JP2664732B2 - 荷電ビーム描画方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、LSI等の半導体集積回路のパターンをマス
クやウェハ等の試料に高速・高精度に描画するための荷
電ビームを描画方法に係わり、特にデータ圧縮した描画
パターンデータを用いて高精度の描画を可能とした荷電
ビーム描画方法に関する。

（従来の技術） 近年、LSIのパターンは益々微細かつ複雑になってお
り、このようなパターンを形成する装置として電子ビー
ム描画装置が用いられている。

この装置を用いて所望のパターンを描画する場合、CA
Dを始めとするLSIのパターン設計ツールを用いて作成さ
れる設計パターンデータを、そのままの形式で上記描画
装置の描画パターンデータとして供給することはできな
い。即ち、設計パターンデータは一般的に非常に自由度
が高いデータ体系といて作成されているため、電子ビー
ム描画装置に受容可能なデータ体系とするには以下に示
すような制限を満足させなければならない。

電子ビーム描画装置で受容可能な台形や矩形等の基
本図形群のみで構成される図形体系とすること。

多重露光となってパターン精度を低下させてしまう
図形の重なりを除去すること。

電子ビーム描画装置の描画方式と密接に関係する単
位描画領域に領域分割された図形体系とすること。

従って、上記設計パターンデータを例えば輪郭化処理
を施して多重露光領域の除去を行い、その後ビームの偏
向領域により決定する固有の単位描画領域（フレーム領
域、下部フィールド領域）毎に矩形・台形等の基本図形
に分割することにより、電子ビーム描画装置にとって受
容可能な図形データ体系にする。このような工程によっ
て、集積回路に係わる描画パターンデータを生成し、磁
気ディスク等の記憶媒体に記憶させて描画に供してい
る。

そして、描画処理工程では上記描画パターンデータを
フレーム領域毎に読出して一時的にパターンデータバッ
ファに蓄積し、このデータを解読すると共に、形成可能
な描画単位図形の集まりに分割する。そして、その結果
を基にビーム位置及びビーム形状を制御する一方、試料
を載置したテーブルをＸ方向若しくはＹ方向に連続的に
移動してフレーム領域内に所望パターンを描画する。次
いで、テーブルを連続移動方向と直交する方向にフレー
ム領域の幅分だけステップ移動し、上記処理を繰返すこ
とにより所望領域全体の描画処理が行われる。

なお、主偏向手段により副偏向位置を制御し副偏向手
段により描画を行う２段偏向方式では、単位描画領域
（サブフィールド）の集合体でフレーム領域を構成し、
フレーム領域の幅は主偏向手段のビーム偏向幅で規定し
ている。この方式でも上記と同様に、フレーム領域毎に
描画パターンデータを読出し、テーブルを連続移動しな
がら描画処理が行われる。

上述の如く描画処理に供される描画パターンデータを
生成するに際しては、LSIパターンの微細化及び高集積
化への対応策として、メモリーセルのような繰返し構造
を有するパターン領域については、繰返しの種となる図
形パターン群とその繰返し情報で描画パターンデータを
構成することにより描画パターンデータの圧縮を図って
いた。さらに、繰返し構造を持たないパターン領域につ
いては、該領域を所定のサブフィールドサイズにマトリ
クス分割した領域体系として、それぞれのサブフィール
ド領域について描画位置と該サブフィールド領域に包含
される描画データ群とで描画パターンデータを構成し生
成する。そして、上記繰返しパターン領域の描画パター
ンデータとを組合わせて描画順序に沿ったサブフィール
ド単位の並べ替えを行って前記フレームデータを構築す
る。さらに、フレームデータの集合体としてチップデー
タを表現するようにしていた。

しかしながら、この種の方法にあっては次のような問
題があった。即ち、前記繰返し構造を持たないパターン
領域の描画パターンデータを生成する際にして、１つ１
つの下部フィールド領域に対する描画位置を定義してい
るため、１つのチップ領域に全く繰返しパターンを持た
ないLSIパターン（ゲートアレイ等）では描画パターン
データのデータ量が増大してしまう。これに起因して、
データ生成時間の増大なデータを記憶媒体に格納する時
間の増大、さらに記憶媒体からパターンバッファにフレ
ームデータを転送するのに要する時間が増大する等の問
題を誘因していた。

