JPH07191199A - 荷電粒子ビーム露光システム及び露光方法 - Google Patents

荷電粒子ビーム露光システム及び露光方法

Info

Publication number
JPH07191199A
JPH07191199A JP5333353A JP33335393A JPH07191199A JP H07191199 A JPH07191199 A JP H07191199A JP 5333353 A JP5333353 A JP 5333353A JP 33335393 A JP33335393 A JP 33335393A JP H07191199 A JPH07191199 A JP H07191199A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
pattern
charged particle
cell
particle beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5333353A
Other languages
English (en)
Inventor
Soichiro Arai
総一郎 荒井
Junichi Kai
潤一 甲斐
Hiroshi Yasuda
洋 安田
Shunsuke Fueki
俊介 笛木
Yoshihisa Daikyo
義久 大饗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP5333353A priority Critical patent/JPH07191199A/ja
Publication of JPH07191199A publication Critical patent/JPH07191199A/ja
Priority to US08/653,121 priority patent/US6064807A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/153—Electron-optical or ion-optical arrangements for the correction of image defects, e.g. stigmators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023—Programme control
    • H01J37/3026—Patterning strategy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/043—Beam blanking
    • H01J2237/0435—Multi-aperture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/153—Correcting image defects, e.g. stigmators
    • H01J2237/1532—Astigmatism
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/153—Correcting image defects, e.g. stigmators
    • H01J2237/1534—Aberrations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202—Movement
    • H01J2237/20221—Translation

Abstract

(57)【要約】 【目的】データ処理量、データ処理時間及びデータ転送
時間を減少させ、かつ精度良くパターンを描画できる露
光方法及び露光装置を提供する。 【構成】マルチビーム方式の露光において、露光すべき
パターンを、副偏向器の一回の走査で露光できる領域を
最大のサイズとするセルストライプ単位に分けるステッ
プ（ａ）と、セルストライプ単位のパターンデータをメ
モリに格納するステップ（ｂ）と、セルストライプの位
置を示す位置データを露光すべきパターンデータが格納
されている前記メモリのアドレス情報とともに露光する
順番にソートするステップ（ｃ）と、前記位置データか
ら主偏向器及び副偏向器の偏向量データを算出するステ
ップ（ｄ）と、前記パターンデータ及び前記偏向量デー
タを用いてパターンを試料上に描画するステップ（ｅ）
とを含む構成である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は荷電粒子ビーム露光に関
し、より詳細には、試料が搭載されたステージを連続的
に移動させつつ、複数形成された荷電粒子ビームを全体
として所望のビーム形状となるように制御し、かつ荷電
粒子ビームを偏向器により偏向してラスタ走査を行うこ
とで試料面上に照射して露光する荷電粒子ビーム露光に
関する。
【０００２】近年、ＩＣは、その集積度と機能の向上に
伴い計算機、通信、機械制御等、広く産業全般に応用さ
れている。例えば、ＤＲＡＭでは、１Ｍ、４Ｍ、１６
Ｍ、６４Ｍ、２５６Ｍ、１Ｇビットとその集積化が進ん
でいる。このような高集積化は、ひとえに微細加工技術
の進歩によっている。このような集積回路の高密度化に
伴い、微細パターンの形成方法として、電子線等の荷電
粒子ビームを用いた露光装置が開発されている。荷電粒
子ビーム露光では、０．０５μｍ以下の微細加工が０．
０２μｍ以下の位置合わせ精度で実現できる。しかしな
がら、これまでは、上記露光装置はスループットが低く
てＬＳＩの量産には使用できないであろうと考えられて
きた。これは、いわゆる一筆書きの電子ビームについて
の議論であって、真剣に検討した結果ではなく、単に現
在の市販装置や生産性に鑑みて判断されているに過ぎな
い。
【０００３】しかし、近年本発明者らによるブロック露
光やブランキングアパーチャアレイ方式の発明により、
１ｃｍ2 ／１ｓｅｃ程度のスループットが期待できるよ
うになった。微細さ、位置合わせ精度、クイックターン
アラウンド及び信頼性のどれをとっても、他の方法に比
較して優れている。上記のような利点を有する荷電粒子
ビーム露光においては、他の露光方法と同様に、露光パ
ターンデータを効率的に処理して露光のスループットを
向上させることが必要である。
【０００４】
【従来の技術】荷電粒子ビーム露光装置の一つである電
子ビーム露光装置における従来の露光パターンデータの
処理は、図１８に示すように行われていた。ウェハ上の
各チップごとに、主偏向器（電磁偏向器）で電子ビーム
を偏向できる主偏向領域（メインフィールド）にチップ
上の露光領域を分割し、更に各主偏向領域を副偏向器
（静電偏向器）で偏向できる副偏向領域に分割する。そ
して、各副偏向領域ごとに露光パターンデータを作成す
る。
【０００５】図１９は、チップ上の露光領域を上記のと
おり分割した様子を示す。図中、太い実線で囲まれた各
領域が主偏向領域（メインフィールド）であり、細い実
線で囲まれた各領域が副偏向領域（サブフィールド）で
ある。図示するように、主偏向領域及び副偏向領域と
も、ほぼ等間隔で分割されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図１８に示す従来の露
光パターンデータ処理では、副偏向器ごとにパターンデ
ータを作成しているため、露光パターンの特徴、例えば
露光パターンの繰り返し性を一切考慮していない。例え
ば、図２０に示すようなあるバターンＰ１やＰ２を繰り
返して露光するような場合、パターンデータは副偏向領
域単位で作成されるため、副偏向領域の境界線上に位置
する露光パターンは、複数のパターンに分割されてしま
う。例えば、図の一番右に位置するパターンＰ１は、３
つのパターンに分割されてしまう。したがって、分割さ
れたパターンのパターンデータを組み合せて初めて、も
ともとの１つの露光パターンが作成できる。なお、実際
には、各副偏向領域のまわりに多少のいわゆる「のりし
ろ」領域を設定して、こののりしろ領域内の部分は分割
しない等の多少の工夫が施されている。他方、同一のパ
ターンＰであっても、副偏向領域内にあるものは分割さ
れない。
【０００７】このように、同一のパターンであり、この
パターンを表すデータは同一であるにもかかわらず、異
なるパターンデータを作成する必要がある。すなわち、
パターンの繰り返し性を考慮したパターンデータの生成
ではなく、よって大量のデータ処理が必要となる。扱う
データ量が多くなればパターンデータを転送する時間も
増大するので、装置全体のスループットは極めて低い。
【０００８】また、１つのパターンを分けて露光するこ
とになるので、露光時のパターンの位置ずれなどが起き
易い。従って、本発明は上記従来の問題点を解決し、パ
ターンの繰り返し性を考慮してパターンデータを生成す
ることで、データ処理量、データ処理時間及びデータ転
送時間を減少させ、かつ制度よくパターンを描画できる
露光方法及び露光装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、試料が搭載さ
れたステージを第１の方向に連続的に移動させながら、
複数形成された荷電粒子ビームを全体として所望のビー
ム形状となるように制御し、かつ主偏向器と副偏向器で
荷電粒子ビームを偏向して試料上にパターンを描画す
る、いわゆるマルチビーム方式の露光方法において、露
光すべきパターンを、副偏向器の一回の走査で露光でき
る領域を最大のサイズとするセルストライプ単位に分け
るステップ（ａ）と、セルストライプ単位のパターンデ
ータをメモリに格納するステップ（ｂ）と、セルストラ
イプの位置を示す位置データを露光すべきパターンデー
タが格納されている前記メモリのアドレス情報とともに
露光する順番にソートするステップ（ｃ）と、前記位置
データから主偏向器及び副偏向器の偏向量データを算出
するステップ（ｄ）と、前記パターンデータ及び前記偏
向量データを用いてパターンを試料上に描画するステッ
プ（ｅ）とを有する。
【００１０】また、本発明は、試料が搭載されたステー
ジを第１の方向に連続的に移動させながら、複数形成さ
れた荷電粒子ビームを全体として所望のビーム形状とな
るように制御し、かつ主偏向器と副偏向器で荷電粒子ビ
ームを偏向して試料上にパターンを描画する、いわゆる
マルチビーム方式の露光システムにおいて、露光すべき
パターンを、副偏向器の一回の走査で露光できる領域を
最大のサイズとするセルストライプ単位に分ける第１の
手段と、セルストライプ単位のパターンデータをメモリ
に格納する第２の手段と、セルストライプの位置を示す
位置データを露光すべきパターンデータが格納されてい
る前記メモリのアドレス情報とともに露光する順番にソ
ートする第３の手段と、前記位置データから主偏向器及
