JP6555619B2 - 電子ビームスループットのためのデータ削減 - Google Patents
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Description
(1)ビアおよびカットの全ての設計ルールを簡略化して、ビアが占有可能で、ラインカットの開始位置および終了位置である位置の数を削減する。
(2)ビア間の距離と同様に、カットの開始および終了の配置の暗号化は、n*最短距離として暗号化される(これによって、カットの開始位置および終了位置のそれぞれの64ビットのアドレスを送信する必要がなくなる。ビア位置についても同様である)。
(3)ツールのカラム毎に、ウェハのこの部分に含まれるカットおよびビアを形成するために必要なデータのみを、カラムコンピュータに転送する(各カラムは、(2)と同様に暗号化された状態で、必要なデータのみを受信する)。および/または
(4)ツール内のカラム毎に、送信されるエリアは、上部および下部でn本のラインずつ、さらに、幅方向はxずつ、増加する(したがって、対応するカラムコンピュータは、ウェハ全体のデータを送信しなくても、ウェハ温度および位置合わせの変化についてオンザフライで調整が可能である)。ある実施形態において、1または複数のこのようなデータ削減方法を実装することで、少なくともある程度までは電子ビームツールを簡略化することが可能になる。例えば、マルチカラム電子ビームツールにおいて一の専用カラムに通常対応付けられている専用のコンピュータまたはプロセッサは、簡略化されるとしてもよいし、または、全て削除されるとしてもよい。つまり、オンボード専用ロジック機能を持つ一のカラムは簡略化されて、ロジック機能をボード外に移動させるとしてもよいし、または、電子ビームツールの各カラムに必要なオンボードロジック機能の量を削減するとしてもよい。
前のカットからの間隔
A:+5(間隙1102として図示)、+1、
B:x(カットなし)(xが何であっても暗号化されると、距離についてカットなし)
C:+1(左側のカットの終了ポイント)、+4(カット1102の開始位置と縦方向に位置合わせされている大きなカットの開始位置)、+3(この大きなカットの終了位置)
D:+3、+4、
E:+3,+2,+1,+4
Claims (26)
- 複数のカラムを有する電子ビームツールのためのデータ削減の方法であって、
ウェハにおける各カラムがカバーする範囲であるカラムフィールドに書き込みを行い、且つ、前記ウェハ上において層同士を重ね合わせることにより発生するフィールドエッジ配置エラーについて前記カラムフィールドを調整するために、前記各カラムに対応するカラムコンピュータにデータ量を提供する段階であって、前記データ量は前記カラムフィールドの面積の10%以下をパターニングするためのデータに限定されている、データ量を提供する段階と、
前記データ量を用いて前記ウェハに対して電子ビーム書き込みを実行する段階と
を備える方法。 - 前記データ量を提供する段階は、ビアが占有し、ラインカットが開始および終了する位置の数を少なくするべく複数のビア位置並びに複数のカット開始位置および複数のカット終了位置を複数のグリッド上に配置する段階を有する
請求項1に記載の方法。 - 前記データ量を提供する段階は、前記複数のカット開始位置および複数のカット終了位置、ならびに、複数のビア間距離を、n*最小距離(nは整数)として、暗号化する段階を有する
請求項1または2に記載の方法。 - 前記データ量を提供する段階は、限られた数のカット開始位置およびカット終了位置、ならびに、限られた数のビア間距離を暗号化する段階を有する
請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。 - 前記データ量を提供する段階は、前記電子ビームツール内の各カラムについて、前記各カラムがカバーする前記ウェハの一部分内に収まる複数のカットおよび複数のビアを形成するために必要なデータのみを提供する段階を有する
請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。 - 前記データ量を提供する段階は、各カラムの実際のターゲット範囲および前記ターゲット範囲を拡大した外周エリア内の複数のカットおよび複数のビアを形成するために必要なデータのみを提供する段階を有する
請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。 - 前記データ量を用いて前記ウェハに対して電子ビーム書き込みを実行する段階は、スキャン方向と直交する方向に互い違いになるように開口が配置されるスタッガードブランカアパーチャアレイ(BAA)を含むカラムを用いて電子ビーム書き込みを行う段階を有する
請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。 - 前記データ量を用いて前記ウェハに対して電子ビーム書き込みを実行する段階は、スキャン方向と直交する方向に互い違いになるように複数の開口が配置され、前記複数の開口のうちの複数を前記直交する方向に組み合わせて利用するユニバーサルカッターブランカアパーチャアレイ(BAA)を含むカラムを用いて電子ビーム書き込みを行う段階を有する
請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。 - 半導体構造のためのパターンを形成する方法であって、
基板の上方に、あるピッチで複数の平行なラインが並べられたパターンを形成する段階と、
前記複数の平行なラインが並べられたパターンが複数のカラムを有する電子ビームツールの各カラムのスキャン方向と平行になるように前記電子ビームツールにおいて前記基板を位置合わせする段階であって、前記各カラムはウェハにおける各カラムがカバーする範囲であるカラムフィールドを持つ、位置合わせする段階と、
