JPH1074682A - 電子ビーム描画装置 - Google Patents
電子ビーム描画装置Info
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- JPH1074682A JPH1074682A JP8230370A JP23037096A JPH1074682A JP H1074682 A JPH1074682 A JP H1074682A JP 8230370 A JP8230370 A JP 8230370A JP 23037096 A JP23037096 A JP 23037096A JP H1074682 A JPH1074682 A JP H1074682A
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- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims abstract description 91
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
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- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
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- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
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Abstract
(57)【要約】
【課題】電子銃から放出された電子ビームを第1のビー
ム成形用アパチャと第2のビーム成形用アパチャにより
所望の形状に成形し、試料(半導体基板)にパターニン
グするための電子ビーム描画装置において、第1のビー
ム成形用アパチャの形状を第2のビーム成形用アパチャ
の形状、つまり、パターニングするブロックの形状に合
わせて使用することにより、スループット、生産性を向
上させる。 【解決手段】電子ビーム描画装置は、電子銃から放出さ
れた電子ビームを成形するための第1のビーム成形用ア
パチャと第2のビーム成形用アパチャを有している。こ
の第2のビーム成形用アパチャ上に作成したパターンに
対応するように第1のビーム成形用アパチャの形状を変
化させる。第1のビーム成形用アパチャ上には第2のビ
ーム成形用アパチャ上に作成したパターンに対応するよ
うな形状があらかじめ組み込んであり、外部からの制御
手段により制御可能である。
ム成形用アパチャと第2のビーム成形用アパチャにより
所望の形状に成形し、試料(半導体基板)にパターニン
グするための電子ビーム描画装置において、第1のビー
ム成形用アパチャの形状を第2のビーム成形用アパチャ
の形状、つまり、パターニングするブロックの形状に合
わせて使用することにより、スループット、生産性を向
上させる。 【解決手段】電子ビーム描画装置は、電子銃から放出さ
れた電子ビームを成形するための第1のビーム成形用ア
パチャと第2のビーム成形用アパチャを有している。こ
の第2のビーム成形用アパチャ上に作成したパターンに
対応するように第1のビーム成形用アパチャの形状を変
化させる。第1のビーム成形用アパチャ上には第2のビ
ーム成形用アパチャ上に作成したパターンに対応するよ
うな形状があらかじめ組み込んであり、外部からの制御
手段により制御可能である。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板上に複数
の所望のパターンを一括して描画する電子ビーム描画装
置に関する。
の所望のパターンを一括して描画する電子ビーム描画装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの微細化に伴い、
リソグラフィ技術も光露光から電子ビーム描画(露光)
へと変化しつつある。しかしながら、電子ビーム描画で
は高解像性は得られるがスループットが低いという問題
がある。この問題を解決するために「特開昭54−29
981号、電子ビーム照射装置」に述べられている方法
や一括図形照射法、ブロック露光法や部分一括露光法と
呼ばれる方法が開発されている。この方法の一例として
は、電子銃から放出された電子ビームを第1のアパチャ
で矩形に成形し、所望のパターンが形成された第2のア
パチャ(転写マスク)に矩形の電子ビームを照射して透
過する所望のパターン形状の電子ビームを半導体ウエハ
上に描画(転写、露光)するという方法がある。この装
置の概略を図1を用いて説明する。電子ビーム発生源2
から放出された電子ビーム3は、第1のビーム成形アパ
チャ4および第2のビーム成形アパチャ8を通って成形
され、試料ステージ10上に配置された試料9上に照射
される。ここで、電子ビーム発生源2から放出された電
