JPS58135641A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
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- JPS58135641A JPS58135641A JP1803482A JP1803482A JPS58135641A JP S58135641 A JPS58135641 A JP S58135641A JP 1803482 A JP1803482 A JP 1803482A JP 1803482 A JP1803482 A JP 1803482A JP S58135641 A JPS58135641 A JP S58135641A
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- JP
- Japan
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- electron beam
- region
- exposed
- patterns
- exposure
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Theoretical Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は露光時間を大幅に短縮することができる電子ビ
ーム露光方法に関する０ 電子ビームによる材料の露光時間Ｔは、鍍材料の一光一
債を８．電子ビームの該材料上の面積を易、材料に塗布
されたレジストの感度を８．電子ビームの電ｍ書度をＤ
とすれば以下の如く表すことができる・ Ｔ ” Ｘ ｅ ａ １１４１（
１）ｓ ｌ） ここで岡えば一辺が２ａａｔｍの正方形のチップの總１
１１Ｒｔｉ）２０−に摺幽するＩり一ンをα０１声−の
径の電子ビームによって露光する場合、レジスト感度が
ｓ ｘ ｔｏ−’ （ムｔ／Ｃｍ ” ） Ｓ ｇ子ヒ
−ムｔ）電ｍｓ度が５０（ム／ｃｍ”）であれば、露光
時間Ｔｌ中 １０１８４１ ｓｅａ 中 ＆ｊ１
３Ｈ本発明は上述した点に鑑みてな専れたもので、露光
時間を大＠に短縮することができる繻子ビーム露光方法
を、提供することを目的とする・ある種の半導体デバイ
スではチップの中央部にのみｓｓｉな電子ビーム径によ
る露光６ζよって形成され？：ＩＩＨＩが設けられその
同辺部にはポンディングー寸ツドあるいは鍍ｒ４ツドと
該Ｉｇｌ略とを接続する導線が配電される０鋏Ｉ寸ツド
あるいは導線の作成ＩＣは該回路部分の作成はどの細か
さは要求されない０ 本発明は主として１紀の知音半導体デバイスの製造に使
用されるもので、本発明に基づく電子ビーム露光方法は
被露光材料の移動を伴うことなく電子ビームの偏向Ｉこ
よって露光する鋏材料との領域を中心部と周辺部とに仮
垣的１ｃ分割し〜該中心部の露光時と周辺部の露光時に
おける電子ビームの照射条件を変化させ、周辺部の露光
時−ζは電子ビーム電流を増加させるようｆどしている
。
ーム露光方法に関する０ 電子ビームによる材料の露光時間Ｔは、鍍材料の一光一
債を８．電子ビームの該材料上の面積を易、材料に塗布
されたレジストの感度を８．電子ビームの電ｍ書度をＤ
とすれば以下の如く表すことができる・ Ｔ ” Ｘ ｅ ａ １１４１（
１）ｓ ｌ） ここで岡えば一辺が２ａａｔｍの正方形のチップの總１
１１Ｒｔｉ）２０−に摺幽するＩり一ンをα０１声−の
径の電子ビームによって露光する場合、レジスト感度が
ｓ ｘ ｔｏ−’ （ムｔ／Ｃｍ ” ） Ｓ ｇ子ヒ
−ムｔ）電ｍｓ度が５０（ム／ｃｍ”）であれば、露光
時間Ｔｌ中 １０１８４１ ｓｅａ 中 ＆ｊ１
３Ｈ本発明は上述した点に鑑みてな専れたもので、露光
時間を大＠に短縮することができる繻子ビーム露光方法
を、提供することを目的とする・ある種の半導体デバイ
スではチップの中央部にのみｓｓｉな電子ビーム径によ
る露光６ζよって形成され？：ＩＩＨＩが設けられその
同辺部にはポンディングー寸ツドあるいは鍍ｒ４ツドと
該Ｉｇｌ略とを接続する導線が配電される０鋏Ｉ寸ツド
あるいは導線の作成ＩＣは該回路部分の作成はどの細か
さは要求されない０ 本発明は主として１紀の知音半導体デバイスの製造に使
