JPS62139322A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
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- JPS62139322A JPS62139322A JP28074885A JP28074885A JPS62139322A JP S62139322 A JPS62139322 A JP S62139322A JP 28074885 A JP28074885 A JP 28074885A JP 28074885 A JP28074885 A JP 28074885A JP S62139322 A JPS62139322 A JP S62139322A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要コ
メインデフレクタのジャンプピンチを、反復（繰り返し
）する単位パターン、例えばセルパターンのサイズの整
数倍にし、サブフィールド内にあるパターンデータのみ
記憶させるパターンデータ処理をして、記憶容量の減少
を図る。
）する単位パターン、例えばセルパターンのサイズの整
数倍にし、サブフィールド内にあるパターンデータのみ
記憶させるパターンデータ処理をして、記憶容量の減少
を図る。
［産業上の利用分野コ
本発明は電子ビーム露光方法のうち、特に、パターンデ
ータ処理に関する。
ータ処理に関する。
近年、光露光法の限界から、電子ビーム露光法が広く利
用され、ＩＣの微細化に大いに寄与していることは周知
の通りである。
用され、ＩＣの微細化に大いに寄与していることは周知
の通りである。
しかし、ＩＣの高密度化に伴って、電子ビーム露光装置
では、微細化よりも、むしろ大容量パターンデータ処理
と高速描画機能とに、その問題点が移っている。
では、微細化よりも、むしろ大容量パターンデータ処理
と高速描画機能とに、その問題点が移っている。
特に、メモリなどの集積度の高いＩＣでは、パターンデ
ータ処理の合理化が要望されている。
ータ処理の合理化が要望されている。
［従来の技術と発明が解決しようとする問題点］第２図
は成形ビーム形電子露光装置の概要図を示しており、１
は電子銃、２はブランキング電極。
は成形ビーム形電子露光装置の概要図を示しており、１
は電子銃、２はブランキング電極。
３．５はコンデンサレンズ、４．６は矩形アパーチャ、
７は縮小投影レンズ、８はメインデフレクタ、９はザブ
デフレクタ、１０は被処理基板、１１はＸＹステージで
ある。ビームはアパーチャ４．６で成形され、レンズ系
で縮小投影されるが、その成形ビームはＸＹステージ１
１の移動と、メインデフレクタ８．サブデフレクタ９か
らなる偏向系によって被処理基板１０の全面が露光処理
される。
７は縮小投影レンズ、８はメインデフレクタ、９はザブ
デフレクタ、１０は被処理基板、１１はＸＹステージで
ある。ビームはアパーチャ４．６で成形され、レンズ系
で縮小投影されるが、その成形ビームはＸＹステージ１
１の移動と、メインデフレクタ８．サブデフレクタ９か
らなる偏向系によって被処理基板１０の全面が露光処理
される。
更に詳しく説明すると、被処理基板は単位露光領域毎に
ＸＹステージ１１を動かして、露光位置が移動されるが
、その単位露光領域は、例えば２〜５１角程度の面積か
らなり、それをメインフィールドと称している。そのメ
インフィールドは更に致方個のサブフィールド（数十μ
ｍ角程度の面積）に分割されており、そのサブフィール
ドはメインデフレクタ８を偏向して順次に位置決めされ
、更に、サブフィールドの中の個々のパターンは、サブ
デフレクタ９によって中心を支点として偏向して描画処
理される。
ＸＹステージ１１を動かして、露光位置が移動されるが
、その単位露光領域は、例えば２〜５１角程度の面積か
らなり、それをメインフィールドと称している。そのメ
インフィールドは更に致方個のサブフィールド（数十μ
ｍ角程度の面積）に分割されており、そのサブフィール
ドはメインデフレクタ８を偏向して順次に位置決めされ
、更に、サブフィールドの中の個々のパターンは、サブ
デフレクタ９によって中心を支点として偏向して描画処
理される。
第３図はそれらの露光方法を説明するための図で、例え
ば、被処理基板をＩＣメモリのレチクル（５〜１０倍の
パターンをもったマスク基板）とすると、第３図（ａ）
