JPH1126372A - 縮小転写方法及び縮小転写用マスク - Google Patents
縮小転写方法及び縮小転写用マスクInfo
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- JPH1126372A JPH1126372A JP19640997A JP19640997A JPH1126372A JP H1126372 A JPH1126372 A JP H1126372A JP 19640997 A JP19640997 A JP 19640997A JP 19640997 A JP19640997 A JP 19640997A JP H1126372 A JPH1126372 A JP H1126372A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 大型のデバイスパターンを寸法の限られたマ
スク基板上に形成できる縮小転写方法及び縮小転写用マ
スクを提供する。 【解決手段】 転写パターンを複数の副視野に分割し、
各副視野について、コンプリメンタリーな２つの副視野
に分割する要否を判定する。そして、マスク基板１の中
央の領域２に、１チップ分の、コンプリメンタリーに分
割しなかった全副視野と分割した全副視野の一方のパタ
ーンをまとめて配置する。中央領域２の左右側方の領域
４ａ、４ｂに、分割した全副視野のもう一方のパターン
を配置する。
スク基板上に形成できる縮小転写方法及び縮小転写用マ
スクを提供する。 【解決手段】 転写パターンを複数の副視野に分割し、
各副視野について、コンプリメンタリーな２つの副視野
に分割する要否を判定する。そして、マスク基板１の中
央の領域２に、１チップ分の、コンプリメンタリーに分
割しなかった全副視野と分割した全副視野の一方のパタ
ーンをまとめて配置する。中央領域２の左右側方の領域
４ａ、４ｂに、分割した全副視野のもう一方のパターン
を配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線等のエネル
ギ線を用いて、マスクのパターンを試料（ウエハ等）に
転写する縮小転写方法に関する。特には、ステンシルマ
スク上にコンプリメンタリー（相補型）な複数のパター
ン（マスク領域）を有し、大型のデバイスパターンを寸
法の限られたマスク基板上に形成でき、高精度かつスル
ープットの高い転写を行える縮小転写方法に関する。さ
らに、そのような縮小転写方法に用いる縮小転写用マス
クに関する。なお、本発明で使用するエネルギ線の種類
は、光（可視光、紫外光等）、Ｘ線、電子線、イオンビ
ーム等のいずれを問わない。
ギ線を用いて、マスクのパターンを試料（ウエハ等）に
転写する縮小転写方法に関する。特には、ステンシルマ
スク上にコンプリメンタリー（相補型）な複数のパター
ン（マスク領域）を有し、大型のデバイスパターンを寸
法の限られたマスク基板上に形成でき、高精度かつスル
ープットの高い転写を行える縮小転写方法に関する。さ
らに、そのような縮小転写方法に用いる縮小転写用マス
クに関する。なお、本発明で使用するエネルギ線の種類
は、光（可視光、紫外光等）、Ｘ線、電子線、イオンビ
ーム等のいずれを問わない。
【０００２】
【従来の技術】電子線縮小転写方法を例にとって説明す
る。電子線縮小転写方法では、ステンシルマスクとメン
ブレンマスクの両形式のマスクが用いられる。ステンシ
ルマスクは、薄い電子散乱体（Ｓｉ等）にパターン状の
透孔を開けたものであり、この透孔を通過した電子線を
投影光学系を介してウエハ上に結像させるものである。
透孔以外に当った電子線は、大きく散乱し、大半は投影
光学系内の絞りで捕捉されウエハまで届かない。このス
テンシルマスクでは、電子線を遮断する領域の全周が透
孔に囲まれているようなパターン（島状パターン）は、
該領域のマスク部分を保持することができないので、パ
ターンをコンプリメンタリーな２つのパターンに分割
し、２回に分けてパターンを転写する必要がある。ま
た、一端においてのみ保持されている半島状パターンに
ついても、保持に難があるので、細長いものについては
コンプリメンタリー化する必要がある。
る。電子線縮小転写方法では、ステンシルマスクとメン
ブレンマスクの両形式のマスクが用いられる。ステンシ
ルマスクは、薄い電子散乱体（Ｓｉ等）にパターン状の
透孔を開けたものであり、この透孔を通過した電子線を
投影光学系を介してウエハ上に結像させるものである。
透孔以外に当った電子線は、大きく散乱し、大半は投影
光学系内の絞りで捕捉されウエハまで届かない。このス
