KR19990080187A - 반도체 웨이퍼 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼에 관한 것으로, 종래 반도체 웨이퍼는 각 패턴의 위치를 특정 위치에 표시한 참조점을 참조하여 개략적으로만 알 수 있으므로 정확한 패턴을 찾기 위해서는 작업시간의 소모가 많은 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 반도체 웨이퍼의 상부를 분할하고, 마스크 패턴에 전자빔을 주사하여 미세한 눈금 패턴을 형성하고, 그 패턴이 형성된 마스크를 이용하여 각 분할 영역의 빈 공간 또는 주요 지점에 미세 눈금을 형성하여 그 눈금에 표시된 절대적인 값에 의해 패턴의 위치를 알 수 있게 되어 작업시간을 단축하는 효과가 있다.

Description

반도체 웨이퍼

본 발명은 반도체 웨이퍼에 관한 것으로, 특히 전자빔으로 눈금을 새겨 넣어 작업자가 용이하게 정확한 위치를 선정하여 공정 및 검사하는데 적당하도록 한 반도체 웨이퍼에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 웨이퍼의 상부에는 반도체 소자의 형성으로 콘택홀 등의 각종 패턴이 그 상부에 형성되어 있는 상태이며, 작업자는 이후의 공정에서 정확한 마스크 정렬 또는 불량 분석을 하기 위해 패턴의 위치를 정확히 알 필요가 있으며, 이를 위해 종래에는 웨이퍼 상에 참조점을 표시하여 이를 기준으로 대강의 위치를 선정하였으며, 이와 같은 종래 반도체 웨이퍼를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도1은 종래 반도체 웨이퍼의 상부일부를 표시한 평면도로서, 이에 도시한 바와 같이 반도체 웨이퍼의 상부에는 각종 패턴(1~n)이 형성되어 있는 상태이며 이들의 위치를 확인하기 위한 참조점(P1~Pn)을 각 요소에 표시해 두었다.

이와 같이 참조점(P1~Pn)이 표시된 반도체 웨이퍼를 검사하거나 후속공정을 위해 마스크를 웨이퍼의 상부에 정렬시키는 경우, 참조점을 참조하여 특정 패턴의 위치를 찾거나 마스크를 정렬시킨다.

즉, 전자현미경을 사용하여 육안으로 반도체 웨이퍼 상에 형성된 패턴을 검사하여 그 형태 또는 증착상태 등을 확인하여 이상이 없는가를 판정하게 되는 경우 우선 특정 참조점(P1~Pn)을 찾은 후, 그 참조점으로부터의 상대적인 위치로 이동하여 그 위치의 패턴을 확인하게 되며, 이는 작업자의 경험 또는 개략적인 짐작과 참조점(P1~Pn)을 이용하여 찾아감으로 인해 작업시간이 과다하게 소모된다.

그리고, 이와 같은 관찰로 특정 패턴에 이상이 있음을 발견하여 마스크를 확인하는 경우, 반도체 웨이퍼 상에 이상이 있는 패턴의 위치를 마스크에서 찾기가 용이하지 않다.

상기한 바와 같이 종래 반도체 웨이퍼는 각 패턴의 위치를 특정 위치에 표시한 참조점을 참조하여 개략적으로만 알 수 있으므로 정확한 패턴을 찾기 위해서는 작업시간의 소모가 많은 문제점과 아울러 특정 위치의 패턴에 이상이 발생한 경우 마스크에서 그 패턴의 위치를 찾아내는 것이 용이하지 않은 문제점이 있었다.

이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 그 상부에 형성된 각 패턴의 절대적인 위치를 쉽게 알 수 있으며, 그 패턴의 위치를 마스크 패턴에서 용이하게 찾아낼 수 있는 반도체 웨이퍼를 제공함에 그 목적이 있다.

도1은 종래 반도체 웨이퍼 상부 일부의 평면도.

도2는 본 발명 반도체 웨이퍼 상부 일부의 평면도.

도3은 본 발명 반도체 웨이퍼의 분할 영역의 평면도.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

1~n:패턴

상기와 같은 목적은 반도체 웨이퍼를 다수의 영역으로 물리적 또는 가상적으로 분할하고, 각 분할영역의 종축과 횡축을 따라 미세한 눈금을 새겨 각 패턴의 위치를 눈금에 표시된 절대적인 값으로 표시함으로써 달성되는 것으로, 이와 같은 본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도2는 본 발명 반도체 웨이퍼의 상부 일부의 평면도로서, 이에 도시한 바와 같이 각 패턴(1~n)의 주변에 위치하는 반도체 웨이퍼의 빈 공간에 눈금(x,y)을 새겨 넣은 것을 특징으로 한다.

이와 같은 눈금은 마스크에 전자빔을 정확한 간격의 미세한 눈금(x,y)을 형성하고, 이를 패턴의 형성과 함께 반도체 웨이퍼 상에 표시한다.

반도체 웨이퍼 상에 눈금을 표시한 상태에서는 눈금(x,y)을 참조하여 각 패턴(1~n)의 정확한 위치를 알 수 있으며, 이를 이용하여 이상이 있는 패턴의 위치를 데이터화 할 수 있게 되어, 다른 작업자가 그 데이터를 참조하여 이상이 있는 패턴의 위치를 빠른 시간 내에 용이하게 찾아낼 수 있다.

만일 특정 위치의 패턴에 이상이 있는 것을 발견하고, 마스크에서 그 패턴의 위치를 찾아내는 경우에도, 마스크에 동일한 눈금(x,y)이 표시되어 있는 상태이므로, 용이하게 마스크 패턴을 찾아내어 이상여부를 판정할 수 있게 된다.

이와 같은 눈금(x,y)은 반도체 웨이퍼의 분할영역 각각에 표시할 수 있으며, 이는 그 눈금(x,y)의 시작위치를 특정한 표시방법(도면에서는 A로 표시)을 사용하여 각 분할영역의 눈금을 알 수 있다.

도3은 각 분할 영역을 나타낸 것으로 필요에 따라 그 수를 정하여 눈금을 형성하며, 그 위치는 각각 상기 눈금(x,y)의 전단에 표시한 표시기호(A,B...I)로서 구분한다.

상기한 바와 같이 본 발명은 반도체 웨이퍼는 각 분할영역의 횡축과 종축으로 눈금이 형성되어 각 패턴의 정확한 위치를 절대적인 값으로 데이터화함으로써, 공정 및 이상 판단시간을 줄이는 효과와 아울러 반도체 웨이퍼 상에 이상 있는 패턴의 위치를 마스크 상에서 용이하게 찾아낼 수 있어 수율을 향상시키는 효과가 있다.

Claims (2)

1. 다수의 반도체 소자 패턴이 형성되며, 그 상부를 다수의 영역으로 분할하고, 각 분할영역의 횡축과 종축에 미세 간격의 눈금을 갖는 것을 특징으로 반도체 웨이퍼.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 미세 간격의 눈금은 마스크 패턴에 전자빔을 주사하여 패턴을 형성하고, 그 패턴이 형성된 마스크를 이용하여 각 분할 영역의 빈 공간 또는 주요 지점에 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼.