KR100272478B1 - 전자빔묘화장치및그방법 - Google Patents

전자빔묘화장치및그방법 Download PDF

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Abstract

제1 빔성형 아퍼처 수단과 제2 빔성형 아퍼처 수단을 구비하고, 제 1 및/또는 제2 빔성형 아퍼처 수단이 반도체 기판에 묘화할 소정의 패턴에 대응하는 형상(들)의 개구부(들)를 구비하고 있는 전자빔 묘화장치, 및 이 장치를 이용하여 처리량을 개선할 수 있는 전자빔 묘화방법.

Description

전자빔 묘화장치 및 그 방법{ELECTRON BEAM-WRITING APPARATUS AND ELECTRON BEAM-WRITING METHOD}
본 발명은 반도체 기판에 다수의 원하는 패턴을 일괄하여 묘화할 수 있는 전자빔 묘화장치 및 이 장치를 이용한 전자빔 묘화방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 장치의 정밀도가 계속 향상됨에 따라, 반도체 장치의 제조에 이용된 리소그래피 기술은 광노광에서 전자빔 묘화(전자빔 노광)로 바뀌어 가고 있다. 전자빔 묘화는 높은 해상도를 가져다 주지만, 처리량이 낮은 문제점이 있다. 이러한 낮은 처리량에 관한 문제점을 해결하기 위하여, 일본 특개소 제 54-29981 호에 기술되어 있는 방법, 일괄 노광법, 블록별 노광법 또는 부분별 노광법 등으로 불리우는 방법들이 개발되었다. 상기 종래의 방법들 중 하나에서는, 전자총에서 방출된 전자빔이 제1 아퍼처 수단에 의해 장방형 빔으로 성형되고, 이 장방형 빔은 소기의 패턴이 형성된 제2 아퍼처 수단(전사 마스크)위에 조사되며, 상기 제2 아퍼처 수단을 통과한 소정 패턴의 전자빔은 묘화 (전사)를 위해 반도체 웨이퍼에 조사된다. 이 방법에 사용되는 대표적인 장치는 도 1에 개략적으로 도시되어 있다. 전자빔 발생원(2)에서 방출된 전자빔(3)은 제1 빔성형 아퍼처 수단(4)과 제2 빔성형 아퍼처 수단(8)에 의하여 성형되어 시료 스테이지(10)위에 위치한 시료(9)에 조사된다. 전자빔 발생원(2)에서 방출된 전자빔(3)은 가우스 분포(즉, 거의 원형단면을 가짐)를 갖고, 전자빔 조사영역(101)을 효과적으로 이용하기 위하여, 도 10에 도시된 바와 같이, 제1 빔성형 아퍼처 수단(100)의 개구부(102)는 정방형으로 되어 있다.
도 10에 도시된 제1 빔성형 아퍼처 수단(100)을 이용하므로써, 도 4에 도시된 바와 같이, 부분별 노광방법에 의해 메모리 장치의 셀패턴(40)이 시료(반도체 웨이퍼)(9)에 형성되며, 이 경우, 높은 처리량을 달성하기 위해, 제1 빔성형 아퍼처 수단(100)에 형성된 최대 묘화영역(110)(도 11 참조)이 이용되며, 제 2 빔성형 아퍼처 수단상의 패턴 (112)은, 예컨대, 도 11에 도시된 바와 같이, X 방향 7 패턴 및 Y 방향 3 패턴으로 구성된다. 이러한 단위 블록을 웨이퍼상에 반복적으로 묘화하므로써, 도 4에 도시된 바와 같은 메모리 장치의 셀패턴(40)이 형성된다. 메모리 장치의 셀패턴의 수는 통상 2n개다. 그러나, X 방향 7 패턴 및 Y 방향 3 패턴으로 구성된 단위 블록의 묘화를 반복하여 셀패턴(4)을 형성할 때, 형성되는 셀패턴의 수는 2n개가 아니고, 마지막 행 또는 열에서 패턴이 부족하거나 또는 패턴이 과다하게 된다. 따라서, 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 마지막 행과 열의 바로 전의 행과 열까지 부분별 묘화를 실행하고, 마지막 행과 열에는 가변적인 성형 묘화를 수행할 필요가 있다. 이러한 방법에서는, 부분별 묘화용의 패턴 샷 데이타(shot data) 외에도, 가변 성형 묘화를 위한 데이터 준비, 데이터 기획, 및 부분별 묘화와 가변 성형묘화간의 위치 부합 등이 필요하여, 조업 단계 및 시간이 증가하게 된다. 가변 성형 묘화를 위한 데이터 준비, 데이터 기획, 및 부분별 묘화와 가변 성형묘화간의 위치 부합에 요구되는 단계를 줄이기 위해서는, 묘화를 수행하는 데 사용된 단위 블록에서의 패턴의 수를 X 방향 4 패턴 및 Y 방향 2 패턴으로 구성된 블록(111)의 일례에서와 같이(도 11에 도시됨) 2n을 만족하는 수일 필요가 있다.
