JP3047294B1 - 電子ビ―ム描画方法および描画装置、ならびにそれを用いて製作したデバイス - Google Patents

Abstract

【要約】 【課題】リアルタイム追従偏向量を非常に小さく押さ
え、グリッジノイズの生じない範囲のみで描画を行いグ
リッジノイズの影響のない高精度な描画を行う。 【解決手段】追従偏向量演算部６でショット座標との差
分に偏向歪補正を演算した後、試料台位置の追従偏向量
を図形描画（ショット）のタイミングでサンプリングし
た追従偏向量（同期追従偏向量）と同期追従偏向量を原
点としたリアルタイム追従偏向量とに分割し、同期追従
偏向量はショットのタイミングと同期してレジスタ１
３、ディジタル演算器２１、ＤＡ変換器１５から出力す
る。また、リアルタイム追従偏向量は、ディジタル演算
器１４、ＤＡ変換器１６を介してリアルタイムで出力す
る。アナログ加算器１７でパターンジェネレータ１から
の描画偏向データとともに前記両追従偏向量を加算し、
偏向器を駆動する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、試料台を連続的に
移動しながら描画を行う電子ビーム描画方法およびそれ
を用いる装置とデバイスに関し、特にＤＡ変換器のグリ
ッジノイズによる描画精度劣化を防止でき、かつ追従領
域持ち替え回数を低減できる電子ビーム描画方法および
描画装置、ならびにそれを用いて製作されたデバイスに
関する。

【０００２】

【従来の技術】電子ビーム描画装置の高スループット化
の手法の一つとして、試料台を連続的に移動させながら
描画を行う連続移動描画があげられる。連続移動描画を
行うには、先ず試料台の移動量を検出し、次にその移動
量をリアルタイムで電子ビームの偏向にフィードバック
する追従制御が必須である。追従制御の公知例として
は、例えば、Continuous writing method for high spe
ed electron-beam directwriting system HL-800D(J.Va
c.Sic.Technol.B11(6))があげられる。図３は、上記従
来例における追従制御方法の説明図である。図３の動作
を説明する。試料台１２を連続的に移動しながら、電子
ビーム１０で試料台１２上の試料１１に描画を行ってい
る。先ず、レーザ干渉計２により描画試料１１を搭載し
た試料台１２の座標を測定する。追従データ演算部６
は、試料台１１の座標と電子ビームを照射すべき座標と
のずれ量に相当する偏向量、すなわち追従偏向データを
演算する。パターンジェネレータ１は、試料１１を含め
て種々のデバイスのパターンデータを発生することがで
きる。パターンジェネレータ１が出力する描画偏向デー
タおよび追従偏向データ演算部６が出力する追従偏向デ
ータは、それぞれＤＡ変換器７および８によりアナログ
量に変換される。これら二つのアナログ量をアナログ加
算器９により加算したのちに偏向器５に入力し、この偏
向器５により電子ビーム１０を描画試料１１上の所望の
位置に偏向する。

