CN113093479B - 对准量测标记结构及对准量测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种对准量测标记结构及对准量测方法，包括：第一套刻标记；第二套刻标记，所述第二套刻标记包括待量测图形结构；其中，所述第一套刻标记与所述第二套刻标记位于相邻层，且所述第一套刻标记在所述第二套刻标记所在层的正投影位于所述第二套刻标记内侧，或所述第一套刻标记在所述第二套刻标记所在层的正投影位于所述第二套刻标记的外围。本发明的对准量测标记结构通过设置待量测图形结构作为第二套刻标记，在使用对准量测标记结构进行对准时即可实现待量测图形结构的量测，可以提高对准和量测的工作效率；同时本发明的对准量测标记结构可以使用光学量测方式对待量测图形进行量测，量测过程中不会产生气体副产物，不会对晶圆造成污染。

Description

对准量测标记结构及对准量测方法
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种对准量测标记结构及对准量测方法。
背景技术
在现有半导体工艺中，在光刻等工艺中都会涉及设置对准图形，对对准图形进行光学对准以实现层与层之间的对准；但目前的对准图形用途比较单一，仅能用于对准。
同时，在现有半导体工艺中，对待量测图形进行量测一般是独立于对准的单独工艺步骤，而且一般在真空腔体内采用SEM(扫描电子显微镜)来执行量测。在量测过程中，尤其是待量测图形位于较厚的光刻胶层表面时，会产生较多的气体副产物，产生的气体副产物会造成真空腔体内晶圆的污染。
发明内容
基于此，有必要针对上述问题，提供一种对准量测标记结构及对准量测方法，以解决现有技术中对准图形用途比较单一，仅能用于对准的问题，以及使用SEM对待量测图形进行量测时容易造成晶圆污染的问题。
本申请提供一种对准量测标记结构，包括：
第一套刻标记；
第二套刻标记，所述第二套刻标记包括待量测图形结构；其中，
所述第一套刻标记与所述第二套刻标记位于相邻层，且所述第一套刻标记在所述第二套刻标记所在层的正投影位于所述第二套刻标记内侧，或所述第一套刻标记在所述第二套刻标记所在层的正投影位于所述第二套刻标记的外围。
在一个可选的实施例中，所述第二套刻标记的形状包括圆形、十字形或正多边形。
在一个可选的实施例中，所述第二套刻标记包括硅通孔图形。
在一个可选的实施例中，
所述第一套刻标记在所述第二套刻标记所在层的正投影位于所述第二套刻标记外围时，所述第一套刻标记包括：
第一对准图形，所述第一对准图形在所述第二套刻标记所在层的正投影位于所述第二套刻标记相对的两侧，所述第一对准图形沿第一方向延伸；
第二对准图形，所述第二对准图形在所述第二套刻标记所在层的正投影位于所述第二套刻标记相对的两侧，且位于所述第一对准图形的外侧，与所述第一对准图形具有间距，所述第二对准图形沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向正交。
在一个可选的实施例中，所述第一对准图形包括单个第一对准结构，所述第二对准图形包括单个第二对准结构。
在一个可选的实施例中，所述第一对准图形包括多个平行间隔排布的第一对准结构，所述第二对准图形包括多个平行间隔排布的第二对准结构。
在一个可选的实施例中，所述第一对准结构及所述第二对准结构均为条状结构。
在一个可选的实施例中，所述第一对准结构长度大于所述第二套刻标记沿所述第一方向的尺寸，所述第一对准结构长度大于所述第二套刻标记沿所述第二方向的尺寸。
在其中一个实施例中，所述第二套刻标记在所述第一方向或所述第二方向的尺寸不小于3μm，所述第一套刻标记在所述第一方向或所述第二方向的尺寸为30μm～80μm，所述第一套刻标记在所述第二套刻标记所在层的正投影的边缘与所述第二套刻标记的间距不小于2μm。
在其中一个实施例中，所述第一套刻标记包括环形套刻标记。
在其中一个实施例中，所述第一套刻标记的中心与所述第二套刻标记的中心相重合。
在其中一个实施例中，所述第一套刻标记及/或所述第二套刻标记位于光刻胶层的表面。
一种对准量测方法，基于如上述任一方案中所述的对准量测标记结构进行对准量测，包括：
沿第一方向自所述对准量测标记结构的一侧连续采集信号至相对的另一侧；
沿第二方向自所述对准量测标记结构的一侧连续采集信号至相对的另一侧；
