JP3206448B2 - 電子ビーム描画装置 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板上に複数
の所望のパターンを一括して描画する電子ビーム描画装
置に関する。
の所望のパターンを一括して描画する電子ビーム描画装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの微細化に伴い、
リソグラフィ技術も光露光から電子ビーム描画（露光）
へと変化しつつある。しかしながら、電子ビーム描画で
は高解像性は得られるがスループットが低いという問題
がある。この問題を解決するために「特開昭５４−２９
９８１号、電子ビーム照射装置」に述べられている方法
や一括図形照射法、ブロック露光法や部分一括露光法と
呼ばれる方法が開発されている。この方法の一例として
は、電子銃から放出された電子ビームを第１のアパチャ
で矩形に成形し、所望のパターンが形成された第２のア
パチャ（転写マスク）に矩形の電子ビームを照射して透
過する所望のパターン形状の電子ビームを半導体ウエハ
上に描画（転写、露光）するという方法がある。この装
置の概略を図１を用いて説明する。電子ビーム発生源２
から放出された電子ビーム３は、第１のビーム成形アパ
チャ４および第２のビーム成形アパチャ８を通って成形
され、試料ステージ１０上に配置された試料９上に照射
される。ここで、電子ビーム発生源２から放出された電
子ビーム３は、ガウス分布になっており（つまりほぼ円
形に広がっており）、電子ビーム照射領域を大きく確保
するために、図１０に示すように第１のビーム成形アパ
チャの開口部は正方形になっている。
リソグラフィ技術も光露光から電子ビーム描画（露光）
へと変化しつつある。しかしながら、電子ビーム描画で
は高解像性は得られるがスループットが低いという問題
がある。この問題を解決するために「特開昭５４−２９
９８１号、電子ビーム照射装置」に述べられている方法
や一括図形照射法、ブロック露光法や部分一括露光法と
呼ばれる方法が開発されている。この方法の一例として
は、電子銃から放出された電子ビームを第１のアパチャ
で矩形に成形し、所望のパターンが形成された第２のア
パチャ（転写マスク）に矩形の電子ビームを照射して透
過する所望のパターン形状の電子ビームを半導体ウエハ
上に描画（転写、露光）するという方法がある。この装
置の概略を図１を用いて説明する。電子ビーム発生源２
から放出された電子ビーム３は、第１のビーム成形アパ
チャ４および第２のビーム成形アパチャ８を通って成形
され、試料ステージ１０上に配置された試料９上に照射
される。ここで、電子ビーム発生源２から放出された電
子ビーム３は、ガウス分布になっており（つまりほぼ円
形に広がっており）、電子ビーム照射領域を大きく確保
するために、図１０に示すように第１のビーム成形アパ
チャの開口部は正方形になっている。
【０００３】図１０に示す正方形の第１のビーム成形ア
パチャ１００を使用し、この部分一括ＥＢ露光方法で図
４のようにメモリデバイスのセルパターンを試料（半導
体ウエハ）９上に形成する場合に、スループットを重視
して第１のビーム成形アパチャ上での最大描画領域１１
０（図１１）を使用すると、第２のビーム成形アパチャ
は、図１１のようにＸ方向に７列、Ｙ方向に３段にな
る。このブロックを繰り返しウエハ上に描画することに
より、図４のようなメモリデバイスのメモリセルパター
ン４０が形成される。しかしながら、メモリデバイスの
セルパターンは２のｎ乗であることから、Ｘ方向に７
列、Ｙ方向に３段の１ブロックを繰り返して描画し、全
てのメモリセルパターンを形成すると２のｎ乗になら
ず、最後の列及び最後の段の部分では、パターン不足ま
たはパターンの過多が生じる。この場合、部分一括描画
法を用いて最後の１つ手前まで部分一括描画を行い、最
後の列及び最後の段の部分については、可変成形でパタ
ーニングしなければならない。従って、この方法では、
部分一括描画用のパターンショットデータの他に可変成
形用のデータ作製、データ工夫及び部分一括描画と可変
成形描画との相対位置合わせ等を行う必要があり、工数
及び時間がかかる。ここで、可変成形用のデータ作製、
データ工夫及び部分一括描画と可変成形描画との相対位
置合わせ等の工程を削減する場合は、例えば、図１１の
小さい１ブロック１１１のようにＸ方向に４列、Ｙ方向
に２段となるように２のｎ乗に対応したパターン数にす
る必要がある。
パチャ１００を使用し、この部分一括ＥＢ露光方法で図
４のようにメモリデバイスのセルパターンを試料（半導
体ウエハ）９上に形成する場合に、スループットを重視
