JPH03219617A - 荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム描画方法Info
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- JPH03219617A JPH03219617A JP1463990A JP1463990A JPH03219617A JP H03219617 A JPH03219617 A JP H03219617A JP 1463990 A JP1463990 A JP 1463990A JP 1463990 A JP1463990 A JP 1463990A JP H03219617 A JPH03219617 A JP H03219617A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000002039 particle-beam lithography Methods 0.000 title description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 12
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000002164 ion-beam lithography Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電子ビーム描画装置などの荷電粒子ビーム描
画装置において、描画データをフィールドに分割し、ス
テップアンドリピート方式で描画を行う方法に用いて好
適な荷電粒子ビーム描画方法に関する。
画装置において、描画データをフィールドに分割し、ス
テップアンドリピート方式で描画を行う方法に用いて好
適な荷電粒子ビーム描画方法に関する。
（従来技術）
電子ビーム描画装置においては、電子ビームを精度良く
１−向できる領域には限りがあり、大きな偏向角となる
と偏向の歪が無視できなくなり、描画精度が悪化する。
１−向できる領域には限りがあり、大きな偏向角となる
と偏向の歪が無視できなくなり、描画精度が悪化する。
ベクタースキャン方式の描画装置では、偏向歪が無視で
きる領域をフィールドと呼んでいる。一般に、チップサ
イズは、フィールドサイズよりも大きいため、描画する
パターンデータは、描画前に、ある決められた大きさの
フィールドで分割し、フィールド毎にデータをまとめて
おく。描画時には、フィールド毎にステージを移動させ
、フィールドの中心と電子ビーム光軸とを一致させて、
フィールド内のパターンの描画を行うようにしている。
きる領域をフィールドと呼んでいる。一般に、チップサ
イズは、フィールドサイズよりも大きいため、描画する
パターンデータは、描画前に、ある決められた大きさの
フィールドで分割し、フィールド毎にデータをまとめて
おく。描画時には、フィールド毎にステージを移動させ
、フィールドの中心と電子ビーム光軸とを一致させて、
フィールド内のパターンの描画を行うようにしている。
この方式を一般にステップアンドリピート方式という。
（発明が解決しようとする課８）
上記のフィールドサイズは、描画前にデータを準備する
段階で決めておかなければならない。このフィールドサ
イズの大きさは、描画目的によって決められ、通常衣の
ようなケースがある。
段階で決めておかなければならない。このフィールドサ
イズの大きさは、描画目的によって決められ、通常衣の
ようなケースがある。
■描画時間よりも描画精度が重要な場合で、小さなフィ
ールドで偏向歪の影響を極力少なくしたい場合、描画デ
ータは、描画装置の最大フィールドより小さなフィール
ドに分割される。
ールドで偏向歪の影響を極力少なくしたい場合、描画デ
ータは、描画装置の最大フィールドより小さなフィール
ドに分割される。
■描画精度の許容度が大きく、その代わり、描画速度を
速くしたい場合、ステージの移動回数を少なくするため
に、描画データは、描画装置の最大フィールドで分割さ
れる。
速くしたい場合、ステージの移動回数を少なくするため
に、描画データは、描画装置の最大フィールドで分割さ
れる。
■描画時にパターンのスケーリングをハードウェアで行
う場合、スケーリング後のフィールドが最大描画フィー