にそのＩＣメモリのレチクルの平面図を示しており、そ
のＩＣメモリは複数のメモリセル領域Ｍと、その周囲を
取り巻く周辺回路領域Ｐとから構成されている。そのう
ち、一つのメモリセル領域Ｍは第３図（ｂ）に示すよう
に、ＸＹステージ１１を移動して位置決めされる複数の
メインフィールドＦｍａ−・Ｆｍｘに分割され、更に、
その一つのメインフィールドＦｍは、メインデフレクタ
８を偏向して位置決めされる複数のサブフィールドＦ
５ａ−Ｆ ｓｘに分割される。そして、サブフィールド
内の個々のパターンはサブデフレクタ９を偏向して露光
すると云う露光方式である。
ば、被処理基板をＩＣメモリのレチクル（５〜１０倍の
パターンをもったマスク基板）とすると、第３図（ａ）
にそのＩＣメモリのレチクルの平面図を示しており、そ
のＩＣメモリは複数のメモリセル領域Ｍと、その周囲を
取り巻く周辺回路領域Ｐとから構成されている。そのう
ち、一つのメモリセル領域Ｍは第３図（ｂ）に示すよう
に、ＸＹステージ１１を移動して位置決めされる複数の
メインフィールドＦｍａ−・Ｆｍｘに分割され、更に、
その一つのメインフィールドＦｍは、メインデフレクタ
８を偏向して位置決めされる複数のサブフィールドＦ
５ａ−Ｆ ｓｘに分割される。そして、サブフィールド
内の個々のパターンはサブデフレクタ９を偏向して露光
すると云う露光方式である。
且つ、このようなメインフィールド、サブフィールドの
位置座標やパターンの座標・寸法（サイズ）などのそれ
ぞれのデータは、すべて電子露光装置に設けられた計算
処理系１２から与えらる。
位置座標やパターンの座標・寸法（サイズ）などのそれ
ぞれのデータは、すべて電子露光装置に設けられた計算
処理系１２から与えらる。
従って、計算処理系の中にある記憶装置（図示せず）に
は、すべてのメインフィールドの番地（位置座標）と、
そのメインフィールド番地の中のすべてのサブフィール
ド番地とそのサブフィールドの中のすべてのパターンの
座標と寸法とが記憶される。このように、すべての個々
のパターンにかかるメインフィールドの番地、サブフィ
ールド番地、パターンの座標と寸法が記憶されなければ
ならない理由は、サブフィールドＦｓＯ中にある各パタ
ーンの座標とパターン寸法がそれぞれ異なった状態ある
からである。
は、すべてのメインフィールドの番地（位置座標）と、
そのメインフィールド番地の中のすべてのサブフィール
ド番地とそのサブフィールドの中のすべてのパターンの
座標と寸法とが記憶される。このように、すべての個々
のパターンにかかるメインフィールドの番地、サブフィ
ールド番地、パターンの座標と寸法が記憶されなければ
ならない理由は、サブフィールドＦｓＯ中にある各パタ
ーンの座標とパターン寸法がそれぞれ異なった状態ある
からである。
ところが、最近、ＩＣは高度に集積化されて、例えば、
ＩＣメモリのうちのＤＲＡＭ （ダイナミック・ランダ
ムアクセスメモリ）では４ＭＢ （メガビット）、１６
ＭＢ、６４ＭＢが作成ないし試作されており、その４Ｍ
ＢＤＲＡＭにおいては、パターン数は１０００万個を越
える数である。更に、１６ＭＢ、６４ＭＢともなれは４
０００万個、 １６０００万個を越えたパターンが設
けられる。
ＩＣメモリのうちのＤＲＡＭ （ダイナミック・ランダ
ムアクセスメモリ）では４ＭＢ （メガビット）、１６
ＭＢ、６４ＭＢが作成ないし試作されており、その４Ｍ
ＢＤＲＡＭにおいては、パターン数は１０００万個を越
える数である。更に、１６ＭＢ、６４ＭＢともなれは４
０００万個、 １６０００万個を越えたパターンが設
けられる。
従って、これらのＤＲＡＭを露光処理するとすると、計
算処理系の記憶量が膨大になって、記憶不能になること
は明らかで、また、たとえ記憶できたとしても、計算処
理のスピードが低下して、露光処理のスループットがダ
ウンすることになる。
算処理系の記憶量が膨大になって、記憶不能になること
は明らかで、また、たとえ記憶できたとしても、計算処
理のスピードが低下して、露光処理のスループットがダ
ウンすることになる。
本発明は、このような問題点を解決するための電子ビー
ム露光方法を提案するものである。
ム露光方法を提案するものである。
［問題点を解決するための手段１
その目的は、メインデフレクタのジャンプピッチを、反
復する単位パターンのサイズの整数倍にし、記憶すべき
パターン情報は、サブフィールド内にあるパターンデー