び副偏向器の偏向量データを算出する第４の手段と、前
記パターンデータ及び前記偏向量データを用いてパター
ンを試料上に描画する第５の手段とを有する。
【００１１】
【作用】本発明によれば、露光すべきパターンを、副偏
向器の一回の走査で露光できる領域を最大のサイズとす
るセルストライプ単位にグループ分けし、セルストライ
プ単位のパターンデータをメモリに格納する。すなわ
ち、従来のように主偏向器及び副偏向器で偏向可能な領
域をベースにパターンを分けるのではなく、副偏向器の
一回の走査で露光できる領域を最大のサイズとするセル
ストライプ単位にグループ分けしている。従って、パタ
ーンの繰り返し性を考慮してパターンデータ及び偏向量
データを処理できるので、従来の問題点は解決できる。
【００１２】
【実施例】以下に説明する本発明の実施例は、複数形成
された荷電粒子ビームを全体として所望のビーム形状と
なるように制御するマルチビーム方式の荷電粒子ビーム
露光装置の１つであるブランキングアパーチャアレイ
（ＢＡＡ）方式の電子ビーム露光装置である。ここで、
上記制御は、各々のビームが試料上に到達するか（オ
ン）、しないか（オフ）を単独又はまとめて独立に制御
し、複数のビーム全体が所望のビーム形状となるように
する。上記オン／オフ制御は露光すべきパターンに応じ
て次々と変化させる。他方、試料が搭載されたステージ
を第１の方向に連続的に移動させ、第１の方向又はそれ
と垂直な第２の方向に、１つ又は複数の偏向器により略
直線上に偏向しながら露光を行う。
【００１３】ブランキングアパーチャアレイは公知のよ
うに、矩形の開孔とそのすぐ横に対向辺上に形成された
２つの電極からなる群を千鳥格子状に複数個配列し、２
つの電極のうち一方をグランド電位に設定し、他方をグ
ランド電位又はある電位に設定することにより、開孔を
通過する電子ビームの軌道を制御するものである。この
ブランキングアパーチャアレイを通過した電子ビームが
光学鏡筒内部で更に先にあるアパーチャプレートの開孔
を通過するかしないかを制御する。そして、副偏向器が
おおよそラスタ走査するのに同期させてブランキングア
パーチャアレイの電極にかける電圧を制御することで、
帯状の領域の所望のパターンを露光する。
【００１４】はじめに、本実施例の走査を説明する。図
２は１枚のウェハ１０を示す図である。ウェハ１０上に
は、複数のチップが形成される。露光中、ウェハ１０を
Ｙ方向に連続的に、繰り返し移動させる。電子ビームの
走査は、セル領域単位に行う。図２の参照番号１４は１
つのセル領域を示す。セル領域は、Ｘ方向は主偏向器の
偏向可能な範囲（例えば、２ｍｍ程度）であり、Ｙ方向
はチップ１２の大きさ以下である。図２の例では、セル
領域のＹ方向の大きさは、この方向のチップ１２の大き
さに等しい。電子ビームは、Ｘ方向に蛇行しながら（Ｘ
方向に振れながら）Ｙ方向に進むように偏向される。こ
こで、原理的には、Ｙ方向はステージが連続移動してい
るので、Ｙ方向におけるセル領域の大きさを規定する必
然性は存在しない。しかしながら、各種の補正演算及び
データの効率的処理の観点から、ある程度の大きさにＹ
方向を区切った方がよい。このとき、Ｙ方向の大きさを
できるだけ大きくとりたいので、例えばチップサイズの
大きさとする。なお、補正演算をより精度良く行うこと
が好ましい場合には、セル領域のＹ方向の大きさはチッ
プサイズよりも小さくとる。
【００１５】ここで、セルストライプを定義する。セル
ストライプとは、副偏向器での一回の走査で露光を行え
る領域に等しい大きさ又はこれ以下の大きさの領域であ
る。例えば、副偏向器が最大約１００μｍ偏向可能であ
り、ブランキングアパーチャアレイの幅を約１０μｍと
すると、セルストライプはＸ方向に約１０μｍ、Ｙ方向
に１００μｍの大きさを最大とする。
【００１６】図３に図２の黒く塗りつぶした領域を拡大
して示すように、各セルストライプ１６毎にＹ方向に副
偏向器で電子ビームを走査させながらＸ方向に電子ビー
ムを移動させる。セルストライプ１６が上記最大の大き
さ１０μｍ×１００μｍの場合、Ｘ方向にセルストライ
プ１４を１０本程度並べた領域を副偏向器で走査する。
従って、約１００μｍ□の領域が副偏向領域となる。そ
して、Ｘ方向の幅２ｍｍ程度、Ｙ方向は連続移動時の偏
向可能範囲が主偏向器で走査するセル領域１４である。
【００１７】セルストライプ１６は、１０μｍ×１００
μｍを最大として、その大きさを可変とする。可変方法
は、次の通りである。ブランキングアパーチャアレイの
大きさは決っているが、セルストライプの幅を小さくす
るには、ブランキングアパーチャアレイの端の方の開孔
からでるビームを常時オフしておけばよい。また、長さ
方向を小さくするには、スキャンを短くするか、もしく
はスキャン距離は一定で、その間のセルストライプ以外
の所のデータをオフのデータにしておけばよい。具体的
には、繰り返し性のあるパターンに対しては、そのピッ
チにセルストライプの大きさを合わせる。図４は、前述
の図２０に示した繰り返し性のあるパターンＰ１及びＰ
２に対して、セルストライプ１６の大きさを可変して設
定した様子を示す図である。図４に示すように、パター
ンＰ１及びＰ２のピッチに応じてセルストライプ１６が
設定されている。パターンＰ１を露光する場合には、各
セルストライプ１６毎に同一のパターンＰ１のパターン
データを参照すればよい。換言すれば、パターンＰ１に
対して設定されたセルストライプ１６に共通に１つのパ
ターンＰ１のパターンデータを設定しておけばよい。従
って、図２０に示す従来の場合に比べて、パターンデー
タ量を圧縮することができる。 図５は、本発明の実施
例によるパターンデータの作成を示す図である。図５に
示すように、チップ上に露光するバターンをセルストラ
イプに分け、同一のパターンデータを有するセルストラ
イプに対し予め生成したパターンを共通に設定される。
従って、本実施例によれば、図１８に示す従来のパター
ンデータ生成方法のように、副偏向領域でパターンが分
断されることが減少し、またセルストライプ毎の同一パ
ターンに対しては共通に１つのパターンデータが設定さ
れるので、データ圧縮の効果が非常に高い。
【００１８】図１は、本実施例による露光システム内で
行われるデータ処理のフローチャートである。以下、本
実施例によるデータ処理を説明する。なお、後述するよ
うに、図１にステップＳ１〜Ｓ１４は、露光システム内
のデータ処理計算機、露光処理制御・運用装置及び露光
装置内の制御部が実行する。はじめに、ステップＳ１
で、設計データを後述するデータ処理計算機に入力す
る。後に詳述するように、設計データは、パターンデー
タの集合である。各パターンデータは、パターンの形
状、始点座標、パターンの大きさなどからなる。次に、
ステップＳ２で、設計データ中にパターンデータの繰り
返し性があるかどうかを判断する。後述するように、セ
ルストライプの取り扱えるサイズ内で設計データをまと
め、繰り返し性のあるパターンデータの有無を判断す
る。繰り返し性のあるパターンデータに対してはステッ
プＳ３で、セルストライプを設定する。繰り返し性のな
い部分に対してはステップＳ４で、一定サイズ（例え
ば、前述の最大サイズ）のセルストライプ単位に分解す
る。
【００１９】続くステップＳ５では、以上のようにして
設定されたセルストライプ毎に、セルストライプの座標
データとパターンデータとを生成してテーブル内に記憶
する。ここで、パターンデータは繰り返し性のあるもの
と繰り返し性のないものとがある。そして、繰り返し性
のあるパターンデータを、このパターンを有するセルス
トライプに共通の１つのパターンデータとして記憶す
る。
【００２０】図６はこの様子を示す図である。異なるパ
ターンデータＡ、Ｂをシステム内のパターンデータメモ
リ内に記憶し、セルストライプ毎に座標データ、すなわ
ち、セルストライプの中心座標、パターンデータメモリ
内の対応するパターンデータの開始アドレス、及び開始
アドレスからパターンデータが記憶されている領域に相
当するアドレス数をセルストライプ中心座標メモリ内に
設定する。
【００２１】次に、ステップＳ６で、セルストライプを
前述したセル領域単位にグループ分けする。続くステッ
プＳ７で、セル領域毎に図２を参照して説明した走査の
順にセルストライプが並ぶように、Ｘ方向及びＹ方向に
セルストライプ座標データを並び換える（ソート処
理）。図７は、ステップＳ７の並び換えを説明する図で
ある。セル領域毎にグループ化したセルストライプを露
光順となるように並び換える。図７に例では、パターン
Ａ、Ｂ、Ａの順に露光される。
【００２２】パターンデータメモリに格納されているパ
ターンデータを、ステップＳ８でセルストライプ毎にド
ットデータ（ビットデータ）に変換する。前述したよう
に、ブランキングアパーチャアレイ方式の露光装置で
は、ブランキングアパーチャアレイによって作り出され
る微小ビームの集まりによって描画を行うため、ブラン
キングアパーチャアレイに与える情報はオン・オフの２
値である。従って、パターンデータをドットデータに変
換して、後述するビットマップを作成する。ステップＳ
９では、ステップＳ８で生成したドットデータを出力す
る順に並べ換え、メモリに格納する。メモリに格納され
たドットデータは、ステップＳ１０で偏向と同期してブ
ランキングアパーチャアレイに与えられる。
【００２３】他方、ステップＳ７でソートされたセルス
トライプの座標データから主偏向器及び副偏向器の偏向
量を示す偏向量データを計算する。この際、ステップＳ
１１で、予め偏向量データを計算しておくかどうかの判
断を行う。ステップＳ１１の判断結果がＮＯの場合に
は、ステップＳ１４である領域を露光している最中に、
今後行われる露光領域の偏向量データを計算する。例え
ば、図２に示すようにあるセル領域を露光している時
に、次のセル領域の偏向量データを計算する。また、直
線状に走査している間に次の走査（図３の矢印とは反対
向きの方向）で露光するセルストライプに関する偏向量
データを作成してもよい。このようにして生成された偏
向量データをメモリに一時的に保持しておく。そして、
次のセル領域（または次のＸ方向の走査）の際、一時的
に保持しておいた偏向量データを上記メモリから読み出
し、主偏向器及び副偏向器に与える。なお、セルストラ
イプ毎に、あるセルストライプを露光している間に次に
セルストライプの偏向量データを計算することとしても
よい。
【００２４】ステップＳ１１の判断結果がＹＥＳの場合
には、ステップＳ１２でセル領域ごとに予め偏向量を計
算しておき、メモリに格納する。そして、露光時、ステ
ップＳ１３で、メモリから予め計算しておいた偏向量を
順次読み出し、主偏向器及び副偏向器に与える。 次
に、ステップＳ７のソート処理及びステップＳ１２又は
Ｓ１４で行う偏向量データの作成について説明する。
【００２５】図８は、あるセル領域の一部を示す図であ