テンシルマスクでは、電子線を遮断する領域の全周が透
孔に囲まれているようなパターン（島状パターン）は、
該領域のマスク部分を保持することができないので、パ
ターンをコンプリメンタリーな２つのパターンに分割
し、２回に分けてパターンを転写する必要がある。ま
た、一端においてのみ保持されている半島状パターンに
ついても、保持に難があるので、細長いものについては
コンプリメンタリー化する必要がある。
【０００３】メンブレンマスクは、薄い（一例０．３μ
m ）メンブレンと、その上に形成された高散乱パターン
とからなり、薄いメンブレン部を透過する電子線をウエ
ハ上に結像させるものである。このメンブレンマスクで
は、上述のステンシルマスクとは異なり、コンプリメン
タリーな２つのパターンを有するマスクに分割する必要
はない。しかし、メンブレンマスクでは、電子線がメン
ブレンを透過する際に１０〜３０eV程度エネルギを失っ
て、透過電子線のエネルギが２０eV程度分散する。その
ため、投影光学系において色収差が大きくなるという問
題があった。
m ）メンブレンと、その上に形成された高散乱パターン
とからなり、薄いメンブレン部を透過する電子線をウエ
ハ上に結像させるものである。このメンブレンマスクで
は、上述のステンシルマスクとは異なり、コンプリメン
タリーな２つのパターンを有するマスクに分割する必要
はない。しかし、メンブレンマスクでは、電子線がメン
ブレンを透過する際に１０〜３０eV程度エネルギを失っ
て、透過電子線のエネルギが２０eV程度分散する。その
ため、投影光学系において色収差が大きくなるという問
題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のような事情か
ら、コンプリメンタリーなパターンに分割することが必
要な場合はあるものの、ステンシルマスクの必要性は残
る。ところで、４Ｇ−ＤＲＡＭのチップサイズは１８mm
×３６mmと予測できる。このパターンを４倍し、コンプ
リメンタリーな２枚のマスクにし、しかも副視野間に桟
（補強用のリブ）と非パターン領域を設けると、上記寸
法のマスクは８インチウエハには収まらないという問題
点があった。また、デバイスのチップ寸法がさらに大き
くなると、１０インチウエハや１２インチウエハにも収
まらない問題点が生じるおそれがある。なお、コンプリ
メンタリーに分割したマスクについては、２枚のマスク
基板に別々にマスクパターンを形成するよりも、一枚の
マスク基板上に両パターンを形成した方が、アライメン
ト誤差等の小さい転写を行うことができる。
ら、コンプリメンタリーなパターンに分割することが必
要な場合はあるものの、ステンシルマスクの必要性は残
る。ところで、４Ｇ−ＤＲＡＭのチップサイズは１８mm
×３６mmと予測できる。このパターンを４倍し、コンプ
リメンタリーな２枚のマスクにし、しかも副視野間に桟
（補強用のリブ）と非パターン領域を設けると、上記寸
法のマスクは８インチウエハには収まらないという問題
点があった。また、デバイスのチップ寸法がさらに大き
くなると、１０インチウエハや１２インチウエハにも収
まらない問題点が生じるおそれがある。なお、コンプリ
メンタリーに分割したマスクについては、２枚のマスク
基板に別々にマスクパターンを形成するよりも、一枚の
マスク基板上に両パターンを形成した方が、アライメン
ト誤差等の小さい転写を行うことができる。
【０００５】本発明は、ステンシルマスクにコンプリメ
ンタリーな複数のパターンを有し、大型のデバイスパタ
ーンを寸法の限られたマスク基板上に形成でき、高精度
かつスループットの高い転写を行える縮小転写方法、及
びそれに用いる縮小転写用マスクを提供することを目的
とする。
ンタリーな複数のパターンを有し、大型のデバイスパタ
ーンを寸法の限られたマスク基板上に形成でき、高精度
かつスループットの高い転写を行える縮小転写方法、及
びそれに用いる縮小転写用マスクを提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の第１態様の縮小転写方法は、 転写パター
ンを複数の副視野に分割し、１個の副視野毎に縮小転写
を行う方法において；各副視野について、コンプリメン
タリーな２つの副視野に分割する要否を判定し、 分割
する必要のある副視野のみを分割し、 分割しなかった
副視野、及び分割した副視野を１枚のマスク基板に形成
し、 該マスク基板を用いて転写することを特徴とす
る。
め、本発明の第１態様の縮小転写方法は、 転写パター
ンを複数の副視野に分割し、１個の副視野毎に縮小転写
を行う方法において；各副視野について、コンプリメン
