JPS61125127A - 電子ビ−ム露光装置 - Google Patents
電子ビ−ム露光装置Info
- Publication number
- JPS61125127A JPS61125127A JP24742684A JP24742684A JPS61125127A JP S61125127 A JPS61125127 A JP S61125127A JP 24742684 A JP24742684 A JP 24742684A JP 24742684 A JP24742684 A JP 24742684A JP S61125127 A JPS61125127 A JP S61125127A
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- JP
- Japan
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- electron beam
- electron
- lens
- exposure
- pattern
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31769—Proximity effect correction
- H01J2237/31771—Proximity effect correction using multiple exposure
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野）
本発明は、ラスクスキャン方式の電子ビーム露光技術に
係わり、特に近接効果の低減をはかった電子ビーム露光
装置に関する。
係わり、特に近接効果の低減をはかった電子ビーム露光
装置に関する。
近年、半導体ウェハやマスク基板等の試料上に微細パタ
ーンを形成するものとして、各種の電子ビーム露光装置
が用いられている。そして、この装置では、パターンの
微細化に伴い、電子ビームのレジスト及び試料内での散
乱に起因する近接効果の補正が必要となりつつある。
ーンを形成するものとして、各種の電子ビーム露光装置
が用いられている。そして、この装置では、パターンの
微細化に伴い、電子ビームのレジスト及び試料内での散
乱に起因する近接効果の補正が必要となりつつある。
近接効果の補正方法としては、
■ ドーズ山を補正する
■ パターン形状を補正する
■ 多層レジストを用いる
等の３つの方法が知られている。第１の方法は補正層を
求めるのに膨大な計算量を必要とし、更にこの方法はラ
スクスキャン方式では適用が困難である。第２の方法は
、パターン寸法の極微細な調整が必要と云う欠点を持っ
ている。また、第３の方法はレジスト塗布、現像のプロ
セスが複雑化すると云う欠点を持っている。
求めるのに膨大な計算量を必要とし、更にこの方法はラ
スクスキャン方式では適用が困難である。第２の方法は
、パターン寸法の極微細な調整が必要と云う欠点を持っ
ている。また、第３の方法はレジスト塗布、現像のプロ
セスが複雑化すると云う欠点を持っている。
そこで最近、第４の近接効果補正方法として、パターン
のない部分をビーム電流の小さいボケだビームで露光し
、試料からの後方散乱電子によるレジストの感光に相当
するドーズ量をパターンのない背景部分に与えることに
よって、試料からの後方散乱電子のパターン寸法への影
響を除く方法が提案されている。この方法を、以下に簡
単に説明する。
のない部分をビーム電流の小さいボケだビームで露光し
、試料からの後方散乱電子によるレジストの感光に相当
するドーズ量をパターンのない背景部分に与えることに
よって、試料からの後方散乱電子のパターン寸法への影
響を除く方法が提案されている。この方法を、以下に簡
単に説明する。
点状ビームが試料上に塗布されたレジストに入射した場
合、レジストのエネルギー吸収量の分布は２つの成分に
分けられる。第１の成分は、入射電子そのもの及びレジ
スト内でのみ散乱された電子によるもので、前方散乱成
分と称される。１２の成分は、試料内で散乱された電子
によるもので、後方散乱成分と称される。電子ビームの
加速エネルギーにも依存するが、前方散乱成分は０．１
〜０．２［μＴｒＬ］程度の広がりを持つのに対し、後
方散乱成分は１〜１０［μｍ］程度の広がりを持つ。こ
の後方散乱成分の大きな広がりのために、パターンを描
画した時、ある点でのレジストのエネルギー吸収量は、
その点から後方散乱成分の広がり程度の範囲内のパター
ン密度に依存する。このため、パターン密度の高い領域
と低い領域とで、現像後のパターン寸法が違ってしまう