る。図２及び図３を参照して説明したように、電子ビー
ムはＸ方向に蛇行しながらステージの移動によりＹ方向
に進む。矢印付の実線は電子ビームの走査を示す。細長
の矩形状の領域はセルストライプ１６を示す。同一のハ
ッチングが施されたセルストライプは、同一の繰り返し
性のあるパターンが描画される。セルストライプの大き
さは例えば最大１０μｍ×１００μｍであり、また繰り
返し性のあるパターンの大きさに応じてＸ方向及び／又
はＹ方向に可変されている。
【００２６】ステップＳ６でセル領域毎に座標データと
パターンデータをグループ化したのち、ステップＳ７で
まず、各セルストライプのセル中心からの位置（座標）
を次の式を用いて算出する（ただし、説明を簡略化する
ために、以下の説明ではＸ方向にのみ副偏向領域を分断
する場合を例にとり、説明する。同様に、Ｙ方向にも副
偏向領域を分断し（この場合、副偏向器の偏向限界から
Ｘ方向のサイズよりも小さくとらなければならない）近
傍にあるセルストライプは続けて露光する方法も可能で
ある）。
【００２７】Ｘ＝ｘｉ−ｘｃ Ｙ＝ｙｉ−ｙｃ ここで、ｘｉ及びｙｉはチップセンタを基準としたセル
ストライプの座標値であり、ｘｃ及びｙｃはセル領域中
心を示す。従って、Ｘ及びＹはセル領域中心からの各セ
ルストライプの位置を表す。
【００２８】次に、各セル領域毎に、セルストライプを
上記のようにして求めたＹ座標の値でソートする。引き
続いて、Ｙ座標の値でソートしたセルストライプを図８
に示すように露光順に蛇行するようにＸ座標の値でソー
トする。ステップＳ１２又はＳ１４では、まず主偏向器
の偏向量データを生成する。このために、セル領域をＸ
方向に均等に副偏向領域（サブフィールド）の大きさに
分割する。Ｙ方向は、同じＹ座標のセルストライプのみ
をサブフィールドとする。即ち、セルストライプがほぼ
同じ位置に重なっていても、Ｙ座標が違う場合は別のサ
ブフィールドとし、図８に示すようにＹ方向に異なる位
置に電子ビームを主偏向器で偏向する。従って、セルス
トライプの重なりを許容する。
【００２９】主偏向器の偏向位置（ｘｍ、ｙｍ）は次の
式で一意に求めることができる。 ｘｍ＝〔（｜Ｘ｜＋（副偏向領域サイズ）／２）／（副
偏向領域サイズ）〕×（副偏向領域サイズ） （ただし、Ｘ＜０のときｘｍ＜０、Ｘ＞０のときｘｍ＞
０） ｙｍ＝Ｙ 次に、ステップＳ１２又はＳ１４で、副偏向器の偏向位
置を算出する。副偏向器は、主偏向器で偏向した後の残
りのＸ方向の偏向とＹ方向の偏向を行う。前述したよう
に、本実施例ではセルストライプの最大の大きさは１0
μｍ×１００μｍなので、図８に示すＸ方向には片側最
大で５μｍのマージンを設定する。例えば、図８のセル
ストライプ１６’は隣のセル領域に一部はみ出している
が、上記マージン内ならば、当該セル領域内のセルスト
ライプであって、副偏向器でＸ方向に偏向することで、
描画できる。Ｙ方向はセルストライプの長さである。よ
って、副偏向器の偏向位置（ｘｓ、ｙｓ）は次の式で一
意に求めることができる。
【００３０】ｘｓ＝Ｘ−ｘｍ＋ｘｓｃａｎ ｙｓ＝ｙｓｃａｎ （ただし、ｘｓｃａｎ、ｙｓｃａｎは副偏向領域内での
副偏向位置） 以上のようにして求めた主偏向器への偏向量データと副
偏向器への偏向量データと、ステップＳ８及びＳ９で求
めたドットデータとに基づき、露光を行う。
【００３１】以下、具体例を用いて、上述した図１に示
すデータ処理を更に説明する。図９は、チップ上に露光
されるあるパターンの設定データを示す図である。図示
の例では、繰り返し性のあるパターンを示す繰り返しパ
ターンデータＤａ及びＤｂと、その周囲の繰り返し性の
ないランダムなランダムパターンデータがある。
【００３２】前述のステップＳ１（図１）で入力される
設計データでは、繰り返しパターンデータは繰り返し性
のあるパターンを示すパターンデータの集まりである。
例えば、図１０に示すように、図９に示す繰り返しパタ
ーンデータＤａは、パターンの形状（矩形１、矩形２、
三角形１等）と、各パターンの始点座標と、パターンの
大きさに関するデータを含む。繰り返しパターンデータ
Ｄｂも同様である。繰り返し性のないランダムなパター
ンのパターンデータ（図１０の例では、Ｄｒａｎｄｏｍ
１、Ｄｒａｎｄｏｍ２）も同様に、パターンの形状、始
点座標及び大きさのデータを有する。
【００３３】以上のような設計データが入力されたデー
タ処理計算機は、ステップＳ２（図）で繰り返し性のあ
るパターンが存在するかどうかを判断し、ステップＳ３
で繰り返し性のあるパターンに対して、前述のセルスト
ライプの取り扱えるサイズ内でパターンデータをまとめ
る。例えば、図９に示す繰り返しパターンデータＤａに
関しては、４つのパターン（１つの矩形と、３つの三角
形）がセルストライプ１６として扱えるパターンデータ
の集まりとしてまとめられる。同様に、図９に示す繰り
返しパターンデータＤｂに関しては、３つのパターン
（２つの矩形と１つの三角形）がセルストライプ１６と
して扱えるパターンデータの集まりとしてまとめられ
る。そして、以上のようにしてまとめたパターンデータ
を、図１０に示すようなシステム内のテーブルに保持す
る。図１０に示すように、各繰り返しパターンデータ毎
に、繰り返しの始点、繰り換えしの個数及び繰り返しの
ピッチに関するデータをテーブル内に保持する。例え
ば、Ｄａの矩形１は、始点（Ｘａｓ、Ｙａｓ）、個数
（Ｘａｎ、Ｙａｎ）、ピッチ（Ｘａｎ、Ｙａｎ）で繰り
返される。
【００３４】繰り返し性のないランダムなパターン（図
１０のＤｒａｎｄｏｍ１及びＤｒａｎｄｏｍ２）は、そ
のパターンが位置する領域の状態を考慮することなく、
一定のサイズに領域を分割してセルストライプを決め
る。なお、図９に示すように、セルストライプが重なっ
てしまう場合、その部分のみセルストライセルストライ
プの重なりを無くすように別のセルストライプでまとめ
る。また、繰り返し性のあるパターンと、異なる繰り返
しピッチの繰り返し性のあるパターンと、繰り返し性の
ないパターンとのいずれかが重なっている場合には、重
なっている部分を含むセルストライプを設定することと
してもよい。更に、頻繁に使用されているパターンはブ
ロックパターンとして抽出し、その番号で通常のパター
ンとして使う。なお、図１０に示す段階では、パターン
の座標はチップの中心からのパターンの位置を示してい
る。パターンデータは所定の固定長のフォーマットで表
示する。
【００３５】図１０に示すテーブルから、ステップＳ５
で、図１１に示すようなセルストライプの座標とセルス
トライプに含まれるパターンデータの対応を示すテーブ
ルを作成する。図１０中、セルストライプ番号（ＮＯ）
はセルストライプの座標に相当し、パターンデータはセ
ルストライプ内に含まれるパターンを示すデータと、繰
り返しの始点を示すデータと、繰り返しの個数を示すデ
ータと、繰り返しのピッチを示すデータとを含む。セル
ストライプはなるべく大きくとった方が高いスループッ
トが得られるので、例えばＤａ、Ｄｂのように、セルス
トライプの中に複数個のパターン入る場合には、Ｄａ×
２個、Ｄｂ×１２個を１つのセルストライプとするよう
に、データのかたまりのサイズをデータ処理計算機（Ｃ
ＡＤ）のデータ構成をもとに再編成する。
【００３６】よって、図１１に示すように、Ｃｓａ１１
〜Ｃｓｂ２３等はデータの構成単位Ｄａ、Ｄｂの複数倍
で編成され、他方露光装置内のデータ処理はデータの繰
り返しの繰り返しで表される形式は許容しないため、パ
ターンデータとその繰り返しで表されるレベルに編成す
る。この結果が、図５に示すセルストライプとパターン
データの構成が得られる。Ｃｓｒ１、Ｃｓｒ２等ではセ
ルストライプ内での繰り返し性がないので、Ｄｒａｎｄ
ｏｍ１内のパターンデータ（パターンデータの繰り返し
性はあり得る）の分割のみとする。 以上の処理で図１
１に示すテーブルを作成した後、図１２に示すテーブル
を作成する。図１２に示すテーブルは、前述の図６に示
すセルストライプ中心座標メモリの記憶内容に相当す
る。セルストライプ毎に、セルストライプの中心座標、
パターンデータを格納するパターンデータメモリの開始
アドレス、及びアドレス数（パターン開始アドレスから
連続して読み出す範囲を示す）を示すデータを生成す
る。図１２の例では、パターンデータメモリはセルスト
ライプＣｓａ１１〜Ｃｓａ１４に露光されるパターン
（パターンＤａがＹ方向に２回繰り返されたもの）のパ
ターンデータを、アドレス１から連続するアドレス数１
２０に相当する領域に保持している。また、パターンデ
ータメモリはセルストライプＣｓａ２１〜Ｃｓａ２４に
露光されるパターンＤｂのパターンデータを、アドレス
１２１から連続するアドレス数５５に相当する領域に保
持している。
【００３７】以上の処理で図１２に示すテーブルを作成
した後、図１に示すステップＳ７及び図７に示すソート
処理で、露光順にセルストライプが並ぶようにセルスト
ライプの座標を並び換える。そして、前述したステップ
Ｓ１２又はＳ１４（図１）で、セルストライプの中心座
標から主偏向量データ及び副偏向量データを作成する。
【００３８】一方、ＤａやＤｂなどの繰り返し性のある
パターンのパターンデータや、ブロックパターンのパタ
ーンデータは、前述したステップＳ８（図１）でセルス
トライプ毎にドットデータ（ビットデータ）に変換され
てビットマップメモリに格納される。例えば、図１３に
示すようにパターンデータをパターンデータメモリから
読み出し、セルストライプの大きさを０．０１μｍ単位
であらわせる容量を持ったメモリ（キャンバスメモリ）
において、パターンデータで指定された領域内のビット
を１にしていく。ある三角形が始点（Ｘ１、Ｙ１）、大
きさ（Ｘ２、Ｙ２）とすると、図１３に示すようにドッ
トデータがキャンバスメモリに格納される。通常、キャ
ンパスメモリの横方向（Ｘ方向）がデータ列の方向に一
致するように構成されている。一方、露光時の走査は図
１３に示す矢印の方向に行うので、ブランキングアパー
チャアレイのある１開孔に対するデータは縦方向の並び
となる。従って、横方向のデータ列を縦方向のデータ列
に並び換えて、ビットマップメモリに格納する。露光時
は、この縦方向のデータ列をビットマップメモリから順
番に読み出して、ブランキングアパーチャアレイに出力
すればよい。
【００３９】以上のようにして生成した主偏向量デー
タ、副偏向量データ及びドットデータを用いて、図９に
示すようにパターンを順番に露光する。露光動作におい
て、Ｙ座標の値が異なるものは、主偏向量データに基づ
き主偏向器で蛇行するように電子ビームを偏向して、図
９中に点線で表した領域の中心に電子ビームを位置決め
する。そして、副偏向量データに基づき図９中に矢印で
表した量を副偏向器で偏向する。なお、図中、○は主偏
向器偏向位置、●は各セルストライプ中心で副偏向器で
偏向する。点線は、副偏向器偏向領域の境界を表す。