タリーな２つの副視野に分割する要否を判定し、 分割
する必要のある副視野のみを分割し、 分割しなかった
副視野、及び分割した副視野を１枚のマスク基板に形成
し、 該マスク基板を用いて転写することを特徴とす
る。
【０００７】また、本発明の第２態様の縮小転写方法
は、 転写パターンを複数の副視野に分割し、１個の副
視野毎に縮小転写を行う方法において； 上記副視野に
含まれるパターン要素として、島状パターン及び半島状
パターンを抽出し、 島状パターンを含む副視野の全て
をコンプリメンタリーに分割し、 半島状パターンのつ
け根の部分の寸法をＤ、半島の長さをＬとして、Ｌ／Ｄ
が大きいパターン要素を含む副視野から順に、分割副視
野数がある一定値に達するまで、コンプリメンタリーに
分割することを特徴とする。
は、 転写パターンを複数の副視野に分割し、１個の副
視野毎に縮小転写を行う方法において； 上記副視野に
含まれるパターン要素として、島状パターン及び半島状
パターンを抽出し、 島状パターンを含む副視野の全て
をコンプリメンタリーに分割し、 半島状パターンのつ
け根の部分の寸法をＤ、半島の長さをＬとして、Ｌ／Ｄ
が大きいパターン要素を含む副視野から順に、分割副視
野数がある一定値に達するまで、コンプリメンタリーに
分割することを特徴とする。
【０００８】さらに、本発明の第３態様の縮小転写方法
は、 転写パターンを複数の副視野に分割し、１個の副
視野毎に縮小転写を行う方法において； 上記各副視野
をコンプリメンタリーな２つの副視野に分割する要否を
判定し、 分割する必要のある副視野数が、予め決めら
れた割合以上ある場合には、上記判定の如何にかかわら
ず、大部分の副視野を占有率がほぼ等しいコンプリメン
タリーな２個の副視野に分割して転写を行うことを特徴
とする。この場合、全ての副視野をコンプリメンタリー
とし、それぞれを互いにほぼ同じビーム電流となるよう
に分けることにより、クーロン効果の影響を低減しつつ
露光時間の短縮を図ることができる。
は、 転写パターンを複数の副視野に分割し、１個の副
視野毎に縮小転写を行う方法において； 上記各副視野
をコンプリメンタリーな２つの副視野に分割する要否を
判定し、 分割する必要のある副視野数が、予め決めら
れた割合以上ある場合には、上記判定の如何にかかわら
ず、大部分の副視野を占有率がほぼ等しいコンプリメン
タリーな２個の副視野に分割して転写を行うことを特徴
とする。この場合、全ての副視野をコンプリメンタリー
とし、それぞれを互いにほぼ同じビーム電流となるよう
に分けることにより、クーロン効果の影響を低減しつつ
露光時間の短縮を図ることができる。
【０００９】本発明の縮小転写用マスクは、 複数の副
視野に分割された転写パターンを有する縮小転写用マス
クであって； コンプリメンタリーな２つの副視野に分
割された領域と、コンプリメンタリーな２つの副視野に
分割されていない領域と、が一枚のマスク基板上に配置
されていることを特徴とする。
視野に分割された転写パターンを有する縮小転写用マス
クであって； コンプリメンタリーな２つの副視野に分
割された領域と、コンプリメンタリーな２つの副視野に
分割されていない領域と、が一枚のマスク基板上に配置
されていることを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ説明す
る。まず、図３を参照しつつ、本発明の適用される電子
線縮小転写装置の概要について説明する。図３は、分割
転写方式の電子線露光装置の光学系全体における結像関
係を示す図である。電子銃１１は、下方に向けて電子線
を放射する。電子銃１１の下方には２段のコンデンサレ
ンズ１３、１５が備えられており、電子線は、これらの
コンデンサレンズ１３、１５を通ってブランキング開口
１７にクロスオーバーを結像する。これら２つのコンデ
ンサレンズ１３、１５をズームレンズとして作用させ、
レチクル２０を照射する電流密度を可変にできる。
る。まず、図３を参照しつつ、本発明の適用される電子
線縮小転写装置の概要について説明する。図３は、分割
転写方式の電子線露光装置の光学系全体における結像関
係を示す図である。電子銃１１は、下方に向けて電子線
を放射する。電子銃１１の下方には２段のコンデンサレ
ンズ１３、１５が備えられており、電子線は、これらの
コンデンサレンズ１３、１５を通ってブランキング開口
１７にクロスオーバーを結像する。これら２つのコンデ
ンサレンズ１３、１５をズームレンズとして作用させ、
レチクル２０を照射する電流密度を可変にできる。
【００１１】コンデンサレンズ１３、１５の上下には、