상술한 바와 같이, 도 11에 도시된대로, 최대 정방형 묘화영역(110)을 이용하여 묘화가 수행될 때, 21 패턴[7 패턴 (X 방향) × 3 패턴 (Y 방향)]이 묘화될 수 있고 만족스러운 묘화 처리량이 달성된다. 그러나 데이터 준비, 위치 부합 등에 요구되는 조업 단계면에 있어서는, 실제적인 묘화 처리량은 낮다.
장치의 각 패턴이 도 12에 도시된 바와 같이(도면부호 120은 최대 묘화영역) X 방향으로 길고 Y 방향으로 짧은 형상인 경우, 제2 빔성형 아퍼처 수단에 형성된 패턴(122)의 단위 블록(121)은 단위 블록에서의 패턴의 수가 2n(도 12에서는 22= 4)가 되도록 장방형 (X 방향으로 길고 Y 방향으로 짧은) 이어야 한다. 단위 블록이 정방형이면, 묘화 영역은 불가피하게 X 방향으로 부족하고 Y 방향으로는 과다하게 된다. 마찬가지로, 장치의 각 패턴이 도 13에 도시된 바와 같이(도면부호 130은 최대 묘화영역) X 방향으로 짧고 Y 방향으로 긴 형상인 경우, 제2 빔성형 아퍼처 수단에 형성된 패턴(132)의 단위 블록(131)은 단위 블록에서의 패턴의 수가 2n(도 13에서는 22= 4)가 되도록 장방형 (X 방향으로 짧고 Y 방향으로 긴) 이어야 한다. 단위 블록이 정방형이면, 묘화 영역은 불가피하게 Y 방향으로 부족하고 X 방향으로는 과다하게 된다. 데이터 준비, 위치 부합 등에 필요한 공정단계의 감축이 요망되는 경우, 정방형 블록(121 또는 131)을 이용하고 샷(shot)의 수를 증가시킴으로써 상기 감축을 달성할 수 있다. 일본특개소 제 3-64016 호에 기술된 도 14의 경우, 한쌍의 패턴이 X 방향으로 길고, 따라서, 정방형 최대 묘화영역이 이용될 때, X 방향의 패턴 개수가 적다. 결과적으로 단위 묘화 블록은 불가피하게 장방형(X>Y)이다. 그러나 이러한 유형의 묘화에서, 한쌍의 패턴을 형성하기 위해 두 샷(shot)이 필요하여, 처리량이 더욱 낮아지게 된다.