して第１のビーム成形アパチャ上での最大描画領域１１
０（図１１）を使用すると、第２のビーム成形アパチャ
は、図１１のようにＸ方向に７列、Ｙ方向に３段にな
る。このブロックを繰り返しウエハ上に描画することに
より、図４のようなメモリデバイスのメモリセルパター
ン４０が形成される。しかしながら、メモリデバイスの
セルパターンは２のｎ乗であることから、Ｘ方向に７
列、Ｙ方向に３段の１ブロックを繰り返して描画し、全
てのメモリセルパターンを形成すると２のｎ乗になら
ず、最後の列及び最後の段の部分では、パターン不足ま
たはパターンの過多が生じる。この場合、部分一括描画
法を用いて最後の１つ手前まで部分一括描画を行い、最
後の列及び最後の段の部分については、可変成形でパタ
ーニングしなければならない。従って、この方法では、
部分一括描画用のパターンショットデータの他に可変成
形用のデータ作製、データ工夫及び部分一括描画と可変
成形描画との相対位置合わせ等を行う必要があり、工数
及び時間がかかる。ここで、可変成形用のデータ作製、
データ工夫及び部分一括描画と可変成形描画との相対位
置合わせ等の工程を削減する場合は、例えば、図１１の
小さい１ブロック１１１のようにＸ方向に４列、Ｙ方向
に２段となるように２のｎ乗に対応したパターン数にす
る必要がある。
【０００４】以上のように、図１１のパターンでは、従
来単純に正方形描画領域の最大描画領域１１０を用いて
描画が行えるため、Ｘ方向に７列、Ｙ方向に３段のパタ
ーンが描画でき、２１個のパターンが形成可能であり、
計算通りの良好な描画スループットが得られるが、デー
タ作製や位置合わせ等の工数を考慮すると、実際の描画
スループットは低い。ここで、Ｘ方向に長く、Ｙ方向に
短い図１２の様なデバイスパターンの場合、第２のビー
ム成形アパチャに形成する繰り返しパターンの小１ブロ
ック１２１の２のｎ乗（今回２の２乗）に対応したパタ
ーン数にすると、Ｘ方向に長く、Ｙ方向に短い長方形の
ブロックになる。このブロックではＸ方向は描画領域が
不足し、Ｙ方向は描画領域のマージンが過大になる。同
様にＹ方向に長く、Ｘ方向に短い図１３の様なデバイス
パターンの場合、第２のビーム成形アパチャに形成する
繰り返しパターンの小１ブロック１３１を２のｎ乗（今
回２の２乗）に対応したパターン数にすると、Ｙ方向に
長く、Ｘ方向に短い長方形のブロックになる。このブロ
ックでは、Ｙ方向は描画領域が不足し、Ｘ方向は描画領
域のマージンが過大になる。これらで、データ作製や位
置合わせ等の工数を削減したい場合は、小１ブロックの
まま、ショット数を増やして対処している。「特開平３
−６４０１６」に記載されている図１４のような図形の
場合は、図形１対がＸ方向に長くなっているため、正方
形の描画可能領域ではＸ方向の数が少なくなる。従っ
て、小１ブロックの描画領域はＸ＞Ｙの長方形になる。
但し、この方法の場合は図形１対を形成するのに２ショ
ット必要であり、スループットがさらに低くなる。
来単純に正方形描画領域の最大描画領域１１０を用いて
描画が行えるため、Ｘ方向に７列、Ｙ方向に３段のパタ
ーンが描画でき、２１個のパターンが形成可能であり、
計算通りの良好な描画スループットが得られるが、デー
タ作製や位置合わせ等の工数を考慮すると、実際の描画
スループットは低い。ここで、Ｘ方向に長く、Ｙ方向に
短い図１２の様なデバイスパターンの場合、第２のビー
ム成形アパチャに形成する繰り返しパターンの小１ブロ
ック１２１の２のｎ乗（今回２の２乗）に対応したパタ
ーン数にすると、Ｘ方向に長く、Ｙ方向に短い長方形の
ブロックになる。このブロックではＸ方向は描画領域が
不足し、Ｙ方向は描画領域のマージンが過大になる。同
様にＹ方向に長く、Ｘ方向に短い図１３の様なデバイス
パターンの場合、第２のビーム成形アパチャに形成する
繰り返しパターンの小１ブロック１３１を２のｎ乗（今
回２の２乗）に対応したパターン数にすると、Ｙ方向に
長く、Ｘ方向に短い長方形のブロックになる。このブロ
ックでは、Ｙ方向は描画領域が不足し、Ｘ方向は描画領
域のマージンが過大になる。これらで、データ作製や位
置合わせ等の工数を削減したい場合は、小１ブロックの
まま、ショット数を増やして対処している。「特開平３
−６４０１６」に記載されている図１４のような図形の
場合は、図形１対がＸ方向に長くなっているため、正方
形の描画可能領域ではＸ方向の数が少なくなる。従っ
て、小１ブロックの描画領域はＸ＞Ｙの長方形になる。
但し、この方法の場合は図形１対を形成するのに２ショ
ット必要であり、スループットがさらに低くなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来、この種の電子ビ