２段の矩形開口１２、１６が備えられている。この矩形
開口（副視野制限開口）１２、１６は、一つの副視野に
相当する領域分の電子線照明光のみを通過させる。具体
的には、第１の開口１２は、照明光をマスクサイズ換算
で１mm角強の寸法性の正方形に整形する。この開口１２
の像は、レンズ１３、１５によって第２の開口１６に結
像される。
２段の矩形開口１２、１６が備えられている。この矩形
開口（副視野制限開口）１２、１６は、一つの副視野に
相当する領域分の電子線照明光のみを通過させる。具体
的には、第１の開口１２は、照明光をマスクサイズ換算
で１mm角強の寸法性の正方形に整形する。この開口１２
の像は、レンズ１３、１５によって第２の開口１６に結
像される。
【００１２】第２の開口１６の下方には、クロスオーバ
の形成されている位置に、上述のブランキング開口１７
と並んで副視野選択偏向器１８が配置されている。この
副視野選択偏向器は、照明光を図２のＸ方向に順次走査
して、１つの主視野内の全ての副視野の露光を行う。副
視野選択偏向器１８の下方には、コンデンサレンズ１９
が配置されている。コンデンサレンズ１９は、電子線を
平行ビーム化し、マスク２０に当て、マスク２０上に第
２の開口１６を結像させる。
の形成されている位置に、上述のブランキング開口１７
と並んで副視野選択偏向器１８が配置されている。この
副視野選択偏向器は、照明光を図２のＸ方向に順次走査
して、１つの主視野内の全ての副視野の露光を行う。副
視野選択偏向器１８の下方には、コンデンサレンズ１９
が配置されている。コンデンサレンズ１９は、電子線を
平行ビーム化し、マスク２０に当て、マスク２０上に第
２の開口１６を結像させる。
【００１３】マスク２０は、図３では、光軸上の１副視
野のみが示されているが、実際には光軸垂直方向（Ｘ−
Ｙ方向）に広がっており、多くの副視野及び主視野（副
視野の列）を有する。一つの主視野内で各副視野を照明
露光する際は、副視野選択偏向器１８で電子線を偏向さ
せる。また、マスク２０は、ＸＹ方向に移動可能なマス
クステージ２１上に載置されている。そして、試料であ
るウエハ２４もＸＹ方向に移動可能なウエハステージ２
５上に載置されている。これらのマスクステージ２１と
ウエハステージ２５とを、互いに逆のＹ方向に走査する
ことにより、チップパターンのストライプ（主視野の
列）内の各主視野を連続的に露光する。さらに、両ステ
ージ２１と２５をＸ方向に間欠的に走査することによ
り、各ストライプの露光を行う。なお、両ステージ２
１、２５には、レーザ干渉計を用いた正確な位置測定シ
ステムが装備されており、また別途のアライメント手段
及び各偏向器の調整により、ウエハ２４上で各副視野及
び主視野は正確に繋ぎ合わされる。
野のみが示されているが、実際には光軸垂直方向（Ｘ−
Ｙ方向）に広がっており、多くの副視野及び主視野（副
視野の列）を有する。一つの主視野内で各副視野を照明
露光する際は、副視野選択偏向器１８で電子線を偏向さ
せる。また、マスク２０は、ＸＹ方向に移動可能なマス
クステージ２１上に載置されている。そして、試料であ
るウエハ２４もＸＹ方向に移動可能なウエハステージ２
５上に載置されている。これらのマスクステージ２１と
ウエハステージ２５とを、互いに逆のＹ方向に走査する
ことにより、チップパターンのストライプ（主視野の
列）内の各主視野を連続的に露光する。さらに、両ステ
ージ２１と２５をＸ方向に間欠的に走査することによ
り、各ストライプの露光を行う。なお、両ステージ２
１、２５には、レーザ干渉計を用いた正確な位置測定シ
ステムが装備されており、また別途のアライメント手段
及び各偏向器の調整により、ウエハ２４上で各副視野及
び主視野は正確に繋ぎ合わされる。
【００１４】マスク２０の下方には２段の投影レンズ２
２及び２３（対物レンズ）及び偏向器（図示されず）が
設けられている。そして、マスク２０の一つの副視野が
電子線照射され、マスク２０でパターン化された電子線
は、２段の投影レンズ２２、２３によって縮小されると
ともに偏向され、ウエハ２４上の所定の位置に結像され
る。ウエハ２４上には、適当なレジストが塗布されてお
り、レジストに電子線のドーズが与えられてマスク像の
縮小パターンがウエハ２４上に転写される。ウエハ２４
は、前述のように、光軸直角方向に移動可能なウエハス
テージ２５上に載置されている。
２及び２３（対物レンズ）及び偏向器（図示されず）が
設けられている。そして、マスク２０の一つの副視野が
電子線照射され、マスク２０でパターン化された電子線
は、２段の投影レンズ２２、２３によって縮小されると