도 1에 도시된 종래의 전자빔 묘화장치에서는, 도 10 에 도시된 바와 같이, 제1 빔성형 아퍼처 수단은 전자빔 조사영역(101) (조사된 전자빔의 가우스 분포에 의하여 원형을 가짐)을 효율적으로 이용하기 위해 정방형을 갖는다. 메모리 장치의 패턴 형성이 부분별 묘화법(또는 원샷 묘화법)에 의해 수행되는 경우, 패턴 데이터 준비, 부분별 묘화영역과 가변 성형묘화 영역간의 위치 부합 등에 요구되는 단계를 줄이기 위해 단위 블록에서의 패턴의 개수는 2n이다. 원샷이 각각 2n개의 패턴(도 11, 도 12, 도 13 및 도 14에 단위 블록이 예시되어 있음)을 갖는 다수의 단위 블록을 갖도록 허용되는 경우, 그 묘화 영역은 도 11 또는 도 13에서는 Y 방향으로 도 12 또는 도 14에서는 X 방향으로 다소 부족하다. 따라서, 원샷이 다수의 작은 단위 블록을 포함하도록 하는 것이 곤란하였다. 이는 원샷이 단 하나의 단위블록만을 포함하도록 하여, 높은 묘화 처리량을 달성하는 것이 불가능하였다. 또한, 도 14에 도시된 패턴에서는, X 방향으로 보조 패턴이 있으므로, Y 방향의 패턴 개수가 X 방향의 패턴 개수에 비하여 적어서, 높은 처리량을 달성하기가 불가능하다.
본 발명의 목적은 묘화 영역을 최적화하여 높은 처리량을 달성할 수 있는 전자빔 묘화장치와 이 장치를 이용한 전자빔 묘화방법을 제공하는 것이다.
도 1 은 본 발명 또는 종래 기술에 따른 전자빔 묘화장치에 대한 제1 구현예를 도시한 개략도.
도 2 는 본 발명의 제1 빔성형 아퍼처 수단에 대한 제1 구현예를 도시한 평면도.
도 3 은 본 발명의 제2 빔성형 아퍼처 수단에 대한 제1 구현예를 도시한 평면도.
도 4 는 본 발명 또는 종래 기술에 따라 반도체 기판에 형성된 패턴에 대한 평면도.
도 5 는 본 발명의 제1 빔성형 아퍼처 수단에 대한 제2 구현예를 도시한 평면도.
도 6 은 본 발명의 제2 빔성형 아퍼처 수단에 대한 제2 구현예를 도시한 평면도.
도 7 은 본 발명에 따라 전자빔 묘화장치의 제2 구현예의 일부를 도시한 단면도.
도 8 은 본 발명의 제1 빔성형 아퍼처 수단에 대한 스테이지의 일구현예를 도시한 사시도.
도 9 는 본 발명의 제1 빔성형 아퍼처 수단에 대한 스테이지의 다른 일구현예를 도시한 사시도.
도 10 은 종래 기술에 따른 제1 빔성형 아퍼처 수단을 설명하기 위한 평면도.
도 11 은 종래 기술에 따른 제1 및 제2 빔성형 아퍼처 수단을 설명하기 위한 평면도.
도 12 는 종래 기술에 따른 제1 및 제2 빔성형 아퍼처 수단을 설명하기 위한 평면도.
도 13 은 종래 기술에 따른 제1 및 제2 빔성형 아퍼처 수단을 설명하기 위한 평면도.
도 14 는 종래 기술에 따른 제2 빔성형 아퍼처 수단을 설명하기 위한 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 전자빔 묘화장치 2, 70 : 전자빔 발생원
3, 71 : 전자빔 4, 72 : 제1 빔성형 아퍼처 수단
5, 73 : 빔성형 렌즈 6, 74 : 빔편향기
7, 75 : 스테이지 8, 76 : 제2 빔성형 아퍼처 수단
9 : 시료 10 : 시료 스테이지
11 : 스테이지 21 : 빔조사 영역
22 : 개구부 31 : 빔유효 영역
32 : 패턴 40 : 메모리 셀패턴
상기 본 발명의 목적은, 전자빔을 성형하기 위해 적어도 하나의 개구부를 갖는 제1 빔성형 아퍼처 수단과, 상기 제1 빔성형 아퍼처 수단에 의해 성형된 전자빔을 더욱 성형하기 위해 적어도 하나의 개구부를 갖는 제2 빔성형 아퍼처 수단을 포함하여 소정의 패턴을 묘화할 수 있고, 상기 제1 및/또는 제2 빔성형 아퍼처 수단은 묘화할 소정의 패턴에 대응하는 형상(들)의 개구부(들)를 구비하고 있는 전자빔 묘화장치에 의해 달성될 수 있다.
