JPH01143217A - 電子ビーム描画装置 - Google Patents
電子ビーム描画装置Info
- Publication number
- JPH01143217A JPH01143217A JP62301008A JP30100887A JPH01143217A JP H01143217 A JPH01143217 A JP H01143217A JP 62301008 A JP62301008 A JP 62301008A JP 30100887 A JP30100887 A JP 30100887A JP H01143217 A JPH01143217 A JP H01143217A
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Links
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 4
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は、電子ビーム描画装置に関するものであり、詳
しくは、描画材料に照射される電子ビームの電流密度の
制御に関するものである。
しくは、描画材料に照射される電子ビームの電流密度の
制御に関するものである。
［従来の技術］
電子ビーム描画装置は、電子銃から放射される電子ビー
ムを照明レンズを介してアパーチャに照射し、該アパー
チャで成形された電子ビームを偏向手段でＸ方向及びＹ
方向に２次元的に偏向させて描画材料上にビーム描画を
行うものであり、半導体製造プロセスで広く用いられて
いる。
ムを照明レンズを介してアパーチャに照射し、該アパー
チャで成形された電子ビームを偏向手段でＸ方向及びＹ
方向に２次元的に偏向させて描画材料上にビーム描画を
行うものであり、半導体製造プロセスで広く用いられて
いる。
第２図は、このような従来の装置の一例を示す構成図で
あり、可変成形型の電子ビーム描画装置の例を示してい
る。図において、１は電子ビーム３ｉを放射する電子銃
であり、該電子銃１から放射された電子ビームＢｉは照
明レンズ２を介して第１成形アパーチヤ３上に照射され
る。第１成形アパーチｖ３の開口像は成形レンズ４によ
り第２成形アパーチヤ６上に結像されるが、その結ｒ９
の位首は成形偏向器５により変えることができる。
あり、可変成形型の電子ビーム描画装置の例を示してい
る。図において、１は電子ビーム３ｉを放射する電子銃
であり、該電子銃１から放射された電子ビームＢｉは照
明レンズ２を介して第１成形アパーチヤ３上に照射され
る。第１成形アパーチｖ３の開口像は成形レンズ４によ
り第２成形アパーチヤ６上に結像されるが、その結ｒ９
の位首は成形偏向器５により変えることができる。
第２成形アパーチヤ６により成形された像は、縮小レン
ズ７、対物レンズ８を径で描画材料１０上に照射される
。描画材料１０への照射位置は、位置決め偏向器９によ
り変えることができる。
ズ７、対物レンズ８を径で描画材料１０上に照射される
。描画材料１０への照射位置は、位置決め偏向器９によ
り変えることができる。
ところで、このような電子ビーム描画にあたっては、ビ
ームの照ｒＡｒ！ｉが増えると描画材料１０の表面の温
度が上界し、レジストが熱変成を起こしてパターン精曵
が劣化することがある。このようなレジストの熱変成は
、電子ビームのサイズ、電流密度、レジスト感度、描画
材料の熱伝導性などに依存Ｊ−る。
ームの照ｒＡｒ！ｉが増えると描画材料１０の表面の温
度が上界し、レジストが熱変成を起こしてパターン精曵
が劣化することがある。このようなレジストの熱変成は
、電子ビームのサイズ、電流密度、レジスト感度、描画
材料の熱伝導性などに依存Ｊ−る。
［発明が解決しようとする問題点］
・一般に、描画材料１０としては、ガラス乾板と３ｉウ
エハが広く用いられているが、両者の熱伝導性は異なる
。従って、第２図の装置を用いて同一条件で描画を行っ
た場合、一方の描画材料では高精度でパターンが形成さ
れても他方の描画材料では問題を生じることがある。！
ｉなわら、描画材料１０として熱伝導性の悪いガラス乾
板を用いた場合、電流密度が高くなると熱の拡散を上回
る速度で電子ビームが照射されることになり、前）ホの
ように描画材料１０の表面の温度が上背してレジストが
熱変成を起こし、パターン精度が劣化することになる。
エハが広く用いられているが、両者の熱伝導性は異なる
。従って、第２図の装置を用いて同一条件で描画を行っ
た場合、一方の描画材料では高精度でパターンが形成さ
れても他方の描画材料では問題を生じることがある。！
ｉなわら、描画材料１０として熱伝導性の悪いガラス乾
板を用いた場合、電流密度が高くなると熱の拡散を上回
る速度で電子ビームが照射されることになり、前）ホの
ように描画材料１０の表面の温度が上背してレジストが
熱変成を起こし、パターン精度が劣化することになる。
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、
その目的は、描画材料−ににおける電流密度を変化さ「
ることができる電子ビーム描画装量を提供することにあ
る。
その目的は、描画材料−ににおける電流密度を変化さ「
ることができる電子ビーム描画装量を提供することにあ
る。
［問題点を解決するための手段］
このような目的を達成する本発明は、電子銃から放射さ
れる電子ビームを照明レンズを介１．てアパーチャに照
射し、該アバーヂトで成形された電子ビームを偏向手段
で２次元的に偏向ざぼて１１／ｉ画材料上にビーム描画
を行う電子ビーム描画装置において、電子ビームの進行
方向に沿って配列された有効間口径の異なる少なくとも
２個の照明レンズと、これら照明レンズを選択的に駆動
りるレンズ駆初手段とを設け、描画材料に応じて駆動す
る照明レンズを切り換えることにより、ｌｉｉ’ｉ両口
１１に照射される電子ビームの電流密度を変化させるよ
うに構成することを特徴どりる。
