JP4199425B2

JP4199425B2 - 電子ビーム露光装置及び露光方法

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Publication number: JP4199425B2
Application number: JP2001027010A
Authority: JP
Inventors: 圭太文箭
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Current assignee: Advantest Corp
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Filing date: 2001-02-02
Publication date: 2008-12-17
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子ビーム露光装置及び露光方法に関する。特に本発明は、ウェハに対する電子ビームの照射時間を補正し、精度よくウェハにパターンを露光することができる電子ビーム露光装置及び露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の電子ビーム露光装置では、複数の電子ビーム露光装置に共通な露光データを用いて露光処理を行っている。そして、複数の電子ビーム露光装置においてウェハに同じパターンを露光する場合においても、複数の電子ビーム露光装置に共通の露光時間データにより露光処理を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来の電子ビーム露光装置では、個々の電子ビーム露光装置の特性による電子ビームの照射時間の補正がなされていないため、それぞれの電子ビーム露光装置が共通の露光データを用いて露光処理を行った場合でも、電子ビーム露光装置の個体差に起因して露光量に差が生じていた。そのため、それぞれの電子ビーム露光装置において、ウェハに所望のパターンを露光することが困難であるという問題を生じていた。
【０００４】
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできる電子ビーム露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の第１の形態によると、電子ビームにより、ウェハにパターンを露光する電子ビーム露光装置であって、ウェハに露光すべきパターンを示す露光データを格納するデータメモリと、露光データを受け取り、受け取った露光データに基づいて、電子ビームの断面形状を規定する断面形状情報を発生するパターン発生部と、断面形状情報を受け取り、受け取った断面形状情報に基づいて、電子ビームをウェハに照射する時間である照射時間を決定する照射時間決定部とを備える。
【０００６】
データメモリは、照射時間を指示する露光時間データをさらに格納し、照射時間決定部は、受け取った断面形状情報に基づいて、露光時間データを補正し、照射時間を決定してもよい。
【０００７】
データメモリは、電子ビームの断面形状を識別する情報である断面形状識別情報を含む露光データを格納し、断面形状識別情報に対応づけて、断面形状情報を格納するパターンデータメモリをさらに備え、パターン発生部は、受け取った露光データに含まれる断面形状識別情報に対応づけてパターンデータメモリに格納された断面形状情報を抽出して出力してもよい。
【０００８】
電子ビームの断面形状を成形する電子ビーム成形手段をさらに備え、パターンデータメモリは、電子ビーム成形手段が露光データにより実際に電子ビームを成形した場合にウェハに転写された電子ビームの形状に基づいた断面形状情報を格納してもよい。
【０００９】
電子ビームの断面形状を矩形に成形する電子ビーム成形手段をさらに備え、断面形状情報は、電子ビーム成形手段によって成形される電子ビームの断面形状である矩形の２辺の長さの情報を含み、パターン発生部は、断面形状識別情報に基づいて、パターンデータメモリに格納される矩形の２辺の長さを抽出して出力してもよい。
【００１０】