또한 상기 본 발명의 목적은, (1) 적어도 하나의 개구부를 구비한 제1 빔성형 아퍼처 수단을 이용하여 전자빔을 성형하는 단계, (2) 적어도 하나의 개구부를 구비한 제2 빔성형 아퍼처 수단을 이용하여, 상기 제1 빔성형 아퍼처 수단에 의해 성형된 전자빔을 더욱 성형하여 소정의 패턴을 묘화하는 단계를 포함하고, 상기 제1 및/또는 제2 빔성형 아퍼처 수단은 묘화할 소정의 패턴에 대응하는 형상(들)의 개구부(들)를 구비하고 있는 전자빔 묘화방법에 의해 달성될 수 있다.
본 발명의 전자빔 묘화장치에서는, 제1 빔성형 아퍼처 수단의 개구부 형상이 정방형이 아니며, 제조된 장치에 대응하도록 허용되거나, 또는, 제2 빔성형 아퍼처 수단의 개구부에 형성된, 패턴의 단위 블록의 형상에 대응하도록 허용된다. 상기 제조된 장치가, 예를 들어, X 방향으로 짧고 Y 방향으로 긴 경우, 제2 빔성형 아퍼처 수단에 형성된, 패턴의 단위 블록은 X 방향으로 짧고 Y 방향으로 길어야 하며, 따라서 제1 빔성형 아퍼처 수단의 X 와 Y 의 비율은 X<Y 가 된다. 또한, 제1 빔성형 아퍼처 수단에 대한 스테이지는 움직일 수 있도록 되어 있으며, 그 운동은 외부에서 입력된 신호에 의해 제어된다.
본 발명의 전자빔 묘화장치에서, 제1 빔성형 아퍼처 수단의 개구부 형상은 제2 빔성형 아퍼처 수단의 개구부 형상에 대응할 수 있도록 되어, 전자빔 조사영역의 형상이 효과적으로 바뀐다. 따라서, 도 11, 도 12, 도 13, 또는, 도 14에서, 패턴(112, 122, 132 또는 140)의 일부가 종래의 정방형 최대 묘화영역(110, 120, 또는 130 등)에 포함되지 않는 반면에, 본 발명에서는 약 2개의 단위 블록의 원샷 묘화(one shot writing)가 가능하고 어떤 패턴도 최대 묘화영역으로부터 배제되지 않는다.
본 발명에서는, 전자빔이 원형의 빔조사 영역에서 효율적으로 이용되므로 처리량이 증대된다. 처리양의 증대는 결국 생산성 향상과 단가 절감으로 이어진다. 또한, 예를 들어, 제1 빔성형 아퍼처 수단에 대한 스테이지가 외부로부터 제어할 수 있는 X-Y 스테이지, X-Y-Z 스테이지, 회전 스테이지 등과 같은 고정밀도 스테이지이므로, 제1 빔성형 아퍼처 수단의 다수의 개구부로부터 개구부의 선정이 용이하게 된다.
첨부 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다. 도 1은 본 발명의 제1 실시예인 전자빔 묘화장치(1)에 대한 개략도이다. 이 전자빔 묘화장치(1)내에는 전자빔 발생원(2)이 내장되어 있다. 상기 발생원에서 방출된 전자빔(3)은 스테이지(11)위에 위치한 제1 빔성형 아퍼처 수단(4)에 조사된다. 스테이지(11)아래에는 빔성형 렌즈(5)와 빔편향기(6)가 구비되어 있다. 그 아래에는 스테이지(7)위에 위치한 제2 빔성형 아퍼처 수단(8)이 설치되어 있다. 그 밑에 다시 빔성형 렌즈(5)와 빔편향기(6)가 설치되어 있다. 상기 성형된 전자빔은 제2 빔성형 아퍼처 수단(8)상에서의 빔보다 작은 크기로 시료 스테이지(10)에 위치한 시료(9)에 조사되므로써, 시료(9)에 묘화가 수행된다. 도 2는 제1 빔성형 아퍼처 수단(4)의 표면 상태를 도시한 평면도이고, 도 3은 제2 빔성형 아퍼처 수단(8)의 표면상태를 도시한 평면도이다. 전자빔 묘화장치(1)는 도 2의 제1 빔성형 아퍼처 수단(4)과 도 3의 제2 빔성형 아퍼처 수단(8)을 조합하여 사용한다.
