JPH01223730A - 電子ビーム露光装置 - Google Patents

電子ビーム露光装置

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JPH01223730A
JPH01223730A JP5054188A JP5054188A JPH01223730A JP H01223730 A JPH01223730 A JP H01223730A JP 5054188 A JP5054188 A JP 5054188A JP 5054188 A JP5054188 A JP 5054188A JP H01223730 A JPH01223730 A JP H01223730A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
beam exposure
pattern
patterns
electron
Prior art date
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Pending
Application number
JP5054188A
Other languages
English (en)
Inventor
Masashi Asaumi
浅海 政司
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高精度露光を可能にする電子ビーム露光装置に
関するものである。
従来の技術 一般に、集積回路などを作製するための電子ビーム露光
装置では、電子ビームの偏向の大きさに制限があり、こ
の大きさを超える領域の露光には試料移動を伴う(この
試料移動無しに露光できる領域を以下フィールドと記す
)。さらに、前記フィールドは数百側程度の領域(以下
サブフィールドと記す)に分割されて露光される。
従来、この種の電子ビーム露光装置では、フィールド、
サブフィールドの大きさは、設計パターンである露光パ
ターンの大きさとは関係無く固定されて使用されてきた
発明が解決しようとする課題 このように、フィールド、サブフィールドの大きさが露
光パターンの大きさとは無関係にされているため、第3
図に示すように、フィールドまたはサブフィールドの境
界部11.12が、露光パターン13の上に来る場合が
あり、したがって、描画パターンの精度は、フィールド
境界部およびサブフィールド境界部でのつなぎ合わせ精
度に大きく依存する。そのため、第4図に示すように、
フィー・ルド、サブフィールドのつなぎ合わせ精度に起
因して周期的にパターン線幅の誤差が大きくなるという
問題があった。
なお、全サブフィールドについて位置補正を行ない、つ
なぎ合わせ精度を十分に高めれば良いのであるが、数百
点の補正値入力は実用的でないため、数点の代表点のみ
入力して他は比例配分で決定しているものが多く、十分
な精度が得られていない。
そこで、本発明は上記問題点を解決し得る電子ビーム露
光装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 上記問題点を解決するため1本発明の電子ビーム露光装
置は、試料移動無しに露光できる領域の大きさを、露光
パターンの配列ピッチの整数倍としたものである。
作用 上記構成によると、領域の境界部が露光パターンの上に
来ることがなく、したがってつなぎ合わせ誤差が見かけ
上無くなる。
実施例 以下、本発明の一実施例を第1図および第2図に基づき
説明する。
すなわち、本発明に係る電子ビーム露光装置は。
試料移動無しに露光できる領域の大きさを、設計パター
ンである露光パターンの配列ピッチの整数倍としたもの
である。したがって、第1図に示すように、フィールド
、サブフィールドの境界部1゜2が必ず露光パターン3
同志の間に来ることになり、つなぎ合わせ誤差が見かけ
上無くなったことになる。
第2図に本発明に係る電子ビーム露光装置を用いて形成
したパターンの線幅の精度の一例を示す。
第4図に示す従来例では、誤差は最大0.167tmの
幅で分布し、フィールドサイズと同一の大きさで周期的
に現われるが、本発明に係る装置を用いた場合、第2図
に示すように、誤差の周期性は認められず、分布も最大
0.08μmに抑えられている。
このように、同一パターンを規則的に配列する回路パタ
ーンに対して、高精度な電子ビーム露光が可能となる6 発明の効果 上記本発明の構成によると、露光できる領域の大きさを
、露光パターンの配列ピッチの整数倍としたので、領域
の境界部が露光パターンの上に来ることがなく、シたが
ってつなぎ合わせ誤差を見かけ上無くすことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の電子ビーム露光装置による
フィールドおよびサブフィールドの分割状態を示す平面
図、第2図は同パターン誤差の分布状態を示すグラフ図
、第3図は従来の装置によるフィールドおよびサブフィ
ールドの分割状態を示す平面図、第4図は従来の装置に
よるパターン誤差の分布状態を示すグラフ図である。 1・・・フィールド境界部、2・・・サブフィールド境
界部、3・・設計パターン。 代理人   森  本  義  弘 第1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、試料移動無しに露光できる領域の大きさを、露光パ
    ターンの配列ピッチの整数倍とした電子ビーム露光装置
JP5054188A 1988-03-02 1988-03-02 電子ビーム露光装置 Pending JPH01223730A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03219617A (ja) * 1990-01-24 1991-09-27 Jeol Ltd 荷電粒子ビーム描画方法
JP2006053325A (ja) * 2004-08-11 2006-02-23 Pentax Industrial Instruments Co Ltd 描画装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH03219617A (ja) * 1990-01-24 1991-09-27 Jeol Ltd 荷電粒子ビーム描画方法
JP2006053325A (ja) * 2004-08-11 2006-02-23 Pentax Industrial Instruments Co Ltd 描画装置
JP4532202B2 (ja) * 2004-08-11 2010-08-25 株式会社オーク製作所 描画装置

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