子ビーム3は、ガウス分布になっており(つまりほぼ円
形に広がっており)、電子ビーム照射領域を大きく確保
するために、図10に示すように第1のビーム成形アパ
チャの開口部は正方形になっている。
リソグラフィ技術も光露光から電子ビーム描画(露光)
へと変化しつつある。しかしながら、電子ビーム描画で
は高解像性は得られるがスループットが低いという問題
がある。この問題を解決するために「特開昭54−29
981号、電子ビーム照射装置」に述べられている方法
や一括図形照射法、ブロック露光法や部分一括露光法と
呼ばれる方法が開発されている。この方法の一例として
は、電子銃から放出された電子ビームを第1のアパチャ
で矩形に成形し、所望のパターンが形成された第2のア
パチャ(転写マスク)に矩形の電子ビームを照射して透
過する所望のパターン形状の電子ビームを半導体ウエハ
上に描画(転写、露光)するという方法がある。この装
置の概略を図1を用いて説明する。電子ビーム発生源2
から放出された電子ビーム3は、第1のビーム成形アパ
チャ4および第2のビーム成形アパチャ8を通って成形
され、試料ステージ10上に配置された試料9上に照射
される。ここで、電子ビーム発生源2から放出された電
子ビーム3は、ガウス分布になっており(つまりほぼ円
形に広がっており)、電子ビーム照射領域を大きく確保
するために、図10に示すように第1のビーム成形アパ
チャの開口部は正方形になっている。
【0003】図10に示す正方形の第1のビーム成形ア
パチャ100を使用し、この部分一括EB露光方法で図
4のようにメモリデバイスのセルパターンを試料(半導
体ウエハ)9上に形成する場合に、スループットを重視
して第1のビーム成形アパチャ上での最大描画領域11
0(図11)を使用すると、第2のビーム成形アパチャ
は、図11のようにX方向に7列、Y方向に3段にな
る。このブロックを繰り返しウエハ上に描画することに
より、図4のようなメモリデバイスのメモリセルパター
ン40が形成される。しかしながら、メモリデバイスの
セルパターンは2のn乗であることから、X方向に7
列、Y方向に3段の1ブロックを繰り返して描画し、全
てのメモリセルパターンを形成すると2のn乗になら
ず、最後の列及び最後の段の部分では、パターン不足ま
たはパターンの過多が生じる。この場合、部分一括描画
法を用いて最後の1つ手前まで部分一括描画を行い、最
後の列及び最後の段の部分については、可変成形でパタ
ーニングしなければならない。従って、この方法では、
部分一括描画用のパターンショットデータの他に可変成
形用のデータ作製、データ工夫及び部分一括描画と可変
成形描画との相対位置合わせ等を行う必要があり、工数
及び時間がかかる。ここで、可変成形用のデータ作製、
データ工夫及び部分一括描画と可変成形描画との相対位
置合わせ等の工程を削減する場合は、例えば、図11の
小さい1ブロック111のようにX方向に4列、Y方向
に2段となるように2のn乗に対応したパターン数にす
る必要がある。
パチャ100を使用し、この部分一括EB露光方法で図
4のようにメモリデバイスのセルパターンを試料(半導
体ウエハ)9上に形成する場合に、スループットを重視
して第1のビーム成形アパチャ上での最大描画領域11
0(図11)を使用すると、第2のビーム成形アパチャ
は、図11のようにX方向に7列、Y方向に3段にな
る。このブロックを繰り返しウエハ上に描画することに
より、図4のようなメモリデバイスのメモリセルパター
ン40が形成される。しかしながら、メモリデバイスの
セルパターンは2のn乗であることから、X方向に7
列、Y方向に3段の1ブロックを繰り返して描画し、全
てのメモリセルパターンを形成すると2のn乗になら
ず、最後の列及び最後の段の部分では、パターン不足ま
たはパターンの過多が生じる。この場合、部分一括描画
法を用いて最後の1つ手前まで部分一括描画を行い、最
後の列及び最後の段の部分については、可変成形でパタ
ーニングしなければならない。従って、この方法では、
部分一括描画用のパターンショットデータの他に可変成
形用のデータ作製、データ工夫及び部分一括描画と可変
成形描画との相対位置合わせ等を行う必要があり、工数
及び時間がかかる。ここで、可変成形用のデータ作製、
データ工夫及び部分一括描画と可変成形描画との相対位
置合わせ等の工程を削減する場合は、例えば、図11の
小さい1ブロック111のようにX方向に4列、Y方向
に2段となるように2のn乗に対応したパターン数にす
る必要がある。
【0004】以上のように、図11のパターンでは、従
来単純に正方形描画領域の最大描画領域110を用いて
描画が行えるため、X方向に7列、Y方向に3段のパタ
ーンが描画でき、21個のパターンが形成可能であり、
計算通りの良好な描画スループットが得られるが、デー
タ作製や位置合わせ等の工数を考慮すると、実際の描画
スループットは低い。ここで、X方向に長く、Y方向に
短い図12の様なデバイスパターンの場合、第2のビー
ム成形アパチャに形成する繰り返しパターンの小1ブロ