用されるもので、本発明に基づく電子ビーム露光方法は
被露光材料の移動を伴うことなく電子ビームの偏向Ｉこ
よって露光する鋏材料との領域を中心部と周辺部とに仮
垣的１ｃ分割し〜該中心部の露光時と周辺部の露光時に
おける電子ビームの照射条件を変化させ、周辺部の露光
時−ζは電子ビーム電流を増加させるようｆどしている
。
以下本発明の一夷ＩＩＡ飼を添付図面Ｉζ基づき詳述す
るＯ ＃ｌ１ｒＩＪは本発＠に基づく方法を実施するための電
子ビーム露光ａｔの一例を示しており、１は電子銃で該
電子銃１より発生した電子ビームは収束レンズ２．対物
レンズ６１どよって収束され被露光材料４上に照射され
る。該収束レンズ２にはコンピュータのｇｌき制御＊ｔ
５からＤ−ム変換器６゜増幅＠ｙを介して励磁電流が供
給され、対物レンズ６には制御装置５からＤ−ム変換器
８．増幅器９を介して励磁電流が供給される０該材料４
上に照射される電子ビームの位置は偏向コイル１０に供
給される走査信号に応じて変えられるが鋏滝査信号は制
御ＩＩｔｓからＤ−ム変換器１１９倍率可変回路１２．
増組１６を介して供給される。又電子銃１からの電子ビ
ームはブランキング回路１４からブランキング電極１５
への電圧の印加（よっτ光軸から外され、材料４への電
子ビームの照射はその間体止される。
るＯ ＃ｌ１ｒＩＪは本発＠に基づく方法を実施するための電
子ビーム露光ａｔの一例を示しており、１は電子銃で該
電子銃１より発生した電子ビームは収束レンズ２．対物
レンズ６１どよって収束され被露光材料４上に照射され
る。該収束レンズ２にはコンピュータのｇｌき制御＊ｔ
５からＤ−ム変換器６゜増幅＠ｙを介して励磁電流が供
給され、対物レンズ６には制御装置５からＤ−ム変換器
８．増幅器９を介して励磁電流が供給される０該材料４
上に照射される電子ビームの位置は偏向コイル１０に供
給される走査信号に応じて変えられるが鋏滝査信号は制
御ＩＩｔｓからＤ−ム変換器１１９倍率可変回路１２．
増組１６を介して供給される。又電子銃１からの電子ビ
ームはブランキング回路１４からブランキング電極１５
への電圧の印加（よっτ光軸から外され、材料４への電
子ビームの照射はその間体止される。
上述し？：１１１成において偏向コイル１０へは材料４
上の所望範囲が電子ビーム盛ζよって走査されるための
走査信号が供給され、この電子ビームの走査とブランキ
ング電ｉｌｌ ５による電子ビームのブランキングｌζ
より核材料上に所望図形が露光される０ζζで第２図に
示す１辺の良さが２ｍ醜の正方形、）ヶ、プ１６を材料
４．）移動を伴わず、電子 ）□ビームの偏
向−こよってのみ露光する場合について説明するが、該
チップ１６の中心部ｄこは微調な回路が形成され従って
積置なパターン１７が露光される０又該チツプ１６の周
辺部にはボンディングＩずラドのための１寸ターン１８
が露光され、更４ｃ該回路ｌ櫂ターン１７とベッド−寸
ターン１８との間には導線の１寸ターン１９が露光され
る・鋏中心部の回路−櫂ターン１７は１絡の集積度が高
いために極微細−寸ターンの露光を行・わなければなら
ないが、導１８１４ターン１９及びベッドＩ４ターン１
８の露光１と際してはその集積度が低いために回路／く
ターン１７の露光機の細かさは要求されない。さて、こ
のようなチップ１−６を露光するに際し、第２ｇｌ＃ζ
示すパターンは予め図中に点線で示した境界によって３
つの領域ム、Ｂ、Ｃに仮想的に分割され、該分割された
領域に応じた露光データが制御装置５曇ζ入力される。
上の所望範囲が電子ビーム盛ζよって走査されるための
走査信号が供給され、この電子ビームの走査とブランキ
ング電ｉｌｌ ５による電子ビームのブランキングｌζ
より核材料上に所望図形が露光される０ζζで第２図に
示す１辺の良さが２ｍ醜の正方形、）ヶ、プ１６を材料
４．）移動を伴わず、電子 ）□ビームの偏
向−こよってのみ露光する場合について説明するが、該
チップ１６の中心部ｄこは微調な回路が形成され従って
積置なパターン１７が露光される０又該チツプ１６の周
辺部にはボンディングＩずラドのための１寸ターン１８
が露光され、更４ｃ該回路ｌ櫂ターン１７とベッド−寸
ターン１８との間には導線の１寸ターン１９が露光され
る・鋏中心部の回路−櫂ターン１７は１絡の集積度が高
いために極微細−寸ターンの露光を行・わなければなら
