×１００
〔μｍ〕の矩形状の図形を得たい時には電子計算機であ
るミニコン５５により第１のレジスタ４２にｘ方向の幅
情報として“５゛が書き込まれ第２のレジスタ４５にｙ
方向の幅情報として４“１０σ゛が書き込まれる。する
とＤ−Ａコンバータ４３の出力には２５．１〔■〕、Ｄ
−Ａコンバータ４６の出力には１５．６〔Ｖ〕の電圧が
表われるようになつている。このため、Ｘ方向に５０〔
μｍ〕、ｙ方向に１〔？〕の幅を持つたビーム３２ｂの
みが最終的に第２のスリット４０を通過することになる
。この状態では、第３図より明らかなように第１のスリ
ット３８の孔を通過した電子ビームの第２のスリット４
０位置における断面の輪部が前記第２のスリットの孔の
輪部と２箇所で交差することになる。この第２のスリッ
ト４０を通過したビーム３２ｂは第４のレンズ４７によ
り１０：１に縮少されて、被描画物としての平板状の被
露光物体４８上に焦点を結ぶようになる。そして５〔Ｐ
ｒｒｌ，〕×１００〔ＰＴｒＬ〕の希望する大きさの矩
形状の図形６０が得られる。ここでビーム３２ｂは、さ
らに偏向電極４９，４９″により矩形状の形が保存され
たままでＸ方向に偏向される。そ−してその偏向量はミ
ニコン５５より第３のレジスタ５０に与えられた内容に
よつて、第３のコンバータ５１に希望する偏向電圧が取
り出される。但しこの際注意すべきことは、第２のスリ
ット４０において生成される矩形状の中心位置は矩形状
の形の大きさによつて異なるため、第３のレジスタ５０
に入る値はレジスタ４２に入る値と関連して補正がなさ
れていなければならない。勿論ここでは無補正の値を用
い、第３のＤ−Ａコンバータ５１の出力電圧に第１のコ
ンバータ４３の出力電圧を適当に加えることにより電気
回路的に補正してもかまわない。また同様に偏向電極５
２，５２″により矩形状の形が保存されたままでｙ方向
に偏向される。この偏向量はミニコン５５より第４のレ
ジスタ５３に与えられた内容によつて第４のＤ一Ａコン
バータ５４に希望する偏向電圧が取り出される。ところ
で本実施例では２５６ステップ角の内部の図形を描画し
た後に被露光物体４８をミニコン５５の制御により次の
ステップ迄動かして次のフレームの描画を行う。このた
めの回路およびモータ等の手段は図中で省略してある。
また第１のスリット３８、第２のスリット４０は発熱が
大きいため、水冷したり、各スリットの直前にやや大き
いスリットを置いて、第１のスリット３８及び第２のス
リット４０の熱変形を防ぐ方法がとられる。このように
して広い面積を一度に露光を行える一括露光方式の特徴
を生かしたままで原図マスク（レジストマスク）を電気
的に作り出し、所定の電子ビーム露光を行えるものであ
る。またブランキング用スリットを通過した電子ビーム
が第１のスリット３８の所定に切りとられた孔の全域に
わたり照射され、その孔に規定された電子ビーム束を実
質的に光源としているので、電子銃そのものを光源とす
る場合に比べて電子ビームの密度むらが少なくなる。さ
らにこの装置においてはブランキング用スリット３５を
第１のスリット３８と別個に設け、１つのスリットで２
つの作用もたせるようにしていない為、描かれるパター
ンの精度が高くなり、その描画速度も速くなる。上述し
た実施例では、クロスオーバー像を周囲が閉じられた第
１及び第２のスリット（アパーチャ）から離れた位置に
結んでおり、次のような利点を生ずる。
特殊形状とみなす正方形の窓は一辺が２．５６〔順〕の
ものてある。またビーム３２ａは偏向電極４１，４「に
よつて０．１〔■〕につき０．０１〔朗〕偏向するよう
に設計されている。そこで偏向電極４１，４「間に２５
．６〔■〕の電圧が加つた時にビーム３２ａは全て切断
されることになる。例えば最終的に５〔Ｐｍ〕×１００
〔μｍ〕の矩形状の図形を得たい時には電子計算機であ
るミニコン５５により第１のレジスタ４２にｘ方向の幅
情報として“５゛が書き込まれ第２のレジスタ４５にｙ
方向の幅情報として４“１０σ゛が書き込まれる。する
とＤ−Ａコンバータ４３の出力には２５．１〔■〕、Ｄ
−Ａコンバータ４６の出力には１５．６〔Ｖ〕の電圧が
表われるようになつている。このため、Ｘ方向に５０〔
μｍ〕、ｙ方向に１〔？〕の幅を持つたビーム３２ｂの
みが最終的に第２のスリット４０を通過することになる
。この状態では、第３図より明らかなように第１のスリ
ット３８の孔を通過した電子ビームの第２のスリット４
０位置における断面の輪部が前記第２のスリットの孔の
輪部と２箇所で交差することになる。この第２のスリッ
ト４０を通過したビーム３２ｂは第４のレンズ４７によ
り１０：１に縮少されて、被描画物としての平板状の被
露光物体４８上に焦点を結ぶようになる。そして５〔Ｐ
ｒｒｌ，〕×１００〔ＰＴｒＬ〕の希望する大きさの矩