ック121の2のn乗(今回2の2乗)に対応したパタ
ーン数にすると、X方向に長く、Y方向に短い長方形の
ブロックになる。このブロックではX方向は描画領域が
不足し、Y方向は描画領域のマージンが過大になる。同
様にY方向に長く、X方向に短い図13の様なデバイス
パターンの場合、第2のビーム成形アパチャに形成する
繰り返しパターンの小1ブロック131を2のn乗(今
回2の2乗)に対応したパターン数にすると、Y方向に
長く、X方向に短い長方形のブロックになる。このブロ
ックでは、Y方向は描画領域が不足し、X方向は描画領
域のマージンが過大になる。これらで、データ作製や位
置合わせ等の工数を削減したい場合は、小1ブロックの
まま、ショット数を増やして対処している。「特開平3
−64016」に記載されている図14のような図形の
場合は、図形1対がX方向に長くなっているため、正方
形の描画可能領域ではX方向の数が少なくなる。従っ
て、小1ブロックの描画領域はX>Yの長方形になる。
但し、この方法の場合は図形1対を形成するのに2ショ
ット必要であり、スループットがさらに低くなる。
来単純に正方形描画領域の最大描画領域110を用いて
描画が行えるため、X方向に7列、Y方向に3段のパタ
ーンが描画でき、21個のパターンが形成可能であり、
計算通りの良好な描画スループットが得られるが、デー
タ作製や位置合わせ等の工数を考慮すると、実際の描画
スループットは低い。ここで、X方向に長く、Y方向に
短い図12の様なデバイスパターンの場合、第2のビー
ム成形アパチャに形成する繰り返しパターンの小1ブロ
ック121の2のn乗(今回2の2乗)に対応したパタ
ーン数にすると、X方向に長く、Y方向に短い長方形の
ブロックになる。このブロックではX方向は描画領域が
不足し、Y方向は描画領域のマージンが過大になる。同
様にY方向に長く、X方向に短い図13の様なデバイス
パターンの場合、第2のビーム成形アパチャに形成する
繰り返しパターンの小1ブロック131を2のn乗(今
回2の2乗)に対応したパターン数にすると、Y方向に
長く、X方向に短い長方形のブロックになる。このブロ
ックでは、Y方向は描画領域が不足し、X方向は描画領
域のマージンが過大になる。これらで、データ作製や位
置合わせ等の工数を削減したい場合は、小1ブロックの
まま、ショット数を増やして対処している。「特開平3
−64016」に記載されている図14のような図形の
場合は、図形1対がX方向に長くなっているため、正方
形の描画可能領域ではX方向の数が少なくなる。従っ
て、小1ブロックの描画領域はX>Yの長方形になる。
但し、この方法の場合は図形1対を形成するのに2ショ
ット必要であり、スループットがさらに低くなる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来、この種の電子ビ
ーム描画装置用の第1のビーム成形アパチャ開口部の形
状は、図10のようにガウス分布で円状に広がっている
電子ビームのビーム照射領域をできる限り大きく確保す
るために正方形になっているが、メモリセルのパターン
形成を部分一括描画法(図形一括描画法)で行う場合
は、描画パターンデータ作製や部分一括部と可変成形部
との位置合わせ等の工数を省くため、1ブロックを2の
n乗に対応したパターン数にする。例えば、図11や図
12、図13、図14の小1ブロック単位を2のn乗に
なるように1ショット内に複数ブロック形成させるに
は、図11や図13では、Y方向に若干描画範囲が不足
し、図12や図14ではX方向に若干描画範囲が不足す
るため、小ブロック単位を1ショット内に複数ブロック
形成することが困難であった。従って、小ブロック単位
のみで1ショットにするため描画スループットが向上で
きない。また、図14に示されているようなパターンで
は、X方向に相補パターンがあるため、Y方向のパター
ン個数に対してX方向のパターン個数が少なくなり、ス
ループットが向上できない等の課題があった。
ーム描画装置用の第1のビーム成形アパチャ開口部の形
状は、図10のようにガウス分布で円状に広がっている
電子ビームのビーム照射領域をできる限り大きく確保す
るために正方形になっているが、メモリセルのパターン
形成を部分一括描画法(図形一括描画法)で行う場合
は、描画パターンデータ作製や部分一括部と可変成形部
との位置合わせ等の工数を省くため、1ブロックを2の
n乗に対応したパターン数にする。例えば、図11や図
12、図13、図14の小1ブロック単位を2のn乗に
なるように1ショット内に複数ブロック形成させるに
は、図11や図13では、Y方向に若干描画範囲が不足
し、図12や図14ではX方向に若干描画範囲が不足す
るため、小ブロック単位を1ショット内に複数ブロック
形成することが困難であった。従って、小ブロック単位
のみで1ショットにするため描画スループットが向上で
きない。また、図14に示されているようなパターンで
は、X方向に相補パターンがあるため、Y方向のパター
ン個数に対してX方向のパターン個数が少なくなり、ス
ループットが向上できない等の課題があった。
