JP2003332216A - 電子ビーム露光装置及びブロックマスク - Google Patents

電子ビーム露光装置及びブロックマスク

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JP2003332216A
JP2003332216A JP2002139328A JP2002139328A JP2003332216A JP 2003332216 A JP2003332216 A JP 2003332216A JP 2002139328 A JP2002139328 A JP 2002139328A JP 2002139328 A JP2002139328 A JP 2002139328A JP 2003332216 A JP2003332216 A JP 2003332216A
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shaping
block
opening
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Hiroshi Yasuda
洋 安田
Takeshi Haraguchi
岳士 原口
Hideaki Komami
英明 駒見
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ショット数を低減することにより、スループ
ットを向上させる電子ビーム露光装置を提供する。 【解決手段】 電子ビームによりウェハを露光する電子
ビーム露光装置であって、電子ビームを発生する電子ビ
ーム発生部と、所定領域内に少なくとも1つのパターン
開口が設けられた複数の開口ブロックを有し、電子ビー
ムの成形するブロックマスクと、複数の開口ブロックの
うちの第1開口ブロックにより成形された第1成形電子
ビームによって第1開口ブロックに対応してウェハに投
影される第1投影領域と第2開口ブロックにより成形さ
れた第2成形電子ビームによって第2開口ブロックに対
応してウェハに投影される第2投影領域とが少なくとも
一部重なるように第1成形電子ビーム及び第2成形電子
ビームを偏向する偏向部とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム露光装
置及びブロックマスクに関する。特に本発明は、ショッ
ト数を低減することにより、スループットを向上させる
電子ビーム露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】電子ビームを用いたウェハの露光技術と
して、可変矩形露光、ブロック露光(部分一括露光)等
が実現されている。可変矩形露光とは、矩形形状の開口
を有する2つのスリットを用いて、1ショット毎に電子
ビームの断面形状を所望の矩形形状に成形してウェハを
露光する技術である。また、ブロック露光とは、異なる
形状の複数の開口ブロックを有するブロックマスクの、
所望の開口ブロックに電子ビームを照射することにより
電子ビームを成形してウェハを露光する技術である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】可変矩形露光では、1
ショットで1矩形しか露光できないので、不規則性の大
きいパターンをウェハに露光する場合には、ショット数
が多くなりスループットが悪化するという問題がある。
また、ブロック露光では、ショット数を低減することが
できるが、不規則性の大きいパターンをウェハに露光す
る場合には、形状の異なる多数の開口ブロックが必要に
なるので、ブロックマスクの製造に時間及びコストが掛
るという問題がある。
【0004】そこで本発明は、上記の課題を解決するこ
とのできる電子ビーム露光装置及びブロックマスクを提
供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲に
おける独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成され
る。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定す
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の第1の形
態によると、電子ビームによりウェハを露光する電子ビ