タのみにしたパターンデータ処理が含まれている電子ビ
ーム露光方法によって達成される。
復する単位パターンのサイズの整数倍にし、記憶すべき
パターン情報は、サブフィールド内にあるパターンデー
タのみにしたパターンデータ処理が含まれている電子ビ
ーム露光方法によって達成される。
［作用］
即ち、例えば、繰り返しパターンを有するメモリのセル
領域では、サブフィールドをセルサイズの整数倍の大き
さにして、それをメインデフレクタのジャンプピッチと
する。
領域では、サブフィールドをセルサイズの整数倍の大き
さにして、それをメインデフレクタのジャンプピッチと
する。
そうすると、メインフィールド、サブフィールド、サブ
フィールド内のパターンの処理データをすべて記憶する
必要がなく、記憶量を大幅に減少することができる。
フィールド内のパターンの処理データをすべて記憶する
必要がなく、記憶量を大幅に減少することができる。
［実施例］
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図（ａｌは本発明にがかる一実施例としてＩＣメモ
リのレチクルのメインフィールドＦｍの中のサブフィー
ルドの一部分を図示しており、サブフィールドＦ、、Ｆ
２．Ｆ３はすべて同じ繰り返しパターンＰａ、 Ｐｂを
もったセルのサイズの領域になっている。従来の第３図
（Ｃ）に示したような規則性のないサブフィールドＦｓ
と比べると、その差が明らかである。
リのレチクルのメインフィールドＦｍの中のサブフィー
ルドの一部分を図示しており、サブフィールドＦ、、Ｆ
２．Ｆ３はすべて同じ繰り返しパターンＰａ、 Ｐｂを
もったセルのサイズの領域になっている。従来の第３図
（Ｃ）に示したような規則性のないサブフィールドＦｓ
と比べると、その差が明らかである。
そうすると、サブフィールドＦ Ｉ ｒ Ｆ２ 、Ｆ
３−・・はマトリックス状に形成された領域となり、こ
のようなマトリックス状のサブフィールドは、その座標
の始点Ｍｘ、Ｍｙと、サブフィールドのピッチＰｘ、Ｐ
ｙと、個数Ｎｘ、Ｎｙとを与えるだけのデータで選択で
きる。そうして、サブフィールド内でのサブデフレクタ
に与えるデータは従来と同様に、それぞれのパターン座
標とパターン寸法を記憶させておく。かくして、サブフ
ィールド毎にサブデフレクタのデータで露光すれば良く
、このようにすれば、マトリックス状のサブフィールド
の記憶データを座標の始点、ピンチ、個数だけにすると
、記憶すべきパダ−ンデータの量は数百骨の−ないし数
十分の−に激減する。
３−・・はマトリックス状に形成された領域となり、こ
のようなマトリックス状のサブフィールドは、その座標
の始点Ｍｘ、Ｍｙと、サブフィールドのピッチＰｘ、Ｐ
ｙと、個数Ｎｘ、Ｎｙとを与えるだけのデータで選択で
きる。そうして、サブフィールド内でのサブデフレクタ
に与えるデータは従来と同様に、それぞれのパターン座
標とパターン寸法を記憶させておく。かくして、サブフ
ィールド毎にサブデフレクタのデータで露光すれば良く
、このようにすれば、マトリックス状のサブフィールド
の記憶データを座標の始点、ピンチ、個数だけにすると
、記憶すべきパダ−ンデータの量は数百骨の−ないし数
十分の−に激減する。
第１図（ａ）には簡単な２つのパターンＰａ、 Ｐｂを
１つのサブフィールドに示しているに過ぎないが、４Ｍ
ＢＤＲＡＭでは多数の複雑なセルがサブデフレクタで描
画されるもので、従って、サブフィールドを七′ルサイ
ズ（単位パターンサイズ）の整数倍とすると、上記のよ
うな記憶データで描画することができるものである。
１つのサブフィールドに示しているに過ぎないが、４Ｍ
ＢＤＲＡＭでは多数の複雑なセルがサブデフレクタで描
画されるもので、従って、サブフィールドを七′ルサイ
ズ（単位パターンサイズ）の整数倍とすると、上記のよ
うな記憶データで描画することができるものである。
更に、若しも、上記のようにサブフィールドＦ１ ＋
Ｆ２ ＋ Ｆ３・−・に分割した場合、繰り返しと
はならないパターンＰｃ （第１図（ａ）の白抜きパタ
ーン）がある場合には、第１図（ｂｌに示すように、同
じ領域をもう一つのサブフィールドＦ′□、Ｆ“２を重
複させ、これを同様のマトリックス状に分割して、その
サブフィールドＦ°の座標の始点と間隔（ピッチ）と個
数とを与える。且つ、サブデフレクタに与えるデータは
、上記と同様に、個々のパターンの座標と寸法である。