이어서, 관련 도면을 참조하여 상기 제1 실시예의 동작을 설명한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 전자빔 묘화장치(1)내에는 전자빔 발생원(2)이 내장되어 있다. 이 전자빔 발생원(2)에서 방출된 전자빔(3)은 가우스 분포로 분산된다. 상기 분산된 전자빔(3)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 거의 원형으로 제1 빔성형 아퍼처 수단(4)의 빔조사 영역(21)에 조사되고, 제1 빔성형 아퍼처 수단(4)의 개구부(22)에 의해 장방형(X<Y)으로 성형된다. 이어서, 상기 성형된 빔은 빔성형 렌즈(5)와 빔편향기(6)를 통과하여, 도 3에 도시된 바와 같이, 장방형(X<Y)으로 제2 빔성형 아퍼처 수단(8)에 조사된다(도면부호 31은 빔유효 영역). 상기 빔은 제2 빔성형 아퍼처 수단(8)에 의해 제2 빔성형 아퍼처 수단(8)의 패턴(32) 형상으로 성형된다. 상기 성형된 빔은 빔성형 렌즈(5)와 빔편향기(6)를 통과하여 제2 빔성형 아퍼처 수단(8)에서의 빔 크기보다 작은 크기로, 시료 스테이지(10)상에 위치한 시료(9)(반도체 기판)로 전송된다. 시료 스테이지(10)를 이용하여 시료(9)가 X 및 Y 방향으로 이동하는 동안 상기 빔전송이 반복되므로써, 도 4의 메모리 셀패턴(40)이 시료(9)상에 형성된다. 본 실시예에서, 제2 빔성형 아퍼처 수단(8)의 패턴은 도 4에 도시된 메모리 셀패턴의 일부이다. 부분별 묘화법으로 모든 메모리 셀패턴이 형성되기 때문에, 단위 블록의 패턴 개수(원샷)는 24(16)개이다. 즉, 16 패턴으로 구성된 단위 블록을 반복하여 전체 메모리 셀패턴을 묘화한다.
따라서, 본 실시예에서는, 제1 빔성형 아퍼처 수단의 형상은 제2 빔성형 아퍼처 수단의 형상에 대응하도록 제조된다. 따라서 도 11, 도 12, 또는, 도 13에서, 패턴(112, 122, 또는 132)의 일부가 종래의 정방형 최대 묘화영역(110, 120, 또는, 130)에 포함되지 않는 반면에, 본 실시예에서는 약 2개의 단위 블록의 원샷 묘화가 가능하고 어떤 패턴도 최대 묘화영역으로부터 배제되지 않는다. 이는 결국 처리량의 상승으로 이어지게 된다.
다음에, 도 5와 도 6를 참조하여 본 발명의 제2 실시예를 설명한다. 도 5는 제1 빔성형 아퍼처 수단의 표면 상태를 도시한 평면도이고, 도 6는 제2 빔성형 아퍼처 수단의 표면 상태를 도시한 평면도이다. 도 6의 제2 빔성형 아퍼처 수단(60)에는 각각의 패턴으로 구성된 4종류의 블록이 도시되어 있다. 도 5의 제1 빔성형 아퍼처 수단(50)에는 4개의 다른 개구부(52), 즉 4개의 각기 다른 제2 빔성형 개구부와 대응하도록 장방형 개구부(X<Y), 장방형 개구부(X>Y), 경사진 장방형 개구부 및 정방형 개구부가 형성되어 있다. 시료에 묘화가 행해질 때에는, 도 6의 제2 빔성형 아퍼처 수단의 한 블록(이 패턴이 시료에 묘화되어야 함)에 대응하도록 도 5의 제1 빔성형 아퍼처 수단의 한 개구부가 선정되고, 이 두 개의 개구부가 조합으로 사용된다.