【０００３】演算部６が演算する追従偏向データの更新
周期は、試料台１２の移動速度と必要とされる描画精度
から決定される。すなわち、試料台１２の移動速度が早
いほど、また描画精度が高いほど、更新の周期は短かく
なる。上記従来例の場合には、１００ｎｓ周期（１０Ｍ
Ｈｚ）で追従偏向データを更新している。また、描画偏
向に用いるＤＡ変換器７と追従偏向に用いるＤＡ変換器
８は必要とされる性質が異なるため、それぞれ専用のＤ
Ａ変換器７，８を設けている。すなわち、描画偏向に用
いるＤＡ変換器７は、電子ビームの照射（ショット）タ
イミングに同期して動作し、その出力が整定した後に電
子ビームを照射する。したがって、ＤＡ変換器７の整定
時間は描画の無駄時間となるため応答性を速くしなけれ
ばならない。一方、追従偏向に用いるＤＡ変換器８は、
ＤＡ変換器７よりも短い周期、すなわち電子ビームを照
射中にデータを更新する必要がある。そのため、ＤＡ変
換器の出力変化時に生じるグリッジノイズの小さいＤＡ
変換器を用いている。また、追従偏向による偏向量が一
定値を越えた場合、追従偏向量を上位の偏向器２３の偏
向量に追従偏向の偏向量を加算し、追従偏向の偏向量を
初期値に戻すという追従領域持ち替え動作を行う。すな
わち、図３に示す上位の偏向器２３の方が下位の偏向器
５よりも大きな偏向範囲を有するため、偏向量が一定値
を越えると、追従偏向データ演算部６からパターンジェ
ネレータ１を経て偏向器２３用のＤＡ変換器２２に追従
偏向データを転送するとともに、追従偏向データ演算器
６で演算した値を０に戻す。上述のような描画方法によ
り、試料台１２の移動量をリアルタイムに電子ビーム１
０の偏向にフィードバックすることができるので、試料
台１２を連続移動させながら、高速かつ高精度に描画を
行うことが可能となる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前述のように、電子ビ
ーム描画装置では、電子ビームの偏向にＤＡ変換器を用
いている。ＤＡ変換器は一般に複数の重みの違う電流源
で構成されており、各電流源をオン／オフするためのス
イッチが付いている。この複数の電流源の中から必要な
値を選択し、選択された出力を加算して出力することに
より、任意の大きさの出力を得ることができる。しかし
ながら、各スイッチには動作時間にバラツキがあるた
め、データが切り替わったときに意図しない大きさの電
流が出力される場合がある。これをグリッジノイズと呼
んでいる。グリッジノイズの大きさは、動作したスイッ
チの数とそれによって切り替わる電流源の大きさによっ
て決まる。したがって、入力データの全ビットが反転す
る１／２フルスケールのときに最大のグリッジノイズが
発生する。例えば、２進数４ビット（４個のスイッチ）
でフルスケール１５を表わすと、最大値は‘１１１１’
（１０進数の１５）、最小値は‘００００’（同じく
０）であり、１／２フルスケールでは７と８の中間であ
るため、‘０１１１’から‘１０００’に切り替わる時
点で全ビットが入れ換えとなり、全スイッチの切り替え
タイミングの不一致が生じるために、最大のグリッジノ
イズが発生することになる。このように、グリッジノイ
ズの発生はＤＡ変換器の構造上の問題であるため、グリ
ッジノイズを小さくすることは非常に難しい。なお、フ
ィルタを挿入することにより、グリッジノイズを小さく
することができるが、応答が遅くなるので実用できない
ことがある。

【０００５】試料台連続移動方式の電子ビーム描画装置
の電子ビームの偏向は、描画のための描画偏向と追従制
御のための追従偏向に大別することができる。描画偏向
は、ＤＡ変換器に偏向データを設定し、その出力が整定
するまでの間、ビームはオフになっている。したがっ
て、出力の遷移時に生じるグリッジノイズは描画結果に
影響をおよぼさない。一方、試料台の移動量をフィード
バックする追従偏向は、連続的に移動している試料台の
移動量を電子ビームの偏向により補正するための偏向で
ある。そのため、図３では、ＤＡ変換器８においてグリ
ッジノイズが発生することになる。高精度な追従偏向を
行うためには、短い周期で追従偏向データを更新するこ
とが必要である。したがって、追従偏向データは、図形
描画の周期よりも短い周期でデータを更新する必要があ
り、電子ビームを照射中にもデータを更新している。追
従偏向データがＤＡ変換器の大きなグリッジノイズが生
じるデータになった場合、グリッジノイズの影響により
描画位置ずれが生じ、描画精度を劣化させる。したがっ
て、グリッジノイズが描画に影響を与えない程度の大き
さの範囲でＤＡ変換器を用いるように、追従偏向の範囲
を制限する必要がある。しかし、追従偏向の範囲が狭く
なると、追従領域持ち替えの回数が増加し、そのとき生
じる無駄時間により描画速度の低下を招くという問題が
あった。