前記基板を前記スキャン方向に沿ってスキャンすることによって、前記複数の平行なラインが並べられたパターンについて複数のライン断絶部を設けるべく、前記複数の平行なラインが並べられたパターンの内部または上方に複数のカットで構成されるパターンを形成する段階であって、前記複数のカットで構成されるパターンを形成するためのデータ量は、前記各カラムの前記カラムフィールドの面積の10%以下をパターニングするためのデータに限定される、前記複数のカットで構成されるパターンを形成する段階と
を備え、
前記位置合わせする段階は、前記パターンの書き込みにおける任意の時点で、位置合わせ情報を収集する段階を含む方法。 - 前記データ量は、カラムの実際のターゲット範囲および前記ターゲット範囲を拡大した外周エリア内の複数のカットおよび複数のビアを形成するために必要なデータである
請求項9に記載の方法。 - 前記複数の平行なラインが並べられたパターンを形成する段階は、ピッチ半減技術またはピッチ四分割技術を利用する段階を有する
請求項9または10に記載の方法。 - 前記複数のカットで構成されるパターンを形成する段階は、フォトレジスト材料の層のうち複数の領域を露光する段階を有する
請求項9から11のいずれか一項に記載の方法。 - 前記複数の平行なラインが並べられたパターンの前記ピッチは、各ラインのライン幅の2倍である
請求項9から12のいずれか一項に記載の方法。 - 複数のカラムを有する電子ビームツールのデータ削減の方法であって、
ウェハにおける各カラムがカバーする範囲であるカラムフィールドに書き込みを行い、且つ、前記ウェハ上において層同士を重ね合わせることにより発生するフィールドエッジ配置エラーについて前記カラムフィールドを調整するためのデータ量を、40GB/s以下の転送速度で前記各カラムに対応するカラムコンピュータに提供する段階と、
前記データ量を用いて前記ウェハに対して電子ビーム書き込みを実行する段階と
を備え、
前記データ量は、前記カラムフィールドの面積の10%以下をパターニングするためのデータに限定されている方法。 - 前記データ量を提供する段階は、ビアが占有し、ラインカットが開始および終了する位置の数を少なくするべく複数のビア位置並びに複数のカット開始位置および複数のカット終了位置を複数のグリッド上に配置する段階を有する
請求項14に記載の方法。 - 前記データ量を提供する段階は、前記複数のカット開始位置および複数のカット終了位置、ならびに、複数のビア間距離を、n*最小距離(nは整数)として、暗号化する段階を有する
請求項14または15に記載の方法。 - 前記データ量を提供する段階は、限られた数のカット開始位置およびカット終了位置、ならびに、限られた数のビア間距離を暗号化する段階を有する
請求項14から16のいずれか一項に記載の方法。 - 前記データ量を提供する段階は、前記電子ビームツール内の各カラムについて、前記各カラムがカバーする前記ウェハの一部分内に収まる複数のカットおよび複数のビアを形成するために必要なデータのみを提供する段階を有する
請求項14から17のいずれか一項に記載の方法。 - 前記データ量を提供する段階は、各カラムの実際のターゲット範囲および前記ターゲット範囲を拡大した外周エリア内の複数のカットおよび複数のビアを形成するために必要なデータのみを提供する段階を有する
請求項14から17のいずれか一項に記載の方法。 - 前記データ量を用いて前記ウェハに対して電子ビーム書き込みを実行する段階は、スキャン方向と直交する方向に互い違いになるように開口が配置されるスタッガードブランカアパーチャアレイ(BAA)を含むカラムを用いて電子ビーム書き込みを行う段階を有する
請求項14から19のいずれか一項に記載の方法。 - 前記データ量を用いて前記ウェハに対して電子ビーム書き込みを実行する段階は、スキャン方向と直交する方向に互い違いになるように複数の開口が配置され、前記複数の開口のうちの複数を前記直交する方向に組み合わせて利用するユニバーサルカッターブランカアパーチャアレイ(BAA)を含むカラムを用いて電子ビーム書き込みを行う段階を有する
請求項14から20のいずれか一項に記載の方法。 - 半導体構造のためのパターンを形成する方法であって、
基板の上方に、あるピッチで複数の平行なラインが並べられたパターンを形成する段階と、
前記複数の平行なラインが並べられたパターンが複数のカラムを有する電子ビームツールの各カラムのスキャン方向と平行になるように前記電子ビームツールにおいて前記基板を位置合わせする段階であって、前記各カラムはウェハにおける各カラムがカバーする範囲であるカラムフィールドを持つ、位置合わせする段階と、
前記基板を前記スキャン方向に沿ってスキャンすることによって、前記複数の平行なラインが並べられたパターンについて複数のライン断絶部を設けるべく、前記複数の平行なラインが並べられたパターンの内部または上方に複数のカットで構成されるパターンを形成する段階であって、前記複数のカットで構成されるパターンを形成するためのデータ量は、前記カラムフィールドの面積の10%以下をパターニングするためのデータに限定され、前記各カラムの前記カラムフィールドについて40GB/s以下の転送速度で前記各カラムに対応するカラムコンピュータに提供される、前記複数のカットで構成されるパターンを形成するための段階と
を備える方法。 - 前記データ量は、カラムの実際のターゲット範囲および前記ターゲット範囲を拡大した外周エリア内の複数のカットおよび複数のビアを形成するために必要なデータである
請求項22に記載の方法。 - 前記複数の平行なラインが並べられたパターンを形成する段階は、ピッチ半減技術またはピッチ四分割技術を利用する段階を有する
請求項22または23に記載の方法。 - 前記複数のカットで構成されるパターンを形成する段階は、フォトレジスト材料の層のうち複数の領域を露光する段階を有する
請求項22から24のいずれか一項に記載の方法。 - 前記複数の平行なラインが並べられたパターンの前記ピッチは、各ラインのライン幅の2倍である
請求項22から25のいずれか一項に記載の方法。
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