JPH04302413A - 荷電ビーム描画装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ等の半導体集積
回路のパターンをマスクやウェーハ等の試料に高速・高
精度に描画する荷電ビーム描画装置に係わり、特にメモ
リデバイスに代表される繰り返しパターンに合致した形
状のビームを発生して超高速に描画する荷電ビーム描画
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＬＳＩのパターンは益々微細かつ
複雑になっており、このようなパターンを形成する装置
として電子ビーム描画装置が用いられている。この装置
を用いて所望のＬＳＩパターンを描画する場合、ＣＡＤ
を始めとするＬＳＩパターンの設計パターンデータ作成
ツールを用いて作成される設計パターンデータを、その
ままの形式で描画装置の描画パターンデータとして供給
することはできない。

【０００３】即ち、設計パターンデータで定義されてい
るデータ体系は、一般的に非常に自由度の高いデータ体
系として作成されているため、電子ビーム描画装置に受
容可能なデータ体系とするためには、以下に示すような
条件を満足させなければならない。 （１）　電子ビーム描画装置で受容可能な基本図形群（
台形や矩形など）のみで構成される図形体系で定義され
ること。 （２）　多重露光となってパターンの形成精度を低下さ
せてしまう図形相互の重なりのないデータ体系で定義さ
れること。 （３）　電子ビーム描画装置の描画方式に沿って所定の
単位描画領域毎に領域分割されたデータ体系で定義され
ること。

【０００４】従って、上記設計パターンデータを例えば
輪郭化処理といった手法を用いて多重露光領域の除去を
行い、その後ビームの偏向領域により決定する単位描画
領域（フレーム領域，サブフィールド領域）毎の矩形・
台形及び三角形などの基本図形群に図形分割することに
より、電子ビーム描画装置に受容可能な図形データ体系
とする。そして、このような図形体系のデータを基に所
望とするＬＳＩチップに係わる描画パターンデータを生
成し、該描画パターンデータを磁気ディスクに代表され
る記憶媒体に記憶させて描画に供している。

【０００５】そして、描画処理工程では上記描画パター
ンデータを１回のテーブル連続移動により描画し得る単
位領域毎である描画ストライプ領域毎（フレーム領域を
所定の規則により集めた領域）に読み出し、一時的にパ
ターンメモリ部に蓄積する。このデータを解読して、ビ
ーム成形手段により形成可能な描画単位図形（２つのア
パーチャの電子光学的重なりにより発生可能な図形）の
集まりで所望パターンを構成すべく図形分割を行う。そ
の結果得られた図形データを基にして、ビーム位置及び
ビーム形状を制御すると共に、試料を載置したテーブル
をＸ方向若しくはＹ方向に連続的に移動して、描画スト
ライプ領域内に所望のパターンを描画する。

【０００６】次いで、上記テーブルを連続移動方向と直
交する方向に描画ストライプ領域の幅だけステップ移動
し、上記処理を繰り返すことにより所望領域全体の描画
処理が行われる。

【０００７】なお、主偏向手段により副偏向位置を制御
しながら且つ副偏向手段により副偏向領域内に所望パタ
ーンを描画する２段偏向方式では、単位描画領域（サブ
フィールド）の集合体でフレーム領域を構成し、このフ
レーム領域の集合体で描画ストライプ領域を構成してお
り、描画ストライプ領域の幅は上記主偏向手段と副偏向
手段のビーム偏向幅により規定されている。

【０００８】上述のごとく描画処理に供される描画パタ
ーンデータを生成するに際しては、ＬＳＩパターンの微
細化及び高集積化への対応策として、メモリセルのよう
な繰り返し構造を有するパターン領域については、繰り
返しの種となる基本図形パターン群とその繰り返し情報
で描画パターンデータを構成することにより、描画パタ
ーンデータの圧縮を図っていた。その理由は、パターン
密度の微細化及び集積度の伸長が激しいメモリデバイス
のデータ変換処理にあっては、上記繰り返し構造を利用
したデータ圧縮を行わないと計算機資源を著しく圧迫す
ることと、データ変換処理時間が長期化し実用的でなく
なるといった観点から、最早データ変換不能な状況とな
ってしまうからである。