れる電子ビームを照明レンズを介１．てアパーチャに照
射し、該アバーヂトで成形された電子ビームを偏向手段
で２次元的に偏向ざぼて１１／ｉ画材料上にビーム描画
を行う電子ビーム描画装置において、電子ビームの進行
方向に沿って配列された有効間口径の異なる少なくとも
２個の照明レンズと、これら照明レンズを選択的に駆動
りるレンズ駆初手段とを設け、描画材料に応じて駆動す
る照明レンズを切り換えることにより、ｌｉｉ’ｉ両口
１１に照射される電子ビームの電流密度を変化させるよ
うに構成することを特徴どりる。
［作用］
本発明の電子ビーム描画装置によれば、駆動する照明レ
ンズに応じて有効間口径が異なることから、描画材料に
照射される電子ビームの電流密度は変化することになる
。
ンズに応じて有効間口径が異なることから、描画材料に
照射される電子ビームの電流密度は変化することになる
。
［実施例］
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の要部の構成図であり、第２
図と同一の部分には同一の符号を付けている。図におい
て、１１は第１照明レンズ、１２は第２照明レンズであ
り、電子ビーム［３ｉの進行方向に沿って配列されてい
る。ここで、第１照明レンズ１１は高電流密度用として
用いられるものであり、その有効間口径は低電流密度用
として用いられる第２照明レンズ１２の有効開口径より
も広く形成されている。１３はこれら第１照明レンズ１
１及び第２照明レンズ１２を駆動するためのレンズ電源
であり、切換えスイッチ１４を介して第１照明レンズ１
１及び第２照明レンズ１２に接続されている。
図と同一の部分には同一の符号を付けている。図におい
て、１１は第１照明レンズ、１２は第２照明レンズであ
り、電子ビーム［３ｉの進行方向に沿って配列されてい
る。ここで、第１照明レンズ１１は高電流密度用として
用いられるものであり、その有効間口径は低電流密度用
として用いられる第２照明レンズ１２の有効開口径より
も広く形成されている。１３はこれら第１照明レンズ１
１及び第２照明レンズ１２を駆動するためのレンズ電源
であり、切換えスイッチ１４を介して第１照明レンズ１
１及び第２照明レンズ１２に接続されている。
このような構成において、１６１画材ｌ１１０として熱
伝導性の良いＳｉつ１ハを用いる場合には電流密度を高
くすることができるので、切換えスイッチ１４によりレ
ンズ電源１３を第１照明レンズ１１に接続するように切
り換える。一方、描画材料１０として熱伝導性の悪いガ
ラス乾板を用いる場合には電流密度を低くする必要があ
るので、切換えスイッチ１４によりレンズ電源１３を第
２照明レンズ１２に接続するように切り換える。第１照
明レンズ１１を駆動した場合には実線で示した範囲の電
子ビームＢｉがアパーチｙ ３に取り込まれることから
描画材料１０に照射される電子ビーム３ｉの電流密度は
高くなり、第２照明レンズ１２を駆動した場合には破線
で示した範囲の電子ビームＢｉがアパーチャ３に取り込
まれることから描画材Ｆ１１０に照射される電子ビーム
Ｂｉの電流密度は低くなる。
伝導性の良いＳｉつ１ハを用いる場合には電流密度を高
くすることができるので、切換えスイッチ１４によりレ
ンズ電源１３を第１照明レンズ１１に接続するように切
り換える。一方、描画材料１０として熱伝導性の悪いガ
ラス乾板を用いる場合には電流密度を低くする必要があ
るので、切換えスイッチ１４によりレンズ電源１３を第
２照明レンズ１２に接続するように切り換える。第１照
明レンズ１１を駆動した場合には実線で示した範囲の電
子ビームＢｉがアパーチｙ ３に取り込まれることから
描画材料１０に照射される電子ビーム３ｉの電流密度は
高くなり、第２照明レンズ１２を駆動した場合には破線
で示した範囲の電子ビームＢｉがアパーチャ３に取り込
まれることから描画材Ｆ１１０に照射される電子ビーム
Ｂｉの電流密度は低くなる。
このように構成ザることにより、描画材１１に応じた適
切な電子ビームの電流密度が１！′７られ、高精度でパ
ターンを形成することができる。
切な電子ビームの電流密度が１！′７られ、高精度でパ
ターンを形成することができる。
なお、上記実施例では、２個のアバーｆ−ヤで１１変成
形された電子ビームによる矩形像を描画材料に照射する
装置の例を示したが、１個のアパーチャで形成される電
子ビームスポットを描画材料に照射づる装置にも適用で
きるものである。
形された電子ビームによる矩形像を描画材料に照射する
装置の例を示したが、１個のアパーチャで形成される電
子ビームスポットを描画材料に照射づる装置にも適用で
きるものである。
また、照明レンズは３個以上を用意しておいて選択的に
駆動するようにしてもよい。
駆動するようにしてもよい。
［発明の効果１
以上詳細に説明したように、本発明によれば、描画材料
上における電流密度を変化させることができる電子ビー
ム描画装置を提供することができる。
上における電流密度を変化させることができる電子ビー
ム描画装置を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例の要部の構成図、第２図は従
来の装置の一例を示す構成図である。 １・・・電子銃 ３・・・第１アパーチヤ１
１・・・第１照明レンズ １２・・・第２照明レンズ１
３・・・レンズ電源 １４・・・切換えスイッチ 筒２図 ＩＱ、１１％
来の装置の一例を示す構成図である。 １・・・電子銃 ３・・・第１アパーチヤ１
１・・・第１照明レンズ １２・・・第２照明レンズ１
３・・・レンズ電源 １４・・・切換えスイッチ 筒２図 ＩＱ、１１％
Claims (1)
- 電子銃から放射される電子ビームを照明レンズを介し
てアパーチャに照射し、該アパーチャで成形された電子
ビームを偏向手段で２次元的に偏向させて描画材料上に
ビーム描画を行う電子ビーム描画装置において、電子ビ
ームの進行方向に沿って配列された有効開口径の異なる
少なくとも２個の照明レンズと、これら照明レンズを選