Ｆ２ ＋ Ｆ３・−・に分割した場合、繰り返しと
はならないパターンＰｃ （第１図（ａ）の白抜きパタ
ーン）がある場合には、第１図（ｂｌに示すように、同
じ領域をもう一つのサブフィールドＦ′□、Ｆ“２を重
複させ、これを同様のマトリックス状に分割して、その
サブフィールドＦ°の座標の始点と間隔（ピッチ）と個
数とを与える。且つ、サブデフレクタに与えるデータは
、上記と同様に、個々のパターンの座標と寸法である。
そうして、同じメインフィールドを再度露光処理する。
このように、同一領域を繰り返し露光処理しても、記憶
量は減少した数百骨の−ないし数十分の−の記憶量の２
倍になるだけであるから、記憶量の減少に大きな変化は
ない。
量は減少した数百骨の−ないし数十分の−の記憶量の２
倍になるだけであるから、記憶量の減少に大きな変化は
ない。
且つ、分割したサブフィールドにおいて、繰り換えしパ
ターンが得られないサブフィールド、換言すれば、はみ
出したサブフィールドが形成されると、これは従来と同
様に処理する。即ち、例えば、コード“マトリックスな
し”を与えて、従来と同様に、すべてのデータを記憶さ
せる。また、一方、周辺回路Ｐでも従来と同様に、個々
のパターンのサブフィールドの座標、サブデフレクタの
に与えるパターンの座標と寸法を記憶させる。
ターンが得られないサブフィールド、換言すれば、はみ
出したサブフィールドが形成されると、これは従来と同
様に処理する。即ち、例えば、コード“マトリックスな
し”を与えて、従来と同様に、すべてのデータを記憶さ
せる。また、一方、周辺回路Ｐでも従来と同様に、個々
のパターンのサブフィールドの座標、サブデフレクタの
に与えるパターンの座標と寸法を記憶させる。
このようにしても、集積度の高いＩＣメモリ、例えば、
４ＭＢＤＲＡＭであると、周辺回路は増加せずにセル領
域のみ増加しているから、周辺回路が数分の−ないし数
十分の−の面積になって、上記の激減した記憶量に影響
することは少ない。
４ＭＢＤＲＡＭであると、周辺回路は増加せずにセル領
域のみ増加しているから、周辺回路が数分の−ないし数
十分の−の面積になって、上記の激減した記憶量に影響
することは少ない。
なお、このような、本発明にかかる露光方法は、ＩＣパ
ターンの設計者が電子ビーム露光装置の特性を良く勘案
して設計することが必要になる。
ターンの設計者が電子ビーム露光装置の特性を良く勘案
して設計することが必要になる。
［発明の効果］
以上の実施例の説明から明らかなように、本発明によれ
ば電子ビーム露光装置における増大する記憶量を減少さ
せて、１６ＭＢ、６４ＭＢ、２５６ＭＢ等のＲＡＭのよ
うな超高集積ｒｃの露光処理にも対応させることができ
る。
ば電子ビーム露光装置における増大する記憶量を減少さ
せて、１６ＭＢ、６４ＭＢ、２５６ＭＢ等のＲＡＭのよ
うな超高集積ｒｃの露光処理にも対応させることができ
る。
第１図（ａ）、 （ｂｌは本発明にかかる一実施例の露
光方法を説明する図、 第２図は電子ビーム露光装置の概要図、第３図は従来の
露光方法を説明する図である。 図において、 ４．６はアパーチャ、 ８はメインデフレクタ、 ９はサブデフレクタ、１０
は被処理基板、 １１はＸＹスージ、１２は計算
処理系、 Ｍはセル領域、 Ｐは周辺回路領域、Ｆｍは
従来のメインフィールド、 Ｆｓ は従来のサブフィールド、 Ｆ、、Ｆ２．Ｆ３・・・ Ｆ Ｔ 、 、 Ｆ Ｔ２
・・・は本発明にかかるサブフィールド、 Ｐａ、 Ｐｂ、 Ｐｃは繰り換えしパターン不発θ庖ｎ
、θ・３露克オ鏝を数州７）／１＠ １ 図 ｔ’ｓビ°−４デ（烹雪之１ｊのＲ号イＡ第２図 従未偽露克λ及セ説明７ＪＩＳ］ ＠ ３ 図
光方法を説明する図、 第２図は電子ビーム露光装置の概要図、第３図は従来の
露光方法を説明する図である。 図において、 ４．６はアパーチャ、 ８はメインデフレクタ、 ９はサブデフレクタ、１０
は被処理基板、 １１はＸＹスージ、１２は計算
処理系、 Ｍはセル領域、 Ｐは周辺回路領域、Ｆｍは
従来のメインフィールド、 Ｆｓ は従来のサブフィールド、 Ｆ、、Ｆ２．Ｆ３・・・ Ｆ Ｔ 、 、 Ｆ Ｔ２
・・・は本発明にかかるサブフィールド、 Ｐａ、 Ｐｂ、 Ｐｃは繰り換えしパターン不発θ庖ｎ
、θ・３露克オ鏝を数州７）／１＠ １ 図 ｔ’ｓビ°−４デ（烹雪之１ｊのＲ号イＡ第２図 従未偽露克λ及セ説明７ＪＩＳ］ ＠ ３ 図