【０００９】ところで、上述のような処理工程において
発生する描画単位図形の形状は２つのアパーチャの重な
りによって決まるが、露光時間の短縮を目的として矩形
ビームのみから矩形と直角二等辺三角形を発生可能なビ
ーム成形用アパーチャマスクが提案されている。さらに
、上記基本形状のビーム発生に加えて、メモリデバイス
に代表される繰り返しパターンを発生可能なビーム発生
機構を具備して露光時間の高速化が可能な荷電ビーム描
画装置（以下、キャラクタプロジェクション方式と呼ぶ
）が提案されている。

【００１０】しかしながら、この種の荷電ビーム描画装
置にあっては次のような問題点があった。上記描画試料
を載置したテーブルをＸ方向若しくはＹ方向に連続移動
しながらビーム形状及びビーム位置を制御して描画処理
する描画方法においては、上記描画ストライプ領域内の
パターンの疎密に応じてテーブル移動速度を加減速制御
して描画するのが描画速度を向上する上で望ましいが、
描画パターンの精度及びテーブル制御の観点から移動速
度を加減速するのは極めて難しい。このため、描画スト
ライプ領域内のパターン密度が密な領域から決定するテ
ーブル移動速度によりテーブルを定速移動しながら描画
処理している。

【００１１】このような状況にあっては、上記キャラク
タプロジェクション方式のようにメモリセル部の描画単
位図形数は大幅に低減されるが、メモリセル部以外のパ
ターン領域では描画単位図形数が基本的に低減しない。 従って、メモリセル部とメモリセル部以外が共存する描
画ストライプ領域の描画処理においては、メモリセル部
以外のパターン密度がメモリセル部の密度より高くなり
、メモリセル部の描画単位図形数の大幅な低減にも拘ら
ず、描画速度は向上しないという問題を抱えていた。

【００１２】そして、このような問題点はＬＳＩの生産
性を低下させると共に、ＬＳＩデバイスの生産コストを
高くする要因となり、結果として今後ＬＳＩの急速な進
歩でパターンの微細化・高集積化が進む中で、ＬＳＩパ
ターンに対する信頼性及び装置の稼働率を高める上で大
きな問題となる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】このように、近年描画
スループットの向上を目的として提案されているキャラ
クタプロジェクション方式の荷電ビーム描画装置におい
ては、現在ウェーハへのパターン形成装置として主流と
なっている光縮小転写装置の処理時間に匹敵する描画速
度及び稼働率を実現する上で、メモリセル部の描画単位
図形の低域に匹敵する描画速度の高速化を達成する必要
がある。しかし、テーブル連続移動方式の荷電ビーム描
画装置においては、メモリセル部以外の描画単位図形数
からテーブル移動速度が決定されてしまい、メモリセル
部の描画単位図形数の低域に匹敵する描画速度の向上が
期待できなかった。

【００１４】また、キャラクタプロジェクション方式に
限らず、矩形と直角三角形のビームのみを用いた荷電ビ
ーム描画装置においても、描画単位図形数の低減に限度
があり、これが描画スループットの向上を妨げる要因と
なっていた。

【００１５】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、テーブル移動速度を決
定するメモリセル部以外の描画単位図形数を低域するこ
とができ、ＬＳＩチップの描画速度を高速化して、装置
の信頼性及び描画スループットの向上を図り得る荷電ビ
ーム描画装置を提供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、描画単
位図形数を低域して描画速度の高速化を図るために、矩
形と直角二等辺三角形以外に、台形（斜線が４５度の図
形に限定）からなる描画単位図形を発生可能なビーム成
形用アパーチャマスクを実現することにある。