根据量测结构判定所述第一套刻标记与所述第二套刻标记是否对准，并根据所述量测结果得到所述第二套刻标记的关键尺寸。
在一个可选的实施例中，使用光学量测工具基于量测光路对所述对准量测标记结构进行量测。
在一个可选的实施例中，所述第一套刻标记的中心与所述第二套刻标记的中心相重合，沿第一方向自所述对准量测标记结构的一侧连续采集信号至相对的另一侧的量测光路及沿第二方向自所述对准量测标记结构的一侧连续采集信号至相对的另一侧的量测光路均经过所述第一套刻标记的中心及所述第二套刻标记的中心。
在一个可选的实施例中，所述第一套刻标记在所述第二套刻标记所在层的正投影位于所述第二套刻标记外围时，沿第一方向自所述对准量测标记结构的一侧连续采集信号至相对的另一侧的量测光路的宽度及沿第二方向自所述对准量测标记结构的一侧连续采集信号至相对的另一侧的量测光路的宽度均为所述第二套刻标记宽度的0.5倍～1倍。
本发明的对准量测标记结构通过设置待量测图形结构作为第二套刻标记，在使用对准量测标记结构进行对准时即可实现待量测图形结构的量测，可以提高对准和量测的工作效率；同时本发明的对准量测标记结构可以使用光学量测方式对待量测图形进行量测，量测过程中不会产生气体副产物，不会对晶圆造成污染；
本发明的对准量测方法通过特定的量测方式可以同时实现对准和量测，可以提高对准和量测的工作效率；同时本发明的对准量测标记结构可以使用光学量测方式对待量测图形进行量测，量测过程中不会产生气体副产物，不会对晶圆造成污染。
附图说明
图1至图8为本发明提供的不同的对准量测标记结构的俯视结构示意图；
图9为本发明提供的对准量测方法的流程图；
图10为本发明提供的对准量测方法中对对准量测标记进行量测的示意图。
附图标记说明：11、第一套刻标记；111L、111R、第一对准图形；1111、第一对准结构；112U、112D、第二对准图形；1121、第二对准结构；12、第二套刻标记；13、量测光路。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方法或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
请参阅图1，本申请提供一种对准量测标记结构，包括：第一套刻标记11；第二套刻标记12，第二套刻标记12包括待量测图形结构；其中，第一套刻标记11在第二套刻标记12所在层的正投影位于第二套刻标记12的外围。
在另一个示例中，还可以为第一套刻标记11与第二套刻标记12位于相邻层，且第一套刻标记11在第二套刻标记12所在层的正投影位于第二套刻标记12内侧。
本发明的对准量测标记结构通过设置待量测图形结构作为第二套刻标记12，在使用对准量测标记结构进行对准时即可实现待量测图形结构的量测，可以提高对准和量测的工作效率；同时本发明的对准量测标记结构可以使用光学量测方式对待量测图形进行量测，量测过程中不会产生气体副产物，不会对晶圆造成污染。
作为示例，第二套刻标记12的形状可以根据实际需要进行灵活设定，图1中以第二套刻标记12的形状为圆形作为示例。但在其他示例中，第二套刻标记12的形状还可以为但不仅限于十字形(如图3所示)或正多边形，譬如，八边形(如图2所示)、矩形(如图4所示)、六边形(如图5所示)或菱形(如图6所示)等等
在一个示例中，第二套刻标记12可以为对量测精度要求不高的待量测图形，譬如，第二套刻标记12可以包括但不仅限于硅通孔图形。本实施例中第二套刻标记12对应的待量测图形不做限定。
在一个示例中，第一套刻标记11在第二套刻标记12所在层的正投影位于第二套刻标记12外围时，如图1至图7所示，第一套刻标记11可以包括：
第一对准图形111L及LLR，第一对准图形111L及111R在第二套刻标记12所在层的正投影位于第二套刻标记12相对的两侧，第一对准图形111L及111R沿第一方向延伸；图1至图7以第一对准图形111L及111R在第二套刻标记12所在层的正投影位于第二套刻标记12左右两侧作为示例，即第一对准标记111L在第二套刻标记12所在层的正投影位于第二套刻标记12的左侧，第一对准标记111R在第二套刻标记12所在层的正投影位于第二套刻标记12的右侧；