ーム描画装置用の第１のビーム成形アパチャ開口部の形
状は、図１０のようにガウス分布で円状に広がっている
電子ビームのビーム照射領域をできる限り大きく確保す
るために正方形になっているが、メモリセルのパターン
形成を部分一括描画法（図形一括描画法）で行う場合
は、描画パターンデータ作製や部分一括部と可変成形部
との位置合わせ等の工数を省くため、１ブロックを２の
ｎ乗に対応したパターン数にする。例えば、図１１や図
１２、図１３、図１４の小１ブロック単位を２のｎ乗に
なるように１ショット内に複数ブロック形成させるに
は、図１１や図１３では、Ｙ方向に若干描画範囲が不足
し、図１２や図１４ではＸ方向に若干描画範囲が不足す
るため、小ブロック単位を１ショット内に複数ブロック
形成することが困難であった。従って、小ブロック単位
のみで１ショットにするため描画スループットが向上で
きない。また、図１４に示されているようなパターンで
は、Ｘ方向に相補パターンがあるため、Ｙ方向のパター
ン個数に対してＸ方向のパターン個数が少なくなり、ス
ループットが向上できない等の課題があった。
ーム描画装置用の第１のビーム成形アパチャ開口部の形
状は、図１０のようにガウス分布で円状に広がっている
電子ビームのビーム照射領域をできる限り大きく確保す
るために正方形になっているが、メモリセルのパターン
形成を部分一括描画法（図形一括描画法）で行う場合
は、描画パターンデータ作製や部分一括部と可変成形部
との位置合わせ等の工数を省くため、１ブロックを２の
ｎ乗に対応したパターン数にする。例えば、図１１や図
１２、図１３、図１４の小１ブロック単位を２のｎ乗に
なるように１ショット内に複数ブロック形成させるに
は、図１１や図１３では、Ｙ方向に若干描画範囲が不足
し、図１２や図１４ではＸ方向に若干描画範囲が不足す
るため、小ブロック単位を１ショット内に複数ブロック
形成することが困難であった。従って、小ブロック単位
のみで１ショットにするため描画スループットが向上で
きない。また、図１４に示されているようなパターンで
は、Ｘ方向に相補パターンがあるため、Ｙ方向のパター
ン個数に対してＸ方向のパターン個数が少なくなり、ス
ループットが向上できない等の課題があった。
【０００６】本発明は、電子ビーム描画装置において、
第１のビーム成形アパチャを、所望の形状に応じて作製
した第２のビーム成形アパチャ上の繰り返しパターンの
一部分に合わせた形状にすることにより、描画領域を適
正化し、スループットを向上し生産性を上げることを目
的とする。
第１のビーム成形アパチャを、所望の形状に応じて作製
した第２のビーム成形アパチャ上の繰り返しパターンの
一部分に合わせた形状にすることにより、描画領域を適
正化し、スループットを向上し生産性を上げることを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】電子ビーム描画装置用の
第１のビーム成形アパチャの形状を、デバイス製品に合
わせた形状にする。または、第２のビーム成形アパチャ
に形成したパターンの一部分の形状に合わせた形状の第
１のビーム成形アパチャを使用する。例えば、Ｘ方向に
短く、Ｙ方向に長い図１３のようなデバイスの場合、第
２のビーム成形アパチャに形成する繰り返しパターンの
１ユニットはＸ方向に短く、Ｙ方向に長い長方形になる
ため、第１のビーム成形アパチャのＸ，Ｙ比率をデバイ
ス条件に合わせたＸ＜Ｙの長方形にする。また、第１の
ビーム成形アパチャのステージを可動ステージにし、外
部からの信号入力によりステージの制御を可能にする。
第１のビーム成形アパチャの形状を、デバイス製品に合
わせた形状にする。または、第２のビーム成形アパチャ
に形成したパターンの一部分の形状に合わせた形状の第
１のビーム成形アパチャを使用する。例えば、Ｘ方向に
短く、Ｙ方向に長い図１３のようなデバイスの場合、第
２のビーム成形アパチャに形成する繰り返しパターンの
１ユニットはＸ方向に短く、Ｙ方向に長い長方形になる
ため、第１のビーム成形アパチャのＸ，Ｙ比率をデバイ
ス条件に合わせたＸ＜Ｙの長方形にする。また、第１の
ビーム成形アパチャのステージを可動ステージにし、外
部からの信号入力によりステージの制御を可能にする。
【０００８】電子ビーム描画装置用の第１のビーム成形
アパチャの形状を第２のビーム成形アパチャの形状にあ
わせて作製、描画することにより、電子ビーム照射領域
を有効的に変更するため、従来では正方形から若干はみ
出していた図１１、図１２、図１３、図１４のパターン
の小ブロック２つ分程度の一括描画が可能になる。
アパチャの形状を第２のビーム成形アパチャの形状にあ