形状の図形６０が得られる。ここでビーム３２ｂは、さ
らに偏向電極４９，４９″により矩形状の形が保存され
たままでＸ方向に偏向される。そ−してその偏向量はミ
ニコン５５より第３のレジスタ５０に与えられた内容に
よつて、第３のコンバータ５１に希望する偏向電圧が取
り出される。但しこの際注意すべきことは、第２のスリ
ット４０において生成される矩形状の中心位置は矩形状
の形の大きさによつて異なるため、第３のレジスタ５０
に入る値はレジスタ４２に入る値と関連して補正がなさ
れていなければならない。勿論ここでは無補正の値を用
い、第３のＤ−Ａコンバータ５１の出力電圧に第１のコ
ンバータ４３の出力電圧を適当に加えることにより電気
回路的に補正してもかまわない。また同様に偏向電極５
２，５２″により矩形状の形が保存されたままでｙ方向
に偏向される。この偏向量はミニコン５５より第４のレ
ジスタ５３に与えられた内容によつて第４のＤ一Ａコン
バータ５４に希望する偏向電圧が取り出される。ところ
で本実施例では２５６ステップ角の内部の図形を描画し
た後に被露光物体４８をミニコン５５の制御により次の
ステップ迄動かして次のフレームの描画を行う。このた
めの回路およびモータ等の手段は図中で省略してある。
また第１のスリット３８、第２のスリット４０は発熱が
大きいため、水冷したり、各スリットの直前にやや大き
いスリットを置いて、第１のスリット３８及び第２のス
リット４０の熱変形を防ぐ方法がとられる。このように
して広い面積を一度に露光を行える一括露光方式の特徴
を生かしたままで原図マスク（レジストマスク）を電気
的に作り出し、所定の電子ビーム露光を行えるものであ
る。またブランキング用スリットを通過した電子ビーム
が第１のスリット３８の所定に切りとられた孔の全域に
わたり照射され、その孔に規定された電子ビーム束を実
質的に光源としているので、電子銃そのものを光源とす
る場合に比べて電子ビームの密度むらが少なくなる。さ
らにこの装置においてはブランキング用スリット３５を
第１のスリット３８と別個に設け、１つのスリットで２
つの作用もたせるようにしていない為、描かれるパター
ンの精度が高くなり、その描画速度も速くなる。上述し
た実施例では、クロスオーバー像を周囲が閉じられた第
１及び第２のスリット（アパーチャ）から離れた位置に
結んでおり、次のような利点を生ずる。
（１）クロスオーバーもしくはその像から、例えば１０
０ｗｕｎ程度離して第１及び第２のスリットを配置する
ことにより、スリットに対し直径６００〜１０００μｍ
程度の一様で広範囲な照明が容易に得られる。
０ｗｕｎ程度離して第１及び第２のスリットを配置する
ことにより、スリットに対し直径６００〜１０００μｍ
程度の一様で広範囲な照明が容易に得られる。
従つて、スリットの寸法を大きくすることができ、その
後を十分縮小して被描画物に結像することにより、所望
の形状及び大きさのビームを高い精度で得ることができ
る。このようにスリットを大きくできしかも周囲が閉じ
られた形でよいから穴あけによりスリットを楽に製作す
ることができる。（２）ビームの集束した高エネルギー
密度のクロスオーバーもしくはその像が第１及び第２の
スリットに生じないからスリットの昇温による膨張や溶
融が起りにくい。
後を十分縮小して被描画物に結像することにより、所望
の形状及び大きさのビームを高い精度で得ることができ
る。このようにスリットを大きくできしかも周囲が閉じ
られた形でよいから穴あけによりスリットを楽に製作す
ることができる。（２）ビームの集束した高エネルギー
密度のクロスオーバーもしくはその像が第１及び第２の
スリットに生じないからスリットの昇温による膨張や溶
融が起りにくい。
しかも、スリットの周囲が閉じられているので、熱の放
散バランスがよい。そのため２つのスリットにより規定
されるビームの形状及び大きさの精度の低下や真空雰囲
気の汚染を防ぐことができる。（３）第１及び第２のア
パーチャの像と、クロスオノ 一バー像を分離して結像
しているので、設計及び装置の調整を余裕をもつて行う
ことができる。
散バランスがよい。そのため２つのスリットにより規定
されるビームの形状及び大きさの精度の低下や真空雰囲
気の汚染を防ぐことができる。（３）第１及び第２のア
パーチャの像と、クロスオノ 一バー像を分離して結像
しているので、設計及び装置の調整を余裕をもつて行う
ことができる。
（４）第１及び第２のスリットへの照明に、クロスオー
バーからのビームの発散による発散角分布（余弦（ＣＯ
ｓｊｎ）状分布）を用いることができ、クロスオーバー
のガウス分布と比べると、分布の経時変化が小さく、装
置全体を長期間使用することができる。
バーからのビームの発散による発散角分布（余弦（ＣＯ
ｓｊｎ）状分布）を用いることができ、クロスオーバー