【0006】本発明は、電子ビーム描画装置において、
第1のビーム成形アパチャを、所望の形状に応じて作製
した第2のビーム成形アパチャ上の繰り返しパターンの
一部分に合わせた形状にすることにより、描画領域を適
正化し、スループットを向上し生産性を上げることを目
的とする。
第1のビーム成形アパチャを、所望の形状に応じて作製
した第2のビーム成形アパチャ上の繰り返しパターンの
一部分に合わせた形状にすることにより、描画領域を適
正化し、スループットを向上し生産性を上げることを目
的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】電子ビーム描画装置用の
第1のビーム成形アパチャの形状を、デバイス製品に合
わせた形状にする。または、第2のビーム成形アパチャ
に形成したパターンの一部分の形状に合わせた形状の第
1のビーム成形アパチャを使用する。例えば、X方向に
短く、Y方向に長い図13のようなデバイスの場合、第
2のビーム成形アパチャに形成する繰り返しパターンの
1ユニットはX方向に短く、Y方向に長い長方形になる
ため、第1のビーム成形アパチャのX,Y比率をデバイ
ス条件に合わせたX<Yの長方形にする。また、第1の
ビーム成形アパチャのステージを可動ステージにし、外
部からの信号入力によりステージの制御を可能にする。
第1のビーム成形アパチャの形状を、デバイス製品に合
わせた形状にする。または、第2のビーム成形アパチャ
に形成したパターンの一部分の形状に合わせた形状の第
1のビーム成形アパチャを使用する。例えば、X方向に
短く、Y方向に長い図13のようなデバイスの場合、第
2のビーム成形アパチャに形成する繰り返しパターンの
1ユニットはX方向に短く、Y方向に長い長方形になる
ため、第1のビーム成形アパチャのX,Y比率をデバイ
ス条件に合わせたX<Yの長方形にする。また、第1の
ビーム成形アパチャのステージを可動ステージにし、外
部からの信号入力によりステージの制御を可能にする。
【0008】電子ビーム描画装置用の第1のビーム成形
アパチャの形状を第2のビーム成形アパチャの形状にあ
わせて作製、描画することにより、電子ビーム照射領域
を有効的に変更するため、従来では正方形から若干はみ
出していた図11、図12、図13、図14のパターン
の小ブロック2つ分程度の一括描画が可能になる。
アパチャの形状を第2のビーム成形アパチャの形状にあ
わせて作製、描画することにより、電子ビーム照射領域
を有効的に変更するため、従来では正方形から若干はみ
出していた図11、図12、図13、図14のパターン
の小ブロック2つ分程度の一括描画が可能になる。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明について図面を参照して説
明する。図1は本発明の第1の実施の形態の電子ビーム
描画装置1の概略図である。装置1内には電子ビーム発
生源2があり、そこから発生した電子ビーム3が照射さ
れる第1のビーム成形アパチャ4がある。その下にビー
ム成形レンズ5やビーム偏向器6があり、次に第2のビ
ーム成形アパチャ8がある。さらに、その下には、ビー
ム成形レンズ5やビーム偏向器6があり、成形された電
子ビームは、第2のビーム成形アパチャ8上でのビーム
サイズよりも縮小され、試料ステージ10上の試料9上
に描画される。ここで、第1のビーム成形アパチャ上の
状態を表わす平面図を図2に示した。また、第2のビー
ム成形アパチャ上の状態を表わす平面図を図3に示し
た。この図2の第1のビーム成形アパチャ4と図3の第
2のビーム成形アパチャ8とを組み合わせて使用する。
明する。図1は本発明の第1の実施の形態の電子ビーム
描画装置1の概略図である。装置1内には電子ビーム発
生源2があり、そこから発生した電子ビーム3が照射さ
れる第1のビーム成形アパチャ4がある。その下にビー
ム成形レンズ5やビーム偏向器6があり、次に第2のビ
ーム成形アパチャ8がある。さらに、その下には、ビー
ム成形レンズ5やビーム偏向器6があり、成形された電
子ビームは、第2のビーム成形アパチャ8上でのビーム
サイズよりも縮小され、試料ステージ10上の試料9上
に描画される。ここで、第1のビーム成形アパチャ上の
状態を表わす平面図を図2に示した。また、第2のビー
ム成形アパチャ上の状態を表わす平面図を図3に示し
た。この図2の第1のビーム成形アパチャ4と図3の第
2のビーム成形アパチャ8とを組み合わせて使用する。
【0010】次に本発明の動作について図面を参照して
説明する。図1に示すように本発明の電子ビーム描画装
置内には電子ビーム発生源2があり、そこから発生した
電子ビーム3はガウシアン分布で広がる。図2のように
ビーム照射領域21は、ほぼ円形のビーム形状で第1の
ビーム成形アパチャ4に照射され、第1のビーム成形ア
パチャ開口部22により、X<Yの長方形のビームに成
形される。この後、ビーム成形レンズ5やビーム偏向器
6を通過した電子ビームは、図3のように第2のビーム
成形アパチャ8にX<Yの長方形の状態で照射される。