【０００６】そこで、本発明の目的は、これら従来の課
題を解決し、追従偏向に用いるＤＡ変換器のグリッジノ
イズによる描画精度劣化を防止して、高精度な描画を行
うことが可能であり、また追従の範囲を大きくして、追
従領域の持ち替えの回数を減らし、高速度な描画が可能
な電子ビーム描画方法および描画装置を提供することに
ある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の電子ビーム描画装置では、試料台位置と電
子ビームを照射すべき位置とのずれ量を求める手段（図
４の６）と、求めたずれ量を電子ビームを照射するタイ
ミングに同期して補正する第１の追従補正手段（同１
３，２１，１５）と、第１の追従補正手段による補正量
を原点としてそこからの変動量を第１の追従補正手段の
補正周期よりも短い周期で補正する第２の追従補正手段
（同６，１４，１６）とを具備し、第１の追従補正量お
よび第２の追従補正量を図形描画のための電子ビームの
偏向量に加算して出力することにより、試料台位置と電
子ビームを照射すべき位置とのずれ量を補正する。ま
た、本発明の電子ビーム描画方法では、移動した試料台
位置と電子ビームを照射すべき位置とのずれ量を演算し
（図６の１０２）、演算されたずれ量を電子ビームを照
射するタイミングに同期してサンプリングし、サンプリ
ングしたずれ量を電子ビームの偏向により補正する第１
の追従補正量を演算し（同１０３，１０４）、第１の追
従補正量を原点としてそこからの変動量を上記第１の演
算器の演算周期より短い周期で第２の追従補正量を演算
し（同１０６）、第１および第２の追従補正量と、パタ
ーンジェネレータにより演算された描画偏向データ量と
を加算器で加算し（同１１０）、加算された偏向データ
量により偏向器を駆動する（同１１１）。これによっ
て、電子ビームを照射中に短い周期で動作する第２の追
従補正手段により補正する量をわずかな量に押さえるこ
とができ、グリッジノイズを防止することができるとと
もに、第１の追従補正量および第２の追従補正量にそれ
ぞれオフセットを加えることにより、グリッジの大きな
ビットパターンを避けることができ、かつ追従の範囲を
大きくして追従領域持ち替えの回数を減らすことができ
る。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を、図面に
より詳細に説明する。図１は、本発明の電子ビーム描画
装置の基本的な構成図であり、図２は本発明の動作波形
を示す図である。電子ビーム描画装置の基本的な構成要
素は、描画偏向データを出力するパターンジェネレータ
１、試料台の座標を計測するレーザ干渉計２、追従偏向
量を演算する追従偏向量演算部３、加算器４および偏向
器５により構成される。レーザ干渉計２は、試料台の座
標を計測して、その結果を追従量演算部３に出力する。
パターンジェネレータ１から追従偏向量演算部３には、
図形偏向データが出力される。追従偏向量演算部３で
は、まず、試料台座標と図形偏向データより電子ビーム
を照射すべき座標（ショット座標）と試料台座標のずれ
量に相当する電子ビームの偏向量を演算し、偏向歪み補
正を行い追従偏向量を求める。追従偏向量は、連続的に
一方向に移動する試料台の移動量を反映するので、その
値は図２−２０１に示すような順々に増加する波形にな
る。次に、試料台座標とショット座標のずれ量を電子ビ
ームを照射するタイミング（ショットタイミング、図２
−２０２）に同期してサンプリングする。ここで、サン
プリングした追従偏向量をショット同期追従量とする。
ショット同期追従量は、図２の２０３に示すようにショ
ットタイミング毎に変化する値の波形となる。

【０００９】さらにショット同期追従量を原点とし、そ
こからの変化量、すなわち電子ビームを照射している間
の追従偏向量の変化量をリアルタイム追従量とし、ショ
ットタイミングの周期よりも短い周期で演算する。リア
ルタイム追従量は、図２の２０４に示すような短い周期
で偏向量を変える波形となる。ショット同期追従量およ
びリアルタイム追従量は、加算器４により加算されて、
加算された追従量により偏向器５を駆動して電子ビーム
を偏向する。このような方法で追従制御を行うことによ
り、電子ビームを照射している間にその値が変化するリ
アルタイム追従量を非常に小さな値におさえることがで
きる。その結果、リアルタイム追従偏向に用いるＤＡ変
換器をグリッジノイズが小さい範囲のみで用いることが
でき、高精度な追従制御が可能となる。説明を簡単にす
るために、前例のように２進数４ビット（４個のスイッ
チ）でフルスケール１５を表わすＤＡ変換器を考える
と、最大値の‘１１１１’（１０進数の１５）と最小値
の‘００００’（同じく０）の間で、下２ビットのスイ
ッチのみが切替わる範囲の変化に押さえれば、切り替え
タイミングの不一致が生じたとしても大きなグリッジノ
イズは発生しない。