また、繰返し構造を有するパターン領域を定義した描
画パターンを基に描画処理するに際して、データの圧縮
効率を良くすることを主眼としてデータ生成しているた
めに、繰返しの種となる領域毎に主偏向位置を移動して
描画している。このために、必要以上に主偏向手段によ
るビーム移動が多くなり描画スループットの低下を招い
てしまう。さらに、繰返しパターン領域の大きさが前記
サブフィールド領域より大なる場合には、テーブル連続
移動により描画する方式においては、ビーム移動がテー
ブル移動に追従できなくなり描画不能に陥るという状況
が頻繁に発生すると考えられる。

これらの問題を回避するため、繰返しの種となるパタ
ーン群をサブフィールド領域に最大数包含するようにデ
ータ生成した場合には、描画スループットは低下しない
ものの、その反面データ量が増大するという問題が含ん
でいる。また、繰返しのパターン領域がサブフィールド
領域より大きい場合に、サブフィールド単位に領域分割
して得た領域毎に繰返し情報を付与した体系のデータと
して描画スループットの低下を抑制することが可能と考
えられるが、この場合データ量が増大して前述と同様の
問題を引き起こすこととなる。

このような状況から現在の描画工程では、描画パター
ンデータの圧縮に制限があり、データ圧縮及び描画スル
ープットの観点から相反する問題点を含んでいた。そし
て、上述の如き問題点は電子ビーム描画装置の稼動率を
低下させると共にLSIの生産正の低下を引き起こすこと
となり、今後LSIの急速な進歩でパターンの微細化・集
積度の向上により電子ビーム描画装置で描画されたLSI
パターンに対する信頼性及び装置の稼動率を高める上で
大きな問題となる。

（発明が解決しようとする課題） このように、主偏向と副偏向手段の組合せによりビー
ム位置を制御して描画する２段偏向方式の電子ビーム描
画装置において、従来は繰返し構造を持たないパターン
領域の描画パターンデータを生成するに際して、１つ１
つのサブフィールド領域に対する描画位置を定義してい
たためデータ量の増大が問題となっていた。また、繰返
し構造を有するパターン領域を定義した描画パターンを
基に描画処理するに際しては、繰返しの種となる領域毎
に主偏向位置を移動して描画していたため描画スループ
ットの低下を招いていた。さらに、描画スループットを
低下させないで描画するためのデータ生成を行った場合
は、逆にデータ量が増大してしまうという問題があっ
た。

なお、上記問題は電子ビーム描画方法に限らず、イオ
ンビームを用いたイオンビーム描画方法についても同様
に言えることである。

本発明は上述した事情に鑑みてなされたもので、その
目的とするところは、繰返し構造を持たないパターン領
域の描画パターンデータを生成するに際してデータ圧縮
の効いた描画パターンデータを生成することができ、且
つ繰返し構造を有するパターン領域についても描画スル
ープットを低下させることなくデータ圧縮をはかること
ができ、データ量の低減及びスループットの向上をはか
り得る荷電ビーム描画方法を提供することにある。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明の骨子は、繰返し構造を有するパターン領域と
繰返し構造を持たないパターン領域との双方について、
描画スループットを低下させることなく、データ圧縮を
はかった描画パターンデータにより描画処理することに
ある。