ないが、導１８１４ターン１９及びベッドＩ４ターン１
８の露光１と際してはその集積度が低いために回路／く
ターン１７の露光機の細かさは要求されない。さて、こ
のようなチップ１−６を露光するに際し、第２ｇｌ＃ζ
示すパターンは予め図中に点線で示した境界によって３
つの領域ム、Ｂ、Ｃに仮想的に分割され、該分割された
領域に応じた露光データが制御装置５曇ζ入力される。
線領域ム暑ζは極微細な１ｇｌ路ベターン１７が含まれ
、鎮領域ムの外側の領域Ｂは該回路ｔ４ターン１７に接
続された導線ｒ４ターン１９が主として含まれ、線領域
ＣＫ−はベッド−寸ターン１８と導線−くターン１９の
一部が含まれている。
、鎮領域ムの外側の領域Ｂは該回路ｔ４ターン１７に接
続された導線ｒ４ターン１９が主として含まれ、線領域
ＣＫ−はベッド−寸ターン１８と導線−くターン１９の
一部が含まれている。
最初に該制御装−５′から倍率可変回路１２＃ζは、電
子ビームの走査範囲が領域ムとなるように制御信号が供
給され、該領域五に含まれている−くターンが電子ビー
ムのベクター走査によって選択的に露光される０尚この
時電子ビームの材料４との径はαＯＩＰｍと極めて細（
されている。
子ビームの走査範囲が領域ムとなるように制御信号が供
給され、該領域五に含まれている−くターンが電子ビー
ムのベクター走査によって選択的に露光される０尚この
時電子ビームの材料４との径はαＯＩＰｍと極めて細（
されている。
と遮した領域ムの露光が終了した後、倍率可変回路１２
は制御され、電子ビームの走査範囲は領域Ｂをカバーす
る範ｆｆ−ζ変えられる０この時収束レンズ２Ｉζ供給
される励磁電流は適宜弱められ、電子ビームはｇｔｓ中
で点線で示す如く収束され、その結果、対物レンズ献り
２ｏの開口を通過する電子は増加し、必然的ｇ：材料４
に投射される電子ビーム電流は増加する。０更に対物レ
ンズ６に供給される励磁電流も変えられ、例えば１声ｔ
ａ（Ｑ径の電子ビーム−ζよって領域Ｂ内のエイターン
が選択的に露光されることになる〇 次ＩＣ領域Ｃを露光する場合、電子ビームの走査＠囲は
広げられ、更Ｊζ収束レンズ２及び対物レンズ６の励磁
電流が調節され材料４に投射される電流は更に増加され
ると共に、材料４上の電子ビーム径は例えば５μＩｎに
される。尚この実施鈎では各領域毎に電子ビームの径と
電子ビームを流が変えられたが、材料４上の電子ビーム
電流ａｔは各領域共同−にされているとする◎ このように上述した夷ｍ内では材料４＃ｃ投射される電
子ビームの電流とビーム径を中心部と周辺部とで相違さ
せて露光・を行っており、通常露光種度がそれａＳ求さ
れないチップ局辺部Ｂ及びＣは大きなビーム径でＩくタ
ーン部分を塗りつぶして露光を行うことから、第（１）
式のＳは大きくなり、結果として領域Ｂ及びＣの露光時
間は短くなり、従ってチップ全域の露光に要する時間を
著しく短縮することができる０例えば、この実總例で、
材料４衆面−こ塗布されたレジストの感度が５ＸＩＯ’
（ムｔｌｃ、♂）、電子ビームの電流１２Ｆｆがｓｏ（
ム／ｃｍ” ）であり、ム領域は一辺が１００声ｍの正
方形、Ｂ領域は一辺が１ ｗａｘの正方形で、各領域共
＆面積の２０１の１寸ターンを露光する場合、全体の露
光時間Ｔ３はｇｉｌｌ）式から次のとおりとなる。
は制御され、電子ビームの走査範囲は領域Ｂをカバーす
る範ｆｆ−ζ変えられる０この時収束レンズ２Ｉζ供給
される励磁電流は適宜弱められ、電子ビームはｇｔｓ中
で点線で示す如く収束され、その結果、対物レンズ献り
２ｏの開口を通過する電子は増加し、必然的ｇ：材料４
に投射される電子ビーム電流は増加する。０更に対物レ
ンズ６に供給される励磁電流も変えられ、例えば１声ｔ
ａ（Ｑ径の電子ビーム−ζよって領域Ｂ内のエイターン
が選択的に露光されることになる〇 次ＩＣ領域Ｃを露光する場合、電子ビームの走査＠囲は
広げられ、更Ｊζ収束レンズ２及び対物レンズ６の励磁
電流が調節され材料４に投射される電流は更に増加され
ると共に、材料４上の電子ビーム径は例えば５μＩｎに
される。尚この実施鈎では各領域毎に電子ビームの径と
電子ビームを流が変えられたが、材料４上の電子ビーム
電流ａｔは各領域共同−にされているとする◎ このように上述した夷ｍ内では材料４＃ｃ投射される電
子ビームの電流とビーム径を中心部と周辺部とで相違さ