ーム露光装置であって、電子ビームを発生する電子ビー
ム発生部と、所定領域内に少なくとも1つのパターン開
口が設けられた複数の開口ブロックを有し、電子ビーム
の成形するブロックマスクと、複数の開口ブロックのう
ちの第1開口ブロックにより成形された第1成形電子ビ
ームによって第1開口ブロックに対応してウェハに投影
される第1投影領域と、第2開口ブロックにより成形さ
れた第2成形電子ビームによって第2開口ブロックに対
応してウェハに投影される第2投影領域とが、少なくと
も一部重なるように第1成形電子ビーム及び第2成形電
子ビームを偏向する第1偏向部とを備える。
【0006】電子ビームを矩形に成形する電子ビーム成
形部と、電子ビーム成形部により成形された電子ビーム
の第1開口ブロックに対する照射位置を制御する第3偏
向部をさらに備えてもよい。
【0007】第1開口ブロックは、複数の第1パターン
開口を有し、第2開口ブロックは、複数の第1パターン
開口と異なる間隔で設けられた複数の第2パターン開口
を有してもよい。
【0008】第1開口ブロックと、第1開口ブロックに
隣接する第2開口ブロックとの間隔は、第2開口ブロッ
クと、第2開口ブロックに対して第1開口ブロックと対
向する位置に設けられる第3開口ブロックとの間隔と異
なってもよい。
【0009】第1偏向部は、第1投影領域と第2投影領
域とが、略同一になるように第1成形電子ビーム及び第
2成形電子ビームを偏向してもよい。
【0010】第1成形電子ビーム及び第2成形電子ビー
ムの光軸が略同一になるように、第1成形電子ビーム及
び第2成形電子ビームを偏向する第2偏向部をさらに備
え、第1偏向部は、第1成形電子ビーム及び第2成形電
子ビームを略同一の偏向量で偏向してもよい。
【0011】第2偏向部は、第1開口ブロック又は第2
開口ブロックのそれぞれの位置に基づいて、第1成形電
子ビーム又は第2成形電子ビームのそれぞれを偏向して
もよい。
【0012】本発明の第2の形態によると、電子ビーム
によりウェハを露光する電子ビーム露光装置であって、
電子ビームを発生する電子ビーム発生部と、所定領域内
に少なくとも1つのパターン開口が設けられた複数の開
口ブロックを有し、電子ビームの成形するブロックマス
クと、ブロックマスクにより成形された電子ビームがウ
ェハにおける所望の位置に照射されるように偏向する偏
向部とを備え、複数の開口ブロックのうちの第1開口ブ
ロックと、第1開口ブロックに隣接する第2開口ブロッ
クとの間隔は、第2開口ブロックと、第2開口ブロック
に対して第1開口ブロックと対向する位置に設けられる
第3開口ブロックとの間隔と異なる。
【0013】本発明の第3の形態によると、電子ビーム
を所望の形状に成形するブロックマスクであって、所定
領域内に少なくとも1つのパターン開口が設けられた複
数の開口ブロックを備え、複数の開口ブロックのうちの
第1開口ブロックと、第1開口ブロックに隣接する第2
開口ブロックとの間隔は、第2開口ブロックと、第2開
口ブロックに対して第1開口ブロックと対向する位置に
設けられる第3開口ブロックとの間隔と異なる。
【0014】なお上記の発明の概要は、本発明の必要な
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又発明となりうる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を通じて
本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかか
る発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明
されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に
必須であるとは限らない。
【0016】図1は、本発明の一実施形態に係る電子ビ
ーム露光装置100の構成の一例を示す。電子ビーム露
光装置100は、電子ビームによりウェハ44に所定の
露光処理を施す露光系150と、露光系150に含まれ
る各構成の動作を制御する制御系140を備える。
【0017】露光系150は、筐体8内部において複数
の電子ビームを発生し、電子ビームの断面形状を所望に
成形する電子ビーム成形手段110と、複数の電子ビー
ムをウェハ44に照射するか否かを、それぞれの電子ビ