【００１０】（第１の実施例）図４は、本発明の第１の
実施例を示す電子ビーム描画装置の構成図である。レー
ザ干渉計２は、試料台１２の座標を計測して、その計測
量を追従偏向データ演算部６に出力する。試料台１２の
追従制御は、その移動量をリアルタイムで電子ビームの
偏向量にフィードバックする必要があるため、図形描画
に関する動作と独立して動作している。レーザ干渉計２
が出力する試料台座標データの更新周期は、追従制御に
要求される精度と試料台の移動速度から決定される。例
えば、試料台１２の最高速度を１００ｍｍ／ｓ、追従制
御に要求されるを精度を１０ｎmとすると、１００ｎｓ
周期でデータを更新する必要がある。

【００１１】追従偏向データ演算部６は、試料台座標と
ショット座標との差分に偏向歪み補正を行った追従偏向
データを演算し、その演算結果をレジスタ１３およびデ
ィジタル演算器１４に出力する。レジスタ１３のラッチ
タイミングは、ショットタイミングに同期しており、こ
こで格納したデータをショット同期追従データとする。
すなわち、追従偏向データ演算部６は、短い周期で演算
を行ってその結果をレジスタ１３に出力するが、レジス
タ１３ではそれよりも長い周期のショットタイミングに
同期して、演算結果をラッチする。いま、（ショット同
期追従データ）をＡとし、（追従偏向データ）をＢと
し、（オフセット値）をＣと置くと、図４に示すよう
に、レジスタ１３の出力にＡが、追従偏向データ演算部
６の出力にＢが、オフセット端子（Ｏｆｆｓｅｔ）にＣ
が、それぞれ与えられることになる。２つのディジタル
演算器２１と１４は、それぞれ下記のような演算を行
い、各ＤＡ変換器１５および１６に出力する。

【００１２】すなわち、ディジタル演算器２１はＡ−Ｃ
を演算して、その結果をＤＡ変換器１５に出力する。一
方のディジタル演算器１４は、Ｂ−Ａ＋Ｃを演算して、
その結果をＤＡ変換器１６に出力する。ここでは、ディ
ジタル演算器１４で演算されたデータをリアルタイム追
従データとする。このようにディジタル演算器２１で演
算された（Ａ−Ｃ）と、ディジタル演算器１４で演算さ
れた（Ｂ−Ａ＋Ｃ）とがアナログ加算器１７で加算され
たとき、その和は追従偏向データＢのみが残ることにな
る。リアルタイム追従データは、１回の電子ビームを照
射している時間内の試料台の移動量となるため、非常に
小さな値となる。例えば、試料台の移動速度を１００ｍ
ｍ／ｓ、電子ビームの１回あたりの照射時間を１μｓと
すると、リアルタイム追従量は最大で１００ｎｍとな
る。パターンジェネレータ１は、描画偏向データを演算
してＤＡ変換器７に出力する。また、ディジタル演算器
２１が出力するショット同期追従データ、およびディジ
タル演算器１４が出力するリアルタイム追従データは、
それぞれＤＡ変換器１５、１６に入力されてアナログ量
に変換される。