即ち本発明は、それぞれ図形データ及び他ブロックの
参照情報の少なくとも一方により定義される複数のブロ
ック領域の組合せで構成されるLSIの設計パターンデー
タから、主偏向及び副偏向の組合せにより所望パターン
を描画する荷電ビーム描画装置に供される描画パターン
データを生成し、この描画パターンデータに基づいて試
料上に所望パターンを描画する荷電ビーム描画方法にお
いて、前記図形データを包含するブロック領域のうち副
偏向領域より大なる領域については、該ブロック領域を
所定の副偏向領域によりマトリクス状に区画化し、該ブ
ロック領域の描画位置と，該ブロック領域内の区画化さ
れた副偏向領域の個数と，該ブロック領域に包含される
図形データを前記副偏向領域単位に区画化してなる図形
データ群を示す指標とにより表現した第１の属性データ
を生成し、前記ブロック領域のうち副偏向領域より小さ
い領域については、該ブロック領域の描画位置と、該ブ
ロック領域に包含される図形データとを示す指標とによ
り表現される第２の属性データとを生成し、前記第１の
属性データと第２の属性データとの組合わせにより表現
された描画パターンデータを基にして描画処理するよう
にした方法である。

（作 用） 本発明方法によれば、LSIのチップ領域に包含される
繰返し構造のあるパターン領域と繰返し構造のないパタ
ーン領域の双方のパターン領域に係わる描画パターンデ
ータを、それぞれデータ圧縮の効いたデータ構造として
のデータを生成することにより、LSIチップ全体のデー
タ量を減少することができる。特に、繰返し構造のない
パターン領域については、１つ１つのサブフィールド領
域に対する描画位置を定義するのではなく、設計パター
ンデータに含まれるブロックの概念を基に新たなブロッ
ク領域にブロック分けし、ブロック領域の描画位置とブ
ロック領域に包含される描画パターン図形群を示す指標
で表現される属性データとして描画パターンデータを生
成しているので、データ量を大幅に低減することが可能
となる。その結果として、フレームデータを記憶媒体か
らパターンバッファにデータ転送する時間を高速化する
ことができると共にパターンバッファの容量の縮小によ
るコストの低減がはかれる。さらに、同じパターンバッ
ファの容量で描画に供されるLSIの規模が等価等に拡大
されることとなる。

また、繰返し構造を有するパターン領域についてはデ
ータ圧縮を最大限に生かしたデータ構造としながら、主
偏向位置の移動回数を抑制することができ、描画スルー
プの向上をはかることができる。その結果として、荷電
ビーム描画装置の稼動率を高めると共に、LSIの生産性
を向上させることが可能となる。また、上記の描画方法
は今後のLSIの急速な進歩に伴なうパターンの微細化及
び高集積化に対してより有効な効果を発揮すると期待さ
れる。

（実施例） 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明す
る。

第１図は、本発明の一実施例方法に使用した電子ビー
ム描画装置を示す概略構成図である。図中10は試料室で
あり、この試料室10内には半導体ウェハ若しくはガラス
マスク等の試料11を載置したテーブル12が収容されてい
る。テーブル12は、テーブル駆動回路13によりＸ方向
（紙面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向）に駆動さ
れる。そして、テーブル12の始動位置は、レーザー測長
計等を用いた位置回路14により測定されるものとなって
いる。

試料室10の上方には電子ビーム光学系20が配置されて
いる。この光学系20は、電子銃21,各種レンズ22〜26,ブ
ランキング用偏向器31,ビーム寸法可変用偏向器32,ビー
ム走査用の主偏向器33,ビーム走査用の副偏向器34及び
ビーム成形アパーチャ35,36等から構成されている。そ
して、主偏向器33により所定の副偏向領域（サブフィー
ルド）に位置決めし、副偏向器34によりサブフィールド
内での図形描画位置の位置決めを行うと共に、ビーム寸
法可変用偏向器32及び成形アパーチャ35,36によりビー
ム形状を制御し、テーブル12を一方向に連続移動しなが
らフレーム領域を描画処理する。さらに、テーブル12を
連続移動方向と直交する方向にステップ移動し、上記処
理を繰返して各フレーム領域を順次描画するものとなっ
ている。