【００４０】図１４は、本発明の荷電粒子ビーム露光シ
ステムの一構成例である。図１４に示す露光システム
は、データ処理計算機３２、露光装置制御・運用装置３
４、及び露光装置３６からなる。データ処理計算機３２
は、ＩＣ設計データを受け取り、図１に示すステップＳ
１〜Ｓ７までの処理を行い、セルストライプ毎のパター
ンデータ及び位置（座標）データを露光装置制御・運用
装置３４に転送する。露光装置制御・用装置３４は、図
１に示すステップＳ１１及びＳ１２を行い、受け取った
セルストライプ毎の位置データから偏向量を示す偏向量
データ（主偏向量データ及び副偏向量データ）を計算し
て、露光装置３６に転送する。露光装置３６の偏向量メ
モリ３８は、露光装置制御・運用装置３４からの偏向量
データを受け取って一時的に保持した後、偏向器４０に
出力する。データ処理計算機３２で生成されたパターン
データは露光装置制御・運用装置３４を通過し、露光装
置４０のデータ展開装置４２に転送される（又は露光装
置制御・運用装置３４を通ることなく直接露光装置３６
に転送される）。データ展開装置４２は図１に示すステ
ップＳ８及びＳ９を実行し、ドットデータ（ビットデー
タ）を露光装置３６内部のビットマップメモリ４４に格
納する。ドットデータはビットマップメモリ４４から読
み出され、ブランキングアパーチャアレイ（ＢＡＡ）４
６に出力される。
【００４１】以上のように、図１４に示す露光システム
では、露光を開始する前にすべての偏向量データを作成
しておき、予め偏向量メモリ３８に格納しておく構成で
ある。図１５は、本発明の荷電粒子ビーム露光システム
の別の構成例である。なお、図１５において、図１４に
示す構成要素と同一のものには同一の参照番号を付して
ある。図１５の構成では、データ処理計算機で生成した
セルストライプの位置（座標）データを直接（露光装置
制御・運用装置３４を素通りして）露光装置３６のセル
ストライプメモリ４８に転送する。露光装置３６内の偏
向量演算器５０は、セルストライプメモリ４８から位置
データを読み出し、図１に示すステップＳ１４の偏向量
データを算出する。具体的には、例えば、あるセルスト
ライプを露光している間に次のセルストライプの偏向量
をパイプラインで露光に同期させて演算し、そのまま算
出した偏向量データを偏向器４０に出力する。他方、デ
ータ処理計算機３２で生成したパターンーデータは露光
装置制御・運用装置３４に転送され、ここで一時的に保
持する。その後、偏向器４０の動作に同期した所定のタ
イミングでデータ展開装置４２に転送される。
【００４２】以上のように、図１５に示す露光システム
では、露光動作を行いながら、必要な偏向量データをリ
アルタイムに算出するので、露光に必要なすべての位置
（座標）データを予め算出して保持しておく必要がな
く、図１４のシステム構成に比べシンプルである。 な
お、データ処理計算機３２で作成するパターンデータは
公知のデータ圧縮方向で圧縮して、出力する構成として
もよい。データ展開装置４２は圧縮されたパターンデー
タを伸張処理する。
【００４３】図１６は、図１４又は図１５に示すブラン
キングアパーチャアレイ方式の電子ビーム露光システム
を詳細に示す図である。図１６を参照するに、露光シス
テム内の電子ビーム露光装置３６は、電子ビームを形成
しこれを集束させる電子光学系１００と、電子光学系１
００を制御する制御系２００とよりなる。電子光学系１
００は電子ビーム源として電子銃１０１を含み、電子銃
１０１は電子ビームを所定の光軸Ｏに沿って発散電子ビ
ームとして発射する。
【００４４】電子銃１０１で形成された電子ビームはア
パーチャ板１０２に形成されたビーム整形用アパーチャ
１０２ａを通されて整形される。アパーチャ１０２ａは
光軸Ｏに整合して形成されており、入射電子ビームを矩
形断面形状に整形する。整形された電子ビームは電子レ
ンズ１０３により、ブランキングアパーチャアレイ（Ｂ
ＡＡ）を形成されたＢＡＡマスク１１０上に投射され
る。その際、レンズ１０３は前記矩形開口の像をＢＡＡ
マスク１１０上に投影する。ＢＡＡマスク１１０上には
半導体基板上に描画される多数の露光ドットに対応して
多数の微細なアパーチャが形成され、各アパーチャには
静電偏向器が形成されている。この静電偏向器は駆動信
号Ｅにより制御され、非励起状態では電子ビームをその
まま通過させるが、励起状態では通過電子ビームを偏向
させ、その結果通過電子ビームの方向が光軸Ｏから外
れ、ラウンドアパーチャ１１３により遮蔽される前期半
導体基板上まで到達しない。その結果、以下に説明する
ように、前記半導体基板上には、非励起状態のアパーチ
ャに対応した露光ドットパターンが形成される。
【００４５】ＢＡＡマスク１１０を通った電子ビームは
縮小光学系を形成する電子レンズ１０４及び１０５を通
った後光軸Ｏ上の焦点ｆ1 において集束され、その際選
択された開口部を通過したビームがｆ１にクロスオーバ
像を結ぶ。そして、電子ビームはラウンドアパーチャ板
１１３に形成されたラウンドアパーチャ１１３ａを通っ
た後、別の縮小光学系を形成する電子レンズ１０６，１
０７により、移動自在なステージ１１４上に保持された
半導体基板１１５上に集束され前記ＢＡＡマスク１１０
の像が基板１１５上に結像する。ここで、電子レンズ１
０７は対物レンズとして作用し、焦点補正及び収差補正
のための補正コイル１０８，１０９や集束電子ビームを
基板表面上で移動させるための偏向器１１１，１１２等
を含んでいる。
【００４６】レンズ１０４とレンズ１０５の中間には静
電偏向器１１６が形成されており、偏向器１１６を駆動
することにより電子ビームの経路が板１１３のラウンド
アパーチャ１１３ａを通る光軸Ｏから外される。その結
果、半導体基板上において非露光時にはビームを完全に
遮断しておく。また、先に説明したＢＡＡマスク１１０
上のアパーチャにおいて静電偏向器の励起に伴い偏向さ
れた電子ビームも前記ラウンドアパーチャ１１３ａを外
れるため、半導体基板上に到達することがなく、その結
果、基板１１５上において前記露光ドットパターンの制
御が可能になる。
【００４７】かかる露光動作の制御のために、図１６の
電子ビーム露光装置は制御系２００を使用する。制御系
２００には図１４及び図１５に示すデータ処理計算機３
２、及び外部記憶装置を含むデータ処理・記憶装置２０
１が接続されている。データ処理・記憶装置２０１から
のパターンデータはバッファメモリ２０３ａ１〜２０３
ａＭに送られ、そして読み出され、データ展開回路２０
３（図１４及び図１５のデータ展開装置４２に相当）に
よってデータ圧縮を解除されることにより、ＢＡＡマス
ク１１０上の個々の開口部を所望の露光パターンに従っ
てオンオフする露光ドットデータに変換される。後程図
１１を参照しながら説明するが、図１６の電子ビーム露
光装置は露光パターンの微妙な修正を可能にするため
に、基板１１５上の各露光点をＮ回、独立な露光パター
ンで重複露光するように構成されている。データ展開は
Ｍ個（Ｍ＝１、２、・・・）のデータ展開回路はＭ個の
回路２０３1 〜２０３M より構成され、露光時に次のデ
ータの展開を行う。これにより、データ処理速度に余裕
を持たせている。各データ展開回路はＮチャネルを処理
でき、Ｎチャネル分のデータが１つのデータ展開回路か
らデータ展開回路２０４に送出される。なお、各データ
展開回路２０３1 〜２０３M はデータ処理・記憶装置２
０１から供給される露光データをもとに、前記Ｎ回の重
複露光に使われるＮ個の独立な露光ドットパターンデー
タを発生させる。
【００４８】個々の回路２０３1 〜２０３M はそれぞ
れ、前記ＣＰＵ２０２から供給される露光データを保持
するバッファメモリ２０３ａと、前記バッファメモリ２
０３ａに保持された露光データをもとに露光ドットパタ
ーンを表すドットパターンデータを発生させるデータ展
開部２０３ｂと、前記データ展開部２０３ｂと共に展開
を行うキャンバスメモリ２０３ｃと、並び換え回路２０
３ｆにより構成され、データ展開回路２０４とキャンバ
スメモリ２０３ｃとでドットパターンデータを作成し、
並び換え回路２０３ｆで図１３を参照して説明したよう
にて並び換えた後、対応する出力バッファ回路２０４に
供給する。各々の保持回路、例えば回路２０４1 はＢＡ
Ａマスク１１０上においてＸ方向に整列した合計１２８
個の開口部に対応して１２８個の回路２０４1 〜２０４
128 を含んでいる。その際、前記１２８個の回路２０４
1 〜２０４128 の各々は、前記開口部をオンオフする１
ビットのデータを前記キャンバスメモリ２０３ｃから供
給され、これを保持する。さらに、前記回路２０４1 〜
２０４N は、保持している１ビットデータを対応するＤ
／Ａ変換器２０５1 〜２０５N でアナログ信号に変換の
後ＢＡＡマスク１１０に供給する。その結果、前記ＢＡ
Ａマスク１１０上のＹ方向に整列した開口部に協働する
静電偏向器が逐次駆動される。
【００４９】図１６の電子ビーム露光装置はさらに、制
御プログラムにもとづいてＣＰＵ２０２から制御信号を
供給され、前記データ展開回路２０３及び出力バッファ
回路２０４の動作、データ展開回路２０３からバッファ
回路２０４へのデータ転送、さらにＤ／Ａ変換器２０５
によるＢＡＡマスク１１０の駆動の制御を行なう露光制
御装置２０６（図１５の露光装置制御・運用装置３４に
相当）を備えている。また、露光制御装置２０６はさら
に主偏向器制御回路２０７及び補正回路２０７ａ並びに
副偏向器制御回路２０８及び補正回路２０８ａを介して
主偏向器１１１及び副偏向器１１２を制御し、電子ビー
ムを基板１１５上で走査させる。
【００５０】主偏向器制御回路２０７からの主偏向量デ
ータをアドレスとするメモリ２１１は、対応する補正演
算係数ＧＸ、ＧＹ（ゲイン）、ＲＸ、ＲＹ（ローテーシ
ョン）、ＯＸ、ＯＹ（オフセット）、ＨＸ、ＨＹ（台
形）を補正回路２０８ａに出力する。補正回路２０８ａ
はこれらの補正演算係数で副偏向量データを補正して、
副偏向器１１２に出力する。また、メモリ２１１は主偏
向量データをアドレスとして対応する補正演算係数Ｄ
Ｘ、ＤＹ（歪み）を補正回路２０７ａに出力する。補正
回路２０７ａは、主偏向量データを補正演算係数ＤＸ、
ＤＹで補正して、主偏向器１１１に出力する。更に、メ
モリ２１１は主偏向量データに応じたダイナミックステ
ィグＳＸ、ＳＹ及びダイナミックフォーカスＦを記憶
し、主偏向量データに応じたＳＸ、ＳＹ及びＦで補正コ
イル１０９及びフォーカス補正コイル１０８を駆動する
ことにより行なう。
【００５１】さらに、図１６の装置は電子ビームを集束
する際に生じるクーロン反発力によるビームの広がりを
補正するために、リフォーカス用ＯＮビット計数回路２
０３ｅ１〜２０３ｅＭを設けてある。リフォーカス用Ｏ
Ｎビット計数回路２０３ｅ１〜２０３ｅＭはリフォーカ
スを行うためにデータ展開を行うと同時に、ＯＮビット