【００１３】なお、このようなオフセット値を加える考
え方は、従来より知られている方法であって、本実施例
でも、この方法を利用してショット同期追従データＡお
よび追従偏向データＢにそれぞれオフセット値Ｃを加え
る。この理由は、前例のように２進数４ビット（４個の
スイッチ）でフルスケール１５を表わすＤＡ変換器を考
えると、最大値の‘１１１１’（１０進数の１５）と最
小値の‘００００’（同じく０）の間で、最もグリッジ
ノイズの大きい１／２フルスケールの７から８への変化
点では、‘０１１１’から‘１０００’に切り替わる時
点で全ビットが入れ換えとなる。そこで、本実施例で
は、７と８の両方にそれぞれオフセット値として例えば
４（つまり、０１００）を加えることにより、それぞれ
‘１１００’（１０進法の１２）と‘１０１１’（同１
１）にする。このようにビットパターンを大きくしたに
もかかわらず、スイッチの切り替え箇所を下３桁のみと
し、最大のグリッジノイズ発生のケースよりも１箇所だ
け少なくしてグリッジノイズの低減を図ることができ
る。また、このように追従の範囲を大きくすることによ
り、追従領域持ち替えの回数を減らすことができるの
で、無駄時間が減り、その分だけ高速な描画を行うこと
ができる。なお、このＤＡ変換器はバイポーラ（±）の
数値で扱われるので、０の値のとき最も大きなグリッジ
ノイズが発生するが、オフセット値を加えることにより
この場合も回避することができる。

【００１４】アナログ加算器１７は、ＤＡ変換器７、１
５、１６が出力するアナログ量をアナログ的に加算す
る。アナログ加算器１７の出力により偏向器５を駆動す
ることにより、電子ビーム１０を描画試料１１上の所望
の位置に偏向する。このようにして試料台１２の追従制
御を行うことにより、電子ビームを照射中に変化するリ
アルタイム追従偏向量を非常に小さくするができる。従
来から問題となっていたグリッジノイズは、ＤＡ変換器
１６で発生していたものであり、その入力データが多き
な範囲で変化するために生じていた。本発明を実施した
場合には、ＤＡ変換器１６の入力データであるリアルタ
イム追従データの変化範囲は、非常に小さくなる。その
ため、グリッジノイズも描画に影響を与えない程度まで
小さくすることができるので、高精度な描画を行うこと
ができる。

【００１５】図６は、図４における電子ビーム描画装置
の動作フローチャートである。試料台が移動することに
より制御が開始する。先ず、レーザ干渉計２により試料
台の座標の計測を行い（ステップ１０１）、次に追従偏
向データ演算部６により試料台座標とショット座標との
差分に偏向歪み補正の演算を行い（ステップ１０２）、
その演算結果をレジスタ１３およびディジタル演算器１
４に出力する。レジスタ１３が追従偏向データをラッチ
すると（ステップ１０３）、これをディジタル演算器２
１に出力することにより、ディジタル演算器２１では
（ショット同期追従データＡ）ー（オフセットＣ）を演
算する（ステップ１０４）。そして、その演算結果をＤ
Ａ変換器１５に出力する。ＤＡ変換器１５ではディジタ
ル値をアナログ値に変換する（ステップ１０５）。一
方、ディジタル演算器１４では、（追従偏向データＢ）
ー（ショット同期追従データＡ）＋（オフセットＣ）を
演算する（ステップ１０６）。演算結果をＤＡ変換器１
６に出力し、ＤＡ変換器１６ではディジタル値をアナロ
グ値に変換する（ステップ１０７）。他方、パターンジ
ェネレータ１は、描画偏向データを演算して（ステップ
１０８）、その結果をＤＡ変換器７に出力する。ＤＡ変
換器７では入力したディジタル値をアナログ値に変換
し、アナログ加算器１７に出力する（ステップ１０
９）。アナログ加算器１７では、ディジタル演算器２１
が演算した（Ａ−Ｃ）と、ディジタル演算器１４が演算
した（Ｂ−Ａ＋Ｃ）と、パターンジェネレータ１が演算
した描画偏向データとをアナログ的に加算して（ステッ
プ１１０）、加算結果データにより偏向器５を駆動する
（ステップ１１１）。

【００１６】（第２の実施例）図５は、本発明の第２の
実施例を示す電子ビーム描画装置の構成図である。第２
の実施例では、パターンジェネレータ１が出力する描画
偏向データとレジスタ１３に格納されたショット同期追
従データをディジタル的に加算した後に、ＤＡ変換器１
９に入力する。次に、ＤＡ変換器１９とＤＡ変換器１６
の出力をアナログ加算器２０により加算する。アナログ
加算器２０の出力により、偏向器５を駆動することによ
り電子ビームを偏向する。このような方法によっても、
前記第１の実施例と同等の効果を得ることができる。第
２の実施例では、図４と比較すれば明らかなように、Ｄ
Ａ変換器を１個だけ少なくすることができる。