ームに対して独立に切替える照射切替手段112と、ウ
ェハ44に転写されるパターンの像の向き及びサイズを
調整するウェハ用投影系114を含む電子光学系とを備
える。また、露光系150は、パターンを露光すべきウ
ェハ44を載置するウェハステージ46と、ウェハステ
ージ46を駆動するウェハステージ駆動部48とを含む
ステージ系を備える。
【0018】電子ビーム成形手段110は、複数の電子
銃により複数の電子ビームを発生させる電子ビーム発生
部10と、電子ビームの断面形状を矩形に成形する複数
の開口部を有する電子ビーム成形部14と、複数の電子
ビームをそれぞれ独立に集束し、複数の電子ビームの焦
点を調整する第1多軸電子レンズ16と、電子ビーム成
形部14を通過した複数の電子ビームを独立に偏向する
第1成形偏向部18及び第2成形偏向部20と、複数の
開口ブロックを電子ビーム毎に有するブロックマスク2
2と、ブロックマスク22を通過した複数の電子ビーム
を独立に偏向する第3成形偏向部23及び第4成形偏向
部25とを有する。
【0019】照射切替手段112は、複数の電子ビーム
を独立に集束し、複数の電子ビームの焦点を調整する第
2多軸電子レンズ24と、複数の電子ビームをそれぞれ
独立に偏向させることにより、それぞれの電子ビームを
ウェハ44に照射するか否かを、それぞれの電子ビーム
に対して独立に切替えるブランキング電極アレイ26
と、電子ビームを通過させる複数の開口部を含み、ブラ
ンキング電極アレイ26で偏向された電子ビームを遮蔽
する電子ビーム遮蔽部材28とを有する。
【0020】ウェハ用投影系114は、複数の電子ビー
ムをそれぞれ独立に集束し、電子ビームの照射径を縮小
する第3多軸電子レンズ34と、複数の電子ビームをそ
れぞれ独立に集束し、複数の電子ビームの焦点を調整す
る第4多軸電子レンズ36と、複数の電子ビームをウェ
ハ44の所望の位置に、それぞれの電子ビームに対して
独立に偏向する主偏向部38と、ウェハ44に対する対
物レンズとして機能し、複数の電子ビームをそれぞれ独
立に集束する第5多軸電子レンズ52とを有する。
【0021】制御系140は、個別制御部120及び統
括制御部130を備える。個別制御部120は、電子ビ
ーム制御部80、多軸電子レンズ制御部82、成形偏向
制御部84、ブランキング電極アレイ制御部86、偏向
制御部92、及びウェハステージ制御部96を有する。
統括制御部130は、個別制御部120に含まれる各制
御部を統括制御する。
【0022】電子ビーム制御部80は、電子ビーム発生
部10を制御する。多軸電子レンズ制御部82は、第1
多軸電子レンズ16、第2多軸電子レンズ24、第3多
軸電子レンズ34、第4多軸電子レンズ36、及び第5
多軸電子レンズ52のコイルに供給する電流を制御す
る。成形偏向制御部84は、第1成形偏向部18、第2
成形偏向部20、第3成形偏向部23、及び第4成形偏
向部25のそれぞれの偏向電極に印加する電圧を制御す
る。ブランキング電極アレイ制御部86は、ブランキン
グ電極アレイ26の偏向電極に印加する電圧を制御す
る。偏向制御部92は、主偏向部38の偏向電極に印加
する電圧を制御する。ウェハステージ制御部96は、ウ
ェハステージ駆動部48を制御し、ウェハステージ46
を所定の位置に移動させる。
【0023】次に、電子ビーム露光装置100の動作に
ついて説明する。まず、電子ビーム発生部10は、複数
の電子ビームを発生する。電子ビーム成形部14は、電
子ビーム発生部10が発生した複数の電子ビームを、電
子ビーム成形部14に設けられた複数の矩形形状の開口
部をそれぞれ通過させることにより矩形に成形する。
【0024】第1多軸電子レンズ16は、矩形に成形さ
れた複数の電子ビームを独立に集束し、ブロックマスク
22に対する電子ビームの焦点を、電子ビーム毎に独立
に調整する。第1成形偏向部18及び第2成形偏向部2
0は、電子ビーム成形部14において矩形に成形された
複数の電子ビームを、ブロックマスク22における所望
の位置に照射するようにそれぞれ独立に偏向し、ブロッ
クマスク22に照射する。
【0025】ブロックマスク22は、矩形に成形された
複数の電子ビームを、ウェハ44に照射すべき所望の断
面形状に成形する。第3成形偏向部23及び第4成形偏
向部25は、ブロックマスク22を通過した複数の電子
ビームを、第2多軸電子レンズ24のレンズ開口におけ