【００１７】即ち本発明は、少くとも２つのビーム通過
孔の組合わせにより複数種類のビーム形状を発生して、
所望パターンを描画処理する荷電ビーム描画装置におい
て、矩形状のビーム通過孔を有する第１のビーム成形用
アパーチャマスクと、矩形状の第１のビーム通過孔と８
つの辺からなりそれぞれの内角が１３５度の第２のビー
ム通過孔を有する第２のビーム成形用アパーチャマスク
とを設け、第１のビーム成形用アパーチャマスクを通過
した矩形状のビームを第２のビーム成形用アパーチャマ
スクに投影し、矩形ビーム，直角二等辺三角形ビーム及
び斜線部の角度が４５度の台形ビームを選択的に発生す
るようにしたものである。

【００１８】また本発明は、メモリデバイスに代表され
る繰返しパターンの基本図形群（繰返しの種パターン）
を発生可能なキャラクタプロジェクション方式の荷電ビ
ーム描画装置において、矩形状のビーム通過孔を有する
第１のビーム成形用アパーチャマスクと、矩形状の第１
のビーム通過孔，８つの辺からなりそれぞれの内角が１
３５度の第２のビーム通過孔，及びメモリデバイスに代
表される繰返しパターンを転写する繰返しパターン部の
形状と同一形状の第３のビーム通過孔を有する第２のビ
ーム成形用アパーチャマスクとを設け、第１のビーム成
形用アパーチャマスクを通過した矩形状のビームを第２
のビーム成形用アパーチャマスクに投影し、矩形ビーム
，直角二等辺三角形，台形ビーム及び繰返しパターン形
状のビームを選択的に発生するようにしたものである。

【００１９】

【作用】本発明によれば、第１のビーム成形用アパーチ
ャマスクのビーム通過孔と第２のビーム成形用アパーチ
ャマスクの第１のビーム通過孔との光学的重なりにより
矩形ビームを形成することができ、第１のアパーチャマ
スクのビーム通過孔と第２のアパーチャマスクの第２の
ビーム通過孔との光学的重なりにより直角二等辺三角形
及び台形ビームを形成することができる。さらに、第１
のアパーチャマスクのビーム通過孔と第２のアパーチャ
マスクの第３のビーム通過孔との光学的重なりによって
、メモリデバイスに代表される繰返しパターンに相当す
るビームを形成することができる。従って、描画単位図
形数の低減をはかることが可能となる。

【００２０】特に、メモリデバイスに代表される繰返し
パターンの単位基本図形群をビーム成形用アパーチャマ
スクの投影ビーム像により露光可能なキャラクタプロジ
ェクション方式の荷電ビーム描画装置においては、メモ
リセル部及びメモリセル部以外での描画単位図形数を大
幅に低減することにより、描画ストライプ領域を描画処
理する際のテーブル移動速度を高速化することができ、
その結果として装置の信頼性及び描画スループットの向
上を実現することが可能となる。

【００２１】そして、このような描画単位図形の発生機
構は、今後パターンの微細化及び高集積化が進む状況下
にあって、荷電ビーム描画装置の飛躍的な描画スループ
ット向上が叫ばれる中でより有効な効果を発揮すると期
待される。

【００２２】

【実施例】以下、本発明の詳細を図示の実施例によって
説明する。

【００２３】図１は、本発明の第１の実施例に係わる電
子ビーム描画装置を示す概略構成図である。図中１０は
試料室であり、この試料室１０内にはガラスマスクや半
導体ウェーハ等の試料１１を載置したテーブル１２が収
容されている。テーブル１２は、テーブル駆動回路１３
によりＸ方向（紙面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方
向）に駆動される。そして、テーブル１２の移動位置は
レーザ測長計などを用いた位置回路１４により測定され
るものとなっている。

【００２４】試料室１０の上方には、電子ビーム光学系
２０が配置されている。この電子ビーム光学系２０は、
電子銃２１，各種レンズ２２〜２６，ブランキング用偏
向器３１，ビーム寸法可変用偏向器３２，ビーム走査用
の主偏向器３３，ビーム走査用の副偏向器３４及びビー
ム成形アパーチャマスク３５，３６などから構成されて
いる。