ともに偏向され、ウエハ２４上の所定の位置に結像され
る。ウエハ２４上には、適当なレジストが塗布されてお
り、レジストに電子線のドーズが与えられてマスク像の
縮小パターンがウエハ２４上に転写される。ウエハ２４
は、前述のように、光軸直角方向に移動可能なウエハス
テージ２５上に載置されている。
【００１５】図１は、本発明の１実施例に係るマスクの
パターン配置を示す平面図である。図中には、８インチ
（２０３mm）のＳｉ製のマスク基板１が示されている。
中央の縦長の長方形の領域２は、１チップ分の分割しな
かった副視野と分割した副視野の一方のパターンをまと
めて配置した領域である。ウエハ上のチップサイズ１８
×３６mm2 に対して縮小率１／４倍とすると、マスク上
の１チップ全体のサイズは７２×１４４mmとなる。しか
し、この実施例では、マスク上では１mm2 角の１個の副
視野の周囲に幅０．１２mmの非パターン領域（０．１mm
補強用桟、０．０１mmスカート）が設けられているの
で、マスク上の中央領域２の寸法は８０．６×１６１．
３mmである。中央領域２内は、左右に幅４０．３mmの２
列のストライプ３ａ、３ｂに分けられており、各ストラ
イプ３ａ、３ｂには図の横方向に３６個の副視野が並ん
で配置されている。この３６個の副視野の列を主視野と
呼ぶ。
パターン配置を示す平面図である。図中には、８インチ
（２０３mm）のＳｉ製のマスク基板１が示されている。
中央の縦長の長方形の領域２は、１チップ分の分割しな
かった副視野と分割した副視野の一方のパターンをまと
めて配置した領域である。ウエハ上のチップサイズ１８
×３６mm2 に対して縮小率１／４倍とすると、マスク上
の１チップ全体のサイズは７２×１４４mmとなる。しか
し、この実施例では、マスク上では１mm2 角の１個の副
視野の周囲に幅０．１２mmの非パターン領域（０．１mm
補強用桟、０．０１mmスカート）が設けられているの
で、マスク上の中央領域２の寸法は８０．６×１６１．
３mmである。中央領域２内は、左右に幅４０．３mmの２
列のストライプ３ａ、３ｂに分けられており、各ストラ
イプ３ａ、３ｂには図の横方向に３６個の副視野が並ん
で配置されている。この３６個の副視野の列を主視野と
呼ぶ。
【００１６】中央領域２の左右側方には、各ストライプ
３ａ、３ｂと同じ幅（４０．３mm）で、長さが１００mm
の側方領域４ａ、４ｂが配置されている。この側方領域
４ａ、４ｂには、分割した副視野のもう一方のパターン
（コンプリメンタリーパターン）が配置されている。こ
の例では、コンプリメンタリーにするか否かは、主視野
毎に判断して、コンプリメンタリーする主視野について
は、主視野全体を２つのパターンに分割し、一方を中央
領域２のストライプ３ａ中に、他方を側方領域４ａ中に
配置している。側方領域４の長さは、中央領域２の長さ
の６２％あるので、全主視野の内の６２％をコンプリメ
ンタリーにしなければならないパターンまでを１枚の８
インチ基板上に収容できる。
３ａ、３ｂと同じ幅（４０．３mm）で、長さが１００mm
の側方領域４ａ、４ｂが配置されている。この側方領域
４ａ、４ｂには、分割した副視野のもう一方のパターン
（コンプリメンタリーパターン）が配置されている。こ
の例では、コンプリメンタリーにするか否かは、主視野
毎に判断して、コンプリメンタリーする主視野について
は、主視野全体を２つのパターンに分割し、一方を中央
領域２のストライプ３ａ中に、他方を側方領域４ａ中に
配置している。側方領域４の長さは、中央領域２の長さ
の６２％あるので、全主視野の内の６２％をコンプリメ
ンタリーにしなければならないパターンまでを１枚の８
インチ基板上に収容できる。
【００１７】図１において、中央領域２の左右に点線で
示してあるのは、他の形態の側方領域５ａ、５ｂであ
る。この側方領域５は、幅が９．１mmで、長さは中央領
域２と同じ１６１．３mmである。この側方領域５には、
中央領域２のストライプ３中の主視野の内で、コンプリ
メンタリーにする必要のある一部の副視野に対応するコ
ンプリメンタリー副視野が収容される。ストライプ３の
幅４０．３mmに対して側方領域５の幅９．１mmであるの
で、２２％分の副視野をコンプリメンタリーとしなけれ
ばならないパターンまで、側方領域５を設けたマスク基
板１によって、１枚で対応できる。
示してあるのは、他の形態の側方領域５ａ、５ｂであ
る。この側方領域５は、幅が９．１mmで、長さは中央領
域２と同じ１６１．３mmである。この側方領域５には、
中央領域２のストライプ３中の主視野の内で、コンプリ
メンタリーにする必要のある一部の副視野に対応するコ
