JPH0212809A - 荷電ビーム描画方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、ＬＳＩ等の半導体集積回路のパターンをマス
クやウェハ等の試料に高速・高精度に描画するための荷
電ビームを描画方法に係わり、特にデータ圧縮した描画
パターンデータを用いて高精度の描画を可能とした荷電
ビーム描画方法に関する。

（従来の技術） 近年、ＬＳＩのパターンは益々微細かつ複雑になってお
り、このようなパターンを形成する装置として電子ビー
ム描画装置が用いられている。

この装置を用いて所望のパターンを描画する場合、ＣＡ
Ｄを始めとするＬＳＩのパターン設計ツールを用いて作
成される設計パターンデータを、そのままの形式で上記
描画装置の描画パターンデータとして供給することはで
きない。即ち、設計パターンデータは一般的に非常に自
由度が高いデータ体系として作成されているため、電子
ビーム描画装置に受容可能なデータ体系とするには以下
に示すような制限を満足させなければならない。

■　電子ビーム描画装置で受容可能な台形や矩形等の基
本図形群のみで構成される図形体系とすること。

■　多重露光となってパターン精度を低下させてしまう
図形の重なりを除去すること。

■　電子ビーム描画装置の描画方式と密接に関係する単
位描画領域に領域分割された図形体系とすること。

従って、上記設計パターンデータを例えば輪郭化処理を
施して多重露光領域の除去を行い、その後ビームの偏向
領域により決定する固有の単位描画領域（フレーム領域
、サブフィールド領域）毎に矩形・台形等の基本図形に
分割することにより、電子ビーム描画装置にとって受容
可能な図形データ体系にする。このような工程によって
、集積回路に係わる描画パターンデータを生成し、磁気
ディスク等の記憶媒体に記憶させて描画に供している。

そして、描画処理工程では上記描画パターンデータをフ
レーム領域毎に読出して一時的にパターンデータバッフ
ァに蓄積し、このデータを解読すると共に、形成可能な
描画単位図形の集まりに分割する。そして、その結果を
基にビーム位置及びビーム形状を制御する一方、試料を
載置したテーブルをＸ方向若しくはＹ方向に連続的に移
動してフレーム領域内に所望のパターンを描画する。次
いで、テーブルを連続移動方向と直交する方向にフレー
ム領域の幅分だけステップ移動し、上記処理を繰返すこ
とにより所望領域全体の描画処理が行われる。

なお、主偏向手段により副偏向位置を制御し副偏向手段
により描画を行う２段偏向方式では、単位描画領域（サ
ブフィールド）の集合体でフレーム領域を構成し、フレ
ーム領域の幅は主偏向手段のビーム偏向幅で規定してい
る。この方式でも上記と同様に、フレーム領域毎に描画
パターンデータを読出し、テーブルを連続移動しながら
描画処理が行われる。

上述の如く描画処理に供される描画パターンデータを生
成するに際しては、ＬＳＩパターンの微細化及び高集積
化への対応策として、メモリーセルのような繰返し構造
を有するパターン領域については、繰返しの種となる図
形パターン群とその繰返し情報で描画パターンデータを
構成することにより描画パターンデータの圧縮を図って
いた。

さらに、繰返し構造を持たないパターン領域に・ついて
は、該領域を所定のサブフィールドサイズにマトリクス
分割した領域体系として、それぞれのサブフィールド領
域について描画位置と該サブフィールド領域に包含され
る描画データ群とで描画パターンデータを構成し生成す
る。そして、上記繰返しパターン領域の描画パターンデ
ータとを組合わせて描画順序に沿ったサブフィールド単
位の並べ替えを行って前記フレームデータを構築する。

さらに、フレームデータの集合体としてチップデータを
表現するようにしていた。

しかしながら、この種の方法にあっては次のような問題
があった。即ち、前記繰返し構造を持たないパターン領
域の描画パターンデータを生成するに際して、１つ１つ
のサブフィールド領域に対する描画位置を定義している
ため、１つのチップ領域に全く繰返しパターンを持たな
いＬＳＩパターン（ゲートアレイ等）では描画パターン
データのデータ量が増大してしまう。これに起因して、
データ生成時間の増大やデータを記憶媒体に洛納する時
間の増大、さらに記憶媒体からパターンバッファにフレ
ームデータを転送するのに要する時間が増大する等の問
題を誘因していた。