一方、制御計算機40には磁気ディスク（記録媒体）41
が接続されており、このディスク41にLSIのチップデー
タが格納されている。磁気ディスク41から読出されたチ
ップデータは、前記フレーム領域毎にパターンメモリ
（データバッファ部）42に一時的に格納される。データ
バッファ部42に格納されたフレーム領域毎のパターンデ
ータ、つまり描画位置及び基本図形データ等で構成され
るフレーム情報は、データ解析部であるパターンデータ
デコーダ43及び描画デコーダ44により解析され、ブラン
キング回路45、ビーム成形器ドライバ46、主偏向器ドラ
イバ47及び副偏向器ドライバ48に送られる。

即ち、パターンデータデコーダ43では、上記データを
入力し、フレームデコーダとして定義されている基本図
形データを前記成形アパーチャ35,36の組合せにより形
成可能な描画単位図形群に図形分割して、このデータに
基づいてブランキングデータが作成され、ブランキング
回路45に送られる。そして、更に希望するビーム寸法デ
ータが作成されこのビーム寸法データがビーム成形器ド
ライバ46に送られる。次に、ビーム成形器ドライバ46か
ら前記光学系20のビーム寸法可変用偏向器32に所定の偏
向信号が印加され、これにより電子ビームの寸法が制御
されるのとなっている。

また、描画データデコーダ44では、上記フレームデー
タに基づいてサブフィールドの位置決めデータが作成さ
れ、このデータが主偏向器ドライバ47に送られる。そし
て、主偏向器ドライバ47から前記光学系の主偏向器33に
所定の信号が印加され、これにより電子ビームは指定の
サブフィールド位置に偏向走査される。さらに、描画デ
ータデコーダ44では副偏向器走査のコントロール信号が
発生され、この信号が副偏向器ドライバ48に送られる。
そして、副偏向器ドライバ48から副偏向器34に所定の副
偏向信号が印加され、これによりサブフィールド毎の描
画が行なわれるものとなっている。

次に、上記構成された装置を用いた電子ビーム描画方
法について説明する。描画処理を行うためのデータの生
成工程を示したのが第２図である。LSIのパターンは、C
ADシステムにより設計〜作成され、その設計パターンデ
ータはホスト計算機により描画データに変換される。そ
して、この描画データを読出して電子ビーム描画が行わ
れることとなる。

ここで、CADシステムにより作成されるデータは通
常、第３図（ａ）に示すようにいくつかのブロック（１
〜３）の組合せにより表現されており、それぞれのブロ
ックを表現するデータの内部構造は、そのブロックの図
形データと他のブロックの参照情報との少なくとも一方
により定義されている。例えば、ブロック２のデータは
第３図（ｂ）に示すように他のブロック３の参照情報と
ブロック２に包含されている図形４のデータの集合とし
て表現されている。そして、図形データは多角形データ
として表現されており、それぞれの図形間ではパターン
相互に重なりが許容されている図形データ体系となって
いる。

このような形式のLSIパターンデータを電子ビーム描
画装置で受容可能なデータ体系とするため、ホスト計算
機で上記ブロック間でのパターン重畳を除去するための
前処理と、LSIチップ全体を表わす最上位ブロック１以
外のブロックについて他のブロックの参照情報がない図
形データのみで構成されるデータ体系となるようにブロ
ック構造の再編成及びブロックデータの組み替え処理を
行って、第４図に示す如きブロック構造としてデータを
定義する。即ち、ブロック構造として、ブロック領域１
にはブロック領域２と３の参照情報と図形データ群６が
定義され、ブロック領域２には図形データ４が定義さ
れ、更にブロック領域３には図形データ５が定義される
データ構造とする。そして、ブロック領域に包含される
図形データ群に対してパターンの輪郭化処理を施し、ビ
ーム多重露光領域の除去を行い、次に各ブロック領域を
前記副偏向手段のみでビームを偏向せられる単位描画領
域であるサブフィールド領域への分割を行う。但し、サ
ブフィールド領域よりＸ・Ｙ共に小さなブロック領域に
ついては、上記サブフィールド領域への分割は不用であ
る。

このようにして第５図に示すように、サブフィールド
領域より小さなブロック領域３はそのままの体系とし、
サブフィールドより大きなブロック領域１と２について
は所定のサブフィールド７で領域分割された図形の集合
体として表現される。さらに、上記図形は第６図に示す
ように矩形や台形等の基本図形８に分割される。