【００２５】そして、主偏向器３３により単位描画領域
（サブフィールド）に位置決めし、副偏向器３４により
サブフィールド内での図形描画位置の位置決めを行うと
共に、ビーム寸法可変用偏向器３２及び成形アパーチャ
３５，３６によりビーム形状を制御する。さらに、テー
ブルを一方向に連続移動しながら、ＬＳＩチップパター
ン領域を１回のテーブル連続移動により描画可能な範囲
内で集めた描画ストライプ領域を描画処理する。

【００２６】つまり、ＬＳＩチップパターン領域をビー
ムの偏向幅に応じて短冊状に分割したフレーム領域を集
めた描画ストライプ領域を描画処理し、次いでテーブル
１２を連続移動方向に直交する方向にステップ移動し、
上記処理を繰り返して該描画ストライプ領域を順次描画
するものとなっている。

【００２７】一方、制御計算機４０には磁気ディスク（
記憶媒体）４１が接続されており、このディスク４１に
ＬＳＩチップの描画パターンデータが格納されている。 磁気ディスク４１から読出されたＬＳＩチップの描画パ
ターンデータは、前記描画ストライプ領域毎にパターン
メモリ（データバッファ部）４２に一時的に格納される
。パターンメモリ４２に格納された描画ストライプ毎の
描画パターンデータ、つまり描画位置及び基本図形デー
タ等で構成される描画ストライプ情報は、データ解読部
であるパターンデータデコーダ４３及び描画データデコ
ーダ４４により解読され、ブランキング回路４５，ビー
ム成形器ドライバ４６，主偏向器ドライバ４７及び副偏
向器ドライバ４８に送られる。

【００２８】即ち、パターンデータデコーダ４３では上
記描画ストライプ領域毎の描画パターンデータを入力し
描画ストライプデータとして定義されているパターンの
繰り返し情報を基に圧縮された描画図形データを展開す
る。これと共に、該描画ストライプ領域の描画処理にお
いて描画すべき領域についてサブフィールド毎に判断及
び解読しながら、前記描画パターンデータに定義された
描画図形データをアパーチャマスク３５，３６の組合わ
せにより形成可能な描画単位図形に分割する。そして、
このデータに基づいてビーム制御データょ作成し、ブラ
ンキング回路４５に送って所望のパターンを描画処理す
るものとなっている。

【００２９】次に、上記装置を用いた描画処理工程につ
いて説明する。図２は描画しようとするＬＳＩパターン
の一部を示すパターン例である。このパターンは、メモ
リセル部のような膨大な繰り返しを有するパターン部５
１と、該メモリセル部を取り囲んでいる比較的繰り返し
の少ないパターン部５２、及び全く繰り返し構造を有し
ていないパターン部５３から構成されている。

【００３０】このようなＬＳＩパターンを描画処理する
際に使用する第１のビーム成形用アパーチャマスク３５
には、図３（ａ）に示すように、矩形状のビーム通過孔
（アパーチャ）３５ａが形成されている。第２のビーム
成形用アパーチャマスク３６は、図３（ｂ）に示すよう
に例えば３６ａ〜３６ｉのように区画化され、その中の
１区画には、図４（ａ）に示すような矩形状のビーム通
過孔６１、同図（ｂ）に示すような正八角形のビーム通
過孔６２がそれぞれ設けられている。

【００３１】そして、第１のビーム成形用アパーチャマ
スク３５から投影された矩形ビームとの組み合わせによ
り、図５（ａ）に示すように種々の大きさの矩形ビーム
、同図（ｂ）に示すような直角二等辺三角形ビーム、さ
らに同図（ｃ）に示すような種々の台形ビームを発生可
能となっている。

【００３２】また、第２のビーム成形用アパーチャマス
ク３６の他の区画には、メモリデバイスに代表される繰
返しパターンの種パターンの形状に応じたビーム通過孔
が形成されている。図４（ｃ）はその一例を表わすビー
ム通過孔６３の形状を示している。

