KR0120550B1 - 콘택홀 측정패턴 - Google Patents
콘택홀 측정패턴Info
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- KR0120550B1 KR0120550B1 KR1019940002279A KR19940002279A KR0120550B1 KR 0120550 B1 KR0120550 B1 KR 0120550B1 KR 1019940002279 A KR1019940002279 A KR 1019940002279A KR 19940002279 A KR19940002279 A KR 19940002279A KR 0120550 B1 KR0120550 B1 KR 0120550B1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
- H01L22/32—Additional lead-in metallisation on a device or substrate, e.g. additional pads or pad portions, lines in the scribe line, sacrificed conductors
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- H—ELECTRICITY
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- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
본 발명은 반도체 제조시 콘택홀 분석을 위한 콘택홀 측정패턴에 관한 것으로, 콘택홀 측정패턴은 상호소정 간격만큼 좌, 우로 쉬프트(shift)되어 배열됨으로써 웨이퍼 절단(cutting)시 임의 지점에서 홀의 중심부위를 지나는 것을 특징으로 함으로써 본 발명은 웨이퍼 단층 촬영이 용이하며, 시편을 만드는데도 단순하기 때문에 일의 능률을 향상시킬 수 있다.
Description
제1도는 종래 콘택홀 측정패턴의 패턴도.
제2도는 본 발명에 따른 콘택홀 측정패턴의 패턴도.
제3도는 제2도의 콘택홀 측정패턴이 배열된 테스트 마스크의 구성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 횡축 절단용 콘택 어레이 2 : 종축 절단용 콘택 어레이
3 : 종축 절단용 라인 및 스페이스 어레이
4 : 횡축 절단용 라인 및 스페이스 어레이
본 발명은 반도체 제조시 콘택홀 분석을 위한 콘택홀 측정패턴에 관한 것이다.
포토리소그래피 공정은 제품을 제작하기전 자체적으로 라인 및 스페이스나 콘택홀을 분석하여 공정을 개발하며, 일반적으로 테스트 페턴을 제작하여 사용한다. 이때 라인 및 스페이스 패턴은 길게 100 마이크로미터 이상이면 선폭의 제거나 단층을 촬영하는데 문제가 없다. 그러나 콘택홀의 경우는 찾아 측정하기도 힘들며 단층을 촬영하기는 더욱 어렵다.
제1도는 종래 콘택홀 측정패턴의 펙턴도로, 이를 참조하여 종래 기술을 개략적으로 설명하면 다음과 같다.
각 사이즈별 공정분석을 위하여 제1도에 도시된 바와 같은 콘택어레이를 만들어 사용하고 있다. 횡축으로는 사이즈 별로 나열하며 같은 크기를 3 내지 10개 정도 나열하는 것이 일반적이다. 종축으로는 100마이크로미터 이상으로 하여 주사전자현미경(SEM) 촬영이 용이하게 하였다.
그러나, 상기 구조는 콘택홀이 평형하게 나열되어 있기 때문에 웨이퍼 커팅시 원하는 콘택홀을 빗겨 지나가는 경우가 많아 측정이 곤란한 문제점이 따랐다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은 콘택패턴을 단층촬영하기 좋게 설계하는 콘택홀 측정패턴을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 반도체 제조시 콘택홀 분석을 위한 콘택홀 측정패턴에 있어서, 상기 콘택홀 측정패턴은 상호 소정 간격만큼 좌,우로 쉬프트(shift)되어 배열됨으로써 웨이퍼 절단(cutting)시 임의 지점에서 홀의 중심 부위를 지나는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상술한다.
본 발명은 콘택홀 측정패턴을 소정 간격만큼 쉬프트(shift)시켜 웨이퍼 절단(cutting)시 임의 지점에서 홀의 중심 부위를 지나도록 하는 기술이다.
그러면, 상기 기술의 구현방법을 제2도 및 제3도를 예로들어 구체적으로 살펴보자.
제2도는 본 발명에 따른 콘택홀 측정패턴의 패턴도, 제3도는 제2도의 콘택홀 측정패턴이 배열된 테스트 마스크의 구성도로 도면부호 1은 횡축 절단용 콘택 어레이, 2는 종축 절단용 콘택 어레이, 3은 종축 절단용 라인 및 스페이스 어레이, 4는 횡축 절단용 라인 및 스페이스 어레이를 각각 나타낸다.
먼저, 제2도에 도시된 바와 같이 콘택홀 측정패턴을 왼쪽을 기준으로 하여 오른쪽으로 갈수록 아래쪽으로 0.1마이크로미터씩 이동시켜 배열한다. 따라서 단층촬영에 용이하며, 더욱이 콘택홀의 횡축, 종축을 평가하기 위하여 가로 및 세로로의 배열도 가능하다. 이때 이동 간격은 패턴의 크기에 따르며 크기가 작은 경우는 0.1 마이크로미터 이하의 스텝도 가능하다.
제2도와 같이 설계된 패턴을 제3도에 도시된 바와 같이 테스트 마스크에 횡축, 종축으로 배열함으로써 콘택홀의 횡축, 종축의 공정결과를 쉽게 파악할 수 있게 한다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명은 웨이퍼 단층 촬영이 용이하며, 시편을 만드는데도 단순하기 때문에 일의 능률을 향상시킬 수 있다.
Claims (1)
- 반도체 제조시 콘택홀 분석을 위한 콘택홀 측정패턴에 있어서, 상기 콘택홀 측정패턴은 상호 소정 간격만큼 좌, 우로 쉬프트(shift)되어 배열됨으로써 웨이퍼 절단(cutting)시 임의 지점에서 홀의 중심 부위를 지나는 것을 특징으로 하는 콘택홀 측정패턴.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940002279A KR0120550B1 (ko) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | 콘택홀 측정패턴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940002279A KR0120550B1 (ko) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | 콘택홀 측정패턴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950025946A KR950025946A (ko) | 1995-09-18 |
| KR0120550B1 true KR0120550B1 (ko) | 1997-10-20 |
Family
ID=19376944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940002279A KR0120550B1 (ko) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | 콘택홀 측정패턴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0120550B1 (ko) |
-
1994
- 1994-02-07 KR KR1019940002279A patent/KR0120550B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950025946A (ko) | 1995-09-18 |
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