せて露光・を行っており、通常露光種度がそれａＳ求さ
れないチップ局辺部Ｂ及びＣは大きなビーム径でＩくタ
ーン部分を塗りつぶして露光を行うことから、第（１）
式のＳは大きくなり、結果として領域Ｂ及びＣの露光時
間は短くなり、従ってチップ全域の露光に要する時間を
著しく短縮することができる０例えば、この実總例で、
材料４衆面−こ塗布されたレジストの感度が５ＸＩＯ’
（ムｔｌｃ、♂）、電子ビームの電流１２Ｆｆがｓｏ（
ム／ｃｍ” ）であり、ム領域は一辺が１００声ｍの正
方形、Ｂ領域は一辺が１ ｗａｘの正方形で、各領域共
＆面積の２０１の１寸ターンを露光する場合、全体の露
光時間Ｔ３はｇｉｌｌ）式から次のとおりとなる。
−（＆５！ Ｘ ｔｏ’ ＋＆ｉ２ Ｘ １Ｇ暴＋ａ０
６ ｘ １０４ ） ｘｔｘｔｏ ’ ＝＝２５．８
ｓｅｃこの露光時間Ｔ意はＩＩＪ起した従来方法によ
る露光時間Ｔ、と比較して著しく短縮されたものである
◎尚）：適した夷總鉤では露光領域を３つに分割したが
、領域を２つあるいは４つ以上としても良く、又領域ム
、Ｂは＃科を移動させずに露光を行い、領域Ｃについて
は材料を移動させて露光を行っても嵐い０又各分割され
た領域は正方形となったが、艮方形等他の形状に分割す
るようにしても良い。
６ ｘ １０４ ） ｘｔｘｔｏ ’ ＝＝２５．８
ｓｅｃこの露光時間Ｔ意はＩＩＪ起した従来方法によ
る露光時間Ｔ、と比較して著しく短縮されたものである
◎尚）：適した夷總鉤では露光領域を３つに分割したが
、領域を２つあるいは４つ以上としても良く、又領域ム
、Ｂは＃科を移動させずに露光を行い、領域Ｃについて
は材料を移動させて露光を行っても嵐い０又各分割され
た領域は正方形となったが、艮方形等他の形状に分割す
るようにしても良い。
又露光時間の短縮のため、電子ビームの４１（面積Ｓ）
を大泰（シ、電子ビーム電＃ｌ脅度を一定６ζして各領
域を露光したが、＃科への電子ビームＩＥ流の増加によ
って該電流ＩＦ度りを＾め、その分電子ビームの走査速
度を速（しても全体の露光時間を短縮することができ６
０更に上記実總飼は屑線ベクター走査方式によって露光
を行ったが、ラスター走査方式にも本＠嘴を適用するこ
とができる。
を大泰（シ、電子ビーム電＃ｌ脅度を一定６ζして各領
域を露光したが、＃科への電子ビームＩＥ流の増加によ
って該電流ＩＦ度りを＾め、その分電子ビームの走査速
度を速（しても全体の露光時間を短縮することができ６
０更に上記実總飼は屑線ベクター走査方式によって露光
を行ったが、ラスター走査方式にも本＠嘴を適用するこ
とができる。
以と詳述した如（本発明による電子ビーム露光移動を伴
わずＩζ電子ビームの偏向だけによってチップ／くター
ン全体を露光する場合に使用して効果のあるもので、こ
の露光時間を極めて短くすることができる０
わずＩζ電子ビームの偏向だけによってチップ／くター
ン全体を露光する場合に使用して効果のあるもので、こ
の露光時間を極めて短くすることができる０
ｇｉｌｌは本発明を実施するための電子ビーム露光装置
のニガを示す図、第２９はｓｉｇＩに示した装置１ζよ
って露光されるチップｒ（ターンを示す図である。 １：電子銃、２：収束レンズ、６：対物レンズ、４：被
露光材料、５：制御回路、６，８，１１：Ｄム変換器、
７，９，１６：増幅器、１０：偏向コイル、１２：倍率
可変回路、１４ニブランキング回路、１５ニブランキン
グ電極、２０：対物レンズ絞り。 ｎＦ） ） 同 〜 禾
のニガを示す図、第２９はｓｉｇＩに示した装置１ζよ
って露光されるチップｒ（ターンを示す図である。 １：電子銃、２：収束レンズ、６：対物レンズ、４：被
露光材料、５：制御回路、６，８，１１：Ｄム変換器、
７，９，１６：増幅器、１０：偏向コイル、１２：倍率
可変回路、１４ニブランキング回路、１５ニブランキン
グ電極、２０：対物レンズ絞り。 ｎＦ） ） 同 〜 禾
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ 被露光材料の移動を伴うことなく電子ビームの偏向
によって露光する該材料上の領域を中心部と同辺部とＩ
Ｃ仮纏的に分割し、該中心部の露光時と繻辺部の露光時
における電子ビームの照射条件を変化させ、同辺部の露
光時には電子ビーム電流を増加させるようにした電子ビ