このようなデータ生成工程により得た図形データを、
図形形状フラグ，図形位置及び図形サイズで表現してサ
ブフィールド領域単位の図形データ群として定義すると
共に、第７図に示すようにLSIのチップ領域を所定のフ
レーム領域51〜55に分割する。そして、それぞれのフレ
ーム領域に係わる描画パターンデータは、次に述べるよ
うなデータ構造にてデータ生成される。

フレーム領域51のように繰返し構造のないパターン領
域については、第５図のようなサブフィールド領域への
分割を基に、第８図に示すようなマトリクス状のサブフ
ィールド配置として表現されるブロック領域60が定義さ
れ、このブロック領域60が第９図に示すようにしてデー
タ生成される。即ち、ブロック領域の描画位置と該ブロ
ック領域の図形データの格納番地を示す図形ポインタと
で表現するサブフィールド配置情報と、その情報が参照
するサブフィールド単位に分割された図形体系で定義さ
れている図形データ群と、そのブロック領域がサブフィ
ールドより大きいが否かを示す属性情報と、区画化され
た副偏向領域の個数（マトリックス数）を示すマトリッ
クス情報と、フレームヘッダ情報とが付与された構造の
フレームデータ（第１の属性コード）が生成される。

また、フレーム領域52のように繰返し構造を持つパタ
ーン領域と繰返しのないパターン領域が混在するような
場合は、第10図に示すようにフレーム領域内のブロック
がタイル張りになるようサブブロック領域61〜71のよう
なテーブル連続移動方向に沿ったブロック分割を行う。
そして、第11図に示すようにそれぞれのサブブロック領
域毎に、第９図に示したのと同様の構造で表現されるサ
ブフィールド配置情報を作成し、その情報を各サブブロ
ック又はブロック領域の図形パターン情報を参照する形
式で表現し、サブブロック領域の中でサブフィールドよ
り大きいものについては第９図と同様にサブフィールド
単位の図形集合の集まりとして表現する。

さらに、サブフィールドより小さなブロック領域３に
ついては、サブフィールド分割のないデータであること
を示す属性コードとブロックサイズが定義されるものと
なっている。つまり、サブフィールドより大きなブロッ
ク領域、即ちフレーム領域51のブロック領域60及びフレ
ーム領域52のサブブロック領域61,62,64,65,67,68,70,7
1では、ブロック領域の描画位置，ブロック領域内の区
画化された副偏向領域の個数，及びブロック領域に包含
される描画パターン図形群（図形データ群）を示す指標
等で表現される第１の属性データとして描画パターンデ
ータが生成される。一方、サブフィールドより小さなブ
ロック領域３では、ブロック領域の描画位置とブロック
領域に包含される描画パターン図形群を示す指標等で表
現される第２の属性データとして描画パターンデータが
生成される。

また、第10図中パターンが繰返し構造となっている6
3,66,69に係わるサブフィールド配置については、前記
描画位置、図形ポインタに繰返し情報が付与される形式
で表現される。ここで62,65,68や64,67,70に繰返し構造
を適用していないのは、各ブロックの繰返しの中に別な
サブブロックが混在することと、繰返しピッチが所定の
値より大きくテーブル連続移動による描画処理にあって
は描画不能になることを回避していることに起因してい
る。そして、このようなデータ生成工程を経て作成した
フレームデータの集合体としてチップ領域全体を表現す
る描画パターンデータを生成し、前記磁気ディスク41に
格納する。

このようにして得た描画パターンデータをフレーム領
域毎に読出して描画する、際描画データデコーダ44にお
いては、上記サブフィールド配置データを基に主偏向器
33により電子ビームを所定のサブフィールド位置に偏向
走査するよう制御信号を送出すると共に、上記データが
指示する図形データ群を基に副偏向器走査によるコント
ロール信号を発生してサブフィールド内の描画位置を制
御する。そして、上記図形データ群はパターンデータデ
コーダ43へも入力され、前記基本図形を前記成形アパー
チャ35,36の組合せにより形成可能な描画単位図形群に
図形分割されて描画処理される。