ルドを越えないように、データのフィールド分割を行う
。
う場合、スケーリング後のフィールドが最大描画フィー
ルドを越えないように、データのフィールド分割を行う
。
このように、フィールドの大きさは描画目的に応じて決
められ、同じ描画データでも、特定のケースを念頭にフ
ィールド分割を行っても、他のケースで描画を行う場合
には、その都度、最初の生の描画データをそのケースに
応じてフィールド分割しなければならず、甚だ面倒であ
る。
められ、同じ描画データでも、特定のケースを念頭にフ
ィールド分割を行っても、他のケースで描画を行う場合
には、その都度、最初の生の描画データをそのケースに
応じてフィールド分割しなければならず、甚だ面倒であ
る。
本発明は、上述した点に鑑みてなされたもので、その目
的は、フィールドの大きさが異なる各種描画目的に簡単
に対応が可能な、荷電粒子ビーム描画方法を実現するに
ある。
的は、フィールドの大きさが異なる各種描画目的に簡単
に対応が可能な、荷電粒子ビーム描画方法を実現するに
ある。
（課題を解決するための手段）
本発明に基づく荷電粒子ビーム描画方法は、描画データ
を描画フィールドに分割するに当り、分割フィールドの
一辺の長さを描画装置の最大フィールドの長さの整数分
の１とし、描画目的に応じて、分割されたデータを一単
位として、あるいは、複数のデータを組合わせて一単位
として描画時のフィールドとすることを特徴としている
。
を描画フィールドに分割するに当り、分割フィールドの
一辺の長さを描画装置の最大フィールドの長さの整数分
の１とし、描画目的に応じて、分割されたデータを一単
位として、あるいは、複数のデータを組合わせて一単位
として描画時のフィールドとすることを特徴としている
。
（作用）
描画データのフィールド分割に当っては、最大フィール
ドサイズの整数分の１で描画データを分割し、高い描画
精度が要求される場合には、分割フィールド毎に描画を
行い、又、描画精度がそれ程要求されず、高速で描画を
行いたい場合には、複数の分割フィールドを組み合わせ
、比較的大きなフィールド又は最大フィールドで描画を
行う。
ドサイズの整数分の１で描画データを分割し、高い描画
精度が要求される場合には、分割フィールド毎に描画を
行い、又、描画精度がそれ程要求されず、高速で描画を
行いたい場合には、複数の分割フィールドを組み合わせ
、比較的大きなフィールド又は最大フィールドで描画を
行う。
（実施例）
以下、第１図を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。第１図は本発明に基づく描画方法を実施するための
電子ビーム描画装置の一例を示しており、１は電子銃で
ある。電子銃１から発生し加速された電子ビームＥＢは
、電子レンズ２．３によって被描画材料４上に集束され
る。材料４上の電子ビームの照射位置は、偏向器５に印
加される偏向信号によって変えられる。材料４は、移動
ステージ６上に載置されており、ステージ６は、ステー
ジ制御回路７によって制御させられる。
る。第１図は本発明に基づく描画方法を実施するための
電子ビーム描画装置の一例を示しており、１は電子銃で
ある。電子銃１から発生し加速された電子ビームＥＢは
、電子レンズ２．３によって被描画材料４上に集束され
る。材料４上の電子ビームの照射位置は、偏向器５に印
加される偏向信号によって変えられる。材料４は、移動
ステージ６上に載置されており、ステージ６は、ステー
ジ制御回路７によって制御させられる。
８は制御コンピュータであり、９は描画データが最初に
格納される磁気テープの如き外部記憶媒体である。外部
記憶媒体９に記憶された描画データは、制御コンピュー
タ８を介して内部記憶媒体である磁気ディスク１０に転
送される。磁気ディスク１０に記憶された描画データは
、制御コンピュータ８によってフィールド分割され、分
割されたデータは、ＩＣメモリ１１に記憶される。
格納される磁気テープの如き外部記憶媒体である。外部
記憶媒体９に記憶された描画データは、制御コンピュー
タ８を介して内部記憶媒体である磁気ディスク１０に転
送される。磁気ディスク１０に記憶された描画データは
、制御コンピュータ８によってフィールド分割され、分
割されたデータは、ＩＣメモリ１１に記憶される。
１２はＩＣメモリ１１に記憶されたデータに基づいて、
電子ビームの材料上の照射位置を演算するビーム位置演