る所望の位置に照射するようにそれぞれ独立に偏向す
る。
【0026】第2多軸電子レンズ24は、複数の電子ビ
ームを独立に集束して、ブランキング電極アレイ26に
対する電子ビームの焦点を、それぞれ独立に調整する。
ブランキング電極アレイ26は、ブランキング電極アレ
イ制御部86の制御に基づいて偏向電極に印加される電
圧によって、電子ビームをウェハ44に照射させるか否
かを切り替える。
【0027】第3多軸電子レンズ34は、入射された複
数の電子ビームの電子ビーム径をそれぞれ縮小する。ブ
ランキング電極アレイに26により偏向されない電子ビ
ームは、第3多軸電子レンズ34によって縮小された
後、電子ビーム遮蔽部材28に含まれる開口部を通過す
る。また、電子ビーム遮蔽部材28は、ブランキング電
極アレイ26により偏向された電子ビームを遮蔽する。
電子ビーム遮蔽部材28を通過した電子ビームは、第4
多軸電子レンズ36に入射される。第4多軸電子レンズ
36は、入射された複数の電子ビームをそれぞれ独立に
集束し、主偏向部38に対する電子ビームの焦点をそれ
ぞれ調整する。第4多軸電子レンズ36により焦点が調
整された複数の電子ビームは、主偏向部38に入射され
る。
【0028】主偏向部38は、入射された複数の電子ビ
ームを、ウェハ44に対して照射すべき位置にそれぞれ
独立に偏向する。第5多軸電子レンズ52は、入射され
た複数の電子ビームのウェハ44に対する焦点を調整す
る。そして、ウェハ44に照射すべき断面形状を有する
複数の電子ビームが、ウェハ44に対して照射すべき所
望の位置に照射される。
【0029】露光処理中、ウェハステージ駆動部48
は、ウェハステージ制御部96からの指示に基づき、一
定方向にウェハステージ46を連続移動させるのが好ま
しい。そして、ウェハ44の移動に合わせて、電子ビー
ムの断面形状をウェハ44に照射すべき形状に成形し、
ウェハ44に照射すべき電子ビームを通過させるアパー
チャを定め、さらに主偏向部38によりそれぞれの電子
ビームをウェハ44に対して照射すべき位置に偏向させ
ることにより、ウェハ44に所望のパターンを露光する
ことができる。
【0030】図2は、ブロックマスク22の構造の一例
を示す。ブロックマスク22は、複数の電子銃のそれぞ
れに対応して設けられた複数の開口ブロック群210を
有する。開口ブロック群210は、それぞれ異なる形状
のパターン開口が設けられた複数の開口ブロック200
を含む。ウェハ44に照射すべき形状のパターン開口が
設けられた開口ブロック200に電子ビームを通過させ
ることにより、ウェハ44に所望のパターンを露光する
ことができる。
【0031】図3(a)〜(d)は、開口ブロック20
0の一例を示す。ブロックマスク22は、図3(a)、
(b)、(c)、又は(d)に示す複数の開口ブロック
200を含む開口ブロック群210を有する。開口ブロ
ック200は、所定領域220内に少なくとも1つのパ
ターン開口230を有する。所定領域230は、矩形形
状であることが好ましい。
【0032】図3(c)に示すように、開口ブロック2
00−1は、所定の間隔で設けられた複数のパターン開
口230−1を有し、開口ブロック200−2は、所定
の間隔と異なる間隔で設けられた複数のパターン開口2
30−2を有してもよい。複数のパターン開口230−
1及び230−2は、略同一の形状であってよい。
【0033】図3(d)に示すように、第1成形偏向部
18及び第2成形偏向部20は、照射領域240又は2
42に電子ビームを照射させ、開口ブロック200の一
部を用いて電子ビームの断面形状を成形してもよい。こ
れにより、少ない開口ブロック200を用いて、多様な
パターンを露光することができる。
【0034】図3(d)に示すように、開口ブロック2
00−3と、開口ブロック200−3に隣接する開口ブ
ロック200−4との間隔は、開口ブロック200−4
と、開口ブロック200−4に対して開口ブロック20
0−3と対向する位置に設けられる開口ブロック200
−5との間隔と異なってもよい。開口ブロック200−
3と開口ブロック200−4との間隔は、ブロックマス
ク22における電子ビームの幅よりも広くてもよい。開
口ブロック200−3と開口ブロック200−4との間
隔を広くすることにより、電子ビームが照射領域242
を照射した場合に、隣接する開口ブロック200−3の