【００３３】ＬＳＩパターンを描画単位図形に分割して
描画処理する場合、描画ストライプデータに定義されて
いる繰返しパターン部の中で、第２のビーム成形用アパ
ーチャマスク３６にパターンが形成されて一括露光可能
なパターンに対しては、描画データ中に特定のタグ情報
が付与されている。このタグ情報を基に第１のビーム成
形用アパーチャマスク３５の投影ビーム像を、第２のビ
ーム成形用アパーチャマスク３６に形成される所定の１
区画にアライメント投影することにより、繰り返しパタ
ーンを露光する。

【００３４】一方、上記第２のビーム成形用アパーチャ
マスク３６に形成されたビーム通過孔の一括転写で露光
不可能なパターン（メモリセル部などの繰返しパターン
部以外）については、図６（ａ）（ｂ）に示すように、
矩形ビームと直角二等辺三角形ビーム及び台形ビームの
みから構成される描画単位図形群に図形分割する。そし
て、ビーム成形器ドライバ４６を制御して描画試料上に
所望パターンを描画する。

【００３５】かくして本実施例によれば、第２のビーム
成形用アパーチャマスク３６に図４に示すようなビーム
通過孔を形成しているので、第１のビーム成形用アパー
チャマスク３５のビーム通過孔と第２のビーム成形用ア
パーチャマスク３６の各ビーム通過孔との光学的重なり
により、矩形，直角二等辺三角形は勿論のこと、台形の
ビームを形成することができる。さらに、これに加えて
メモリデバイスに代表される繰り返しパターンに相当す
るビームを形成することもできる。

【００３６】従って、キャラクタプロジェクション方式
で描画する描画単位図形数を、パターンの繰返し領域及
び非繰返し領域の双方について低減することができ、そ
の結果として描画スループットの向上を図ることが可能
となる。そして、今後パターンの微細化及び高集積化が
進む状況下にあって、電子ビーム描画装置の飛躍的なス
ループット向上が叫ばれる中、電子ビーム描画装置の稼
働率を高めると共にＬＳＩの生産性を高める上でより有
効な効果を発揮すると期待される。

【００３７】次に、本発明の第２の実施例を説明する。 この実施例は、４５度以外の斜線を含むパターンを描画
する際に有効な方法である。描画装置としては、第１の
実施例と同様のものを用いる。

【００３８】まず、ＬＳＩの設計パターンデータを電子
ビーム描画装置で許容し得るデータに変換するため、ホ
スト計算機で図形の輪郭処理を施し、ビームの多重露光
領域の除去を行う。続いて、図７に示すようなサブフィ
ールド領域７０への分割を行い、さらにサブフィールド
領域７０に包含される多角形をＹ軸（紙面上下方向）に
平行な直線で分割し、矩形及び台形で構成される基本図
形７１，７２，７３，７４，７５，７６に分割する。

【００３９】上述の工程で得た基本図形を元に、セルデ
ータを構築する。即ち、上記基本図形を図形形状を示す
図形の種類，ビーム照射量，ビームの照射位置を示す図
形位置及び図形サイズで構成される描画図形情報の集ま
りとして、サブフィールド領域に係わる描画パターンデ
ータを表すセルデータを構築する。そして、上記描画図
形情報の集合体としてフレーム情報を生成し、さらにフ
レーム情報の集合体としてＬＳＩのチップデータを構築
し、このチップデータを前記制御計算機４０を介して磁
気ディスク４１へ供給して描画処理が行われる。

【００４０】この描画処理では、前記フレーム領域毎の
フレーム情報を前記パターンメモリ４２に一時的に格納
しパターンデータデコーダ４３で前記基本図形を解読し
て、ビーム成形手段である２個のビーム形成用アパーチ
ャマスク３５，３６で形成可能な描画単位図形群に図形
分割する。この際、前記描画図形情報の中の図形の種類
に斜線を含まない矩形を示す指標が付与された図形７２
及び７５については、第５図（ａ）に示す如く矩形のビ
ーム通過孔の組み合わせで形成可能な矩形の描画単位図
形の集合体として図形分割して描画に供する。