の数を計算し、リフォーカスデータ格納部２１５に格納
しておき、露光時に各時間のＯＮビットの数に対応して
リフォーカスコイルを駆動する。
【００５２】次に、ＢＡＡマスク１１０の構成を図１７
を参照しながら簡単に説明する。図１７を参照するに、
Ｙ方向一列が８開孔あり、Ｘ方向に合計１２８列形成さ
れている。従って、全体で１０２４開孔ある。列ａ、
ｂ、ｄ、ｅは同列である。図の左側の括弧でくくってあ
るように、Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２のように２開孔づつ
でペアを構成する。Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄには別のデータが与
えられる。更に、Ａ２にはＡ１に与えるデータを遅延し
たデータが与えられる。ＢＡＡマスク１１０は各開口部
群に対応してマトリクス状に配列した複数の電子ビーム
要素よりなる電子ビーム群を形成し、各電子ビーム要素
は基板１１５上にセルストライプの最大サイズである
０．０８μｍ×０．０８μｍの大きさの露光ドットを露
光する。その際、最大で８×１２８個の露光ドットが、
基板１１５上に一斉に露光される。
【００５３】前記電子ビーム群を構成する電子ビーム要
素は偏向器１１１，１１２により図中Ｙ方向に走査さ
れ、基板上の前記８×１２８個の各点には、各開口部群
Ａ〜Ｄに対応した露光ドットが最大で８回重複して露光
される。より具体的に説明すると、基板１１５上には開
口部列Ａ1 に対応して露光された露光ドット列に重複し
て、開口部列Ｂ1 に対応した露光ドット列が露光され、
さらにその上に開口部列Ｃ1 ，Ｄ1 に対応した露光ドッ
ト列が逐次重複して露光される。同様な工程が開口部列
Ａ2 ，Ｂ2 ，Ｃ2 ，Ｄ2 の露光についても成立する。す
なわち、開口部列Ａ2 に対応した露光ドット列が露光さ
れた後、それに重複して開口部列Ｂ2 ，Ｃ2 ，Ｄ2 に対
応する露光ドット列が逐次重複して露光される。ただ
し、開口部列Ａ1 による露光ドットと開口部列Ａ2 によ
る露光ドットは相互に補間してＸ方向に整列した単一の
露光ドット列を形成する。各開口部群において開口部列
を相互に１ピッチずらして形成することにより、ＢＡＡ
マスク１１０により整形された電子ビーム要素が相互に
接近し過ぎた場合に生じるクーロン相互作用を最小化す
ることが可能になる。かかるクーロン相互作用が生じる
と、先にも説明したように電子ビーム要素が相互に反発
して電子レンズの実効的な焦点距離が長くなってしま
う。
【００５４】図１１のＢＡＡマスク１１０では、開口部
群Ａの開口部列と、これに隣接する開口部群Ｂの対応す
る開口部列、例えば開口部列Ａ1 を形成する開口部と開
口部列Ｂ1 を形成する開口部列とは、Ｘ及びＹ方向に１
／４ピッチずつずらされている。同様な関係は開口部列
Ａ2 とＢ2 ，Ｂ1 とＣ1 ，Ｂ2 とＣ2 等についても成立
している。すなわち、一般にＮ列の開口部群を有する露
光マスクにおいては、一の開口部群中の開口部とこれに
隣接する開口部群中の対応する開口部とはＸ及びＹ方向
に、ＭをＮより小さい任意の整数としてＭ／Ｎピッチ
（Ｍ＜Ｎ）だけずらされる。
【００５５】かかるＭ／Ｎピッチシフト構成を有するＢ
ＡＡマスクを使って露光をする場合、最も単純には同一
の露光データが開口部列Ａ1 ，Ｂ1 ，Ｃ1 ，Ｄ1 、ある
いは開口部列Ａ2 ，Ｂ2 ，Ｃ2 ，Ｄ2 と逐次おくられ
て、露光ドットが所望の露光量で重複露光され、所望の
露光パターンの露光がなされる。一方、かかるＢＡＡマ
スク１１０では、各開口部列で露光データを変化させる
ことにより、非常に微妙な露光パターンの修正が可能で
ある。このため、図１１に示すＢＡＡマスク１１０は、
電子ビームが基板で反射あるいは散乱されることにより
余分な露光を生じてしまういわゆる近接効果を補正する
のに極めて有用である。図１１のＢＡＡマスク１１０を
使うことにより、前記のＹ方向への電子ビーム走査を各
開口部列Ａ1 〜Ｄ2 に対応して基板１１５上のＹ方向に
異なった位置で一斉に行なうことができ、近接効果を効
率的に補正することが可能になる。
【００５６】以上、本発明の実施例を説明した。なお、
セルストライプの最大の大きさは１０μｍ×１００μｍ
に限定されない。また、セル領域も前述の大きさに限定
されず、例えば、Ｘ方向及びＹ方向共副偏向器の偏向可
能な領域に設定してもよい。更に、ブランキングアパー
チャアレイ方式の露光システムについて説明したが、他
の方式の露光システムについても同様に適用できる。
【００５７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
パターンデータをパターンの繰り返しに合わせて決定可
能なセルストライプ単位に分け、かつパターンデータの
共通化をすることで、データ処理量、データ処理時間及
びデータ転送時間を減少させ、かつ精度よくパターンを
描画できる露光方法及び露光装置を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例によるデータ処理手順を示す
フローチャートである。
【図２】本発明の一実施例による走査方法を示す図であ
る。
【図３】本発明の一実施例による走査方法を示す図であ
って、図２の一部を拡大した図ある。
【図４】本発明の一実施例によるセルストライプ単位に
パターンを分ける様子を示す図である。
【図５】本発明の一実施例によるデータ生成を説明する
図である。
【図６】本発明の一実施例によるセルストライプ中心座
標メモリとパターンデータメモリの記憶内容の一例を示
す図である。
【図７】本発明に一実施例によるソート処理を示す図で
ある。
【図８】本発明の一実施例による電子ビームの走査方法
を示す図である。
【図９】本発明の一実施例で処理しようとするパターン
の一例を示す図である。
【図１０】図９に示すパターンを示す設計データからセ
ルストライプ単位のデータに変換する様子を示す図であ
る。
【図１１】図１０に示すテーブルからセルストライプ毎
にパターンデータとの対応を採ったデータの作成を示す
図である。
【図１２】図１１に示すテーブルからセルストライプ毎
にパターンデータを格納するパターンデータメモリとの
対応と採ったデータの作成を示す図である。
【図１３】パターンデータからドット（ビット）データ
に変換する様子を示す図である。
【図１４】本発明の荷電粒子ビーム露光システムの一構
成例を示すブロック図である。
【図１５】本発明の荷電粒子ビーム露光システムの別の
構成例を示すブロック図である。
【図１６】本発明の荷電粒子ビーム露光システムの一構
成例の全体構成を詳細に示す図である。
【図１７】図１６の露光システムで用いられるブランキ
ングアパーチャアレイの構成を示す図である。
【図１８】従来の露光パターンデータ処理を示す図であ
る。
【図１９】ウェハ上の主偏向器で偏向可能な主偏向領域
及び副偏向器で偏向可能な副偏向領域を示す図である。
【図２０】従来のパターンデータ生成方法を示す図であ
る。
【符号の説明】
１０ ウェハ １２ チップ １４ セル領域 １６、１６’ セルストライプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笛木 俊介 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 大饗 義久 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 試料が搭載されたステージを第１の方向
    に連続的に移動させながら、複数形成された荷電粒子ビ
    ームを全体として所望のビーム形状となるように制御
    し、かつ主偏向器と副偏向器で荷電粒子ビームを偏向し
    て試料上にパターンを描画するマルチビーム方式の露光
    方法において、 露光すべきパターンを、副偏向器の一回の走査で露光で
    きる領域を最大のサイズとするセルストライプ単位に分
    けるステップ（ａ）と、 セルストライプ単位のパターンデータをメモリに格納す
    るステップ（ｂ）と、 セルストライプの位置を示す位置データを露光すべきパ
    ターンデータが格納されている前記メモリのアドレス情
    報とともに露光する順番にソートするステップ（ｃ）
    と、 前記位置データから主偏向器及び副偏向器の偏向量デー
    タを算出するステップ（ｄ）と、 前記パターンデータ及び前記偏向量データを用いてパタ
    ーンを試料上に描画するステップ（ｅ）とを有すること
    を特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
  2. 【請求項２】 前記ステップ（ｃ）は、前記第１の方向
    とほぼ直行する第２の方向において主偏向器で偏向可能
    な領域に相当する幅以下の幅を有するセル領域毎に、セ
    ルストライプの位置データをアドレス情報とともにソー
    トするステップを有することを特徴とする請求項１記載
    の荷電粒子ビーム露光方法。
  3. 【請求項３】 前記ステップ（ａ）は、繰り返し性のあ
    るパターンに対しては、その繰り返しピッチに応じてセ
    ルストライプの大きさを可変することを特徴とする請求
    項１記載の荷電粒子ビーム露光方法。
  4. 【請求項４】 前記ステップ（ｃ）は、前記第１の方向
    とほぼ直行する第２の方向において主偏向器の偏向可能
    領域に相当する幅以下の幅を有するセル領域内で、試料
    上で前記第２の方向に蛇行しながら前記第１の方向に走
    査される荷電粒子ビームで順番に走査されるように、セ
    ルストライプの位置データをアドレス情報とともにソー
    トするステップを有することを特徴とする請求項１記載
    の荷電粒子ビーム露光方法。
  5. 【請求項５】 前記ステップ（ｃ）は、 前記第１の方向とほぼ直行する第２の方向において主偏
    向器の偏向可能領域に相当する幅以下の幅を有するセル
    領域毎に、セルストライプの位置データを第１の方向の
    位置データの値によってソートするステップ（ｃ−１）
    と、 セルストライプの位置データを第２の方向の位置データ
    の値によってソートするステップ（ｃ−２）とを有する
    ことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム露光方
    法。
  6. 【請求項６】 前記セル領域の第１の方向の幅は、試料
    上に露光する１つのチップの大きさに相当することを特
    徴とする請求項２、４又は５のいずれか一項記載の荷電
    粒子ビーム露光方法。
  7. 【請求項７】 前記セル領域の第１及び第２の方向の幅
    は、主偏向器で偏向可能な領域に相当することを特徴と