また、繰返し構造を有するパターン領域を定義した描画
パターンを基に描画処理するに際して、データの圧縮効
率を良くすることを主眼としてデータ生成しているため
に、繰返しの種となる領域毎に主偏向位置を移動して描
画している。このために、必要以上に主偏向手段による
ビーム移動が多くなり描画スルーブツトの低下を招いて
しまう。

さらに、繰返しパターン領域の大きさが前記サブフィル
ド領域より大なる場合には、テーブル連続移動により描
画する方式においては、ビーム移動がテーブル移動に追
従できな（なり描画不能に陥るという状況が頻繁に発生
すると考えられる。

これらの問題を回避するため、繰返しの種となるパター
ン群をサブフィールド領域に最大数包含するようにデー
タ生成した場合には、描画スループットは低下しないも
のの、その反面データ量が増大するという問題を含んで
いる。また、繰返しのパターン領域がサブフィールド領
域より大きい場合に、サブフィールド単位に領域分割し
て得た領域毎に繰返し情報を付与した体系のデータとし
て描画スルーブツトの低下を抑制することが可能と考え
られるが、この場合データ量が増大して前述と同様の問
題を引き起こすこととなる。

このような状況から現在の描画工程では、描画パターン
データの圧縮に制限があり、データ圧縮及び描画スルー
ブツトの観点から相反する問題点を含んでいた。そして
、上述の如き問題点は電子ビーム描画装置の稼動率を低
下させると共にＬＳＩの生産性の低下を引き起こすこと
となり、今後ＬＳＩの急速な進歩でパターンの微細化・
集積度の向上により電子ビーム描画装置で描画されたＬ
ＳＩパターンに対する信頼性及び装置の稼動率を高める
上で大きな問題となる。

（発明が解決しようとする課題） このように、主偏向と副偏向手段の組合わせによりビー
ム位置を制御して描画する２段（１−自力式の電子ビー
ム描画装置において、従来は繰返し構造を持たないパタ
ーン領域の描画パターンデータを生成するに際して、１
つ１つのサブフィールド領域に対する描画位置を定義し
ていたためデータ量の増大が問題となっていた。また、
繰返し構造を有するパターン領域を定義した描画パター
ンを基に描画処理するに際しては、繰返しの種となる領
域毎に主偏向位置を移動して描画していたため描画スル
ーブツトの低下を招いていた。さらに、描画スルーブツ
トを低下させないで描画するためのデータ生成を行った
場合は、逆にデータ量が増大してしまうという問題があ
った。

なお、上記問題は電子ビーム描画方法に限らず、イオン
ビームを用いたイオンビーム描画方法についても同様に
言えることである。

本発明は上述した事情に鑑みてなされたもので、その目
的とするところは、繰返し構造を持たないパターン領域
の描画パターンデータを生成するに際してデータ圧縮の
効いた描画パターンデータを生成することができ、且つ
繰返し構造を有するパターン領域についても描画スルー
プットを低下させることなくデータ圧縮をはかることが
でき、データ量の低減及びスループットの向上をはかり
得る荷電ビーム描画方法を提供することにある。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明の骨子は、繰返し構造を有するパターン領域と繰
返し構造を持たないパターン領域との双方について、描
画スルーブツトを低下させることなく、データ圧縮をは
かった描画パターンデータにより描画処理することにあ
る。