わせて作製、描画することにより、電子ビーム照射領域
を有効的に変更するため、従来では正方形から若干はみ
出していた図１１、図１２、図１３、図１４のパターン
の小ブロック２つ分程度の一括描画が可能になる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明について図面を参照して説
明する。図１は本発明の第１の実施の形態の電子ビーム
描画装置１の概略図である。装置１内には電子ビーム発
生源２があり、そこから発生した電子ビーム３が照射さ
れる第１のビーム成形アパチャ４がある。その下にビー
ム成形レンズ５やビーム偏向器６があり、次に第２のビ
ーム成形アパチャ８がある。さらに、その下には、ビー
ム成形レンズ５やビーム偏向器６があり、成形された電
子ビームは、第２のビーム成形アパチャ８上でのビーム
サイズよりも縮小され、試料ステージ１０上の試料９上
に描画される。ここで、第１のビーム成形アパチャ上の
状態を表わす平面図を図２に示した。また、第２のビー
ム成形アパチャ上の状態を表わす平面図を図３に示し
た。この図２の第１のビーム成形アパチャ４と図３の第
２のビーム成形アパチャ８とを組み合わせて使用する。
明する。図１は本発明の第１の実施の形態の電子ビーム
描画装置１の概略図である。装置１内には電子ビーム発
生源２があり、そこから発生した電子ビーム３が照射さ
れる第１のビーム成形アパチャ４がある。その下にビー
ム成形レンズ５やビーム偏向器６があり、次に第２のビ
ーム成形アパチャ８がある。さらに、その下には、ビー
ム成形レンズ５やビーム偏向器６があり、成形された電
子ビームは、第２のビーム成形アパチャ８上でのビーム
サイズよりも縮小され、試料ステージ１０上の試料９上
に描画される。ここで、第１のビーム成形アパチャ上の
状態を表わす平面図を図２に示した。また、第２のビー
ム成形アパチャ上の状態を表わす平面図を図３に示し
た。この図２の第１のビーム成形アパチャ４と図３の第
２のビーム成形アパチャ８とを組み合わせて使用する。
【００１０】次に本発明の動作について図面を参照して
説明する。図１に示すように本発明の電子ビーム描画装
置内には電子ビーム発生源２があり、そこから発生した
電子ビーム３はガウシアン分布で広がる。図２のように
ビーム照射領域２１は、ほぼ円形のビーム形状で第１の
ビーム成形アパチャ４に照射され、第１のビーム成形ア
パチャ開口部２２により、Ｘ＜Ｙの長方形のビームに成
形される。この後、ビーム成形レンズ５やビーム偏向器
６を通過した電子ビームは、図３のように第２のビーム
成形アパチャ８にＸ＜Ｙの長方形の状態で照射される。
次に、このビームは図３の第２のビーム成形アパチャ８
によって、第２のビーム成形アパチャ上の所望パターン
３２の形状のビームに成形される。そして、ビーム成形
レンズ５やビーム偏向器６を通過し、第２のビーム成形
アパチャ上でのビームサイズよりも縮小された状態で、
試料ステージ１０上の試料（半導体基板）９に転写され
る。そして試料をＸＹ方向に試料ステージによって移動
させながら、転写を繰返すことによって図４に示すよう
なメモリセルパターン４０が試料９上に形成される。
説明する。図１に示すように本発明の電子ビーム描画装
置内には電子ビーム発生源２があり、そこから発生した
電子ビーム３はガウシアン分布で広がる。図２のように
ビーム照射領域２１は、ほぼ円形のビーム形状で第１の
ビーム成形アパチャ４に照射され、第１のビーム成形ア
パチャ開口部２２により、Ｘ＜Ｙの長方形のビームに成
形される。この後、ビーム成形レンズ５やビーム偏向器
６を通過した電子ビームは、図３のように第２のビーム
成形アパチャ８にＸ＜Ｙの長方形の状態で照射される。
次に、このビームは図３の第２のビーム成形アパチャ８
によって、第２のビーム成形アパチャ上の所望パターン
３２の形状のビームに成形される。そして、ビーム成形
レンズ５やビーム偏向器６を通過し、第２のビーム成形
アパチャ上でのビームサイズよりも縮小された状態で、
試料ステージ１０上の試料（半導体基板）９に転写され
る。そして試料をＸＹ方向に試料ステージによって移動
させながら、転写を繰返すことによって図４に示すよう
なメモリセルパターン４０が試料９上に形成される。
【００１１】この実施の形態の場合、第２のビーム成形
アパチャ８上のパターンは、図４に示すメモリセル内の
パターンの一部分が形成されている。メモリセルパター
ンを全て部分一括描画法で行うために、一括描画を行う
１ブロックのパターン数は、２の４乗個の１６になって
いる。すなわち、１６のパターン数からなる１ブロック
ずつを繰返して全体のメモリセルパターンが描画され