ンプリメンタリー副視野が収容される。ストライプ３の
幅４０．３mmに対して側方領域５の幅９．１mmであるの
で、２２％分の副視野をコンプリメンタリーとしなけれ
ばならないパターンまで、側方領域５を設けたマスク基
板１によって、１枚で対応できる。
【００１８】図２は、代表的なコンプリメンタリー分割
を要するパターン要素の例を示す平面図である。（ａ）
は島状の非露光部６ａを持つもので、コンプリメンタリ
ーでないと成り立たない。（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は半
島状の非露光パターン要素６ｂ、６ｃ、６ｄを有するパ
ターンであって、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）の順にコンプ
リメンタリーにする必要性が高い。各半島状パターン６
ｂ、６ｃ、６ｄは、右端の付け根の部分のみで周辺のマ
スク材とつながっている。このような半島状パターンの
場合、周辺パターンとの接続部の幅Ｄ（μm ）と、接続
部からパターン端までの寸法Ｌ（μm ）との関係に基づ
いて、コンプリメンタリーにする必要性の度合を判断す
ると便利である。ここで半島状パターン６ｂのように折
れ曲がっているパターンは、各部分の長さＬ１とＬ２を
足した値をＬとする。（ｂ）のようなパターンではＬ／
Ｄは最大２，０００／０．４＝５，０００、（ｃ）の場
合１，０００／０．４＝２，５００、（Ｄ）では５００
／０．４＝１，２５０程度になる。一方（ｅ）、（ｆ）
の場合、パターン６ｅ及び６ｆは両側から支持されてい
るのでコンプリメンタリーにする必要性は小さい。
を要するパターン要素の例を示す平面図である。（ａ）
は島状の非露光部６ａを持つもので、コンプリメンタリ
ーでないと成り立たない。（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は半
島状の非露光パターン要素６ｂ、６ｃ、６ｄを有するパ
ターンであって、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）の順にコンプ
リメンタリーにする必要性が高い。各半島状パターン６
ｂ、６ｃ、６ｄは、右端の付け根の部分のみで周辺のマ
スク材とつながっている。このような半島状パターンの
場合、周辺パターンとの接続部の幅Ｄ（μm ）と、接続
部からパターン端までの寸法Ｌ（μm ）との関係に基づ
いて、コンプリメンタリーにする必要性の度合を判断す
ると便利である。ここで半島状パターン６ｂのように折
れ曲がっているパターンは、各部分の長さＬ１とＬ２を
足した値をＬとする。（ｂ）のようなパターンではＬ／
Ｄは最大２，０００／０．４＝５，０００、（ｃ）の場
合１，０００／０．４＝２，５００、（Ｄ）では５００
／０．４＝１，２５０程度になる。一方（ｅ）、（ｆ）
の場合、パターン６ｅ及び６ｆは両側から支持されてい
るのでコンプリメンタリーにする必要性は小さい。
【００１９】図１の側方領域４、５にコンプリメンタリ
ーの片方を配置するとすると、前述したように、６２％
の主視野をコンプリメンタリーパターンに分けられる。
まず島状パターンをコンプリメンタリーとし、次に半島
状のパターンのうち、図２のＬ／Ｄが大きい順にコンプ
リメンタリーに分け、コンプリメンタリーにする副視野
が１個でもある主視野数が６２％になった時点でコンプ
リメンタリーに分けるのをやめ、その他のパターンはそ
のまま１個ずつの副視野とする。
ーの片方を配置するとすると、前述したように、６２％
の主視野をコンプリメンタリーパターンに分けられる。
まず島状パターンをコンプリメンタリーとし、次に半島
状のパターンのうち、図２のＬ／Ｄが大きい順にコンプ
リメンタリーに分け、コンプリメンタリーにする副視野
が１個でもある主視野数が６２％になった時点でコンプ
リメンタリーに分けるのをやめ、その他のパターンはそ
のまま１個ずつの副視野とする。
【００２０】ＤＲＡＭ等のメモリーチップのパターン領
域の過半を占めるメモリーセル領域のパターンは、通常
コンプリメンタリー化しなくても済む。したがって、本
発明のように必要のある領域のみをコンプリメンタリー
化することにより、メモリーチップでは、コンプリメン
タリーパターン用のマスク領域が狭くても十分に対応で
きる。このため、比較的大きいデバイスパターンを１枚
のマスク基板中に収容できる。
域の過半を占めるメモリーセル領域のパターンは、通常
コンプリメンタリー化しなくても済む。したがって、本
発明のように必要のある領域のみをコンプリメンタリー