パターン開口230を電子ビームが通過することを防ぐ
ことができる。即ち、隣接する開口ブロック200との
間隔が広い開口ブロック200は、隣接する開口ブロッ
ク200との間隔が狭い開口ブロック200に比べて、
電子ビームが照射される位置の自由度を大きくすること
ができので、電子ビームを様々な形状に成形することが
できる。
【0035】図4は、電子ビームの照射経路を示す。第
1成形偏向部18は、電子ビーム成形部14によって矩
形に成形された電子ビームをブロックマスク22に対す
る照射位置を制御すべく偏向する。即ち、電子ビームが
開口ブロック200a又は200bに照射されるように
電子ビームを偏向する。そして、第2成形偏向部20
は、第1成形偏向部18に偏向された電子ビームの軌道
をブロックマスク22に略垂直に偏向する。そして、開
口ブロック200aを通過して成形された電子ビームを
電子ビーム400a、開口ブロック200bを通過して
成形された電子ビームを電子ビーム400bとする。
【0036】次に、第3成形偏向部23は、開口ブロッ
ク200a又は200bのそれぞれの位置に基づいて、
開口ブロック200a又は200bによって成形された
電子ビームを振り戻す。つまり、第3成形偏向部23
は、第1成形偏向部18の偏向量と略同一の偏向量によ
り、第1成形偏向部18による偏向方向と反対の方向に
電子ビームを偏向する。そして、第4成形偏向部25
は、第3成形偏向部23に偏向された電子ビームの軌道
をウェハ44に略垂直に偏向する。即ち、第3成形偏向
部23及び第4成形偏向部25は、開口ブロック200
aを通過した電子ビーム400aの光軸と、開口ブロッ
ク200bを通過した電子ビーム400bの光軸とが略
同一になるように電子ビームを偏向する。
【0037】次に、主偏向部38は、第4成形偏向部2
5を通過した電子ビームをウェハに対する照射位置を制
御すべく偏向する。主偏向部38は、電子ビーム400
aによって開口ブロック200aに対応してウェハ44
に投影される投影領域300aと、電子ビーム400b
によって開口ブロック200bに対応してウェハ44に
投影される投影領域300bとが、少なくとも一部重な
るように電子ビーム400a及び400bを偏向しても
よい。また、主偏向部38は、投影領域300aと投影
領域300bとが、略同一になるように電子ビーム40
0a及びで400bを偏向してもよい。即ち、主偏向部
38は、電子ビーム400a及び電子ビーム400bを
略同一の偏向量で偏向してもよい。
【0038】本実施形態に係る電子ビーム露光装置によ
れば、異なる開口ブロックを通過することにより成形さ
れた電子ビームを、ウェハ44において重ねて露光する
ことにより、少数の開口ブロックで多様なパターンを露
光することができる。
【0039】図5は、ウェハ44に形成されるパターン
の一例を示す。従来の可変矩形露光により、図5に示し
たパターンを形成する場合、1矩形づつ照射しなければ
ならないので93ショットの露光が必要になる。本実施
形態に係る電子ビーム露光装置10は、図3(d)に示
す複数の開口ブロック200を有するブロックマスク2
2を用いて図5に示したパターンを形成する場合、露光
領域500a〜500h、500m〜500p、及び5
00jはそれぞれ2ショット、露光領域500iは5シ
ョット、露光領域500o及び500pはそれぞれ6シ
ョット、合計43ショットで露光できる。
【0040】本実施形態に係る電子ビーム露光装置10
0によれば、ブロックマスク22が略同一の形状のパタ
ーン開口230を含む複数の開口ブロック200を有す
るので、不規則性の大きい配線パターン等を少ないショ
ット数でウェハ44に露光することができる。そのた
め、電子ビーム露光装置10は、スループットを向上さ
せることができる。
【0041】以上、本発明を実施の形態を用いて説明し
たが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲
には限定されない。上記実施形態に、多様な変更または
改良を加えることができる。そのような変更または改良
を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ること
が、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【0042】