。
合、レジストのエネルギー吸収量の分布は２つの成分に
分けられる。第１の成分は、入射電子そのもの及びレジ
スト内でのみ散乱された電子によるもので、前方散乱成
分と称される。１２の成分は、試料内で散乱された電子
によるもので、後方散乱成分と称される。電子ビームの
加速エネルギーにも依存するが、前方散乱成分は０．１
〜０．２［μＴｒＬ］程度の広がりを持つのに対し、後
方散乱成分は１〜１０［μｍ］程度の広がりを持つ。こ
の後方散乱成分の大きな広がりのために、パターンを描
画した時、ある点でのレジストのエネルギー吸収量は、
その点から後方散乱成分の広がり程度の範囲内のパター
ン密度に依存する。このため、パターン密度の高い領域
と低い領域とで、現像後のパターン寸法が違ってしまう
。
そこで、近似的に後方散乱成分と同じエネルギー吸収量
分布を与える電子ビームで、パターンのない背景部分を
追加露光すれば、パターン部を露光した電子ビームの後
方散乱成分によるエネルギー吸収量と、背景露光による
エネルギー吸収量との和は、面内均−となり、後方散乱
成分のパターン寸法への影響を除くことができる。前方
散乱成分の広がりは加速電圧を増加する等によって十分
小さく（０，１μｍ以下）できるので、この方法により
近接効果補正をされた精度の高いパターンを得ることが
可能となる。
分布を与える電子ビームで、パターンのない背景部分を
追加露光すれば、パターン部を露光した電子ビームの後
方散乱成分によるエネルギー吸収量と、背景露光による
エネルギー吸収量との和は、面内均−となり、後方散乱
成分のパターン寸法への影響を除くことができる。前方
散乱成分の広がりは加速電圧を増加する等によって十分
小さく（０，１μｍ以下）できるので、この方法により
近接効果補正をされた精度の高いパターンを得ることが
可能となる。
しかしながら、上記の方法を従来の電子ビーム露光装置
で実行するには、まず最初通常のパターン描画を行い、
次にビーム条件を変えて背景部の描画を行わなければな
らない。このため、全体としての露光スループットが１
／２以下に低下することになる。
で実行するには、まず最初通常のパターン描画を行い、
次にビーム条件を変えて背景部の描画を行わなければな
らない。このため、全体としての露光スループットが１
／２以下に低下することになる。
（発明の目的）
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、スルーブツトの低下を招くことなく、
ラスクスキャン方式で近接効果の補正を行うことができ
、露光精度の向上をはかり得る電子ビーム露光方法を提
供することにある。
とするところは、スルーブツトの低下を招くことなく、
ラスクスキャン方式で近接効果の補正を行うことができ
、露光精度の向上をはかり得る電子ビーム露光方法を提
供することにある。
本発明の骨子は、非パターン領域（パターンのない背景
部）をパターン領域の露光の際よりもビーム電流が小さ
くビーム径若しくはビームエツジ分解能の大きい電子ビ
ームで追加露光する際に、この追加露光をバタ〜ン領域
の露光と同じビーム走査時に行うことにある。
部）をパターン領域の露光の際よりもビーム電流が小さ
くビーム径若しくはビームエツジ分解能の大きい電子ビ
ームで追加露光する際に、この追加露光をバタ〜ン領域
の露光と同じビーム走査時に行うことにある。
即ち本発明は、電子銃から放射された電子ビームを集束
偏向制御し、この電子ビームを試料上でラスクスキャン
して該試料上に所望パターンを露光する電子ビーム露光
装（１）電子銃から放射された電子ビーム走査中にビー
ム電流を高速で可変する手段と、１回のビーム走査中に
ビーム径若しくはビームエツジ分解能を高速で可変する
手段とを設けるようにしたものである。
偏向制御し、この電子ビームを試料上でラスクスキャン
して該試料上に所望パターンを露光する電子ビーム露光
装（１）電子銃から放射された電子ビーム走査中にビー
ム電流を高速で可変する手段と、１回のビーム走査中に
ビーム径若しくはビームエツジ分解能を高速で可変する
手段とを設けるようにしたものである。
本発明によれば、非パターン領域を露光するのに新たに
ビーム走査する必要がなく、通常のビーム走査時に該パ
ターンを露光することができる。
ビーム走査する必要がなく、通常のビーム走査時に該パ
ターンを露光することができる。
このため、スルーブツトの低下を招くことなく、近接効
果の補正を行うことができる。
果の補正を行うことができる。
以下、本発明に詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明の一実施例に係わる電子ビーム露光装置