算回路であり、ビーム位置演算回路１２で演算された結
果は、ビーム位置制御回路１３に直接供給されるか、あ
るいは、スケーリング回路１４を介してビーム位置制御
回路１３に供給される。ビーム位置制御回路１３の出力
信号が偏向信号として偏向器５に供給される。
電子ビームの材料上の照射位置を演算するビーム位置演
算回路であり、ビーム位置演算回路１２で演算された結
果は、ビーム位置制御回路１３に直接供給されるか、あ
るいは、スケーリング回路１４を介してビーム位置制御
回路１３に供給される。ビーム位置制御回路１３の出力
信号が偏向信号として偏向器５に供給される。
上述した構成における動作は次の通りである。
外部記憶媒体９には、ＣＡＤなどで作成された描画デー
タが格納されている。コンピュータ８は、外部記憶媒体
９に格納されている描画データを内部記憶媒体である磁
気ディスク１０に転送し、記憶させる。磁気ディスク１
０に記憶された描画データ、例えば、チップ単位のデー
タは、コンピュータ８を介してＩＣメモリ１１に転送さ
れるが、この段階で、チップパターンは、フィールド単
位に分割させられる。第２図は、チップのフィールド分
割から、描画時のフィールドの編集の様子を示した図で
あり、（ａ）のチップＴは、（ｂ）のように、３６のフ
ィールドに分割させられる。この分割の際、縦、横の分
割長さは、描画装置の最大フィールド（電子ビームの偏
向歪が最大限無視できる大きさ）の辺の長さをａとした
場合、ａ／２とされている。従って、磁気ディスク１０
の中には、第２図（ｂ）に示した状態でデータが記憶さ
れる。
タが格納されている。コンピュータ８は、外部記憶媒体
９に格納されている描画データを内部記憶媒体である磁
気ディスク１０に転送し、記憶させる。磁気ディスク１
０に記憶された描画データ、例えば、チップ単位のデー
タは、コンピュータ８を介してＩＣメモリ１１に転送さ
れるが、この段階で、チップパターンは、フィールド単
位に分割させられる。第２図は、チップのフィールド分
割から、描画時のフィールドの編集の様子を示した図で
あり、（ａ）のチップＴは、（ｂ）のように、３６のフ
ィールドに分割させられる。この分割の際、縦、横の分
割長さは、描画装置の最大フィールド（電子ビームの偏
向歪が最大限無視できる大きさ）の辺の長さをａとした
場合、ａ／２とされている。従って、磁気ディスク１０
の中には、第２図（ｂ）に示した状態でデータが記憶さ
れる。
今、描画時間よりも描画精度が重要で、小さなフィール
ドで偏向歪の影響を極力少なくしたい場合、制御コンピ
ュータ８は、ＩＣメモリ１１に記憶されている単位フィ
ールド毎に、描画データを読みだし、ビーム位置演算回
路１２を介してビーム位置制御回路１３にデータを供給
する。ビーム位置制御回路１３から偏向器５には、描画
データに応じた偏向信号が供給され、その結果、材料４
上には、偏向歪が少ない状態で電子ビームが照射され、
高い精度でパターンの描画が行われる。なおこの時、単
位フィールド毎の描画が終了すると、コンピュータ８か
らステージ制御回路７に信号が供給され、その結果、ス
テージ６が単位フィールドの一辺の長さ（ａ／２）分だ
け移動させられ、次の単位フィールドの描画が行われる
。この結果、第２図（Ｃ）で示したように、チップは、
実線で区切られた３６の単位フィールド毎に描画が行わ
れる。
ドで偏向歪の影響を極力少なくしたい場合、制御コンピ
ュータ８は、ＩＣメモリ１１に記憶されている単位フィ
ールド毎に、描画データを読みだし、ビーム位置演算回
路１２を介してビーム位置制御回路１３にデータを供給
する。ビーム位置制御回路１３から偏向器５には、描画
データに応じた偏向信号が供給され、その結果、材料４
上には、偏向歪が少ない状態で電子ビームが照射され、
高い精度でパターンの描画が行われる。なおこの時、単
位フィールド毎の描画が終了すると、コンピュータ８か
らステージ制御回路７に信号が供給され、その結果、ス
テージ６が単位フィールドの一辺の長さ（ａ／２）分だ
け移動させられ、次の単位フィールドの描画が行われる
。この結果、第２図（Ｃ）で示したように、チップは、
実線で区切られた３６の単位フィールド毎に描画が行わ
れる。
次に、描画精度の許容度が大きく、その代わり、描画速
度を速くしたい場合には、第２図（ｄ）に示すように、