次に、このビームは図3の第2のビーム成形アパチャ8
によって、第2のビーム成形アパチャ上の所望パターン
32の形状のビームに成形される。そして、ビーム成形
レンズ5やビーム偏向器6を通過し、第2のビーム成形
アパチャ上でのビームサイズよりも縮小された状態で、
試料ステージ10上の試料(半導体基板)9に転写され
る。そして試料をXY方向に試料ステージによって移動
させながら、転写を繰返すことによって図4に示すよう
なメモリセルパターン40が試料9上に形成される。
説明する。図1に示すように本発明の電子ビーム描画装
置内には電子ビーム発生源2があり、そこから発生した
電子ビーム3はガウシアン分布で広がる。図2のように
ビーム照射領域21は、ほぼ円形のビーム形状で第1の
ビーム成形アパチャ4に照射され、第1のビーム成形ア
パチャ開口部22により、X<Yの長方形のビームに成
形される。この後、ビーム成形レンズ5やビーム偏向器
6を通過した電子ビームは、図3のように第2のビーム
成形アパチャ8にX<Yの長方形の状態で照射される。
次に、このビームは図3の第2のビーム成形アパチャ8
によって、第2のビーム成形アパチャ上の所望パターン
32の形状のビームに成形される。そして、ビーム成形
レンズ5やビーム偏向器6を通過し、第2のビーム成形
アパチャ上でのビームサイズよりも縮小された状態で、
試料ステージ10上の試料(半導体基板)9に転写され
る。そして試料をXY方向に試料ステージによって移動
させながら、転写を繰返すことによって図4に示すよう
なメモリセルパターン40が試料9上に形成される。
【0011】この実施の形態の場合、第2のビーム成形
アパチャ8上のパターンは、図4に示すメモリセル内の
パターンの一部分が形成されている。メモリセルパター
ンを全て部分一括描画法で行うために、一括描画を行う
1ブロックのパターン数は、2の4乗個の16になって
いる。すなわち、16のパターン数からなる1ブロック
ずつを繰返して全体のメモリセルパターンが描画され
る。
アパチャ8上のパターンは、図4に示すメモリセル内の
パターンの一部分が形成されている。メモリセルパター
ンを全て部分一括描画法で行うために、一括描画を行う
1ブロックのパターン数は、2の4乗個の16になって
いる。すなわち、16のパターン数からなる1ブロック
ずつを繰返して全体のメモリセルパターンが描画され
る。
【0012】このように本実施の形態では、第1のビー
ム成形アパチャの形状を第2のビーム成形アパチャの形
状にあわせて作製することによって、従来では正方形か
ら若干はみ出していた図11,図12,図13のパター
ンの小ブロック2つ分程度の一括描画が可能となりスル
ープットが向上する。
ム成形アパチャの形状を第2のビーム成形アパチャの形
状にあわせて作製することによって、従来では正方形か
ら若干はみ出していた図11,図12,図13のパター
ンの小ブロック2つ分程度の一括描画が可能となりスル
ープットが向上する。
【0013】次に図5,図6により本発明の第2の実施
の形態を説明する。図5は第1のビーム成形アパチャ上
の状態を表わす平面図であり、図6は第2のビーム成形
アパチャ上の状態を表わす平面図である。図6の第2の
ビーム成形アパチャ60には、4種類の1ブロックのパ
ターンが示されている。このそれぞれに対応して図5に
示す第1のビーム成形アパチャ50にはX<Yの長方
形、X>Yの長方形、斜めの長方形および正方形の形状
の開口部52が設けられている。試料に描画するときに
は、図6の第2のビーム成形アパチャ上の所望のパター
ン形状に合わせて、図5の第1の成形アパチャを選択
し、両者を組合せて使用する。
の形態を説明する。図5は第1のビーム成形アパチャ上
の状態を表わす平面図であり、図6は第2のビーム成形
アパチャ上の状態を表わす平面図である。図6の第2の
ビーム成形アパチャ60には、4種類の1ブロックのパ
ターンが示されている。このそれぞれに対応して図5に
示す第1のビーム成形アパチャ50にはX<Yの長方
形、X>Yの長方形、斜めの長方形および正方形の形状
の開口部52が設けられている。試料に描画するときに
は、図6の第2のビーム成形アパチャ上の所望のパター
ン形状に合わせて、図5の第1の成形アパチャを選択
し、両者を組合せて使用する。
【0014】図5の第1のビーム成形アパチャは、複数
種類(図では4種類)のアパチャ開口部を有している。
所望のパターン形状に合わせてアパチャ開口部を選択す
ることが必要となる。図7は、この選択を可能にした電
子ビーム描画装置の概略図であり、第1および第2のビ
ーム成形アパチャ用ステージを含む部分を示してある。
その他の部分は図1の電子ビーム描画装置と同じであ
る。この電子ビーム描画装置では、第1のビーム成形ア
パチャ用ステージ77は、外部制御系接続ライン78を
通して電気的に制御して移動できる構造になっている。
図8は第1のビーム成形アパチャ用ステージ77の具体
的構造を示した斜視図で、第1のビーム成形アパチャ8
1はXY方向に移動可能なステージ上に配設されてい