のガウス分布と比べると、分布の経時変化が小さく、装
置全体を長期間使用することができる。
また上述した実施例では、第１のスリットの孔を通過し
た電子ビームの第２のスリット位置における断面の輪部
（線）が該第２のスリットの孔の輪部（線）と２箇所で
交差するように前記２つのスリット間に偏向器が設置さ
れており、被露光物体に所望形状および大きさの露光パ
ターンが形成される。
た電子ビームの第２のスリット位置における断面の輪部
（線）が該第２のスリットの孔の輪部（線）と２箇所で
交差するように前記２つのスリット間に偏向器が設置さ
れており、被露光物体に所望形状および大きさの露光パ
ターンが形成される。
従つて次のような効果を奏する。（１）偏向制御により
、第１及び第２のスリットの孔の形状と寸法のみに限ら
れない任意な種々な形状並びに広範囲に小刻みな段階で
変化する大きさのパターンを被露光物体に形成すること
ができ、集積回路パターンような形状や大きさが変化に
富むパターンの高速な描画に適合する。例えば、ビーム
断面の形状を変えないで種々な大きさのビーム断面が得
られる等の使い易さがあり、従来のビーム断面を一定化
して描画する，装置と比べて、１皓以上も生産性を上け
ることも可能である。（２）第１、第２のスリットの各
孔の形状を矩形等の極めて簡単なものとすることができ
る。
、第１及び第２のスリットの孔の形状と寸法のみに限ら
れない任意な種々な形状並びに広範囲に小刻みな段階で
変化する大きさのパターンを被露光物体に形成すること
ができ、集積回路パターンような形状や大きさが変化に
富むパターンの高速な描画に適合する。例えば、ビーム
断面の形状を変えないで種々な大きさのビーム断面が得
られる等の使い易さがあり、従来のビーム断面を一定化
して描画する，装置と比べて、１皓以上も生産性を上け
ることも可能である。（２）第１、第２のスリットの各
孔の形状を矩形等の極めて簡単なものとすることができ
る。
その為スリットの加工が容易で且つ精度も出し易く実用
的である。（３） 第１のスリットを通過した電子ビー
ム断面の第２のスリットの孔に対する位置的整合性に余
裕を設けても、異常な形状のパターンになり難いから、
集積回路パターンの描画に適し、装置の設計も容易であ
る。
的である。（３） 第１のスリットを通過した電子ビー
ム断面の第２のスリットの孔に対する位置的整合性に余
裕を設けても、異常な形状のパターンになり難いから、
集積回路パターンの描画に適し、装置の設計も容易であ
る。
なお、上記実施例では第１のスリット３８及び第２のス
リット４０に設けた窓の数が１つの場合について説明し
たが、複数個設けても上記実施例と同様に実施できる。
リット４０に設けた窓の数が１つの場合について説明し
たが、複数個設けても上記実施例と同様に実施できる。
また上記実施例では偏向電極４１，４「及び４４，４４
″に加えられる電圧がＯ〔■〕の時に正方形が得られる
ようにしたが電圧が０ＣＶ〕の時ビーム３２ａが全てカ
ットされるようにすることも可能である。さらに電子ビ
ームをイオンビームに置き換えることもでき、例えば、
必要部分のみに選択的にイオン注入することも可能であ
る。また第１、第２のアパーチャとして正方形を例にと
つたが長方形、円形、多角形とすることも可能てある。
図面の簡単な説明第１図は本発明の基本的な概念を説明
するための構成概略図、第２図ａ−ｃは第１図によつて
描画される図形を示す模式図、第３図は本発明一実施例
を示す構成図である。
″に加えられる電圧がＯ〔■〕の時に正方形が得られる
ようにしたが電圧が０ＣＶ〕の時ビーム３２ａが全てカ
ットされるようにすることも可能である。さらに電子ビ
ームをイオンビームに置き換えることもでき、例えば、
必要部分のみに選択的にイオン注入することも可能であ
る。また第１、第２のアパーチャとして正方形を例にと
つたが長方形、円形、多角形とすることも可能てある。
図面の簡単な説明第１図は本発明の基本的な概念を説明
するための構成概略図、第２図ａ−ｃは第１図によつて
描画される図形を示す模式図、第３図は本発明一実施例
を示す構成図である。
第３図で、３１が電子銃、３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３
２ｂが電子ビーム、３３，３７，３９，４７が電子レン
ズ、３４，３４″，４１，４４″４９，４９″及び５２
，５２″が偏向電極、５３がブランキング用スリット、
３８が第１のスリット、４０が第２のスリット、４８が
被覆光物体、４２，４５，５０がレジスタ、４３，４６
，５１，５４がＤ−Ａコンバータ、５５がミニコンであ
る。
２ｂが電子ビーム、３３，３７，３９，４７が電子レン
ズ、３４，３４″，４１，４４″４９，４９″及び５２
，５２″が偏向電極、５３がブランキング用スリット、