化することにより、メモリーチップでは、コンプリメン
タリーパターン用のマスク領域が狭くても十分に対応で
きる。このため、比較的大きいデバイスパターンを１枚
のマスク基板中に収容できる。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
は、大型のデバイスパターンを寸法の限られたマスク基
板上に形成でき、高精度かつスループットの高い転写を
行える縮小転写方法及びそれに用いる縮小転写用マスク
を提供することができる。
は、大型のデバイスパターンを寸法の限られたマスク基
板上に形成でき、高精度かつスループットの高い転写を
行える縮小転写方法及びそれに用いる縮小転写用マスク
を提供することができる。
【図１】本発明の１実施例に係るマスクのパターン配置
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】代表的なコンプリメンタリーを要するパターン
要素の例を示す平面図である。
要素の例を示す平面図である。
【図３】分割転写方式の電子線露光装置の光学系全体に
おける結像関係を示す図である。
おける結像関係を示す図である。
【符号の説明】 １ マスク基板 ２ 中央領域 ３ａ ストライプ ３ｂ ストライプ ４ａ 側方領域 ４ｂ 側方領域 ５ａ 側方領域 ５ｂ 側方領域
Claims (7)
- 【請求項１】 転写パターンを複数の副視野に分割し、
１個の副視野毎に縮小転写を行う方法において；各副視
野について、コンプリメンタリーな２つの副視野に分割
する要否を判定し、 分割する必要のある副視野のみを分割し、 分割しなかった副視野、及び分割した副視野を１枚のマ
スク基板に形成し、 該マスク基板を用いて転写することを特徴とする縮小転
写方法。 - 【請求項２】 上記マスク基板がほぼ円形であり、 上記分割しなかった副視野、及び、分割した副視野の一
方を、該マスク基板の中央部に配置し、 分割した副視野の他方を、該マスク基板の周辺部に配置
することを特徴とする請求項１記載の縮小転写方法。 - 【請求項３】 上記コンプリメンタリーな２つの副視野
に分割する副視野が、エネルギービームを遮断するパタ
ーンの周囲が全てエネルギービームを透過させる領域で
囲まれているパターン（島状パターン）を有するか、あ
るいは、エネルギービームを遮断するパターンが１個所
のみで周辺部と接続されているパターン（半島状パター
ン）を１個以上含むことを特徴とする請求項１又は２記
載の縮小転写方法。 - 【請求項４】 転写パターンを複数の副視野に分割し、
１個の副視野毎に縮小転写を行う方法において；上記副
視野に含まれるパターン要素として、島状パターン及び
半島状パターンを抽出し、 島状パターンを含む副視野の全てをコンプリメンタリー
に分割し、 半島状パターンのつけ根の部分の寸法をＤ、半島の長さ
をＬとして、Ｌ／Ｄが大きいパターン要素を含む副視野
から順に、分割副視野数がある一定値に達するまで、コ
ンプリメンタリーに分割することを特徴とする縮小転写
方法。 - 【請求項５】 転写パターンを複数の副視野に分割し、
１個の副視野毎に縮小転写を行う方法において；上記各
副視野をコンプリメンタリーな２つの副視野に分割する
要否を判定し、 分割する必要のある副視野数が、予め決められた割合以
上ある場合には、上記判定の如何にかかわらず、大部分
の副視野を占有率がほぼ等しいコンプリメンタリーな２
個の副視野に分割して転写を行うことを特徴とする縮小
転写方法。 - 【請求項６】 複数の副視野に分割された転写パターン
を有する縮小転写用マスクであって；コンプリメンタリ
ーな２つの副視野に分割された領域と、コンプリメンタ
リーな２つの副視野に分割されていない領域と、が一枚
のマスク基板上に配置されていることを特徴とする縮小
転写用マスク。 - 【請求項７】 上記マスク基板が円形であり、 上記分割されていない副視野及び、分割された副視野の
内の一方がマスク基板の中央部に配置されており、 上記分割された副視野の内の他方がマスク基板の周辺部
に配置されていることを特徴とする縮小転写用マスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19640997A JPH1126372A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | 縮小転写方法及び縮小転写用マスク |