【発明の効果】上記説明から明らかなように、本発明に
係る電子ビーム露光装置よれば、ショット数を低減させ
ることができるので、スループットを向上させることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る電子ビーム露光装置
100の構成の一例を示す図。
【図2】ブロックマスク22の構造の一例を示す図。
【図3】開口ブロック200の一例を示す図。
【図4】電子ビームの照射経路を示す図。
【図5】ウェハ44に形成されるパターンの一例を示す
図。
【符号の説明】
8 筐体 10 電子
ビーム発生部 14 電子ビーム成形部 16 第1
多軸電子レンズ 18 第1成形偏向部 20 第2
成形偏向部 22 ブロックマスク 23 第3
成形偏向部 24 第2多軸電子レンズ 25 第4
成形偏向部 26 ブランキング電極アレイ 28 電子
ビーム遮蔽部材 34 第3多軸電子レンズ 36 第4
多軸電子レンズ 38 主偏向部 44 ウェ
ハ 46 ウェハステージ 48 ウェ
ハステージ駆動部 52 第5多軸電子レンズ 80 電子
ビーム制御部 82 多軸電子レンズ制御部 84 成形
偏向制御部 86 ブランキング電極アレイ制御部 92 偏向
制御部 96 ウェハステージ制御部 100 電子
ビーム露光装置 110 電子ビーム成形手段 112 照射
切替手段 114 ウェハ用投影系 120 個別
制御系 130 統括制御部 140 制御
系 150 露光系 200 開口
ブロック 210 開口ブロック群 220 矩形
領域 230 パターン開口 300 投影
領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 駒見 英明 東京都練馬区旭町1丁目32番1号 株式会 社アドバンテスト内 Fターム(参考) 2H097 CA16 GB00 LA10 5F056 AA06 AA07 AA17 AA33 CB05 CB13 CB14 CC04 EA03 EA06 FA05

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子ビームによりウェハを露光する電子
    ビーム露光装置であって、 前記電子ビームを発生する電子ビーム発生部と、 所定領域内に少なくとも1つのパターン開口が設けられ
    た複数の開口ブロックを有し、前記電子ビームの成形す
    るブロックマスクと、 前記複数の開口ブロックのうちの第1開口ブロックによ
    り成形された第1成形電子ビームによって前記第1開口
    ブロックに対応して前記ウェハに投影される第1投影領
    域と、第2開口ブロックにより成形された第2成形電子
    ビームによって前記第2開口ブロックに対応して前記ウ
    ェハに投影される第2投影領域とが、少なくとも一部重
    なるように前記第1成形電子ビーム及び前記第2成形電
    子ビームを偏向する第1偏向部とを備えることを特徴と
    する電子ビーム露光装置。
  2. 【請求項2】 前記電子ビームを矩形に成形する電子ビ
    ーム成形部と、 前記電子ビーム成形部により成形された前記電子ビーム
    の前記第1開口ブロックに対する照射位置を制御する第
    3偏向部をさらに備えることを特徴とする請求項1に記
    載の電子ビーム露光装置。
  3. 【請求項3】 前記第1開口ブロックは、複数の第1パ
    ターン開口を有し、 前記第2開口ブロックは、前記複数の第1パターン開口
    と異なる間隔で設けられた複数の第2パターン開口を有
    することを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム露光
    装置。
  4. 【請求項4】 前記第1開口ブロックと、前記第1開口
    ブロックに隣接する前記第2開口ブロックとの間隔は、
    前記第2開口ブロックと、前記第2開口ブロックに対し
    て前記第1開口ブロックと対向する位置に設けられる第
    3開口ブロックとの間隔と異なることを特徴とする請求
    項1に記載の電子ビーム露光装置。
  5. 【請求項5】 前記第1偏向部は、前記第1投影領域と
    前記第2投影領域とが、略同一になるように前記第1成
    形電子ビーム及び前記第2成形電子ビームを偏向するこ