断面形状情報に対応づけて、電子ビームの断面形状に基づく露光時間の補正を行うための補正係数であるパターン補正係数を格納するパターン補正係数メモリをさらに備え、照射時間決定部は、パターン発生部によって出力された断面形状情報に対応づけてパターン補正係数メモリに格納されたパターン補正係数に基づいて、照射時間を決定してもよい。
【００１１】
ウェハにおいて電子ビームを照射すべき領域である露光領域をデータメモリに通知する露光シーケンス制御部をさらに備え、照射時間決定部は、露光領域にさらに基づいて、照射時間を決定してもよい。
【００１２】
露光領域に対応づけて、当該露光領域における露光時間を補正するための補正係数であるフィールド補正係数を識別するフィールド補正係数識別情報を格納するフィールドデータメモリをさらに備え、露光シーケンス制御部は、データメモリに通知した露光領域に対応づけてフィールドデータメモリに格納されたフィールド補正係数識別情報を抽出して出力してもよい。
【００１３】
フィールド補正係数識別情報に対応づけて、フィールド補正係数を格納するフィールド補正係数メモリをさらに備え、照射時間決定部は、露光シーケンス制御部によって出力されたフィールド補正係数識別情報に対応づけてフィールド補正係数メモリに格納されたフィールド補正係数に基づいて、照射時間を決定してもよい。
【００１４】
本発明の第２の形態によると、電子ビームにより、ウェハにパターンを露光する露光方法であって、ウェハに露光すべきパターンを示す露光データに基づいて、電子ビームの断面形状を規定する断面形状情報を発生するパターン発生段階と、断面形状情報に基づいて、電子ビームをウェハに照射する時間である照射時間を決定する照射時間決定段階と、照射時間に基づいて、電子ビームを照射してウェハを露光する露光段階とを備える
電子ビームをウェハに照射し、ウェハに転写された電子ビームの形状を取得する取得段階と、電子ビームの形状に基づいて、断面形状情報を決定する断面形状情報決定段階とをさらに備え、照射時間決定段階は、決定された断面形状情報に基づいて、照射時間を決定してもよい。
【００１５】
なお上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションも又発明となりうる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る電子ビーム露光装置１００の構成を示す。電子ビーム露光装置１００は、電子ビームによりウェハ４４に所定の露光処理を施すための露光部１５０と、露光部１５０に含まれる各構成の動作を制御する制御系１４０を備える。
【００１７】
露光部１５０は、筐体８内部で、複数の電子ビームを発生し、電子ビームの断面形状を所望に成形する電子ビーム成形手段１１０と、複数の電子ビームをウェハ４４に照射するか否かを、電子ビーム毎に独立に切替える照射切替手段１１２と、ウェハ４４に転写されるパターンの像の向き及びサイズを調整するウェハ用投影系１１４を含む電子光学系を備える。また、露光部１５０は、パターンを露光すべきウェハ４４を載置するウェハステージ４６と、ウェハステージ４６を駆動するウェハステージ駆動部４８とを含むステージ系を備える。
【００１８】
電子ビーム成形手段１１０は、複数の電子ビームを発生させる電子ビーム発生部１０と、電子ビームを通過させることにより、電子ビームの断面形状を成形する複数の開口部を有する第１成形部材１４及び第２成形部材２２と、複数の電子ビームを独立に収束し、電子ビームの焦点を調整する第１多軸電子レンズ１６と、第１成形部材１４を通過した複数の電子ビームを独立に偏向する第１成形偏向部１８及び第２成形偏向部２０とを有する。
【００１９】
電子ビーム発生部１０は、複数の電子銃１０４と、電子銃１０４が形成される基材１０６とを有する。電子銃１０４は、熱電子を発生させるカソード１２と、カソード１２を囲むように形成され、カソード１２で発生した熱電子を安定させるグリッド１０２とを有する。カソード１２とグリッド１０２とは、電気的に絶縁されるのが望ましい。本実施例において、電子ビーム発生部１０は、基材１０６に、複数の電子銃１０４を、所定の間隔に有することにより、電子銃アレイを形成する。
【００２０】
第１成形部材１４及び第２成形部材２２は、電子ビームが照射される面に、接地された白金などの金属膜を有することが望ましい。第１成形部材１４及び第２成形部材２２に含まれる複数の開口部の断面形状は、電子ビームを効率よく通過させるために、電子ビームの照射方向に沿って広がりを有してもよい。また、第１成形部材１４及び第２成形部材２２に含まれる複数の開口部は、矩形に形成されるのが好ましい。