即ち本発明は、それぞれ図形データ及び他ブロックの参
照情報の少なくとも一方により定義される複数のブロッ
ク領域の組合わせで構成されるＬＳＩの設計パターンデ
ータから、主偏向及び副偏向の組合わせにより所望のパ
ターンを描画する荷電ビーム描画装置に供される描画パ
ターンデータを生成し、この描画パターンデータに基づ
いて試料上に所望パターンを描画する荷電ビーム描画方
法において、前記図形データを包含するブロック領域の
うち副偏向領域より大なる領域については、該ブロック
領域を所定の副偏向領域によりマトリクス状に区画化し
、該ブロック領域の描画位置と、該ブロック領域内の区
画化された副偏向領域の個数と、該ブロック領域に包含
される図形データを前記副偏向領域単位に区画化してな
る図形データ群を示す指標とにより表現した第１の属性
データを生成し、前記ブロック領域のうち副偏向領域よ
り小さい領域については、該ブロック領域の描画位置と
、該ブロック領域に包含される図形データを示す指標と
により表現される第２の属性データとを生成し、前記第
１の属性データと第２の属性データとの組合わせにより
表現された描画パターンデータを基にして描画処理する
ようにした方法である。

（作　用） 本発明方法によれば、ＬＳＩのチップ領域に包含される
繰返し構造のあるパターン領域と繰返し構造のないパタ
ーン領域の双方のパターン領域に係わる描画パターンデ
ータを、それぞれデータ圧縮の効いたデータ構造として
データ生成することにより、ＬＳＩチップ全体のデータ
量を減少することができる。特に、繰返し構造のないパ
ターン領域については、１つ１つのサブフィールド領域
に対する描画位置を定義するのではなく、設計パターン
データに含まれるブロックの概念を基に新たなブロック
領域にブロック分けし、ブロック領域の描画位置とブロ
ック領域に包含される描画パターン図形群を示す指標で
表現される属性データとして描画パターンデータを生成
しているので、データ量を大幅に低減することが可能と
なる。その結果として、フレームデータを記憶媒体から
パターンバッファにデータ転送する時間を高速化するこ
とができると共にパターンバッファの容量の縮小による
コストの低減がはかれる。さらに、同じパターンバッフ
ァの容量で描画に供されるＬＳＩの規模が等価的に拡大
されることとなる。

また、繰返し構造を有するパターン領域についてはデー
タ圧縮を最大限に生かしたデータ構造としながら、主偏
向位置の移動回数を抑制することができ、描画スループ
の向上をはかることができる。その結果として、荷電ビ
ーム描画装置の稼動率を高めると共に、ＬＳＩの生産性
を向上させることが可能となる。また、上記の描画方法
は今後のＬＳＩの急速な進歩に伴なうパターンの微細化
及び高集積化に対してより有効な効果を発揮すると期待
される。

（実施例） 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。

第１図は、本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム
描画装置を示す概略構成図である。図中１０は試料室で
あり、この試料室１０内には半導体ウェハ若しくはガラ
スマスク等の試料１１を載置したテーブル１２が収容さ
れている。テーブル１２は、テーブル駆動回路１３によ
りＸ方向（紙面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向）
に駆動される。そして、テーブル１２の移動位置は、レ
ーザーａｌｌ長計等を用いた位置回路１４により測定さ
れるものとなっている。

試料室１０の上方には電子ビーム光学系２０が配置され
ている。この光学系２０は、電子銃２１゜各種レンズ２
２〜２６．ブランキング用偏向器３１、ビーム寸法可変
用偏向器３２．ビーム走査用の主偏向器３３．ビーム走
査用の副偏向器３４及びビーム成形アパーチャ３５．３
６等から構成されている。そして、主偏向器３３により
所定の副偏向領域（サブフィールド）に位置決めし、副
偏向器３４によりサブフィールド内での図形描画位置の
位置決めを行うと共に、ビーム寸法可変用偏向器３２及
び成形アパーチャ３５．３６によりビーム形状を制御し
、テーブル１２を一方向に連続移動しながらフレーム領
域を描画処理する。さらに、テーブル１２を連続移動方
向と直交する方向にステップ移動し、上記処理を繰返し
て各フレーム領域を順次描画するものとなっている。

一方、制御計算機４０には磁気ディスク（記録媒体）４
１が接続されており、このディスク４１にＬＳＩのチッ
プデータが格納されている。磁気ディスク４１から読出
されたチップデータは、前記フレーム領域毎にパターン
メモリ　（データバッファ部）４２に一時的に格納され
る。データバッファ部４２に格納されたフレーム領域毎
のパターンデータ、つまり描画位置及び基本図形データ
等で構成されるフレーム情報は、データ解析部であるパ
ターンデータデコーダ４３及び描画デコーダ４４により
解析され、ブランキング回路４５、ビーム成形器ドライ
バ４６、主偏向器ドライバ４７及び副偏向器ドライバ４
８に送られる。