３８が第１のスリット、４０が第２のスリット、４８が
被覆光物体、４２，４５，５０がレジスタ、４３，４６
，５１，５４がＤ−Ａコンバータ、５５がミニコンであ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 荷電粒子ビームによるクロスオーバを生ずる手段と
、前記クロスオーバーを生ずる手段からの荷電粒子ビー
ムがその所定に切りとられた孔の全域にわたり照射され
所定形状のビーム束として通過させる周囲が閉じられた
第１のスリットと、前記クロスオーバーによるビームの
焦点を前記第１のスリットから離れた位置に結ばせる手
段と、前記第１のスリットと被描画物体間に配置される
周囲が閉じられた第２のスリットと、前記第１のスリッ
トの孔により規定されたビーム形状を前記第２のスリッ
トに生成するとともに前記荷電粒子ビームのクロスオー
バー像を前記第２のスリットから離れた位置に結ばせる
手段と、前記第１のスリットと第２のスリット間にあつ
て、前記第１のスリットを通過した荷電粒子ビーム束の
選択部分を前記第２のスリットを通過せしめるとともに
該第１のスリットの孔を通過した荷電粒子ビームの該第
２のスリット位置における断面の輪郭が前記第２のスリ
ットの孔の輪郭と２箇所で交差するように前記第１のス
リットを通過した荷電粒子ビーム束を所定の情報に応じ
て偏向する手段と、前記第２のスリットを通過した荷電
粒子ビームを前記被描画物体に照射し結像させる手段と
を備え、前記荷電粒子ビームの通過を制御して前記被描
画物体に選択的に照射して所望形状及び大きさのパター
ンを形成する荷電粒子ビーム描画装置。 ２ 荷電粒子ビームは電子ビームもしくはイオンである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の荷電粒
子ビーム描画装置。 ３ 被描画物体は描画により露光されることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の荷電粒子ビーム描画装
置。 ４ 被描画物体にはイオンビームの照射によりイオンが
注入されることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の荷電粒子ビーム描画装置。 ５ 第１及び第２のスリットの昇温を抑制する手段を備
えたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の荷
電粒子ビーム描画装置。 ６ 第１及び第２のスリットの孔は矩形もしくは正方形
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
荷電粒子ビーム描画装置。 ７ 第１もしくは第２のスリットに複数の孔を設けたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の荷電粒子
ビーム描画装置。 ８ 偏向手段による偏向量は電子計算機により制御され
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の荷電
粒子ビーム描画装置。 ９ 被描画物体に形成されるパターンが長方形の矩形パ
ターンを含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の荷電粒子ビーム描画装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51060175A JPS6051261B2 (ja) | 1976-05-26 | 1976-05-26 | 荷電粒子ビ−ム描画装置 |
| US06/005,499 US4258265A (en) | 1976-05-26 | 1979-01-22 | Electron beam exposing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51060175A JPS6051261B2 (ja) | 1976-05-26 | 1976-05-26 | 荷電粒子ビ−ム描画装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19800186A Division JPS6263425A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 電子ビ−ム露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52143776A JPS52143776A (en) | 1977-11-30 |
| JPS6051261B2 true JPS6051261B2 (ja) | 1985-11-13 |