の光学系を示す概略構成図である。図中１１は電子銃で
あり、この電子銃から放出された電子ビームはレンズ１
２．１３．１４を介して試料面１５上に照射される。即
ち、電子銃１１の作るクロスオーバＰ１がコンデンサレ
ンズ１２゜１３により縮小され、さらに対物レンズ１４
により縮小されて試料面１５上に結像されるものとなっ
ている。レンズ１２．１３間のクロスオーバ像Ｐ２の位
置には、ビームを０Ｎ−ＯＦＦするためのブランキング
電極１６が配置されている。また、レンズ１３．１４間
には、ビームを試料面１５上でＸ方向（紙面左右方向）
及びＹ方向（紙面表裏方向）に走査するビーム走査用偏
向器１７が配置されている。
の光学系を示す概略構成図である。図中１１は電子銃で
あり、この電子銃から放出された電子ビームはレンズ１
２．１３．１４を介して試料面１５上に照射される。即
ち、電子銃１１の作るクロスオーバＰ１がコンデンサレ
ンズ１２゜１３により縮小され、さらに対物レンズ１４
により縮小されて試料面１５上に結像されるものとなっ
ている。レンズ１２．１３間のクロスオーバ像Ｐ２の位
置には、ビームを０Ｎ−ＯＦＦするためのブランキング
電極１６が配置されている。また、レンズ１３．１４間
には、ビームを試料面１５上でＸ方向（紙面左右方向）
及びＹ方向（紙面表裏方向）に走査するビーム走査用偏
向器１７が配置されている。
ここまでの基本構成は従来と同様であり、本装置がこれ
と異なる点は、ビーム電流制限用アパーチャマスク２０
及びビーム高速可変レンズ２１゜２２を設けたことにあ
る。即ち、前記レンズ１３とビーム走査用偏向器１７と
の間のクロスオーバ像Ｐ２の位置には、アパーチャ２０
ａを有するビーム電流制限用アパーチャマスク２０が配
置されている。前記レンズ１３とブランキング電極１６
との間には、第１の高速可変レンズ２１が配置されてい
る。また、ビーム電流制限用アパーチャマスク２０とビ
ーム走査用偏向器１７との間には、第２の高速可変レン
ズ２２が配置されている。
と異なる点は、ビーム電流制限用アパーチャマスク２０
及びビーム高速可変レンズ２１゜２２を設けたことにあ
る。即ち、前記レンズ１３とビーム走査用偏向器１７と
の間のクロスオーバ像Ｐ２の位置には、アパーチャ２０
ａを有するビーム電流制限用アパーチャマスク２０が配
置されている。前記レンズ１３とブランキング電極１６
との間には、第１の高速可変レンズ２１が配置されてい
る。また、ビーム電流制限用アパーチャマスク２０とビ
ーム走査用偏向器１７との間には、第２の高速可変レン
ズ２２が配置されている。
次に、上記構成された実施例装置の作用について説明す
る。
る。
まず、高速可変レンズ２１．２２を無励起（焦点距離ｏ
ｏ）とし、図中実線に示す如くレンズ１３゜１４を調節
して、試料面１５上に結像されるクロスオーバ像の大き
ざ（ビーム径）及びビーム電流を所定の値に設定する□
。このときのビーム（第１のビーム）は、従来の電子ビ
ーム露光装置で用いるビームと同様であり、パターン領
域の露光に用いる。次に、図中破線で示す如く高速可変
レンズ２１．２２を調節して、該レンズ２１．２２の励
起時にビーム径及びビーム電流を別に定める所定の値に
なるようにする。このときのビーム（第２のビーム）は
上記パターン領域を露光する第１のビームに比してビー
ム径が大きく且つビーム電流が小さいもので、非パター
ン領域の露光に用いる。
ｏ）とし、図中実線に示す如くレンズ１３゜１４を調節
して、試料面１５上に結像されるクロスオーバ像の大き
ざ（ビーム径）及びビーム電流を所定の値に設定する□
。このときのビーム（第１のビーム）は、従来の電子ビ
ーム露光装置で用いるビームと同様であり、パターン領
域の露光に用いる。次に、図中破線で示す如く高速可変
レンズ２１．２２を調節して、該レンズ２１．２２の励
起時にビーム径及びビーム電流を別に定める所定の値に
なるようにする。このときのビーム（第２のビーム）は
上記パターン領域を露光する第１のビームに比してビー
ム径が大きく且つビーム電流が小さいもので、非パター
ン領域の露光に用いる。
このように高速可変レンズ２１．２２の励起−無励起に
より、２種類のビームを取出すことができる。従って、
ビーム走査用偏向器１７によって、電子ビームを試料面
１５上を一定速度で走査しながら、パターン領域を第１
のビームで描画し、パターンのない部分（背景部）を第
２のビームで描画することができる。これにより、近接
効果の補正を行うことができ、描画精度の向上をはかり
得る。
より、２種類のビームを取出すことができる。従って、