即ち、パターンデータデコーダ４３では、上記データを
入力し、フレームデータとして定義されている基本図形
データを前記成形アパーチャ３５゜３６の組合せにより
形成可能な描画単位図形群に図形分割して、このデータ
に基づいてブランキングデータが作成され、ブランキン
グ回路４５に送られる。そして、更に希望するビーム寸
法データが作成されこのビーム寸法データがビーム成形
器ドライバ４６に送られる。次に、ビーム成形器ドライ
バ４６から前記光学系２０のビーム寸法可変用偏向器３
２に所定の１−白信号が印加され、これにより電子ビー
ムの寸法が制御されるものとなっている。

また、描画データデコーダ４４では、上記フレームデー
タに基づいてサブフィールドの位置決めデータが作成さ
れ、このデータが主偏向器ドライバ４７に送られる。そ
して、主偏向器ドライバ４７から前記光学系の主偏向器
３３に所定の信号が印加され、これにより電子ビームは
指定のサブフィルド位置に偏向走査される。さらに、描
画データデコーダ４４では副偏向器走査のコントロール
信号が発生され、この信号が副偏向器ドライバ４８に送
られる。そして、副偏向器ドライバ４８から副偏向器３
４に所定の副偏向信号が印加され、これによりサブフィ
ールド毎の描画が行なわれるものとなっている。

次に、上記構成された装置を用いた電子ビーム描画方法
について説明する。描画処理を行うためのデータの生成
工程を示したのが第２図であ桑。

ＬＳＩのパターンは、ＣＡＤシステムにより設計−作成
され、その設計パターンデータはホスト計算機により描
画データに変換される。そ１７て、こ（′）描画データ
を読出して電子ビーム描画か行われることとなる。

ここで、ＣＡＤシステムにより作成されるデータは通常
、第１３図（ａ）に示すようにいくつかのブロック（１
〜３）の組合わせにより表現されており、それぞれのブ
ロックを表現するデータの内部構造は、そのブロックの
図形データと他のブロックの参照情報との少なくとも一
方により定義されでいる。例えは、ブロック２のデータ
は第３図（ｂ）に示すよ・ノに他のブロック３の参照情
報とブロック２に包含さねている図形４のデータの集合
として表現されている。そして、図形データは多角形デ
ータとして表現されており、それぞれの図形間ではパタ
ーン相互に重なりが許容されている図形データ体系とな
っている。

このような形式のＬＳＩパターンデータを電子ビーム描
画装置で受容可能なデータ体系とするため、ホスト計算
機で上記ブロック間でのパターン重畳を除去するための
前処理と、ＬＳＩチップ全体を表わす最上位ブロック１
以外のブロック１ごついて他のブロックの参照情報がな
い図形デー・夕のみで構成されるデータ体系となるよう
にブロック構造の再編成及びブロックデータの組み替え
処理を行って、第４図に示す如きブロック構造としてデ
ータを定義する。即ち、ブロック構造として、ブロック
領域１にはブロック領域２と３の参照情報と図形データ
群６が定義され、ブロック領域２には図形データ４が定
義され、更にブロック領域３には図形データ５が定義さ
れるデータ構造とする。そして、ブロック領域に包含さ
れる図形データ群に対してパターンの輪郭化処理を施し
、ビームの多重露光領域の除去を行い、次に各ブロック
領域を前記副偏向手段のみでビームを偏向せられる単位
描画領域であるサブフィールド領域への分割を行う。但
し、サブフィールド領域よりＸ−Ｙ川に小さなブロック
領域については、上記サブフィールド領域への分割は不
用である。

このようにして第５図に示すように、サブフィールド領
域より小さなブロック領域３はそのままの体系とし、サ
ブフィールドより大きなブロック領域１と２については
所定のサブフィールド７で領域分割された図形の集合体
として表現される。