    する請求項２、４又は５のいずれか一項記載の荷電粒子
    ビーム露光方法。
  8. 【請求項８】 前記ステップ（ｄ）は、 各副偏向領域の中心に荷電粒子ビームを偏向するのに必
    要な偏向量を示す主偏向量データを算出するステップ
    （ｄ−１）と、 該主偏向量データで決定された位置から各セルストライ
    プに荷電粒子ビームを偏向するのに必要な偏向量を示す
    副偏向量データを算出するステップ（ｄ−２）とを有す
    ることを特徴とする請求項２、４又は５のいずれか一項
    記載の荷電粒子ビーム露光方法。
  9. 【請求項９】 前記ステップ（ａ）は、複数のセルスト
    ライプの重なりを許すようにセルストライプ単位に分け
    るステップを有することを特徴とする請求項１記載の荷
    電粒子ビーム露光方法。
  10. 【請求項１０】 前記ステップ（ａ）は、繰り返し性の
    ないパターンに対しては、所定の大きさのセルストライ
    プで該繰り返し性のないパターンを分けるステップを有
    することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム露
    光方法。
  11. 【請求項１１】 前記ステップ（ａ）は、繰り返し性の
    あるパターンと、異なる繰り返しピッチの繰り返し性の
    あるパターンと、繰り返し性のないパターンとのいずれ
    かが重なっている場合には、重なっている部分を含むセ
    ルストライプを設定することを特徴とする請求項１記載
    の荷電粒子ビーム露光方法。
  12. 【請求項１２】 前記ステップ（ｄ）は、露光開始前に
    全ての偏向量データを算出するステップを有することを
    特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム露光方法。
  13. 【請求項１３】 前記ステップ（ｄ）は、露光中に露光
    すべきパターンに関する偏向量データを算出するステッ
    プを有することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビ
    ーム露光方法。
  14. 【請求項１４】 前記ステップ（ｅ）は更に、パターン
    データからドット単位のドットデータを生成して、該ド
    ットデータをブランキングアパーチャアレイに出力する
    ステップを有することを特徴とする請求項１記載の荷電
    粒子ビーム露光方法。
  15. 【請求項１５】 試料が搭載されたステージを第１の方
    向に連続的に移動させながら、複数形成された荷電粒子
    ビームを全体として所望のビーム形状となるように制御
    し、かつ主偏向器と副偏向器で荷電粒子ビームを偏向し
    て試料上にパターンを描画するマルチビーム方式の露光
    システムにおいて、 露光すべきパターンを、副偏向器の一回の走査で露光で
    きる領域を最大のサイズとするセルストライプ単位に分
    ける第１の手段と、 セルストライプ単位に異なるパターンのパターンデータ
    をメモリに格納する第２の手段と、 セルストライプの位置を示す位置データを露光すべきパ
    ターンデータが格納されている前記メモリのアドレス情
    報とともに露光する順番にソートする第３の手段と、 前記位置データから主偏向器及び副偏向器の偏向量デー
    タを算出する第４の手段と、 前記パターンデータ及び前記偏向量データを用いてパタ
    ーンを試料上に描画する第５の手段とを有することを特
    徴とする荷電粒子ビーム露光システム。
  16. 【請求項１６】 前記第３の手段は、前記第１の方向と
    ほぼ直行する第２の方向において主偏向器で偏向可能な
    領域に相当する幅以下の幅を有するセル領域毎に、セル
    ストライプの位置データをアドレス情報とともにソート
    する手段を有することを特徴とする請求項１５記載の荷
    電粒子ビーム露光システム。
  17. 【請求項１７】 前記第１の手段は、繰り返し性のある
    パターンに対しては、その繰り返しピッチに応じてセル
    ストライプの大きさを可変することを特徴とする請求項
    １５記載の荷電粒子ビーム露光システム。
  18. 【請求項１８】 前記第３の手段は、前記第１の方向と
    ほぼ直行する第２の方向において主偏向器の偏向可能領
    域に相当する幅以下の幅を有するセル領域内で、試料上
    を前記第２の方向に蛇行しながら前記第１の方向に走査
    される荷電粒子ビームで順番に走査されるように、セル
    ストライプの位置データをアドレス情報とともにソート
    する手段を有することを特徴とする請求項１５記載の荷
    電粒子ビーム露光システム。
  19. 【請求項１９】 前記第３の手段は、前記第１の方向と
    ほぼ直行する第２の方向において主偏向器の偏向可能領
    域に相当する幅以下の幅を有するセル領域毎に、セルス
    トライプの位置データを第１の方向の位置データの値に
    よってソートし、セルストライプの位置データを第２の
    方向の位置データの値によってソートする手段を有する
    ことを特徴とする請求項１５記載の荷電粒子ビーム露光
    システム。
  20. 【請求項２０】 前記セル領域の第１の方向の幅は、試
    料上に露光する１つのチップの大きさに相当することを
    特徴とする請求項１６、１８又は１９のいずれか一項記
    載の荷電粒子ビーム露光システム。
  21. 【請求項２１】 前記セル領域の第１及び第２の方向の
    幅は、主偏向器で偏向可能な領域に相当することを特徴
    とする請求項１６、１８又は１９のいずれか一項記載の
    荷電粒子ビーム露光システム。
  22. 【請求項２２】 前記第４の手段は、各副偏向領域の中
    心に荷電粒子ビームを偏向するのに必要な偏向量を示す
    主偏向量データを算出し、該主偏向量データで決定され
    る位置から各セルストライプに荷電粒子ビームを偏向す
    るのに必要な偏向量を示す副偏向量データを算出する手
    段を有することを特徴とする請求項１６、１８又は１９
    のいずれか一項記載の荷電粒子ビーム露光システム。
  23. 【請求項２３】 前記第１の手段は、複数のセルストラ
    イプの重なりを許すようにセルストライプ単位に分ける
    手段を有することを特徴とする請求項１５記載の荷電粒
    子ビーム露光システム。
  24. 【請求項２４】 前記第１の手段は、繰り返し性のない
    パターンに対しては、所定の大きさのセルストライプで
    該繰り返し性のないパターンを分ける手段を有すること
    を特徴とする請求項１５記載の荷電粒子ビーム露光シス
    テム。
  25. 【請求項２５】 前記第１の手段は、繰り返し性のある
    パターンと、異なる繰り返しピッチの繰り返し性のある
    パターンと、繰り返し性のないパターンとのいずれかが
    重なっている場合には、重なっている部分を含むセルス
    トライプを設定することを特徴とする請求項１５記載の
    荷電粒子ビーム露光システム。
  26. 【請求項２６】 前記第４の手段は、露光開始前に全て
    の偏向量データを算出する手段を有することを特徴とす
    る請求項１５記載の荷電粒子ビーム露光システム。
  27. 【請求項２７】 前記第４の手段は、露光中に露光すべ
    きパターンに関する偏向量データを算出する手段を有す
    ることを特徴とする請求項１５記載の荷電粒子ビーム露
    光システム。
  28. 【請求項２８】 前記第５の手段は更に、パターンデー
    タからドット単位のドットデータを生成して、該ドット
    データをブランキングアパーチャアレイに出力する手段
    を有することを特徴とする請求項１５記載の荷電粒子ビ
    ーム露光システム。
JP5333353A 1993-12-27 1993-12-27 荷電粒子ビーム露光システム及び露光方法 Pending JPH07191199A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5333353A JPH07191199A (ja) 1993-12-27 1993-12-27 荷電粒子ビーム露光システム及び露光方法
US08/653,121 US6064807A (en) 1993-12-27 1996-05-24 Charged-particle beam exposure system and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5333353A JPH07191199A (ja) 1993-12-27 1993-12-27 荷電粒子ビーム露光システム及び露光方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07191199A true JPH07191199A (ja) 1995-07-28

Family

ID=18265168

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5333353A Pending JPH07191199A (ja) 1993-12-27 1993-12-27 荷電粒子ビーム露光システム及び露光方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6064807A (ja)
JP (1) JPH07191199A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007103923A (ja) * 2005-09-07 2007-04-19 Nuflare Technology Inc 荷電粒子線描画データの作成方法、荷電粒子線描画データの変換方法及び荷電粒子線描画方法
JP2007128933A (ja) * 2005-11-01 2007-05-24 Nuflare Technology Inc 荷電粒子線描画データの作成方法及び荷電粒子線描画データの変換方法
JP2007128932A (ja) * 2005-11-01 2007-05-24 Nuflare Technology Inc 荷電粒子線描画データの作成方法及び荷電粒子線描画データの変換方法
JP2008034439A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5528048A (en) * 1994-03-15 1996-06-18 Fujitsu Limited Charged particle beam exposure system and method