【００２１】
照射切替手段１１２は、複数の電子ビームを独立に収束し、電子ビームの焦点を調整する第２多軸電子レンズ２４と、複数の電子ビームを、電子ビーム毎に独立に偏向させることにより、電子ビームをウェハ４４に照射するか否かを、電子ビーム毎に独立に切替えるブランキング電極アレイ２６と、電子ビームを通過させる複数の開口部を含み、ブランキング電極アレイ２６で偏向された電子ビームを遮蔽する電子ビーム遮蔽部材２８とを有する。また、他の実施例においてブランキング電極アレイ２６は、ブランキング・アパーチャ・アレイであってもよい。
【００２２】
ウェハ用投影系１１４は、複数の電子ビームを独立に収束し、電子ビームの照射径を縮小する第３多軸電子レンズ３４と、複数の電子ビームを独立に収束し、電子ビームの焦点を調整する第４多軸電子レンズ３６と、複数の電子ビームを、ウェハ４４の所望の位置に、電子ビーム毎に独立に偏向する偏向部６０と、ウェハ４４に対する対物レンズとして機能し、複数の電子ビームを独立に収束する第５多軸電子レンズ６２とを有する。
【００２３】
制御系１４０は、統括制御部１３０及び個別制御部１２０を備える。個別制御部１２０は、電子ビーム制御部８０と、多軸電子レンズ制御部８２と、成形偏向制御部８４と、ブランキング電極アレイ制御部８６と、偏向制御部９２と、ウェハステージ制御部９６とを有する。統括制御部１３０は、例えばワークステーションであって、個別制御部１２０に含まれる各制御部を統括制御する。電子ビーム制御部８０は、電子ビーム発生部１０を制御する。多軸電子レンズ制御部８２は、第１多軸電子レンズ１６、第２多軸電子レンズ２４、第３多軸電子レンズ３４、第４多軸電子レンズ３６及び第５多軸電子レンズ６２に供給する電流を制御する。
【００２４】
成形偏向制御部は、第１成形偏向部１８及び第２成形偏向部２０を制御する。ブランキング電極アレイ制御部８６は、ブランキング電極アレイ２６に含まれる偏向電極に印加する電圧を制御する。偏向制御部９２は、偏向部６０に含まれる複数の偏向器が有する偏向電極に印加する電圧を制御する。ウェハステージ制御部９６は、ウェハステージ駆動部４８を制御し、ウェハステージ４６を所定の位置に移動させる。
【００２５】
本実施形態に係る電子ビーム露光装置１００の動作について説明する。まず、電子ビーム発生部１０が、複数の電子ビームを生成する。電子ビーム発生部１０において、発生された電子ビームは、第１成形部材１４に照射され、成形される。
【００２６】
第１多軸電子レンズ１６は、矩形に成形された複数の電子ビームを独立に収束し、第２成形部材２２に対する電子ビームの焦点調整を、電子ビーム毎に独立に行う。第１成形偏向部１８は、矩形に成形された複数の電子ビームを、電子ビーム毎に独立して、第２成形部材に対して所望の位置に偏向する。第２成形偏向部２０は、第１成形偏向部１８で偏向された複数の電子ビームを、電子ビーム毎に独立に第２成形部材２２に対して略垂直方向に偏向する。矩形形状を有する複数の開口部を含む第２成形部材２２は、各開口部に照射された矩形の断面形状を有する複数の電子ビームを、ウェハ４４に照射されるべき所望の矩形の断面形状を有する電子ビームにさらに成形する。
【００２７】
第２多軸電子レンズ２４は、複数の電子ビームを独立に収束して、ブランキング電極アレイ２６に対する電子ビームの焦点調整を、電子ビーム毎に独立に行う。第２多軸電子レンズ２４より焦点調整された電子ビームは、ブランキング電極アレイ２６に含まれる複数のアパーチャを通過する。
【００２８】
ブランキング電極アレイ制御部８６は、ブランキング電極アレイ２６に形成された、各アパーチャの近傍に設けられた偏向電極に電圧を印加するか否かを制御する。ブランキング電極アレイ２６は、偏向電極に印加される電圧に基づいて、電子ビームをウェハ４４に照射させるか否かを切替える。
【００２９】
ブランキング電極アレイ２６により偏向されない電子ビームは、第３多軸電子レンズ３４により電子ビーム径を縮小されて、電子ビーム遮蔽部材２８に含まれる開口部を通過する。第４多軸電子レンズ３６が、複数の電子ビームを独立に収束して、偏向部６０に対する電子ビームの焦点調整を、電子ビーム毎に独立に行い、焦点調整をされた電子ビームは、偏向部６０に含まれる偏向器に入射される。