る。
アパチャ８上のパターンは、図４に示すメモリセル内の
パターンの一部分が形成されている。メモリセルパター
ンを全て部分一括描画法で行うために、一括描画を行う
１ブロックのパターン数は、２の４乗個の１６になって
いる。すなわち、１６のパターン数からなる１ブロック
ずつを繰返して全体のメモリセルパターンが描画され
る。
【００１２】このように本実施の形態では、第１のビー
ム成形アパチャの形状を第２のビーム成形アパチャの形
状にあわせて作製することによって、従来では正方形か
ら若干はみ出していた図１１，図１２，図１３のパター
ンの小ブロック２つ分程度の一括描画が可能となりスル
ープットが向上する。
ム成形アパチャの形状を第２のビーム成形アパチャの形
状にあわせて作製することによって、従来では正方形か
ら若干はみ出していた図１１，図１２，図１３のパター
ンの小ブロック２つ分程度の一括描画が可能となりスル
ープットが向上する。
【００１３】次に図５，図６により本発明の第２の実施
の形態を説明する。図５は第１のビーム成形アパチャ上
の状態を表わす平面図であり、図６は第２のビーム成形
アパチャ上の状態を表わす平面図である。図６の第２の
ビーム成形アパチャ６０には、４種類の１ブロックのパ
ターンが示されている。このそれぞれに対応して図５に
示す第１のビーム成形アパチャ５０にはＸ＜Ｙの長方
形、Ｘ＞Ｙの長方形、斜めの長方形および正方形の形状
の開口部５２が設けられている。試料に描画するときに
は、図６の第２のビーム成形アパチャ上の所望のパター
ン形状に合わせて、図５の第１の成形アパチャを選択
し、両者を組合せて使用する。
の形態を説明する。図５は第１のビーム成形アパチャ上
の状態を表わす平面図であり、図６は第２のビーム成形
アパチャ上の状態を表わす平面図である。図６の第２の
ビーム成形アパチャ６０には、４種類の１ブロックのパ
ターンが示されている。このそれぞれに対応して図５に
示す第１のビーム成形アパチャ５０にはＸ＜Ｙの長方
形、Ｘ＞Ｙの長方形、斜めの長方形および正方形の形状
の開口部５２が設けられている。試料に描画するときに
は、図６の第２のビーム成形アパチャ上の所望のパター
ン形状に合わせて、図５の第１の成形アパチャを選択
し、両者を組合せて使用する。
【００１４】図５の第１のビーム成形アパチャは、複数
種類（図では４種類）のアパチャ開口部を有している。
所望のパターン形状に合わせてアパチャ開口部を選択す
ることが必要となる。図７は、この選択を可能にした電
子ビーム描画装置の概略図であり、第１および第２のビ
ーム成形アパチャ用ステージを含む部分を示してある。
その他の部分は図１の電子ビーム描画装置と同じであ
る。この電子ビーム描画装置では、第１のビーム成形ア
パチャ用ステージ７７は、外部制御系接続ライン７８を
通して電気的に制御して移動できる構造になっている。
図８は第１のビーム成形アパチャ用ステージ７７の具体
的構造を示した斜視図で、第１のビーム成形アパチャ８
１はＸＹ方向に移動可能なステージ上に配設されてい
る。図６に示した第２のビーム成形アパチャのパターン
に応じてステージを動かし所望の第１のビーム成形アパ
チャ開口部８２を選択する。このステージの移動は、外
部制御系接続ラインを介して行われる。また、図９は第
１のビーム成形アパチャ用ステージ７７の他の具体例を
示しており、この場合はＸＹステージの上に回転式ステ
ージ９１が設けられていて、複数の第１のビーム成形ア
パチャ９２とアパチャ開口部９３の両方を選択できるよ
うに構成されている。なお、上記説明ではＸＹ方向移動
ステージの場合について述べたが、さらにＺ方向移動ス
テージを加えることもできる。この実施の形態では、複
数種類のデバイスのパターンを１枚の成形アパチャを用
いて選択し形成できるので、成形アパチャを取り換える
手間がはぶける利点も有する。
種類（図では４種類）のアパチャ開口部を有している。
所望のパターン形状に合わせてアパチャ開口部を選択す
ることが必要となる。図７は、この選択を可能にした電
子ビーム描画装置の概略図であり、第１および第２のビ
ーム成形アパチャ用ステージを含む部分を示してある。
その他の部分は図１の電子ビーム描画装置と同じであ
る。この電子ビーム描画装置では、第１のビーム成形ア
パチャ用ステージ７７は、外部制御系接続ライン７８を
通して電気的に制御して移動できる構造になっている。
図８は第１のビーム成形アパチャ用ステージ７７の具体
的構造を示した斜視図で、第１のビーム成形アパチャ８
１はＸＹ方向に移動可能なステージ上に配設されてい
る。図６に示した第２のビーム成形アパチャのパターン
に応じてステージを動かし所望の第１のビーム成形アパ