実線で区切られた隣り合った４つの単位フィールド毎に
描画が行われる。すなわち、最初の段階で、４つの単位
フィールド（１，２゜７．８）がまとめてＩＣメモリ１
１からビーム位置演算回路１２に供給される。ここで、
４つの単位フィールドに含まれているパターンの位置が
演算される。この位置の演算は、描画データ自体が、単
位フィールドの中心に、電子ビーム光軸が位置している
ことを想定して作成されているのに対し、単位フィール
ドを４つ組み合わせた場合、４つの単位フィールドの中
心位置Ｏ１に電子ビーム光軸を一致させる必要があるた
めである。
度を速くしたい場合には、第２図（ｄ）に示すように、
実線で区切られた隣り合った４つの単位フィールド毎に
描画が行われる。すなわち、最初の段階で、４つの単位
フィールド（１，２゜７．８）がまとめてＩＣメモリ１
１からビーム位置演算回路１２に供給される。ここで、
４つの単位フィールドに含まれているパターンの位置が
演算される。この位置の演算は、描画データ自体が、単
位フィールドの中心に、電子ビーム光軸が位置している
ことを想定して作成されているのに対し、単位フィール
ドを４つ組み合わせた場合、４つの単位フィールドの中
心位置Ｏ１に電子ビーム光軸を一致させる必要があるた
めである。
ビーム位置演算回路１２において演算された描画データ
は、ビーム位置制御回路１３に供給され、ビーム位置制
御回路１３から偏向器５に描画データに応じた偏向信号
が供給される。４つの単位フィールド（１，２，７，８
）の描画が終了すると、コンピュータ８は、ステージ制
御回路７に信号を（Ｊ％給し、ステージ６をａだけ移動
させ、電子ビーム光軸を次の描画フィールドである４つ
の単位フィールド（３，４，９，１０）の中心０２に位
置させる。
は、ビーム位置制御回路１３に供給され、ビーム位置制
御回路１３から偏向器５に描画データに応じた偏向信号
が供給される。４つの単位フィールド（１，２，７，８
）の描画が終了すると、コンピュータ８は、ステージ制
御回路７に信号を（Ｊ％給し、ステージ６をａだけ移動
させ、電子ビーム光軸を次の描画フィールドである４つ
の単位フィールド（３，４，９，１０）の中心０２に位
置させる。
次に、描画時のパターンのスケ−リンクラハードウェア
で行う場合、単位フィールド毎に描画データがＩＣメモ
リ１１からビーム位置演算回路１２に供給される。ビー
ム位置演算回路１２の出力データは、スケーリング回路
１４に供給され、例えば、制御コンピュータ８からの指
令により、描画データは、第２図（ｅ）に示すように、
フィールド長さが夫々２倍に拡大され、ビーム位置制御
回路１３に供給される。このスケーリングが行われる場
合、フィールド毎のステージの移動は、長さａだけ行わ
れる。
で行う場合、単位フィールド毎に描画データがＩＣメモ
リ１１からビーム位置演算回路１２に供給される。ビー
ム位置演算回路１２の出力データは、スケーリング回路
１４に供給され、例えば、制御コンピュータ８からの指
令により、描画データは、第２図（ｅ）に示すように、
フィールド長さが夫々２倍に拡大され、ビーム位置制御
回路１３に供給される。このスケーリングが行われる場
合、フィールド毎のステージの移動は、長さａだけ行わ
れる。
以上本発明の詳細な説明したが、本発明はこの実施例に
限定されない。例えば、単位フィールドの一辺の長さを
描画装置の最大フィールドの１／２としたが、１／３あ
るいは１／４などであっても良い。また、外部記憶媒体
９からの生のデータを磁気ディスク１０に一旦格納し、
磁気ディスク１０からＩＣメモリ１１にデータを転送す
る際、フィールド分割を行うようにしたが、外部記憶媒
体９から磁気ディスク１０へのデータの転送の際にフィ
ールド分割を行うようにしても良い。あるいはすでにフ
ィールド分割されたデータが外部記憶媒体９から供給さ
れても良い。更に、電子ビーム装置のみならず、イオン
ビーム描画装置などにも本発明を適用することができる
。
限定されない。例えば、単位フィールドの一辺の長さを
描画装置の最大フィールドの１／２としたが、１／３あ
るいは１／４などであっても良い。また、外部記憶媒体
９からの生のデータを磁気ディスク１０に一旦格納し、
磁気ディスク１０からＩＣメモリ１１にデータを転送す
る際、フィールド分割を行うようにしたが、外部記憶媒
体９から磁気ディスク１０へのデータの転送の際にフィ