US5757015A (en) * 1995-06-08 1998-05-26 Fujitsu Limited Charged-particle-beam exposure device and charged-particle-beam exposure method
US6175953B1 (en) * 1998-03-03 2001-01-16 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for general systematic application of proximity correction
US6888146B1 (en) * 1998-04-10 2005-05-03 The Regents Of The University Of California Maskless micro-ion-beam reduction lithography system
US6415432B1 (en) * 1999-04-21 2002-07-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lithography pattern data generation method, lithography pattern fabrication method and charged particle lithography system
JP2001015421A (ja) * 1999-07-01 2001-01-19 Canon Inc データ作成方法およびそれを用いた荷電粒子ビーム描画装置
WO2001035165A1 (en) * 1999-11-07 2001-05-17 Ion Diagnostics, Inc. Data path design for multiple electron beam lithography system
JP4146059B2 (ja) * 2000-03-24 2008-09-03 株式会社東芝 キャラクタ抽出方法およびコンピュータ読取り可能な記録媒体
JP4265722B2 (ja) * 2000-08-07 2009-05-20 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 パターンデータ修正方法及び装置
US6507937B1 (en) * 2001-06-19 2003-01-14 Lsi Logic Corporation Method of global placement of control cells and hardmac pins in a datapath macro for an integrated circuit design
DE10242142A1 (de) * 2002-09-03 2004-03-25 Kleo Halbleitertechnik Gmbh & Co Kg Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von belichteten Strukturen
US7093228B2 (en) * 2002-12-20 2006-08-15 Lsi Logic Corporation Method and system for classifying an integrated circuit for optical proximity correction
EP2259664B1 (en) 2004-07-21 2017-10-18 Mevion Medical Systems, Inc. A programmable radio frequency waveform generator for a synchrocyclotron
EP2389983B1 (en) 2005-11-18 2016-05-25 Mevion Medical Systems, Inc. Charged particle radiation therapy
DE102006008080A1 (de) 2006-02-22 2007-08-30 Kleo Maschinenbau Ag Belichtungsanlage
US8003964B2 (en) 2007-10-11 2011-08-23 Still River Systems Incorporated Applying a particle beam to a patient
US8933650B2 (en) 2007-11-30 2015-01-13 Mevion Medical Systems, Inc. Matching a resonant frequency of a resonant cavity to a frequency of an input voltage
US8581523B2 (en) 2007-11-30 2013-11-12 Mevion Medical Systems, Inc. Interrupted particle source
US8299446B2 (en) * 2009-08-12 2012-10-30 Ultratech, Inc. Sub-field enhanced global alignment
JP5797454B2 (ja) * 2011-05-20 2015-10-21 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
EP2575159B1 (en) * 2011-09-30 2016-04-20 Carl Zeiss Microscopy GmbH Particle beam system and method for operating the same
JP6128744B2 (ja) * 2012-04-04 2017-05-17 キヤノン株式会社 描画装置、描画方法、および、物品の製造方法
EP2900324A1 (en) 2012-09-28 2015-08-05 Mevion Medical Systems, Inc. Control system for a particle accelerator
ES2739634T3 (es) 2012-09-28 2020-02-03 Mevion Medical Systems Inc Control de terapia de partículas
TW201424467A (zh) 2012-09-28 2014-06-16 Mevion Medical Systems Inc 一粒子束之強度控制
US10254739B2 (en) 2012-09-28 2019-04-09 Mevion Medical Systems, Inc. Coil positioning system
CN105103662B (zh) 2012-09-28 2018-04-13 梅维昂医疗系统股份有限公司 磁场再生器
WO2014052722A2 (en) 2012-09-28 2014-04-03 Mevion Medical Systems, Inc. Focusing a particle beam using magnetic field flutter
US9301384B2 (en) 2012-09-28 2016-03-29 Mevion Medical Systems, Inc. Adjusting energy of a particle beam
TW201422279A (zh) 2012-09-28 2014-06-16 Mevion Medical Systems Inc 聚焦粒子束
US9185789B2 (en) 2012-09-28 2015-11-10 Mevion Medical Systems, Inc. Magnetic shims to alter magnetic fields
JP6110685B2 (ja) * 2013-02-18 2017-04-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置、及びバッファメモリのデータ格納方法
US8791656B1 (en) 2013-05-31 2014-07-29 Mevion Medical Systems, Inc. Active return system
US9730308B2 (en) 2013-06-12 2017-08-08 Mevion Medical Systems, Inc. Particle accelerator that produces charged particles having variable energies
CN110237447B (zh) 2013-09-27 2021-11-02 梅维昂医疗系统股份有限公司 粒子治疗系统
US9962560B2 (en) 2013-12-20 2018-05-08 Mevion Medical Systems, Inc. Collimator and energy degrader
US10675487B2 (en) 2013-12-20 2020-06-09 Mevion Medical Systems, Inc. Energy degrader enabling high-speed energy switching
US9661736B2 (en) 2014-02-20 2017-05-23 Mevion Medical Systems, Inc. Scanning system for a particle therapy system
JP6555619B2 (ja) * 2014-06-13 2019-08-07 インテル・コーポレーション 電子ビームスループットのためのデータ削減
US9950194B2 (en) 2014-09-09 2018-04-24 Mevion Medical Systems, Inc. Patient positioning system
US10786689B2 (en) 2015-11-10 2020-09-29 Mevion Medical Systems, Inc. Adaptive aperture
JP7059245B2 (ja) 2016-07-08 2022-04-25 メビオン・メディカル・システムズ・インコーポレーテッド 治療計画の決定
US11103730B2 (en) 2017-02-23 2021-08-31 Mevion Medical Systems, Inc. Automated treatment in particle therapy
WO2019006253A1 (en) 2017-06-30 2019-01-03 Mevion Medical Systems, Inc. CONFIGURABLE COLLIMATOR CONTROLLED BY LINEAR MOTORS