【００３０】
偏向制御部９２が、偏向部６０に含まれる複数の偏向器を独立に制御する。偏向部６０は、複数の偏向器に入射される複数の電子ビームを、電子ビーム毎に独立にウェハ４４の所望の露光位置に偏向する。偏向部６０を通過した複数の電子ビームは、第５多軸電子レンズ６２により、ウェハ４４に対する焦点が調整され、ウェハ４４に照射される。
【００３１】
露光処理中、ウェハステージ制御部９６は、ウェハステージ駆動部４８を制御し、ウェハステージ４６を一定方向に移動させる。ブランキング電極アレイ制御部８６は露光パターンデータに基づいて、電子ビームを通過させるアパーチャを定め、各アパーチャに対する電力制御を行う。ウェハ４４の移動に合わせて、電子ビームを通過させるアパーチャを適宜、変更し、さらに偏向部６０により電子ビームを偏向することによりウェハ４４に所望の回路パターンを露光することが可能となる。
【００３２】
図２は、制御系１４０の構成の一例を示す。制御系１４０は、統括制御部１３０及び個別制御部１２０を備える。統括制御部１３０は、制御部１４０を統括制御する中央処理部１３２と、ウェハ４４に対して露光すべき露光パターンを格納する露光パターン格納部１３８と、露光パターン格納部１３８に格納された設計データに基づいて、各電子ビームが露光すべき領域における露光パターンである露光データを生成する露光パターン生成部１３４と、露光処理一般のシーケンスを制御する露光シーケンス制御部１４２と、電子ビームを照射すべき領域である露光領域に対応づけて、当該露光領域における露光時間を補正するための補正係数であるフィールド補正係数を識別するフィールド補正係数識別情報を格納するフィールドデータメモリ１６０と、露光データを記憶するデータメモリ１３６と、電子ビーム毎に設けられており、露光データに基づいて成形偏向制御部８４及び偏向制御部９２に供給する偏向データを生成する電子ビーム毎補正部１４８と、電子ビームをウェハ４４に照射する時間である照射時間を決定する照射時間決定部１４４と、電子ビームの断面形状を規定する断面形状情報に対応づけて、電子ビームの断面形状に基づく露光時間の補正を行うための補正係数であるパターン補正係数を格納するパターン補正係数メモリ１６２と、フィールド補正係数識別情報に対応づけて、フィールド補正係数を格納するフィールド補正係数メモリ１６４と、照射時間決定部１４４によって決定された照射時間に基づいてブランキング電極アレイ制御部８６に供給するブランキングクロックを発生するクロック発生部１４６とを有する。
【００３３】
電子ビーム毎補正部１４８は、露光データに基づいて、電子ビームの断面形状を規定する断面形状情報を発生するパターン発生部１５２と、電子ビームの断面形状を識別する情報である断面形状識別情報に対応づけて、断面形状情報を格納するパターンデータメモリ１５８と、第１成形偏向部１８及び第２成形偏向部２０に対する成形偏向データを生成する成形偏向器用補正回路１５４と、偏向部６０に対する偏向データを生成する偏向器用補正回路１５６とを含む。個別制御部１２０は、第１成形偏向部１８及び第２成形偏向部２０を制御する成形偏向制御部８４と、偏向部６０を制御する偏向制御部９２と、ブランキング電極アレイ２６を制御するブランキング電極アレイ制御部８６とを有する。
【００３４】
次に、本実施形態における制御部１４０の動作について説明する。露光データ生成部１３４は、露光パターン格納部１３８に格納された露光パターンに基づいて、露光データを生成し、データメモリ１３６に格納する。データメモリ１３６は、露光データを一時的に格納するバッファ記憶部であることが好ましく、露光領域毎の露光データを露光する順に記憶し出力する。当該露光データは、電子ビームをウェハ４４に照射する時間である照射時間を指示する露光時間データ、電子ビームの断面形状を識別する情報である断面形状識別情報、及び露光領域に対する露光位置の情報を有することが好ましい。
【００３５】