Family
ID=13134543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51060175A Expired JPS6051261B2 (ja) | 1976-05-26 | 1976-05-26 | 荷電粒子ビ−ム描画装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4258265A (ja) |
| JP (1) | JPS6051261B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS56125832A (en) * | 1980-03-07 | 1981-10-02 | Hitachi Ltd | Iris aperture for shaping in charged particle radiation device |
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| US4550258A (en) * | 1982-07-27 | 1985-10-29 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation | Aperture structure for charged beam exposure |
| JPS5961134A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム露光装置 |
| US4698509A (en) * | 1985-02-14 | 1987-10-06 | Varian Associates, Inc. | High speed pattern generator for electron beam lithography |
| US4837447A (en) * | 1986-05-06 | 1989-06-06 | Research Triangle Institute, Inc. | Rasterization system for converting polygonal pattern data into a bit-map |
| JP2625219B2 (ja) * | 1989-10-23 | 1997-07-02 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画装置 |
| US6020950A (en) * | 1992-02-24 | 2000-02-01 | Nikon Corporation | Exposure method and projection exposure apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3638231A (en) * | 1968-05-27 | 1972-01-25 | Tno | Device for recording with electron rays |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR39852E (fr) * | 1972-06-30 | 1932-03-24 | Ig Farbenindustrie Ag | Procédé de production de colorants solides pour cuve |
| JPS5283177A (en) * | 1975-12-31 | 1977-07-11 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure device |
-
1976
- 1976-05-26 JP JP51060175A patent/JPS6051261B2/ja not_active Expired
-
1979
- 1979-01-22 US US06/005,499 patent/US4258265A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3638231A (en) * | 1968-05-27 | 1972-01-25 | Tno | Device for recording with electron rays |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52143776A (en) | 1977-11-30 |
| US4258265A (en) | 1981-03-24 |
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