チャ開口部８２を選択する。このステージの移動は、外
部制御系接続ラインを介して行われる。また、図９は第
１のビーム成形アパチャ用ステージ７７の他の具体例を
示しており、この場合はＸＹステージの上に回転式ステ
ージ９１が設けられていて、複数の第１のビーム成形ア
パチャ９２とアパチャ開口部９３の両方を選択できるよ
うに構成されている。なお、上記説明ではＸＹ方向移動
ステージの場合について述べたが、さらにＺ方向移動ス
テージを加えることもできる。この実施の形態では、複
数種類のデバイスのパターンを１枚の成形アパチャを用
いて選択し形成できるので、成形アパチャを取り換える
手間がはぶける利点も有する。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電子ビー
ム描画装置は、第２のビーム成形アパチャ上の所望の形
状に対応して、第１のビーム成形アパチャの形状を変化
させ、円形のビーム照射領域内で有効に使用することに
より、スループットが向上する。スループットの向上に
より、生産性の向上や、コスト低減につながる。また、
第１のビーム成形アパチャのステージは、Ｘ，Ｙステー
ジや、Ｘ，Ｙ，Ｚステージをあるいは、回転ステージ等
の外部から制御可能な高精度ステージであり、第１のビ
ーム成形アパチャの形状の変更が容易である。
ム描画装置は、第２のビーム成形アパチャ上の所望の形
状に対応して、第１のビーム成形アパチャの形状を変化
させ、円形のビーム照射領域内で有効に使用することに
より、スループットが向上する。スループットの向上に
より、生産性の向上や、コスト低減につながる。また、
第１のビーム成形アパチャのステージは、Ｘ，Ｙステー
ジや、Ｘ，Ｙ，Ｚステージをあるいは、回転ステージ等
の外部から制御可能な高精度ステージであり、第１のビ
ーム成形アパチャの形状の変更が容易である。
【図１】本発明の電子ビーム描画装置の第１の実施の形
態の概略を示す図である。
態の概略を示す図である。
【図２】本発明の第１のビーム成形アパチャの第１の実
施の形態を説明する平面図である。
施の形態を説明する平面図である。
【図３】本発明の第２のビーム成形アパチャの第１の実
施の形態を説明する平面図である。
施の形態を説明する平面図である。
【図４】本発明および従来技術で作成した試料上のパタ
ーンの平面図である。
ーンの平面図である。
【図５】本発明の第１のビーム成形アパチャの第２の実
施の形態を説明する平面図である。
施の形態を説明する平面図である。
【図６】本発明の第２のビーム成形アパチャの第２の実
施の形態を説明する平面図である。
施の形態を説明する平面図である。
【図７】本発明の電子ビーム描画装置の第２の実施の形
態の１部分の概略を示す断面図である。
態の１部分の概略を示す断面図である。
【図８】本発明の第１のビーム成形アパチャ用ステージ
の一実施の形態を説明する斜視図である。
の一実施の形態を説明する斜視図である。
【図９】本発明の第１のビーム成形アパチャ用ステージ
の他の実施の形態を説明する斜視図である。
の他の実施の形態を説明する斜視図である。
【図１０】従来技術の第１のビーム成形アパチャを説明
する平面図である。
する平面図である。
【図１１】従来技術の第１，第２のビーム成形アパチャ
を説明する平面図である。
を説明する平面図である。
【図１２】従来技術の第１，第２のビーム成形アパチャ
を説明する平面図である。
を説明する平面図である。
【図１３】従来技術の第１，第２のビーム成形アパチャ
を説明する平面図である。
を説明する平面図である。
【図１４】従来技術の第２のビーム成形アパチャを説明
する平面図である。
する平面図である。
１ 電子ビーム描画装置 ２，７０ 電子ビーム発生源 ３，７１ 電子ビーム ４，７２ 第１のビーム成形用アパチャ ５，７３ ビーム成形レンズ ６，７４ ビーム偏向器 ７，７５ 第２のビーム成形アパチャ用ステージ ８，７６ 第２のビーム成形用アパチャ ９ 試料（半導体ウエハ） １０ 試料ステージ １１ 第１のビーム成形アパチャ用ステージ ２１ ビーム照射領域 ２２ 第１のビーム成形アパチャ開口部 ３１ ビーム有効領域 ３２ 第２のビーム成形アパチャ上パターン ４０ メモリセルパターン ７８ 外部制御系接続ライン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 504
Claims (3)
- 【請求項１】 電子銃と、前記電子銃から発生した電子
ビームを整形する第１のビーム成形アパチャと、前記第
１のビーム成形アパチャにより成形された電子ビームを
成形する第２のビーム成形アパチャとを備え前記第１の