次に、露光シーケンス制御部１４２は、データメモリ１３６に露光領域を指示し、露光データを出力させる。パターン発生部１５２は、データメモリ１３６から受け取った露光データに含まれる断面形状識別情報に対応づけて、パターンデータメモリ１５８に格納される断面形状情報を抽出する。そして、パターン発生部１５２は、抽出した断面形状情報を成形偏向器用補正回路１５４及び偏向器用補正回路１５６に通知する。また、パターン発生部１５２は、抽出した断面形状情報を照射時間決定部１４４に通知する。また、露光シーケンス制御部１４２は、データメモリ１３６に通知した露光領域に対応づけてフィールドデータメモリ１６０に格納されるフィールド補正係数識別情報を抽出し、照射時間決定部１４４に通知する。
【００３６】
次に、照射時間決定部１４４は、パターン発生部１５２から受け取った断面形状情報に対応づけて、パターン補正係数メモリ１６２に格納されるパターン補正係数を抽出する。また、照射時間決定部１４４は、露光シーケンス制御部１４２から受け取ったフィールド補正係数識別情報に対応づけて、フィールド補正係数メモリ１６４に格納されるフィールド補正係数を抽出する。そして、照射時間決定部１４４は、パターン補正係数及びフィールド補正係数を用いて、露光データに含まれる露光時間データを補正して、電子ビームをウェハ４４に照射する時間である照射時間を決定する。例えば、パターン補正係数及びフィールド補正係数は、露光時間データを補正する倍率であり、照射時間決定部１４４は、露光時間データに、パターン補正係数及びフィールド補正係数を乗算することにより、照射時間を算出する。
【００３７】
次に、クロック発生回路１４６は、照射時間決定部１４４によって決定された照射時間に基づいて、ブランキング電極アレイ制御部８６に供給するブランキングクロックを生成する。そして、ブランキング電極アレイ制御部８６は、クロック発生回路１４６が生成したブランキングクロックを用いてブランキング電極アレイ２６を制御する。また、成形偏向器用補正回路１５４は、パターン発生部１５２から受け取った断面形状情報に基づいて、成形偏向制御部８４に供給する成形偏向データを生成する。そして、成形偏向制御部８４は、成形偏向器補正回路１５４から受け取った成形偏向データにより第１成形偏向部１８及び第２成形偏向部２０を制御する。また、偏向器用補正回路１５６は、パターン発生回路１５２から受け取った露光位置の情報に基づいて、偏向制御部９２に供給する偏向データを生成する。そして、偏向制御部９２は、偏向器補正回路１５６から受け取った偏向データにより偏向部６０を制御する。
【００３８】
データメモリ１３６に格納された露光データは、当該電子ビーム露光装置１００に固有のデータではなく、他の電子ビーム露光装置においても、使用され得るデータであってよい。また、パターン発生部１５２が発生する断面形状情報は、当該電子ビーム露光装置１００に固有のデータであり、露光データにより電子ビームを成形した場合にウェハ４４に転写された電子ビームの形状に基づいて決定され、パターンデータメモリ１５８に格納されることが好ましい。また、フィールドデータメモリ１６０に格納されるフィールド補正係数識別情報は、フィールド補正係数メモリ１６４のアドレス情報であることが好ましい。また、フィールド補正係数識別情報は、露光データにより電子ビームが照射された場合の露光量に基づいて決定され、フィールドデータメモリ１６０に格納されることが好ましい。さらに、フィールド補正係数識別情報は、全ての露光領域において等しい露光量になるように、露光領域に対応づけて格納されることが好ましい。
【００３９】
また、断面形状識別情報は、補正される前の断面形状情報であってもよく、さらに、補正された断面形状情報を格納するパターンデータメモリ１５８のアドレス情報であることが好ましい。また、断面形状情報は、電子ビーム成形手段１１０によって成形される電子ビームの断面形状である矩形の直交する２辺の長さの情報であってもよい。この場合、パターンデータメモリ１５８は、断面形状識別情報に対応づけて、当該２辺の長さを格納してもよい。また、パターン発生部１５２は、データメモリ１３６から受け取った露光データに含まれる断面形状識別情報に対応づけて、パターンデータメモリ１５８に格納される当該２辺の長さを抽出して出力してもよい。
【００４０】