도 5에 도시된 제1 빔성형 아퍼처 수단(50)은 여러 종류(도 5에서는 4종류)의 개구부(52)(도면부호 51은 각 빔유효 영역)를 갖는다. 도 6의 제2 빔성형 아퍼처 수단의 한 블록(이 블록의 패턴이 시료에 묘화되어야 함)에 대응하도록 하나의 개구부(52)가 선정되어야 한다. 도 7는 상기와 같이 한 개구부(52)의 선정이 가능한 전자빔 묘화장치의 개략도이다. 그러나 도 7에는 제1 및 제2 빔성형 아퍼처 수단(72, 70)의 스테이지(77, 75)를 포함하는 장치의 일부만이 도시되어 있고, 장치의 다른 부분은 도 1의 전자빔 묘화장치에서와 동일하다. 즉, 도 7의 전자빔 묘화장치는 전자빔 발생원(70), 전자빔(71)의 성형을 위한 제1 빔성형 아퍼처 수단(72), 빔성형 렌즈(73), 빔편향기(74) 및 제2 빔성형 아퍼처 수단(76)을 구성한다. 도 7의 전자빔 묘화장치에서, 제1 빔성형 아퍼처 수단(72)에 대한 스테이지(77)는 외부의 제어시스템에 접속된 라인(78)을 통해 전송된 전기 신호에 의해 움직일 수 있도록 되어 있다. 도 8는 제1 빔성형 아퍼처 수단에 대한 스테이지(77)의 구조를 구체적으로 도시한 사시도이며, 여기에서 X 및 Y 방향으로 움직일 수 있는 스테이지(77)위에 제1 빔성형 아퍼처 수단(81)이 구비되어 있다. 도 6에 도시된 제2 빔성형 아퍼처 수단의 한 블록(이 블록의 패턴이 묘화되어야 함)에 대응하도록 스테이지(77)를 이동시키므로써, 제1 빔성형 아퍼처 수단(81)의 한 개구부(82)가 선정된다. 스테이지(77)의 이동은 외부 제어시스템에 접속된 라인(78)을 통해 수행된다. 도 9는 제1 빔성형 아퍼처 수단에 대한 스테이지(77)의 다른 실시예를 도시하고 있다. 도 9에서 XY 스테이지(77)상에 회전 스테이지(91)가 구비되어 있어서 여러 종류의 제1 빔성형 아퍼처 수단(92)중의 하나 및 여러 종류의 개구부(93)중의 하나를 모두 선정할 수 있다. 상기 설명에서는 X 및 Y 방향으로만 움직일 수 있는 스테이지가 언급되어 있으나, Z 방향으로 움직일 수 있는 스테이지가 부가적으로 사용될 수 있다.
본 실시예에서는 한 장의 빔성형 아퍼처 수단을 사용하여 여러 종류의 장치 패턴을 형성할 수 있으므로 빔성형 아퍼처 수단의 교체(교환)가 필요없어 시간이 절약된다.