ビーム走査用偏向器１７によって、電子ビームを試料面
１５上を一定速度で走査しながら、パターン領域を第１
のビームで描画し、パターンのない部分（背景部）を第
２のビームで描画することができる。これにより、近接
効果の補正を行うことができ、描画精度の向上をはかり
得る。
このように本実施例装置によれば、高速可変レンズ２１
．２２をパターンデータに従って励起−無励起の状態に
切換えることにより、ビーム径が小さくビーム電流が大
きい第１のビームと、ビーム径が太き、くビーム電流が
小さい第２のビームに切換えることができる。そしてこ
の場合、ビームの一走査中に上記切換えを行い得るので
、非パターン領域の描画をパターン領域の描画時のビー
ム走査で同時に行うことができる。このため、近接効果
補正のために同一ラインで２回のビーム走査を行う必要
がなく、換言すれば描画スループットを低下させること
なく、近接効果の補正を行うことができる。
．２２をパターンデータに従って励起−無励起の状態に
切換えることにより、ビーム径が小さくビーム電流が大
きい第１のビームと、ビーム径が太き、くビーム電流が
小さい第２のビームに切換えることができる。そしてこ
の場合、ビームの一走査中に上記切換えを行い得るので
、非パターン領域の描画をパターン領域の描画時のビー
ム走査で同時に行うことができる。このため、近接効果
補正のために同一ラインで２回のビーム走査を行う必要
がなく、換言すれば描画スループットを低下させること
なく、近接効果の補正を行うことができる。
なお、上記の実施例では高速可変レンズ２１゜２２の無
励起時に第１のビームを、励起時に第２のビームを得る
ようにしたが、第２図に示す如くこれらの関係を逆する
ようにしてもよい。ざらに、レンズ２１．２２の励起−
無励起を逆の関係にすることも可能である。
励起時に第１のビームを、励起時に第２のビームを得る
ようにしたが、第２図に示す如くこれらの関係を逆する
ようにしてもよい。ざらに、レンズ２１．２２の励起−
無励起を逆の関係にすることも可能である。
第３図は他の実施例の要部構成を示す図である。
この実施例が先に説明した実施例と異なる点は、ビーム
電流を切換える手段として、２つのアパーチャ３０ａ、
３０ｂを有するビーム電流制限用アパーチャマスク３０
及び高速静電備向器３１゜３２．３３を用いることにあ
る。即ち、前記アパーチャマスク２０の代りに、該アパ
ーチャマスク２０のアパーチャ２０ａと同径のアパーチ
ャ３０ａ及びこれより小さいアパーチャ３０ｂを有する
ビーム電流制限用アパーチャマスク３０が配置されてい
る。ビーム電流制限用アパーチャマスク３０の上方には
第１の高速静電偏向器３１が配置され、アパーチャマス
ク３０の下方には第２及び第３の高速静電偏向器３２．
３３がそれぞれ配置されている。
電流を切換える手段として、２つのアパーチャ３０ａ、
３０ｂを有するビーム電流制限用アパーチャマスク３０
及び高速静電備向器３１゜３２．３３を用いることにあ
る。即ち、前記アパーチャマスク２０の代りに、該アパ
ーチャマスク２０のアパーチャ２０ａと同径のアパーチ
ャ３０ａ及びこれより小さいアパーチャ３０ｂを有する
ビーム電流制限用アパーチャマスク３０が配置されてい
る。ビーム電流制限用アパーチャマスク３０の上方には
第１の高速静電偏向器３１が配置され、アパーチャマス
ク３０の下方には第２及び第３の高速静電偏向器３２．
３３がそれぞれ配置されている。
このような構成であれば、第１の静電偏向器３１に偏向
電圧を印加しない状態では、第３図中実線に示す如く電
子ビームはアパーチャ３０ａを通ることになるので、ビ
ーム電流は大きいものとなる。これに対し、第１の静電
偏向器３１に偏向電圧を印加した場合、電子ビームはア
パーチャ３０ｂを通ることになるので、ビーム電流は小
さいものとなる。つまり、第１の静電偏向器３１の偏向
電圧を０Ｎ−ＯＦＦ （駆動−非駆動）することにより
、ビーム電流を高速で可変することが可能となる。なお
、第２及び第３の静電偏向器３２゜３３は、第１の静電
偏向器３１で偏向されたビームを撮り戻し、後段からみ
たビームの軸が不変となるように作用する。
電圧を印加しない状態では、第３図中実線に示す如く電
子ビームはアパーチャ３０ａを通ることになるので、ビ
ーム電流は大きいものとなる。これに対し、第１の静電
偏向器３１に偏向電圧を印加した場合、電子ビームはア
パーチャ３０ｂを通ることになるので、ビーム電流は小
さいものとなる。つまり、第１の静電偏向器３１の偏向
電圧を０Ｎ−ＯＦＦ （駆動−非駆動）することにより
、ビーム電流を高速で可変することが可能となる。なお