【００１７】（応用例）図２のショット同期追従量２０
３のサンプリングするタイミングを、電子ビームを複数
回照射する毎に更新する方法を用いることも可能であ
る。すなわち、図２の２０３のように、電子ビームを照
射するショットタイミング毎にショット同期追従量を演
算して、レジスタ１３にラッチする場合には、回路的に
間に合わなくなる場合も生じることがある。従って、例
えばショットタイミングの２回に１回だけ第１の追従偏
向補正量をレジスタ１３でサンプリングすることによ
り、円滑な動作を行わせる。

【００１８】（デバイス）図７は、本発明をデバイス製
造に用いた実施例を示す断面図である。図４の第１の実
施例および図５の第２の実施例にそれぞれ示した構成の
電子ビーム描画装置を用いて、また図６のフローで示し
た電子ビーム描画方法を用いて、描画試料１１として半
導体デバイスあるいはその他のデバイスを描画すること
により、極めて高精度に、かつ高速に描画を行うことが
できる。図７（ａ）から図７（ｄ）は、その工程を示す
素子の断面図である。Ｎマイナスシリコン基板７００
に、通常の方法でＰウエル層７０１、Ｐ層７０２、フィ
ールド酸化膜７０３、多結晶シリコン／シリコン酸化膜
ゲート７０４、Ｐ高濃度拡散層７０５、Ｎ高濃度拡散層
７０６、などを形成した（図７（ａ））。次に、通常の
方法でリンガラス（ＰＳＧ）の絶縁膜７０７を被着し
た。その上にレジスト７０８を塗布し、本発明の電子ビ
ーム描画装置を用いホールパタン７０９を形成した（図
７（ｂ））。次にレジストをマスクにして絶縁膜７０７
をドライエッチングしてコンタクトホール７１０を形成
した（図７（ｃ））。

【００１９】次に、レジストを塗布し、本発明の半透明
位相シフトマスクを用い、通常の方法でホールパターン
７１３を形成した。ホールパターン７１３の中はＷプラ
グで埋め込み、アルミ第２配線７１４を連結した（図７
（ｄ））。以降のパッシベーション工程は、従来の方法
を用いた。なお、本実施例では、主な製造工程のみを説
明したが、コンタクトホール形成のリソグラフィ工程で
本発明の電子ビーム描画装置を用いたこと以外は、従来
方法と同じ工程を用いた。以上の工程により、ＣＭＯＳ
ＬＳＩを高歩留まりで製造することができた。本発明の
電子ビーム描画方法を用いて半導体装置を製作した結
果、ホールパターンのショット位置ずれによるコンタク
トホールの導通不良の発生を防止でき、製品の良品歩留
まりを約１０％向上することができた。

【００２０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
追従偏向量をショットタイミングに同期させたショッ
ト同期追従量とリアルタイム追従量とに分割し、リアル
タイム追従偏向量を小さくすることにより、追従偏向に
用いるＤＡ変換器のグリッジノイズによる描画精度劣化
を防止したので、高精度な描画を行うことが可能とな
る。また、追従の範囲を大きくすることにより、追従
領域持ち替えの回数を減らすことができるので、無駄時
間が減少して高速な描画が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基本的な電子ビーム描画方法の説明図
である。