このような描画処理工程において、サブフィールド領
域より小さなブロックを繰返し定義しているパターン領
域を描画するに際しては、１つのブロック領域を描画し
た後に、繰返しピッチとブロックサイズを加えて所定の
サブフィールドサイズに包含できる場合には主偏向器33
によるビーム移動を行なわず、副偏向走査によるコント
ロール信号に繰返しピッチをオフセットとして加えてサ
ブフィールドの描画位置を制御する。サブフィールドサ
イズに包含できない場合には、主偏向器33によりビーム
を移動して副偏向のオフセットをクリアして上述に示す
ような描画処理を行う。以上のような処理工程により、
データ圧縮の効いた描画パターンデータを用いて高速・
高精度な描画処理を実現することができる。

かくして本実施例方法によれば、繰返し構造のないパ
ターン領域については、１つ１つのサブフィールド領域
に対する描画位置を定義するのではなく、ブロック領域
の描画位置及び該ブロック領域の図形データの格納番地
を示す図形ポインタで表現するサブフィールド配置情報
と、その情報を参照するサブフィールド単位に分割され
た図形体系で表現される図形データ群等により描画パタ
ーンデータを生成することにより、データ量を大幅に低
減することができる。また、繰返し構造のあるパターン
領域については、図形データ群を共用すると共に、上記
サブフィールド配置情報に繰返し情報を付与することに
より、データ圧縮することができる。さらに、描画の際
に、サブフィールド領域よりも十分小さいパターン領域
については、主偏向器33によるビーム移動を行なわず、
副偏向走査により描画位置を制御することにより、スル
ープットの低下を防止することができる。

即ち、繰返し構造のないパターン領域についてもデー
タ圧縮の効いたデータ構造とすることができると共に、
繰返し構造のあるパターン領域についても最大限にデー
タ圧縮を活かしたデータ構造としながら且つ描画スルー
プットを低下させることがない。従って、一連の描画工
程でのスループット向上をはかることができ、これによ
り電子ビーム描画装置の性能を最大限に引出すことがき
る。

なお、本発明は上述した実施例に限定されるものでは
ない。例えば、前記チップデータを格納する手段として
は磁気ディスクに限るものではなく、磁気テープや半導
体メモリ等その他の記憶媒体を用いることができる。ま
た、電子ビーム描画装置の構成は第１図に何等限定され
るものではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。ま
た、実施例では電子ビームを例にとり説明したが、電子
ビームに限定されることなくイオンビームを含む荷電ビ
ームに対し適用可能であり、可変成形ビームを用いたシ
ョット方式の楕円形ビームを用いた装置方式のものにつ
いても適用可能である。さらに、記憶媒体に蓄積される
描画データの図形体系は基本図形でなく描画単位図形及
び多角形図形についても適用可能である。その他、本発
明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施するこ
とができる。

［発明の効果］ 以上詳述したように本発明によれば、繰返しの有無に
拘らずデータ圧縮が可能なデータ構造の描画パターンデ
ータを生成することができ、データの転送時間を高速化
することができると共に、描画速度の向上及び荷電ビー
ム描画装置の稼動率を高めることができ、その結果とし
てLSIの生産性向上に寄与することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム描
画装置を示す概略構成図、第２図は描画パターンデータ
の生成工程を示す模式図、第３図は設計データのデータ
構造を示す模式図、第４図はブロック構造を示す模式
図、第５図はサブフィールド分割を示す模式図、第６図
は図形分割体系を示す模式図、第７図はフレーム領域へ
の分割を示す模式図、第８図乃至第11図はそれぞれフレ
ームデータの生成を説明するための模式図である。 １〜３……ブロック、４〜６……図形パターン、７……
サブフィールド、８……基本図形、10……試料室、11…
…試料、12……テーブル、20……電子光学系、21……電
子銃、22〜26……レンズ、31〜34……偏向器、35,36…
…ビーム成形アパーチャ、40……制御計算機、41……磁
気ディスク（記録媒体）、42……パターンメモリ（デー
タバッファ部）、43……パターンデータデコーダ、44…
…描画データデコーダ、51〜55……フレーム、60〜71…
…サブブロック領域。