ーム露光方法。 Ｌ 該層辺部の露光時における該材料上の電子ビームの
径を大きくした特許請求の＠１１５１１項起鎮の電子ビ
ーム露光方法・ ＆ 縦目辺部の一光時における該材料上の電子ビームの
走査速度を速りシ？：峙許Ｉｌ求の範Ｉｍ蕗五項起鎮の
電子ビーム露光方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1803482A JPS58135641A (ja) | 1982-02-06 | 1982-02-06 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1803482A JPS58135641A (ja) | 1982-02-06 | 1982-02-06 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58135641A true JPS58135641A (ja) | 1983-08-12 |
Family
ID=11960380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1803482A Pending JPS58135641A (ja) | 1982-02-06 | 1982-02-06 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58135641A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6159827A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方式 |
| EP0245907A2 (en) * | 1986-05-16 | 1987-11-19 | Philips Electronics Uk Limited | Electron beam pattern generator control |
| JPH01143217A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-05 | Jeol Ltd | 電子ビーム描画装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5486262A (en) * | 1977-12-21 | 1979-07-09 | Toshiba Corp | Electron beam device |
| JPS5489579A (en) * | 1977-12-27 | 1979-07-16 | Toshiba Corp | Electron ray exposure system |
-
1982
- 1982-02-06 JP JP1803482A patent/JPS58135641A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5486262A (en) * | 1977-12-21 | 1979-07-09 | Toshiba Corp | Electron beam device |
| JPS5489579A (en) * | 1977-12-27 | 1979-07-16 | Toshiba Corp | Electron ray exposure system |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6159827A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方式 |
| EP0245907A2 (en) * | 1986-05-16 | 1987-11-19 | Philips Electronics Uk Limited | Electron beam pattern generator control |
| JPH01143217A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-05 | Jeol Ltd | 電子ビーム描画装置 |
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