【図２】本発明の一実施例を示す電子ビーム描画装置の
要部の動作波形図である。

【図３】従来の電子ビーム描画装置の要部の構成図であ
る。

【図４】本発明の第１の実施例を示す電子ビーム描画装
置の要部構成図である。

【図５】本発明の第２の実施例を示す電子ビーム描画装
置の構成図である。

【図６】本発明の第１の実施例を示す電子ビーム描画方
法の動作フローチャートである。

【図７】本発明をデバイス製造に用いた実施例を示す断
面図である。

【符号の説明】

１…パターンジェネレータ、２…レーザ干渉計、３…追
従偏向量演算部、４…加算器、５…偏向器、６…追従偏
向データ演算部、７，８…ＤＡ変換器、９…加算器、１
０…電子ビーム、１１…描画試料、１２…試料台、１３
…レジスタ、１４…ディジタル演算器、１５，１６…Ｄ
Ａ変換器、１７…アナログ加算器、２１…ディジタル演
算器、２２…ＤＡ変換器、２３…上位偏向器、２０…ア
ナログ加算器、７００…Ｎマイナスシリコン基板、７０
１…Ｐウェル層、７０２…Ｐ層、７０３…フィールド酸
化膜、７０４…多結晶シリコン／シリコン酸化膜ゲー
ト、７０５…Ｐ高濃度拡散層、７０６…Ｎ高濃度拡散
層、７０７…絶縁膜、７０８…レジスト、７０９…ホー
ルパターン、７１０…コンタクトホール、７１１…Ｗ／
Ｔｉ電極配線、７１２…層間絶縁膜、７１３…ホールパ
ターン、７１４…アルミ第２配線。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｂ (72)発明者 安藤 公明 茨城県ひたちなか市市毛882番地 株式 会社日立製作所計測器事業部内 (56)参考文献 特開 平11−67625（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−134868（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−82618（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−312338（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−326010（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 連続的に移動する試料台の位置を求め、 求められた試料台位置と電子ビームを照射すべき位置と
   のずれ量を演算し、 演算されたずれ量を電子ビームを照射するタイミングに
   同期してサンプリングすることにより、サンプリングし
   たずれ量を電子ビームの偏向により補正する第１の追従
   補正量を演算し、 上記第１の追従補正量を原点としてそこからの変動量を
   上記第１の演算器の演算周期より短い周期で第２の追従
   補正量を演算し、 上記第１および第２の追従補正量と、パターンジェネレ
   ータにより演算された描画偏向データ量とを加算器で加
   算し、 加算された偏向データ量により偏向器を駆動することを
   特徴とする電子ビーム描画方法。
2. 【請求項２】 連続的に移動する試料台の位置と電子ビ
   ームを照射すべき位置とのずれ量を求める手段と、 求められた該ずれ量を電子ビームを照射するタイミング
   に同期してサンプリングし、サンプリングしたずれ量を
   電子ビームの偏向によって補正する第１の追従補正量を
   求める第１の追従補正手段と、 上記第１の追従補正量を原点としてそこからの変動量を
   上記第１の追従補正手段が行う補正周期よりも短い周期
   で補正する第２の追従補正手段とを具備し、 該第１の追従補正量および第２の追従補正量を図形描画
   のための電子ビームの偏向量に加算することにより、試
   料台位置と電子ビームを照射すべき位置とのずれ量を補
   正して描画を行うことを特徴とする電子ビーム描画装
   置。
3. 【請求項３】 前記第１の追従補正量を図形描画のため
   の偏向量に加算する場合、該第１の追従補正量および図
   形描画のための偏向量をディジタル的に加算したのち
   に、アナログに変換して偏向器へ出力することを特徴と
   する請求項２に記載の電子ビーム描画装置。
4. 【請求項４】 前記第１の追従偏向補正量を図形描画の
   ための偏向量に加算する場合、該第１の追従補正量およ
   び図形描画のための偏向量をおのおのアナログに変換
   し、次にアナログ的に加算したのちに、偏向器へ出力す
   ることを特徴とする請求項２に記載の電子ビーム描画装
   置。
5. 【請求項５】 前記第１の追従補正量をサンプリングす
   るタイミングを、電子ビームを複数回照射する毎に更新
   することを特徴とする電子ビーム描画装置。
6. 【請求項６】 前記第１の追従補正量および前記第２の
   追従補正量を、それぞれディジタル的にオフセットを加
   算した量とすることを特徴とする請求項２に記載の電子
   ビーム描画装置。
7. 【請求項７】 請求項１に記載の電子ビーム描画方法ま
   たは請求項２から６までのいずれか１つに記載の電子ビ
   ーム描画装置を用いて製作したことを特徴とするデバイ
   ス。