ビーム成形アパチャの開口部から出力された前記電子ビ
ームが前記第２のビーム成形アパチャに設けられた長方
形のビーム照射領域を照射する電子ビーム描画装置であ
って、前記ビーム照射領域に複数のデバイスパターンが
Ｘ方向に２のｎ乗、Ｙ方向に２のｍ乗（ｎ，ｍは自然
数）のマトリックス状に最大限配置できるように前記第
１のビーム成形アパチャの前記開口部の形状を長辺と短
辺の長さの異なる矩形としたことを特徴とする電子ビー
ム描画装置。 - 【請求項２】 前記第１のビーム形成アパチャは複数の
互いに異なる形状である長方形の開口部を有し、前記複
数の長方形の開口部を外部からの制御手段により選択す
ることを特徴とする請求項１記載の電子ビーム描画装
置。 - 【請求項３】 前記第２のビーム成形アパチャ上の所望
のパターンに合わせて変更可能な第１のビーム成形アパ
チャのステージが、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向に移動可能であり、
外部からの制御手段により制御することを特徴とする請
求項１または２に記載の電子ビーム描画装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23037096A JP3206448B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 電子ビーム描画装置 |
| US08/918,165 US6288407B1 (en) | 1996-08-30 | 1997-08-25 | Electron beam-writing apparatus and electron beam-writing method |
| KR1019970042116A KR100272478B1 (ko) | 1996-08-30 | 1997-08-28 | 전자빔묘화장치및그방법 |
| TW086112443A TW345688B (en) | 1996-08-30 | 1997-08-30 | Electron beam-writing apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23037096A JP3206448B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 電子ビーム描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074682A JPH1074682A (ja) | 1998-03-17 |
| JP3206448B2 true JP3206448B2 (ja) | 2001-09-10 |
Family
ID=16906804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23037096A Expired - Fee Related JP3206448B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 電子ビーム描画装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6288407B1 (ja) |
| JP (1) | JP3206448B2 (ja) |
| KR (1) | KR100272478B1 (ja) |
| TW (1) | TW345688B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11509083B2 (en) | 2018-09-17 | 2022-11-22 | Samsung Electronics Co., Ltd | Electrical connection device and electronic device comprising same |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3047294B1 (ja) * | 1999-02-26 | 2000-05-29 | 株式会社日立製作所 | 電子ビ―ム描画方法および描画装置、ならびにそれを用いて製作したデバイス |
| JP2006126823A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-05-18 | Fujitsu Ltd | 可変矩形型電子ビーム露光装置及びパターン露光・形成方法 |