、第２及び第３の静電偏向器３２゜３３は、第１の静電
偏向器３１で偏向されたビームを撮り戻し、後段からみ
たビームの軸が不変となるように作用する。
また、ビーム径は先の実施例と同様に高速可変レンズ２
２等を用いることにより可変することができる。従って
、レンズ２２の励起−無励起及び偏向器３１の駆動−非
駆動を組合わせることにより、先の実施例と同様にパタ
ーン領域描画用の第１のビーム及び非パターン領域描画
用の第２のビームを得ることができる。
２等を用いることにより可変することができる。従って
、レンズ２２の励起−無励起及び偏向器３１の駆動−非
駆動を組合わせることにより、先の実施例と同様にパタ
ーン領域描画用の第１のビーム及び非パターン領域描画
用の第２のビームを得ることができる。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。例えば、前記高速可変レンズの数は３個以上でも
よく、その配置位置も適宜変更可能である。さらに、ビ
ーム電流制限用アパーチャの配置位置は、高速可変レン
ズの励起或いは高速静電変更器の駆動により、ビーム電
流が変わる位置であればよい。その他、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる
。
ない。例えば、前記高速可変レンズの数は３個以上でも
よく、その配置位置も適宜変更可能である。さらに、ビ
ーム電流制限用アパーチャの配置位置は、高速可変レン
ズの励起或いは高速静電変更器の駆動により、ビーム電
流が変わる位置であればよい。その他、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる
。
第１図は本発明の一実施例に係わる電子ビーム露光装置
の光学系を示す概略構成図、第２図は上記実施例の変形
例を説明するための図、第３図は他の実施例の要部構成
を示す図である。 １１・・・電子銃、１２．１３．１４・・・レンズ、１
５・・・試料面、１６・・・７ランキング電極、１７・
・・ビーム走査用偏向器、２０．３０・・・ビーム電流
制限用アバ−チャマスク、２０ａ、３０ａ、３０ｂ・・
・アパーチャ、２１．２２・・・高速可変レンズ、３１
．３２．３３・・・高速静電偏向器。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図
の光学系を示す概略構成図、第２図は上記実施例の変形
例を説明するための図、第３図は他の実施例の要部構成
を示す図である。 １１・・・電子銃、１２．１３．１４・・・レンズ、１
５・・・試料面、１６・・・７ランキング電極、１７・
・・ビーム走査用偏向器、２０．３０・・・ビーム電流
制限用アバ−チャマスク、２０ａ、３０ａ、３０ｂ・・
・アパーチャ、２１．２２・・・高速可変レンズ、３１
．３２．３３・・・高速静電偏向器。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図
Claims (5)
- （１）電子銃から放射された電子ビームを集束偏向制御
し、この電子ビームを試料上で走査して該試料上に所望
パターンを露光する電子ビーム露光装置において、１回
のビーム走査中にビーム電流を高速で可変する手段と、
１回のビーム走査中にビーム径若しくはビームエッジ分
解能を高速で可変する手段とを具備してなることを特徴
とする電子ビーム露光装置。 - （２）前記ビーム電流を可変する手段として、ビーム電
流制限用アパーチャマスク及びこのアパーチャマスクの
前段に設けられた高速可変レンズを用いたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の電子ビーム露光装置。 - （３）前記ビーム電流を可変する手段として、２つの大
きさの異なるアパーチャを有するアパーチャマスクとそ
の前段及び後段に設けられた高速静電偏向器とを用いた
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子ビー
ム露光装置。 - （４）前記ビーム径若しくはビームエッジ分解能を可変
する手段として、高速可変レンズを用いたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項、第２項又は第３項記載の電
子ビーム露光装置。 - （５）前記高速可変レンズとして、静電レンズを用いた
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項又は第４項記載