EP3934752A1 (en) 2019-03-08 2022-01-12 Mevion Medical Systems, Inc. Delivery of radiation by column and generating a treatment plan therefor

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5924538B2 (ja) * 1980-08-08 1984-06-09 株式会社東芝 パタ−ン形成方法
JPS57138757A (en) * 1981-02-23 1982-08-27 Hitachi Ltd Correction of deflection distortion
JPS57204127A (en) * 1981-06-10 1982-12-14 Hitachi Ltd Drawing method for pattern of electron-ray drawing device
NL8200559A (nl) * 1982-02-15 1983-09-01 Ir Jan Bart Le Poole Prof Dr Bestralingsinrichting met bundelsplitsing.
US4718019A (en) * 1985-06-28 1988-01-05 Control Data Corporation Election beam exposure system and an apparatus for carrying out a pattern unwinder
US4897552A (en) * 1987-04-28 1990-01-30 Canon Kabushiki Kaisha Multi-electron-beam pattern drawing apparatus
JPH0795269B2 (ja) * 1988-11-04 1995-10-11 富士通株式会社 命令コードのデコード装置
JPH03166713A (ja) * 1989-11-27 1991-07-18 Mitsubishi Electric Corp 電子ビーム露光方法
US5172331A (en) * 1989-12-18 1992-12-15 Fujitsu Limited Apparatus and method for effecting exposure of sample to charged particle beam
DE69030243T2 (de) * 1989-12-21 1997-07-24 Fujitsu Ltd Verfahren und Gerät zur Steuerung von Ladungsträgerstrahlen in einem Belichtungssystem mittels Ladungsträgerstrahlen
US5253182A (en) * 1990-02-20 1993-10-12 Hitachi, Ltd. Method of and apparatus for converting design pattern data to exposure data
JP3043031B2 (ja) * 1990-06-01 2000-05-22 富士通株式会社 露光データ作成方法，パターン露光装置及びパターン露光方法
US5223719A (en) * 1990-07-06 1993-06-29 Fujitsu Limited Mask for use in a charged particle beam apparatus including beam passing sections
US5225684A (en) * 1990-09-20 1993-07-06 Fujitsu Limited Charged particle beam exposure apparatus control system and a method of operation for providing a drawing start signal
JP2872420B2 (ja) * 1991-02-28 1999-03-17 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光の方法と装置
JP2669727B2 (ja) * 1991-03-20 1997-10-29 富士通株式会社 荷電粒子線露光装置、及び荷電粒子線露光方法
US5251140A (en) * 1991-07-26 1993-10-05 International Business Machines Corporation E-beam control data compaction system and method
US5329130A (en) * 1991-08-06 1994-07-12 Fujitsu Limited Charged particle beam exposure method and apparatus
JP3121098B2 (ja) * 1992-03-17 2000-12-25 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光の方法と装置
JP3052587B2 (ja) * 1992-07-28 2000-06-12 日本電気株式会社 露光装置
US5369282A (en) * 1992-08-03 1994-11-29 Fujitsu Limited Electron beam exposure method and system for exposing a pattern on a substrate with an improved accuracy and throughput
JP3200503B2 (ja) * 1993-06-25 2001-08-20 富士通株式会社 電子ビーム露光装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007103923A (ja) * 2005-09-07 2007-04-19 Nuflare Technology Inc 荷電粒子線描画データの作成方法、荷電粒子線描画データの変換方法及び荷電粒子線描画方法
JP2007128933A (ja) * 2005-11-01 2007-05-24 Nuflare Technology Inc 荷電粒子線描画データの作成方法及び荷電粒子線描画データの変換方法
JP2007128932A (ja) * 2005-11-01 2007-05-24 Nuflare Technology Inc 荷電粒子線描画データの作成方法及び荷電粒子線描画データの変換方法
JP2008034439A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6064807A (en) 2000-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07191199A (ja) 荷電粒子ビーム露光システム及び露光方法
US7126140B2 (en) Multi-electron beam exposure method and apparatus
KR100225335B1 (ko) 전자빔노광장치와 그 방법 및 디바이스제조방법
EP1253619B1 (en) Charged particle beam exposure apparatus and device manufacturing method using same
US6486479B1 (en) Charged particle beam exposure system and method
US6483120B1 (en) Control system for a charged particle exposure apparatus
US6515409B2 (en) Charged-particle beam exposure apparatus, exposure system, control method therefor, and device manufacturing method
US6104035A (en) Electron-beam exposure apparatus and method
US6319642B1 (en) Electron beam exposure apparatus
JP2002118060A (ja) 荷電ビーム露光装置、荷電ビーム露光方法、露光データ作成方法、露光データを作成するプログラムを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体、及び、露光データを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体
JP3457474B2 (ja) 荷電ビーム描画装置
US6614035B2 (en) Multi-beam shaped beam lithography system
US20060060800A1 (en) Variably shaped beam EB writing system
US7476880B2 (en) Writing a circuit design pattern with shaped particle beam flashes
US7102147B2 (en) Charged particle beam exposure method and method for producing charged particle beam exposure data
JPH1187206A (ja) 電子ビーム露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
JP3310400B2 (ja) 電子ビーム露光方法および露光装置
US11476086B2 (en) Multi-beam writing method and multi-beam writing apparatus
JPH0653129A (ja) 電子ビーム露光方法
JP3285645B2 (ja) 荷電ビーム描画方法
JPH09330870A (ja) 電子ビーム露光装置及びその露光方法
JP3481017B2 (ja) 荷電粒子ビーム露光装置および該荷電粒子ビーム露光装置の露光データ処理方法
JPS62139322A (ja) 電子ビ−ム露光方法
JPH07273006A (ja) 荷電粒子ビーム露光方法及びその装置
JP3274149B2 (ja) 荷電ビーム描画方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20010828