ールド分割を行うようにしても良い。あるいはすでにフ
ィールド分割されたデータが外部記憶媒体９から供給さ
れても良い。更に、電子ビーム装置のみならず、イオン
ビーム描画装置などにも本発明を適用することができる
。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、描画デ
ータを描画フィールドに分割するに当り、分割フィール
ドの一辺の長さを描画装置の最大フィールドの長さの整
数分の１とし、描画目的に応じて、分割されたデータを
一単位として、あるいは、複数のデータを組合わせて一
単位として描画時のフィールドとしたので、単一のパタ
ーンデータテ種々のフィールドサイズで描画を行うこと
が可能となる。また、ハードウェアでスケーリングを行
う場合には、単位フィールドを最大描画フィールドの１
／ ｎとすることにより、ｎ倍までの拡大を任意に行
うことができる。
ータを描画フィールドに分割するに当り、分割フィール
ドの一辺の長さを描画装置の最大フィールドの長さの整
数分の１とし、描画目的に応じて、分割されたデータを
一単位として、あるいは、複数のデータを組合わせて一
単位として描画時のフィールドとしたので、単一のパタ
ーンデータテ種々のフィールドサイズで描画を行うこと
が可能となる。また、ハードウェアでスケーリングを行
う場合には、単位フィールドを最大描画フィールドの１
／ ｎとすることにより、ｎ倍までの拡大を任意に行
うことができる。
第１図は、本発明の描画方法を実施するための電子ビー
ム描画装置を示す図、 第２図は、第１図の装置の動作説明を行う際に用いた図
である。 １・・・電子銃 ２．３・・・電子レンズ４・
・・被描画材料 ５・・・偏向器６・・・ステージ
７・・・ステージ制御回路８・・・コンピュー
タ ９・・・記憶媒体１０・・・磁気ディスク １１
・・・ＩＣメモリ１２・・・ビーム位置演算回路 １３・・・ビーム位置制御回路 １４・・・スケーリング回路
ム描画装置を示す図、 第２図は、第１図の装置の動作説明を行う際に用いた図
である。 １・・・電子銃 ２．３・・・電子レンズ４・
・・被描画材料 ５・・・偏向器６・・・ステージ
７・・・ステージ制御回路８・・・コンピュー
タ ９・・・記憶媒体１０・・・磁気ディスク １１
・・・ＩＣメモリ１２・・・ビーム位置演算回路 １３・・・ビーム位置制御回路 １４・・・スケーリング回路
Claims (1)
- 描画データを描画フィールドに分割するに当り、分割フ
ィールドの一辺の長さを描画装置の最大フィールドの長
さの整数分の１とし、描画目的に応じて、分割されたデ
ータを一単位として、あるいは、複数のデータを組合わ
せて一単位として描画時のフィールドとすることを特徴
とする荷電粒子ビーム描画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014639A JP2744833B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014639A JP2744833B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03219617A true JPH03219617A (ja) | 1991-09-27 |
| JP2744833B2 JP2744833B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=11866770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014639A Expired - Lifetime JP2744833B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2744833B2 (ja) |
Cited By (9)
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-
1990
- 1990-01-24 JP JP2014639A patent/JP2744833B2/ja not_active Expired - Lifetime
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