本実施形態による電子ビーム露光装置１００によれば、電子ビームの断面形状情報及びウェハにおける露光領域に基づいて、ウェハに対する電子ビームの照射時間を補正することにより、精度よくウェハにパターンを露光することができる。また、パターンデータメモリ１５８、フィールドデータメモリ１６０、パターン補正係数メモリ１６２、及びフィールド補正係数メモリ１６４を用いることにより、電子ビームの照射時間の補正処理と露光処理とを並行して効率よく行うことができる。また、電子ビームの照射時間の補正処理と露光処理とを並行して行うことにより、補正された照射時間を長時間記憶しておくことなく露光処理に用いるため、電子ビーム露光装置内に格納されるデータの量を大幅に低減させることができる。さらに、実際に露光処理を行うことによりパターンデータメモリ１５８及びフィールドデータメモリ１６０に格納される情報を更新するため、個々の電子ビーム露光装置の特性に基づく電子ビームの照射時間の補正ができる。
【００４１】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、上記実施形態はクレームにかかる発明を限定するものではなく、また実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。また、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることができる。そのような変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００４２】
【発明の効果】
上記説明から明らかなように、本発明によれば、ウェハに対する電子ビームの照射時間を補正し、精度よくウェハにパターンを露光することができる電子ビーム露光装置及び露光方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子ビーム露光装置１００の構成を示す図である。
【図２】制御系１４０の構成の一例を示す図である。
【符号の説明】
８・・筐体、１０・・電子ビーム発生部、１４・・第１成形部材、１６・・第１多軸電子レンズ、１８・・第１成形偏向部、２０・・第２成形偏向部、２２・・第２成形部材、２４・・第２多軸電子レンズ、２６・・ブランキング電極アレイ、２８・・電子ビーム遮蔽部材、３４・・第３多軸電子レンズ、３６・・第４多軸電子レンズ、４４・・ウェハ、４６・・ウェハステージ、４８・・ウェハステージ駆動部、５２・・第５多軸電子レンズ、６０・・偏向部、８０・・電子ビーム制御部、８２・・多軸電子レンズ制御部、８４・・成形偏向制御部、８６・・ブランキング電極アレイ制御部、９２・・偏向制御部、９６・・ウェハステージ制御部、１００・・電子ビーム露光装置、１１０・・電子ビーム成形手段、１１２・・照射切替手段、１１４・・ウェハ用投影系、１２０・・個別制御系、１３０・・統括制御部、１３２・・中央処理部、１３４・・露光データ生成部、１３６・・データメモリ、１３８・・露光パターン格納部、１４０・・制御系、１４２・・露光シーケンス制御部、１４４・・照射時間決定部、１４６・・クロック発生回路、１４８・・電子ビーム毎補正部、１５０・・露光部、１５２・・パターン発生部、１５４・・成形偏向器用補正回路、１５６・・偏向器用補正回路

Claims

複数の電子ビームにより、ウェハにパターンを露光する電子ビーム露光装置であって、
各電子ビームが露光すべき露光領域における露光パターンである露光データを格納するデータメモリと、
前記露光データを受け取り、受け取った前記露光データに基づいて、電子ビームの断面形状を規定する断面形状情報を発生するパターン発生部を有し、電子ビーム毎に設けられた複数の電子ビーム毎補正部と、
前記断面形状情報を受け取り、受け取った前記断面形状情報に基づいて、電子ビームを前記ウェハに照射する時間である照射時間を決定する照射時間決定部と、
前記照射時間決定部により決定された照射時間に基づいて、電子ビームを前記ウェハに照射するか否かを、電子ビーム毎に切り替える照射切替部と、
前記複数の電子ビームの前記断面形状を成形する電子ビーム成形手段と、
を備え、
前記露光データは、電子ビームの前記断面形状を識別する情報である断面形状識別情報を含み、
前記電子ビーム毎補正部は、前記電子ビーム成形手段が前記複数の電子ビームの露光データにより実際に前記複数の電子ビームを成形した場合に前記ウェハに転写された前記複数の電子ビームの形状に基づいた前記断面形状情報を前記断面形状識別情報に対応づけて格納するパターンデータメモリをさらに有し、