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】それぞれ図形データ及び他ブロックの参照
   情報の少なくとも一方により定義される複数のブロック
   領域の組合わせで構成された設計パターンデータから、
   主偏向及び副偏向の組合せにより所望のパターンを描画
   する荷電ビーム描画装置に供される描画パターンデータ
   を生成し、この描画パターンデータに基づいて試料上に
   所望パターを描画する荷電ビーム描画方法において、 前記図形データを包含するブロック領域のうち副偏向領
   域より大なる領域については、該ブロック領域を所定の
   副偏向領域にマトリクス状に区画化して、該ブロック領
   域の描画位置と，該ブロック領域内の前記区画化された
   副偏向領域の個数と，該ブロック領域に包含される図形
   データを前記副偏向領域単位に区画化してなる図形デー
   タ群を示す指標とにより表現される第１の属性データと
   して描画パターンデータを生成し、 前記ブロック領域のうち副偏向領域より小さい領域につ
   いては、該ブロック領域の描画位置と、該ブロック領域
   に包含される図形データを示す指標とにより表現される
   第２の属性データとして描画パターンデータを生成し、 前記第１の属性データと第２の属性データとの組合わせ
   により表現された描画パターンデータを基にして描画処
   理することを特徴とする電荷ビーム描画方法。
2. 【請求項２】前記ブロック領域が繰返しパターン構造と
   なっているパターン領域を包含する場合、該パターン領
   域は、前記第１の属性データ若しくは第２の属性データ
   に、該ブロック領域内の前記パターンの繰返し数と繰返
   しピッチで構成される繰返し情報が付与されて表現され
   ることを特徴とする請求項１記載の電荷ビーム描画方
   法。
3. 【請求項３】前記第２の属性データに繰返し情報が付与
   されて表現されたパターン領域については、前記描画パ
   ターンデータを基に主偏向位置と副偏向位置（ビーム位
   置）及びビーム形状を制御して描画するに際して、副偏
   向領域に包含可能な最大のブロック領域を繰返し描画し
   てから主偏向位置を移動するように描画処理することを
   特徴とする請求項２記載の荷電ビーム描画方法。
4. 【請求項４】それぞれ図形データ及び他ブロックの参照
   情報の少なくとも一方により定義される複数のブロック
   領域の組合せで構成された設計パターンデータから、主
   偏向及び副偏向の組合せにより所望のパターンを描画す
   る荷電ビーム描画装置に供される描画パターンデータを
   生成し、この描画パターンデータに基づいて試料上に所
   望パターンを描画する荷電ビーム描画方法において、 前記設計パターンデータにおけるブロックの組合わせを
   基に、下位ブロックとこれを含む上位ブロックとが各々
   独立したブロック配置となるように、新たなサブブロッ
   ク領域に分割し、 前記サブブロック領域のうち副偏向領域より大なる領域
   については、該サブブロック領域を所定の副偏向領域に
   よりマトリクス状に分割し区画化し、該サブブロック領
   域の描画位置と，該サブブロック領域内の区画化された
   副偏向領域の個数と，該サブブロック領域に包含される
   図形データを前記副偏向領域単位に区画されてなる図形
   データ群を示す指標とにより表現される第１の属性デー
   タとして描画パターンデータを生成し、 前記サブブロック領域のうち副偏向領域より小さい領域
   については、該サブブロック領域の描画位置と該サブブ
   ロック領域に包含される図形データを示す指標とにより
   表現される第２の属性データとして描画パターンデータ
   を生成し、 前記第１の属性データと第２の属性データとの組合わせ
   により表現された描画パターンデータを基にして描画処
   理することを特徴とする荷電ビーム描画方法。