Claims (1)
- メインデフレクタのジャンプピッチを、反復する単位
パターンのサイズの整数倍にし、記憶すべきパターン情
報としては、サブフィールド内にあるパターンデータの
みとしたパターンデータ処理が含まれていることを特徴
とする電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28074885A JPS62139322A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28074885A JPS62139322A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62139322A true JPS62139322A (ja) | 1987-06-23 |
Family
ID=17629404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28074885A Pending JPS62139322A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62139322A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6390827A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-21 | Jeol Ltd | 荷電粒子線描画方法および装置 |
| JPH02196420A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-03 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH03219617A (ja) * | 1990-01-24 | 1991-09-27 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画方法 |
| US6415432B1 (en) | 1999-04-21 | 2002-07-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lithography pattern data generation method, lithography pattern fabrication method and charged particle lithography system |
| KR100666744B1 (ko) | 2003-06-20 | 2007-01-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 |
| JP2011066036A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57122528A (en) * | 1981-01-23 | 1982-07-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Drawing system for electron beam exposure apparatus |
| JPS614228A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-10 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム描画方法 |
| JPS6272124A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-02 | Toshiba Corp | 荷電粒子ビ−ム描画方法 |
-
1985
- 1985-12-12 JP JP28074885A patent/JPS62139322A/ja active Pending
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| JP2011066036A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
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