の電子ビーム露光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24742684A JPS61125127A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 電子ビ−ム露光装置 |
| DE8585114709T DE3571290D1 (en) | 1984-11-22 | 1985-11-19 | A system for continuously exposing desired patterns and their backgrounds on a target surface |
| EP85114709A EP0182360B1 (en) | 1984-11-22 | 1985-11-19 | A system for continuously exposing desired patterns and their backgrounds on a target surface |
| US07/168,605 US4868395A (en) | 1984-11-22 | 1988-03-04 | Electron beam lithography system for delineating a desired pattern on a target by means of electron beams |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24742684A JPS61125127A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 電子ビ−ム露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61125127A true JPS61125127A (ja) | 1986-06-12 |
Family
ID=17163260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24742684A Pending JPS61125127A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 電子ビ−ム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61125127A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01143217A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-05 | Jeol Ltd | 電子ビーム描画装置 |
| JP2005057275A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Leica Microsystems Lithography Ltd | パターン書き込み装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5489579A (en) * | 1977-12-27 | 1979-07-16 | Toshiba Corp | Electron ray exposure system |
| JPS57189442A (en) * | 1981-05-18 | 1982-11-20 | Toshiba Corp | Electron-optic lens-barrel |
| JPS59121926A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-14 | Fujitsu Ltd | 荷電ビ−ム露光装置 |
-
1984
- 1984-11-22 JP JP24742684A patent/JPS61125127A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01143217A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-05 | Jeol Ltd | 電子ビーム描画装置 |
| JP2005057275A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Leica Microsystems Lithography Ltd | パターン書き込み装置 |
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