    とを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム露光装置。
  6. 【請求項6】 前記第1成形電子ビーム及び前記第2成
    形電子ビームの光軸が略同一になるように、前記第1成
    形電子ビーム及び前記第2成形電子ビームを偏向する第
    2偏向部をさらに備え、 前記第1偏向部は、前記第1成形電子ビーム及び前記第
    2成形電子ビームを略同一の偏向量で偏向することを特
    徴とする請求項5に記載の電子ビーム露光装置。
  7. 【請求項7】 前記第2偏向部は、前記第1開口ブロッ
    ク又は前記第2開口ブロックのそれぞれの位置に基づい
    て、前記第1成形電子ビーム又は前記第2成形電子ビー
    ムのそれぞれを偏向することを特徴とする請求項6に記
    載の電子ビーム露光装置。
  8. 【請求項8】 電子ビームによりウェハを露光する電子
    ビーム露光装置であって、 前記電子ビームを発生する電子ビーム発生部と、 所定領域内に少なくとも1つのパターン開口が設けられ
    た複数の開口ブロックを有し、前記電子ビームの成形す
    るブロックマスクと、 前記ブロックマスクにより成形された前記電子ビームが
    前記ウェハにおける所望の位置に照射されるように偏向
    する偏向部とを備え、 前記複数の開口ブロックのうちの第1開口ブロックと、
    前記第1開口ブロックに隣接する第2開口ブロックとの
    間隔は、前記第2開口ブロックと、前記第2開口ブロッ
    クに対して前記第1開口ブロックと対向する位置に設け
    られる第3開口ブロックとの間隔と異なることを特徴と
    する電子ビーム露光装置。
  9. 【請求項9】 電子ビームを所望の形状に成形するブロ
    ックマスクであって、 所定領域内に少なくとも1つのパターン開口が設けられ
    た複数の開口ブロックを備え、 前記複数の開口ブロックのうちの第1開口ブロックと、
    前記第1開口ブロックに隣接する第2開口ブロックとの
    間隔は、前記第2開口ブロックと、前記第2開口ブロッ
    クに対して前記第1開口ブロックと対向する位置に設け
    られる第3開口ブロックとの間隔と異なることを特徴と
    するブロックマスク。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005347550A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Fujitsu Ltd 露光データ作成方法及び露光データ作成装置
JP2010098294A (ja) * 2008-09-19 2010-04-30 Nuflare Technology Inc 描画装置及び描画方法
US8413084B2 (en) 2010-10-04 2013-04-02 International Business Machines Corporation Photomask throughput by reducing exposure shot count for non-critical elements

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005347550A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Fujitsu Ltd 露光データ作成方法及び露光データ作成装置
JP4570400B2 (ja) * 2004-06-03 2010-10-27 富士通セミコンダクター株式会社 露光データ作成方法及び露光データ作成装置
JP2010098294A (ja) * 2008-09-19 2010-04-30 Nuflare Technology Inc 描画装置及び描画方法
US8413084B2 (en) 2010-10-04 2013-04-02 International Business Machines Corporation Photomask throughput by reducing exposure shot count for non-critical elements

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