さらに、上記図形は第６図に示すように矩形や台形等の
基本図形８に分割される。

このようなデータ生成工程により得た図形データを、図
形形状フラグ、図形位置及び図形サイズで表現してザブ
フィールド領域単位の図形データ群として定義すると共
に、第７図に示すようにＬＳＩのチップ領域を所定のフ
レーム領域５１〜５５に分割する。そして、それぞれの
フレーム領域に係わる描画パターンデータは、次に述べ
るようなデータ構造にてデータ生成される。

フレーム領域５１のように繰返し構造のないパターン領
域については、第５図のようなサブフィールド領域への
分割を基に、第８図に示すようなマトリクス状のサブフ
ィールド配置として表現されるブロック領域６０が定義
され、このプロ・ツク領域６０が第９図に示すようにし
てデータ生成される。即ち、ブロック領域の描画位置と
該ブロック領域の図形データの格納番地を示す図形ポイ
ンタとで表現するサブフィールド配置情報と、その情報
が参照するサブフィールド単位に分割された図形体系で
定義されている図形データ群と、そのブロック領域がサ
ブフィールドより大きいが否かを示す属性情報と一区画
化された副偏向領域の個数（マトリックス数）を示すマ
トリックス情報と、フレームヘッダ情報とが付与された
構造のフレームデータ（第１の属性コード）が生成され
る。

また、フレーム領域５２のように繰返し構造を持つパタ
ーン領域と繰返しのないパターン領域が混在するような
場合は、第１０図に示すようにフレーム領域内のブロッ
クがタイル張りになるようサブブロック領域６１〜７１
のようなテーブル連続移動方向に沿ったブロック分割を
行う。そして、第１１図に示すようにそれぞれのサブブ
ロック領域毎に、第９図に示したのと同様の構造で表現
されるサブフィールド配置情報を作成し、その情報を各
サブブロック又はブロック領域の図形バターン情報を参
照する形式で表現し、サブブロック領域の中でサブフィ
ールドより大きいものについては第９図と同様にサブフ
ィールド単位の図形集合の集まりとして表現する。

さらに、サブフィールドより小さなブロック領域３につ
いては、サブフィールド分割のないデータであることを
示す属性コードとブロックサイズが定義されるものとな
っている。つまり、サブフィールドより大きなブロック
領域、即ちフレーム領域５１のブロック領域６０及びフ
レーム領域５２のサブブロック領域６１，６２，６４，
６５゜６７．６８，７０．７１では、ブロック領域の描
画位置、ブロック領域内の区画化された副偏向領域の個
数、及びブロック領域に包含される描画パターン図形群
（図形データ群）を示す指標等で表現される第１の属性
データとして描画パターンデータが生成される。一方、
サブフィールドより小さなブロック領域３では、ブロッ
ク領域の描画位置とブロック領域に包含される描画パタ
ーン図形群を示す指標等で表現される第２の属性データ
として描画パターンデータが生成される。

また、第１０図中パターンが繰返し構造となっている６
Ｂ、６６．６９に係わるサブフィールド配置については
、前記描画位置、図形ポインタに繰返し情報が付与され
る形式で表現される。ここで、６２．６５．６８や６４
，６７．７０に繰返し構造を適用していないのは、各ブ
ロックの繰返しの中に別なサブブロックが混在すること
と、繰返しピッチが所定の値より大きくテーブル連続移
動による描画処理にあっては描画不能になることを回避
していることに起因している。そして、このようなデー
タ生成工程を経て作成したフレームデータの集合体とし
てチップ領域全体を表現する描画パターンデータを生成
し、前記磁気ディスク４１に格納する。

このようにして得た描画パターンデータをフレーム領域
毎に読出して描画する際、描画データデコーダ４４にお
いては、上記サブフィールド配置データを基に主偏向器
３３により電子ビームを所定のサブフィールド位置に偏
向走査するよう制御信号を送出すると共に、上記データ
が指示する図形データ群を基に副偏向器走査によるコン
トロール信号を発生しサブフィールド内の描画位置を制
御する。そして、上記図形データ群はパターンデータデ
コーダ４３へも入力され、前記基本図形を前記成形アパ
ーチャ３５．３６の組合わせにより形成、可能な描画単
位図形群に図形分割されて描画処理される。