| US09/111,451 US6110626A (en) | 1997-07-08 | 1998-07-08 | Segmented stencil masks with main field and side fields containing complementary subfields, and methods for using same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19640997A JPH1126372A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | 縮小転写方法及び縮小転写用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126372A true JPH1126372A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16357387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19640997A Pending JPH1126372A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | 縮小転写方法及び縮小転写用マスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6110626A (ja) |
| JP (1) | JPH1126372A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005048327A1 (ja) * | 2003-11-13 | 2005-05-26 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002021582A1 (fr) * | 2000-09-05 | 2002-03-14 | Hoya Corporation | Masque de transfert, procede de division d'un motif de masque de transfert, et procede de fabrication d'un masque de transfert |
| TW579536B (en) | 2001-07-02 | 2004-03-11 | Zeiss Carl Semiconductor Mfg | Examining system for the particle-optical imaging of an object, deflector for charged particles as well as method for the operation of the same |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5624774A (en) * | 1994-06-16 | 1997-04-29 | Nikon Corporation | Method for transferring patterns with charged particle beam |
| JPH0869965A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-03-12 | Nikon Corp | 荷電粒子線転写方法 |
| JP3601630B2 (ja) * | 1995-11-01 | 2004-12-15 | 株式会社ニコン | 荷電粒子線転写方法 |
| JP2910714B2 (ja) * | 1996-12-26 | 1999-06-23 | 日本電気株式会社 | 電子線描画方法 |
-
1997
- 1997-07-08 JP JP19640997A patent/JPH1126372A/ja active Pending
-
1998
- 1998-07-08 US US09/111,451 patent/US6110626A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005048327A1 (ja) * | 2003-11-13 | 2005-05-26 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6110626A (en) | 2000-08-29 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050826 |
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