る。図6に示した第2のビーム成形アパチャのパターン
に応じてステージを動かし所望の第1のビーム成形アパ
チャ開口部82を選択する。このステージの移動は、外
部制御系接続ラインを介して行われる。また、図9は第
1のビーム成形アパチャ用ステージ77の他の具体例を
示しており、この場合はXYステージの上に回転式ステ
ージ91が設けられていて、複数の第1のビーム成形ア
パチャ92とアパチャ開口部93の両方を選択できるよ
うに構成されている。なお、上記説明ではXY方向移動
ステージの場合について述べたが、さらにZ方向移動ス
テージを加えることもできる。この実施の形態では、複
数種類のデバイスのパターンを1枚の成形アパチャを用
いて選択し形成できるので、成形アパチャを取り換える
手間がはぶける利点も有する。
種類(図では4種類)のアパチャ開口部を有している。
所望のパターン形状に合わせてアパチャ開口部を選択す
ることが必要となる。図7は、この選択を可能にした電
子ビーム描画装置の概略図であり、第1および第2のビ
ーム成形アパチャ用ステージを含む部分を示してある。
その他の部分は図1の電子ビーム描画装置と同じであ
る。この電子ビーム描画装置では、第1のビーム成形ア
パチャ用ステージ77は、外部制御系接続ライン78を
通して電気的に制御して移動できる構造になっている。
図8は第1のビーム成形アパチャ用ステージ77の具体
的構造を示した斜視図で、第1のビーム成形アパチャ8
1はXY方向に移動可能なステージ上に配設されてい
る。図6に示した第2のビーム成形アパチャのパターン
に応じてステージを動かし所望の第1のビーム成形アパ
チャ開口部82を選択する。このステージの移動は、外
部制御系接続ラインを介して行われる。また、図9は第
1のビーム成形アパチャ用ステージ77の他の具体例を
示しており、この場合はXYステージの上に回転式ステ
ージ91が設けられていて、複数の第1のビーム成形ア
パチャ92とアパチャ開口部93の両方を選択できるよ
うに構成されている。なお、上記説明ではXY方向移動
ステージの場合について述べたが、さらにZ方向移動ス
テージを加えることもできる。この実施の形態では、複
数種類のデバイスのパターンを1枚の成形アパチャを用
いて選択し形成できるので、成形アパチャを取り換える
手間がはぶける利点も有する。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電子ビー
ム描画装置は、第2のビーム成形アパチャ上の所望の形
状に対応して、第1のビーム成形アパチャの形状を変化
させ、円形のビーム照射領域内で有効に使用することに
より、スループットが向上する。スループットの向上に
より、生産性の向上や、コスト低減につながる。また、
第1のビーム成形アパチャのステージは、X,Yステー
ジや、X,Y,Zステージをあるいは、回転ステージ等
の外部から制御可能な高精度ステージであり、第1のビ
ーム成形アパチャの形状の変更が容易である。
ム描画装置は、第2のビーム成形アパチャ上の所望の形
状に対応して、第1のビーム成形アパチャの形状を変化
させ、円形のビーム照射領域内で有効に使用することに
より、スループットが向上する。スループットの向上に
より、生産性の向上や、コスト低減につながる。また、
第1のビーム成形アパチャのステージは、X,Yステー
ジや、X,Y,Zステージをあるいは、回転ステージ等
の外部から制御可能な高精度ステージであり、第1のビ
ーム成形アパチャの形状の変更が容易である。
【図1】本発明の電子ビーム描画装置の第1の実施の形
態の概略を示す図である。
態の概略を示す図である。
【図2】本発明の第1のビーム成形アパチャの第1の実
施の形態を説明する平面図である。
施の形態を説明する平面図である。
【図3】本発明の第2のビーム成形アパチャの第1の実
施の形態を説明する平面図である。
施の形態を説明する平面図である。
【図4】本発明および従来技術で作成した試料上のパタ
ーンの平面図である。
ーンの平面図である。
【図5】本発明の第1のビーム成形アパチャの第2の実
施の形態を説明する平面図である。
施の形態を説明する平面図である。
【図6】本発明の第2のビーム成形アパチャの第2の実
施の形態を説明する平面図である。
施の形態を説明する平面図である。
【図7】本発明の電子ビーム描画装置の第2の実施の形
態の1部分の概略を示す断面図である。
態の1部分の概略を示す断面図である。
【図8】本発明の第1のビーム成形アパチャ用ステージ
の一実施の形態を説明する斜視図である。
の一実施の形態を説明する斜視図である。
【図9】本発明の第1のビーム成形アパチャ用ステージ
の他の実施の形態を説明する斜視図である。
の他の実施の形態を説明する斜視図である。
【図10】従来技術の第1のビーム成形アパチャを説明
する平面図である。
する平面図である。
【図11】従来技術の第1,第2のビーム成形アパチャ
を説明する平面図である。
を説明する平面図である。
【図12】従来技術の第1,第2のビーム成形アパチャ
を説明する平面図である。
を説明する平面図である。