このような描画処理工程において、サブフィールド領域
より小さなブロックを繰返し定義しているパターン領域
を描画するに際しては、１つのブロック領域を描画した
後に、繰返しピッチとブロックサイズを加えて所定のサ
ブフィールドサイズに包含できる場合には主偏向器３３
によるビーム移動を行なわず、副偏向走査によるコント
ロール信号に繰返しピッチをオフセットとして加えてサ
ブフィールドの描画位置を制御する。サブフィールドサ
イズに包含できない場合には、主偏向器３３によりビー
ムを移動して副偏向のオフセットをクリアして上述に示
すような描画処理を行う。

以上のような処理工程により、データ圧縮の効いた描画
パターンデータを用いて高速・高精度な描画処理を実現
することができる。

かくして本実施例方法によれば、繰返し構造のないパタ
ーン領域については、１つ１つのサブフィールド領域に
対する描画位置を定義するのではなく、ブロック領域の
描画位置及び該ブロック領域の図形データの格納番地を
示す図形ポインタで表現するサブフィールド配置情報と
、その情報を参照するサブフィールド単位に分割された
図形体系で表現される図形データ群等により描画パター
ンデータを生成することにより、データ量を大幅に低減
することができる。また、繰返し構造のあるパターン領
域については、図形データ群を共用すると共に、上記サ
ブフィールド配置情報に繰返し情報を付与することによ
り、データ圧縮することができる。さらに、描画の際に
、サブフィールド領域よりも十分小さいパターン領域に
ついては、主偏向器３３によるビーム移動を行なわず、
副偏向走査により描画位置を制御することにより、スル
ープツトの低下を防止することができる。

即ち、繰返し構造のないパターン領域についてもデータ
圧縮の効いたデータ構造とすることができると共に、繰
返し構造のあるパターン領域についても最大限にデータ
圧縮を活かしたデータ構造としながら且つ描画スルーブ
ツトを低下させることがない。従って、一連の描画工程
でのスルーブツト向上をはかることができ、これにより
電子ビーム描画装置の性能を最大限に引出すことができ
る。

なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記チップデータを格納する手段としては
磁気ディスクに限るものではなく、磁気テープや半導体
メモリ等その他の記憶媒体を用いることができる。また
、電子ビーム描画装置の構成は第１図に同等限定される
ものではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。また
、実施例では電子ビームを例にとり説明したが、電子ビ
ームに限定されることなくイオンビームを含む荷電ビー
ムに対し適用可能であり、可変成形ビームを用いたショ
ット方式の洛円形ビームを用いた装置方式のものについ
ても適用可能である。さらに、記憶媒体に蓄積される描
画データの図形体系は基本図形でなく描画単位図形及び
多角形図形についても適用可能である。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施すること
ができる。