Claims (5)

  1. 전자빔을 형성하는 전자빔 발생원 (2),
    제 1 스테이지 (11) 상에 놓이며, 상기 전자빔 발생원 (2) 에서 방출된 전자빔 (3) 을 1차 성형하기 위하여 적어도 하나의 개구부를 갖는 제 1 빔성형 아퍼처 수단 (4),
    제 2 스테이지 (7) 상에 놓이며, 상기 제 1 빔성형 아퍼처 수단에 의하여 성형된 빔을 2차 성형하여 소정의 패턴을 묘화할 수 있는 적어도 하나의 개구부를 갖는 제 2 빔성형 아퍼처 수단 (8),
    상기 제 1 빔성형 아퍼처 수단과 상기 제 2 빔성형 아퍼처 수단에서 성형된 빔을 광학적으로 조사하기 위한 복수의 광학수단 (5, 6), 및
    상기 제 2 빔성형 아퍼처 수단에 의하여 성형된 빔에 의하여 묘화될 시료 (9) 를 지지하는 시료 스테이지 (10) 를 포함하며,
    상기 제 1 및/또는 제 2 빔성형 아퍼처 수단은 묘화할 소정의 패턴에 대응하는 형상의 개구부들을 구비하고,
    상기 제 1 빔성형 아퍼처 수단의 개구부들의 형상은 상기 제 2 빔성형 아퍼처 수단의 개구부들의 패턴에 대응하는 것을 특징으로 하는 전자빔 묘화장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 빔성형 아퍼처 수단이 각기 다른 형상의 다수의 개구부를 가지고, 이들 개구부중의 하나의 선정이 외부의 제어수단에 의해 이루어 짐을 특징으로 하는 전자빔 묘화장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 스테이지는 X, Y, Z 방향으로 이동가능하며, 상기 제 1 스테이지의 이동 및 상기 제 1 빔성형 아퍼처수단의 개구부의 선정은 상기 외부의 제어수단에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자빔 묘화장치.
  4. (1) 적어도 하나의 개구부를 구비한 제1 빔성형 아퍼처 수단을 이용하여 전자빔을 성형하고, (2) 적어도 하나의 개구부를 구비한 제2 빔성형 아퍼처 수단을 이용하여 상기 제1 빔성형 아퍼처 수단에 의해 성형된 전자빔을 더욱 성형하여 소정의 패턴을 묘화하고, 상기 제1, 제2, 또는 제 1 및 제2 빔성형 아퍼처 수단이 묘화할 소정의 패턴에 대응하는 형상(들)의 개구부(들)를 구비하고 있음을 특징으로 하는 전자빔 묘화방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제1 빔성형 아퍼처 수단의 개구부(들)의 형상(들)이 상기 제2 빔성형 아퍼처 수단의 개구부(들)의 형상(들)에 대응함을 특징으로 하는 전자빔 묘화방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3047294B1 (ja) * 1999-02-26 2000-05-29 株式会社日立製作所 電子ビ―ム描画方法および描画装置、ならびにそれを用いて製作したデバイス
JP2006126823A (ja) * 2004-09-30 2006-05-18 Fujitsu Ltd 可変矩形型電子ビーム露光装置及びパターン露光・形成方法
US20060076513A1 (en) * 2004-09-30 2006-04-13 Fujitsu Limited Variable rectangle-type electron beam exposure apparatus and pattern exposure-formation method
JP2006128564A (ja) * 2004-11-01 2006-05-18 Toshiba Corp 荷電ビーム露光装置および荷電ビーム制御方法
KR102573668B1 (ko) 2018-09-17 2023-09-06 삼성전자 주식회사 전기적 연결 장치 및 그것을 포함하는 전자 장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1598219A (en) 1977-08-10 1981-09-16 Ibm Electron beam system
US4167676A (en) * 1978-02-21 1979-09-11 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Variable-spot scanning in an electron beam exposure system
JPH0364016A (ja) 1989-08-02 1991-03-19 Hitachi Ltd 電子ビーム描画方法および描画用アパーチヤ
JP2936102B2 (ja) 1990-07-06 1999-08-23 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光装置及び荷電粒子ビーム露光方法
JPH04137520A (ja) * 1990-09-28 1992-05-12 Hitachi Ltd 電子線描画装置および描画方法
JP3338899B2 (ja) 1992-11-02 2002-10-28 富士通株式会社 荷電粒子露光用マスクの製造方法
JP3192500B2 (ja) * 1992-11-19 2001-07-30 株式会社日立製作所 電子線描画方法および電子線描画装置
JP2746098B2 (ja) 1994-01-19 1998-04-28 日本電気株式会社 電子ビーム描画用アパーチャおよび電子ビーム描画方法
DE69615721T2 (de) * 1995-03-17 2002-08-08 Ebara Corp Herstellungsverfahren mit einem Energiebündel

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