択的に駆動するレンズ駆動手段とを設け、描画材料に応
じて駆動する照明レンズを切り換えることにより、描画
材料に照射される電子ビームの電流密度を変化させるよ
うに構成したことを特徴とする電子ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62301008A JPH01143217A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 電子ビーム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62301008A JPH01143217A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 電子ビーム描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01143217A true JPH01143217A (ja) | 1989-06-05 |
Family
ID=17891719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62301008A Pending JPH01143217A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 電子ビーム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01143217A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003502823A (ja) * | 1999-06-22 | 2003-01-21 | フィリップス エレクトロン オプティクス ビー ヴィ | 高い輝度と大きいビーム電流の間で切換可能な粒子源を含む粒子光学装置 |
| JP2015531984A (ja) * | 2012-09-14 | 2015-11-05 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 高ビーム電流および低ビーム電流の両方を用いた、高解像度イメージングのための二重レンズ銃電子ビーム装置および方法 |
| JP2020535585A (ja) * | 2017-09-29 | 2020-12-03 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 荷電粒子のビーム状態を調節するための方法及び装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58135641A (ja) * | 1982-02-06 | 1983-08-12 | Jeol Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
| JPS59143322A (ja) * | 1983-02-03 | 1984-08-16 | Jeol Ltd | 電子線描画装置 |
| JPS61125127A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Toshiba Mach Co Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP62301008A patent/JPH01143217A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58135641A (ja) * | 1982-02-06 | 1983-08-12 | Jeol Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
| JPS59143322A (ja) * | 1983-02-03 | 1984-08-16 | Jeol Ltd | 電子線描画装置 |
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| JP4647866B2 (ja) * | 1999-06-22 | 2011-03-09 | エフ イー アイ カンパニ | 高い輝度と大きいビーム電流の間で切換可能な粒子源を含む粒子光学装置 |
| JP2015531984A (ja) * | 2012-09-14 | 2015-11-05 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 高ビーム電流および低ビーム電流の両方を用いた、高解像度イメージングのための二重レンズ銃電子ビーム装置および方法 |
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| JP2020535585A (ja) * | 2017-09-29 | 2020-12-03 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 荷電粒子のビーム状態を調節するための方法及び装置 |
| US11569060B2 (en) | 2017-09-29 | 2023-01-31 | Asml Netherlands B.V. | Methods and apparatuses for adjusting beam condition of charged particles |
| US11948772B2 (en) | 2017-09-29 | 2024-04-02 | Asml Netherlands B.V. | Methods and apparatuses for adjusting beam condition of charged particles |
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