【００４１】一方、斜線を含む図形の中で斜矩形を示す
指標が付与された図形７１については、図８（ａ）に示
すように図形分割し広い意味での台形７７及び７８とす
る。そして、台形を示す指標が付与された図形７３，７
４及び７６と共に、図形頂点を通るＸ軸（紙面左右方向
）に平行な直線で矩形と直角三角形に分割し、図８（ｂ
）に示すような図形体系とする。この図形群の中で矩形
形状である７３ｂ，７４ａ及び７６ｂについては、先と
同様にして矩形の描画単位図形への分割を行う。

【００４２】直角三角形の図形群のうち、直角を挟むＸ
辺とＹ辺の長さが等しい図形、即ち直角二等辺三角形７
７ａ，７７ｂ，７８ａ及び７８ｂについては、図５（ｂ
）に示すような斜線部がそれぞれ異なる傾斜方向を有す
る４種類の直角二等辺三角形に図形分解して描画に供す
る。

【００４３】そして、これらの描画単位図形７５、７６
ａ〜７６ｄのみでは描画不能な直角を挟むＸ方向に平行
な辺とＹ方向に平行な辺の長さが異なる直角三角形７３
ａ，７３ｃ、７４ａ及び７６ａを前記描画単位図形で近
似して描画する場合、図９（ａ）（ｂ）に示すように、
直角を挟む二辺のうち、大なる辺に平行となり、その間
隔（分割幅）が斜線部分のＸ軸に対する角度に依存した
ような直線群で図形分割を行い、細長の台形７９ａ〜７
９ｆからｕる図形群とする。ここで、斜線部分のＸ軸に
対する角度α、分割幅Ｗの関係は下式で与えられる。

【００４４】 　　　　　　　　Ｆ（α）：０°＋９０°×Ｎ＜α＜４
５°＋９０°×Ｎ　　Ｗ＝Ｗｍａｘ　　　　　：α＝４
５°＋９０°×Ｎ　　　　　　　　Ｇ（α）：４５°＋
９０°×Ｎ＜α＜９０°×（Ｎ＋１）但し、Ｎ＝０、１
、２、３ ここで、Ｆ（α）はこの区間での単調増加関数であり、
Ｇ（α）は単調減少関数である。また、Ｗｍａｘ　は描
画単位図形の最大幅である。これらの関数の様子を、図
９（ｃ）に示す。

【００４５】さらに、図９（ｄ）に示すように、これら
の台形７９ａ〜７９ｆを矩形と直角三角形に分割し、直
角三角形の部分については、図５（ｂ）に示す４種類の
方向を有する三角形ビームと方向の一致したビームを選
択的に抽出した近似を行い、図１０に示すような描画単
位図形群の集まりとして表現する。そして、この描画単
位図形を基に、ビーム寸法可変成形偏向器をビーム成形
器ドライバで制御して描画処理することにより、高精度
なパターンの形成が可能となり、描画時間の短縮化がは
かれる。

【００４６】かくして本実施例によれば、２個のビーム
成形用アパーチャ３５，３６の重ね合わせで形成するこ
とができない４５°の整数倍以外の任意の角を有する直
角三角形を含む図形を描画する場合、描画単位図形の増
大を招くことなしに形成すべき描画パターンの精度及び
スループットの大幅な向上が可能となった。

【００４７】なお、本発明は上述した各実施例に限定さ
れるものではない。例えば、前記描画パターンデータを
格納する手段としては磁気ディスクに限るものではなく
、磁気テープや半導体メモリなど、他の記憶媒体を用い
ることができる。また、電子ビーム描画装置の構成は第
１図に何等限定されるものではなく、仕様に応じて適宜
変更可能である。

【００４８】また、実施例では電子ビームを例にとり説
明したが、電子ビームに限定されることなく、イオンビ
ームやレーザービームを含む荷電ビームに対し適用可能
である。さらに、記憶媒体に格納される描画パターンデ
ータの図形体系は、矩形や台形などの基本図形でなく描
画単位図形や多角形図形でもよく、このような図形体系
のデータについても適用可能である。その他、本発明の
要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが
できる。