| US20060076513A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Fujitsu Limited | Variable rectangle-type electron beam exposure apparatus and pattern exposure-formation method |
| JP2006128564A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Toshiba Corp | 荷電ビーム露光装置および荷電ビーム制御方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1598219A (en) | 1977-08-10 | 1981-09-16 | Ibm | Electron beam system |
| US4167676A (en) * | 1978-02-21 | 1979-09-11 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Variable-spot scanning in an electron beam exposure system |
| JPH0364016A (ja) | 1989-08-02 | 1991-03-19 | Hitachi Ltd | 電子ビーム描画方法および描画用アパーチヤ |
| JP2936102B2 (ja) | 1990-07-06 | 1999-08-23 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光装置及び荷電粒子ビーム露光方法 |
| JPH04137520A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置および描画方法 |
| JP3338899B2 (ja) | 1992-11-02 | 2002-10-28 | 富士通株式会社 | 荷電粒子露光用マスクの製造方法 |
| JP3192500B2 (ja) * | 1992-11-19 | 2001-07-30 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画方法および電子線描画装置 |
| JP2746098B2 (ja) | 1994-01-19 | 1998-04-28 | 日本電気株式会社 | 電子ビーム描画用アパーチャおよび電子ビーム描画方法 |
| EP0732624B1 (en) * | 1995-03-17 | 2001-10-10 | Ebara Corporation | Fabrication method with energy beam |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP23037096A patent/JP3206448B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-08-25 US US08/918,165 patent/US6288407B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-08-28 KR KR1019970042116A patent/KR100272478B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-08-30 TW TW086112443A patent/TW345688B/zh active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11509083B2 (en) | 2018-09-17 | 2022-11-22 | Samsung Electronics Co., Ltd | Electrical connection device and electronic device comprising same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100272478B1 (ko) | 2000-12-01 |
| KR19980019118A (ko) | 1998-06-05 |
| TW345688B (en) | 1998-11-21 |
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| US6288407B1 (en) | 2001-09-11 |
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