［発明の効果］ 以上詳述したように本発明によれば、繰返しの有無に拘
らずデータ圧縮が可能なデータ構造の描画パターンデー
タを生成することができ、データの転送時間を高速化す
ることができると共に、描画速度の向上及び荷電ビーム
描画装置の稼動率を高めることができ、その結果として
ＬＳＩの生産性向上に寄与することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム描
画装置を示す概略構成図、第２図は描画パターンデータ
の生成工程を示す模式図、第３図は設計データのデータ
構造を示す模式図、第４図はブロック構造を示す模式図
、第５図はサブフィールド分割を示す模式図、第６図は
図形分割体系を示す模式図、第７図はフレーム領域への
分割を示す模式図、第８図乃至第１１図はそれぞれフレ
ームデータの生成を説明するための模式図である。 １〜３・・・ブロック、４〜６・・・図形パターン、７
・・・サブフィールド、８・・・基本図形、１０・・・
試料室、１１・・・試料、】２・・・テーブル、２０・
・・電子光学系、２１・・・電子銃、２２〜２６・・・
レンズ、３１〜３４・・・偏向器、３５．３６・・・ビ
ーム成形アパーチャ、４０・・・制御計算機、４１・・
・磁気ディスク（記録媒体）　４２・・・パターンメモ
リ（データバッファ部）　４３・・・パターンデータデ
コーダ、４４・・・描画データデコーダ、５１〜５５・
・・フレーム、６０〜７１・・・サブブロック領域。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 第 図 第 図 （ａ） 図 第 図 ンラ 図 詞う 図 箭 １１り 、店８図 第 図 第 図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）それぞれ図形データ及び他ブロックの参照情報の
   少なくとも一方により定義される複数のブロック領域の
   組合わせで構成された設計パターンデータから、主偏向
   及び副偏向の組合わせにより所望のパターンを描画する
   荷電ビーム描画装置に供される描画パターンデータを生
   成し、この描画パターンデータに基づいて試料上に所望
   パターンを描画する荷電ビーム描画方法において、 前記図形データを包含するブロック領域のうち副偏向領
   域より大なる領域については、該ブロック領域を所定の
   副偏向領域にマトリクス状に区画化して、該ブロック領
   域の描画位置と、該ブロック領域内の前記区画化された
   副偏向領域の個数と、該ブロック領域に包含される図形
   データを前記副偏向領域単位に区画化してなる図形デー
   タ群を示す指標とにより表現される第１の属性データと
   して描画パターンデータを生成し、 前記ブロック領域のうち副偏向領域より小さい領域につ
   いては、該ブロック領域の描画位置と、該ブロック領域
   に包含される図形データを示す指標とにより表現される
   第２の属性データとして描画パターンデータを生成し、 前記第１の属性データと第２の属性データとの組合わせ
   により表現された描画パターンデータを基にして描画処
   理することを特徴とする荷電ビーム描画方法。
2. （２）前記ブロック領域が繰返しパターン構造となって
   いるパターン領域を包含する場合、該パターン領域は、
   前記第１の属性データ若しくは第２の属性データに、該
   ブロック領域内の前記パターンの繰返し数と繰返しピッ
   チで構成される繰返し情報が付与されて表現されること
   を特徴とする請求項１記載の荷電ビーム描画方法。
3. （３）前記第２の属性データに繰返し情報が付与されて
   表現されたパターン領域については、前記描画パターン
   データを基に主偏向位置と副偏向位置（ビーム位置）及
   びビーム形状を制御して描画するに際して、副偏向領域
   に包含可能な最大のブロック領域を繰返し描画してから
   主偏向位置を移動するように描画処理することを特徴と
   する請求項２記載の荷電ビーム描画方法。
4. （４）それぞれ図形データ及び他ブロックの参照情報の
   少なくとも一方により定義される複数のブロック領域の
   組合わせで構成された設計パターンデータから、主偏向
   及び副偏向の組合わせにより所望のパターンを描画する
   荷電ビーム描画装置に供される描画パターンデータを生
   成し、この描画パターンデータに基づいて試料上に所望
   パターンを描画する荷電ビーム描画方法において、 前記設計パターンデータにおけるブロックの組合わせを
   基に、下位ブロックとこれを含む上位ブロックとが各々
   独立したブロック配置となるように、新たなサブブロッ
   ク領域に分割し、 前記サブブロック領域のうち副偏向領域より大なる領域
   については、該サブブロック領域を所定の副偏向領域に
   よりマトリクス状に分割し区画化し、該サブブロック領
   域の描画位置と、該サブブロック領域内の区画化された
   副偏向領域の個数と、該サブブロック領域に包含される
   図形データを前記副偏向領域単位に区画されてなる図形
   データ群を示す指標とにより表現される第１の属性デー
   タとして描画パターンデータを生成し、 前記サブブロック領域のうち副偏向領域より小さい領域
   については、該サブブロック領域の描画位置と該サブブ
   ロック領域に包含される図形データを示す指標とにより
   表現される第２の属性データとして描画パターンデータ
   を生成し、 前記第１の属性データと第２の属性データとの組合わせ
   により表現された描画パターンデータを基にして描画処
   理することを特徴とする荷電ビーム描画方法。