【図13】従来技術の第1,第2のビーム成形アパチャ
を説明する平面図である。
を説明する平面図である。
【図14】従来技術の第2のビーム成形アパチャを説明
する平面図である。
する平面図である。
1 電子ビーム描画装置 2,70 電子ビーム発生源 3,71 電子ビーム 4,72 第1のビーム成形用アパチャ 5,73 ビーム成形レンズ 6,74 ビーム偏向器 7,75 第2のビーム成形アパチャ用ステージ 8,76 第2のビーム成形用アパチャ 9 試料(半導体ウエハ) 10 試料ステージ 11 第1のビーム成形アパチャ用ステージ 21 ビーム照射領域 22 第1のビーム成形アパチャ開口部 31 ビーム有効領域 32 第2のビーム成形アパチャ上パターン 40 メモリセルパターン 78 外部制御系接続ライン
Claims (5)
- 【請求項1】 電子銃から発生した電子ビームを第1の
ビーム成形アパチャで成形し、さらに第2のビーム成形
アパチャで成形後、目的の基板に所望のパターン描画を
行う電子ビーム描画装置において、描画する所望のパタ
ーンの形状に合わせたビーム成形アパチャを使用するこ
とを特徴とする電子ビーム描画装置。 - 【請求項2】 前記第2のビーム成形アパチャ上の形状
に対応した第1のビーム成形アパチャを使用することを
特徴とする請求項1記載の電子ビーム描画装置。 - 【請求項3】 前記第2のビーム成形アパチャ上の所望
のパターンをウエハ上に複数形成するときに単位時間当
たりのウエハ描画スループットを最大限にするような形
状にした第1のビーム成形アパチャを使用することを特
徴とする請求項1または2に記載の電子ビーム描画装
置。 - 【請求項4】 前記第2のビーム成形アパチャ上の所望
のパターンに合わせた第1のビーム成形アパチャの形状
変更を外部からの制御手段により行うことを特徴とする
請求項1,2,3に記載の電子ビーム描画装置。 - 【請求項5】 前記第2のビーム成形アパチャ上の所望
のパターンに合わせて変更可能な第1のビーム成形アパ
チャのステージが、X,Y,Z方向に移動可能であり、
外部からの制御手段により制御することを特徴とする請
求項1から4に記載の電子ビーム描画装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23037096A JP3206448B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 電子ビーム描画装置 |
US08/918,165 US6288407B1 (en) | 1996-08-30 | 1997-08-25 | Electron beam-writing apparatus and electron beam-writing method |
KR1019970042116A KR100272478B1 (ko) | 1996-08-30 | 1997-08-28 | 전자빔묘화장치및그방법 |
TW086112443A TW345688B (en) | 1996-08-30 | 1997-08-30 | Electron beam-writing apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23037096A JP3206448B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 電子ビーム描画装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1074682A true JPH1074682A (ja) | 1998-03-17 |
JP3206448B2 JP3206448B2 (ja) | 2001-09-10 |
Family
ID=16906804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23037096A Expired - Fee Related JP3206448B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 電子ビーム描画装置 |
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Country | Link |
---|---|
US (1) | US6288407B1 (ja) |
JP (1) | JP3206448B2 (ja) |
KR (1) | KR100272478B1 (ja) |
TW (1) | TW345688B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006128564A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Toshiba Corp | 荷電ビーム露光装置および荷電ビーム制御方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3047294B1 (ja) * | 1999-02-26 | 2000-05-29 | 株式会社日立製作所 | 電子ビ―ム描画方法および描画装置、ならびにそれを用いて製作したデバイス |