前記パターン発生部は、受け取った前記露光データに含まれる前記断面形状識別情報に対応づけて前記パターンデータメモリに格納された前記断面形状情報を抽出して出力する
電子ビーム露光装置。
前記データメモリは、前記照射時間を指示する各電子ビームの露光時間データをさらに格納し、
前記照射時間決定部は、受け取った前記断面形状情報に基づいて、前記露光時間データを補正し、前記照射時間を決定する
請求項１に記載の電子ビーム露光装置。
前記複数の電子ビームの断面形状を矩形に成形する電子ビーム成形手段をさらに備え、
前記複数の電子ビームの断面形状情報は、前記電子ビーム成形手段によって成形される前記複数の電子ビームの断面形状である矩形の２辺の長さの情報を含み、
前記パターン発生部は、前記断面形状識別情報に基づいて、前記パターンデータメモリに格納される前記矩形の前記２辺の長さを抽出して出力する
請求項１または２に記載の電子ビーム露光装置。
前記断面形状情報に対応づけて、電子ビームの断面形状に基づく露光時間を補正するための補正係数であるパターン補正係数を格納するパターン補正係数メモリをさらに備え、
前記照射時間決定部は、前記パターン発生部によって出力された前記断面形状情報に対応づけて前記パターン補正係数メモリに格納された前記パターン補正係数に基づいて、前記照射時間を決定する
請求項１から３のいずれかに記載の電子ビーム露光装置。
前記ウェハにおいて電子ビームを照射すべき領域である露光領域を前記データメモリに通知する露光シーケンス制御部をさらに備え、
前記照射時間決定部は、前記露光領域にさらに基づいて、前記照射時間を決定する
請求項１から４のいずれかに記載の電子ビーム露光装置。
前記露光領域に対応づけて、当該露光領域における露光時間を補正するための補正係数であるフィールド補正係数を識別するフィールド補正係数識別情報を格納するフィールドデータメモリをさらに備え、
前記露光シーケンス制御部は、前記データメモリに通知した前記露光領域に対応づけて前記フィールドデータメモリに格納された前記フィールド補正係数識別情報を抽出して出力する
請求項５に記載の電子ビーム露光装置。
前記フィールド補正係数識別情報に対応づけて、前記フィールド補正係数を格納するフィールド補正係数メモリをさらに備え、
前記照射時間決定部は、前記露光シーケンス制御部によって出力された前記フィールド補正係数識別情報に対応づけて前記フィールド補正係数メモリに格納された前記フィールド補正係数に基づいて、前記照射時間を決定する
請求項６に記載の電子ビーム露光装置。
複数の電子ビームにより、電子ビーム露光装置がウェハにパターンを露光する露光方法であって、
前記電子ビーム露光装置は、
電子ビームの断面形状を識別する情報である断面形状識別情報を含み、且つ、各電子ビームが露光すべき露光領域における露光パターンである、露光データを格納するデータメモリと、
前記複数の電子ビームの前記断面形状を成形する電子ビーム成形手段と、
前記電子ビーム成形手段が前記複数の電子ビームの露光データにより実際に前記複数の電子ビームを成形した場合に前記ウェハに転写された前記複数の電子ビームの形状に基づいた断面形状情報を前記断面形状識別情報に対応づけて格納するパターンデータメモリとを備え、
前記露光方法は、
前記露光データを受け取り、受け取った前記露光データに含まれる前記断面形状識別情報に対応づけて前記パターンデータメモリに格納された前記断面形状情報を抽出して出力するパターン発生段階と、
前記断面形状情報を受け取り、受け取った前記断面形状情報に基づいて、電子ビームを前記ウェハに照射する時間である照射時間を決定する照射時間決定段階と、
前記照射時間に基づいて、電子ビームを前記ウェハに照射するか否かを、電子ビーム毎に切り替える照射切替段階と
を備える露光方法。
前記露光データには、照射時間を指示する露光時間データが含まれ、
前記照射時間決定段階は、前記断面形状情報に基づいて、前記露光時間データを補正し、前記照射時間を決定する
請求項８に記載の露光方法。
前記照射時間決定段階は、前記断面形状情報に対応する補正パターン係数に基づいて、前記照射時間を決定する
請求項８または９に記載の露光方法。
前記照射時間決定段階は、前記ウェハにおいて電子ビームを照射すべき領域である露光領域にさらに基づいて、前記照射時間を決定する
請求項８から１０のいずれかに記載の露光方法。