【００４９】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、メ
モリデバイスに代表される繰返しパターンの単位基本図
形群を、ビーム成形用アパーチャマスクの投影ビーム像
により露光可能なキャラクタプロジェクション方式の荷
電ビーム描画装置において、メモリセル部及びメモリセ
ル部以外での描画単位図形数を大幅に低減することによ
り、描画ストライプ領域を描画処理する際のテーブル移
動速度を高速化することができ、その結果として描画ス
ループットの向上を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係わる電子ビーム描画
装置を示す概略構成図、

【図２】描画パターンの一例を示す模式図、

【図３】第
１のビーム成形用アパーチャマスクのアパーチャ形状を
示す模式図、

【図４】第２のビーム成形用アパーチャマスクのアパー
チャ形状を示す模式図、

【図５】２つのアパーチャの重なりによるビーム形状を
示す模式図、

【図６】繰り返しパターン以外の描画単位図形を示す模
式図、

【図７】分割された基本図形を示す模式図、

【図８】図
形の分割工程を説明するための模式図、

【図９】図形の
分割工程を説明するための模式図、

【図１０】最終的な
描画単位図形を示す模式図、

【符号の説明】

１０…試料室、 １１…試料、 １２…テーブル、 １３…テーブル駆動回路、 １４…位置回路、 ２０…電子光学系、 ２１…電子銃、 ２２〜２６…レンズ、 ３１〜３４…偏向器、 ３５，３６…ビーム成形用アパーチャマスク、４０…制
御計算機、 ４１…磁気ディスク（記憶媒体）、 ４２…パターンメモリ、 ４３…パターンデータデコーダ、 ４４…描画データデコーダ、 ４５…ブランキング回路、 ４６…ビーム成形器ドライバ、 ４７…主偏向器ドライバ、 ４８…副偏向器ドライバ。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　少くとも２枚のビーム成形用アパーチ
   ャマスクの組合わせにより、矩形状のビームを含む複数
   種類のビーム形状を発生して、所望パターンを描画処理
   する荷電ビーム描画装置において、矩形状のビーム通過
   孔を有する第１のビーム成形用アパーチャマスクと、矩
   形状の第１のビーム通過孔と少くとも８つの辺からなり
   それぞれの辺の交差する角度が４５度である第２のビー
   ム通過孔を有する第２のビーム成形用アパーチャマスク
   とを具備してなり、第１のビーム成形用アパーチャマス
   クを通過した矩形状のビームを第２のビーム成形用アパ
   ーチャマスクに投影し、矩形ビーム，直角二等辺三角形
   ビーム及び斜線部の角度が４５度の台形ビームを選択的
   に発生することを特徴とする荷電ビーム描画装置。
2. 【請求項２】　　少くとも２つのビーム通過孔の組合わ
   せにより複数種類のビーム形状を発生して、所望パター
   ンを描画処理する荷電ビーム描画装置において、矩形状
   のビーム通過孔を有する第１のビーム成形用アパーチャ
   マスクと、矩形状の第１のビーム通過孔と８つの辺から
   なり８つの内角が共に１３５度の第２のビーム通過孔を
   有する第２のビーム成形用アパーチャマスクとを具備し
   てなり、第１のビーム成形用アパーチャマスクを通過し
   た矩形状のビームを第２のビーム成形用アパーチャマス
   クに投影し、矩形ビーム，直角二等辺三角形ビーム及び
   斜線部の角度が４５度の台形ビームを選択的に発生する
   ことを特徴とする荷電ビーム描画装置。
3. 【請求項３】　　第２のビーム成形用アパーチャマスク
   は、第１のビーム通過孔及び第２のビーム通過孔に加え
   て、メモリデバイスに代表される繰返しパターンを転写
   する繰返しパターン部の形状と同一形状の第３のビーム
   通過孔を有しており、前記矩形ビーム，直角二等辺三角
   形，台形ビーム，又は繰返しパターン形状のビームを選
   択的に発生することを特徴とする請求項１又は２に記載
   の荷電ビーム描画装置。