JP2006126823A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-05-18 | Fujitsu Ltd | 可変矩形型電子ビーム露光装置及びパターン露光・形成方法 |
US20060076513A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Fujitsu Limited | Variable rectangle-type electron beam exposure apparatus and pattern exposure-formation method |
KR102573668B1 (ko) | 2018-09-17 | 2023-09-06 | 삼성전자 주식회사 | 전기적 연결 장치 및 그것을 포함하는 전자 장치 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1598219A (en) | 1977-08-10 | 1981-09-16 | Ibm | Electron beam system |
US4167676A (en) * | 1978-02-21 | 1979-09-11 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Variable-spot scanning in an electron beam exposure system |
JPH0364016A (ja) | 1989-08-02 | 1991-03-19 | Hitachi Ltd | 電子ビーム描画方法および描画用アパーチヤ |
JP2936102B2 (ja) | 1990-07-06 | 1999-08-23 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光装置及び荷電粒子ビーム露光方法 |
JPH04137520A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置および描画方法 |
JP3338899B2 (ja) | 1992-11-02 | 2002-10-28 | 富士通株式会社 | 荷電粒子露光用マスクの製造方法 |
JP3192500B2 (ja) * | 1992-11-19 | 2001-07-30 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画方法および電子線描画装置 |
JP2746098B2 (ja) | 1994-01-19 | 1998-04-28 | 日本電気株式会社 | 電子ビーム描画用アパーチャおよび電子ビーム描画方法 |
EP0732624B1 (en) * | 1995-03-17 | 2001-10-10 | Ebara Corporation | Fabrication method with energy beam |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP23037096A patent/JP3206448B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-08-25 US US08/918,165 patent/US6288407B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-08-28 KR KR1019970042116A patent/KR100272478B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-08-30 TW TW086112443A patent/TW345688B/zh active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006128564A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Toshiba Corp | 荷電ビーム露光装置および荷電ビーム制御方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6288407B1 (en) | 2001-09-11 |
KR19980019118A (ko) | 1998-06-05 |
KR100272478B1 (ko) | 2000-12-01 |
TW345688B (en) | 1998-11-21 |
JP3206448B2 (ja) | 2001-09-10 |
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