第二对准图形112U及112D，第二对准图形112U及112D在第二套刻标记12所在层的正投影位于第二套刻标记12相对的两侧，且位于第一对准图形111L及111R的外侧，第二对准图形12与第一对准图形111L及111R具有间距，第二对准图形112U及112D沿第二方向延伸，第二方向与所述第一方向正交；图1至图7以第二对准图形112U及112D在第二套刻标记12所在层的正投影位于第二套刻标记12前后两侧作为示例，即第二对准图形112D在第二套刻标记12所在层的正投影位于第二套刻标记12的前侧，第二对准图形112U在第二套刻标记12所在层的正投影位于第二套刻标记12的后侧。
作为示例，如图1至图6所示，第一对准图形111L及11R包括单个第一对准结构1111，第二对准图形112U及112D包括单个第二对准结构1121；即第一对准图形111L及111R在第二套刻标记12所在层的正投影在第二套刻标记12各层均只有一个第一对准结构1111或一个第二对准结构1121，图1至图6中的第一对准图形11即为一个第一对准结构1111，一个第二对准图形12即为一个第二对准结构1121。
作为示例，如图8所示，第一对准图形111L及111R可以包括多个平行间隔排布的第一对准结构1111，第二对准图形112U及112D可以包括多个平行间隔排布的第二对准结构1121。需要说明的是，图8中以第一对准图形111L及111R包括两个平行间隔排布的第一对准结构1111，第二对准图形112U及112D包括两个平行间隔排布的第二对准结构1121作为示例，在其他示例中，第一对准图形111L及111R中第一对准结构1111的具体数量及第二对准图形112U及112D中第二对准结构1121的具体数量并不以此为限。
作为示例，第一对准结构1111及第二对准结构1121的具体结构可以完全相同，也可以不同；本实施例中，第一对准结构1111及第二对准结构1121可以均为但不仅限于条状结构。
作为示例，第一对准结构1111的长度及第二对准结构1121的长度可以根据实际需要进行设定，本实施例中，第一对准结构1111的长度大于第二套刻标记12沿第一方向的尺寸，第一对准结构1111的长度大于第二套刻标记12沿第二方向的尺寸。
作为示例，请继续参阅图1，第二套刻标记12在第一方向或第二方向的尺寸D不小于3μm，具体的，第二套刻标记12在第一方向或第二方向的尺寸D可以为3μm、4μm、5μm、8μm或10μm等等；第一套刻标记11在第一方向或第二方向的尺寸L1为30μm～80μm，具体的，第一套刻标记11在第一方向或第二方向的尺寸L1可以为30μm、40μm、50μm、60μm、70μm或80μm等等；第一套刻标记11在第二套刻标记12所在层的正投影的边缘与12第二套刻标记的间距L2不小于2μm，具体的，第一套刻标记11在第二套刻标记12所在层的正投影的边缘与12第二套刻标记的间距L2可以为2μm、3μm、4μm、5μm或10μm等等。
在又一个实施例中，如图9所示，第一套刻标记11还可以包括环形套刻标记。
作为示例，第一套刻标记11的中心与第二套刻标记12的中心可以相重合。
作为示例，第一套刻标记11及/或第二套刻标记12可以位于光刻胶层的表面；即第一套刻标记11及第二套刻标记12的二者中至少一者位于光刻胶层的表面。
在另一个实施例中，请结合图1至图8参阅图9，本申请还提供一种对准量测方法，本申请的对准量测方法基于如上述实施例中所述的对准量测标记结构进行对准量测，对准量测标记结构的具体结构请参阅图1至图8及相关文字描述，此处不再累述；对准量测方法包括：
S10：沿第一方向自对准量测标记结构的一侧连续采集信号至相对的另一侧；
S20：沿第二方向自对准量测标记结构的一侧连续采集信号至相对的另一侧；
S30：根据量测结构判定第一套刻标记11与第二套刻标记12是否对准，并根据量测结果得到所述第二套刻标记的关键尺寸。
本发明的对准量测方法通过沿第一方向和第二方向自对准量测标记结构一侧向另一侧连续采集信号的特定的量测方式进行量测，可以同时实现对准和量测，可以提高对准和量测的工作效率；同时本发明的对准量测标记结构可以使用光学量测方式对待量测图形进行量测，量测过程中不会产生气体副产物，不会对晶圆造成污染。
作为示例，使用光学量测工具基于量测光路对对准量测标记结构进行量测。
作为示例，如图10所示，第一套刻标记11的中心与第二套刻标记12的中心相重合，沿第一方向自对准量测标记结构的一侧连续采集信号至相对的另一侧的量测光路13及沿第二方向自所述对准量测标记结构的一侧连续采集信号至相对的另一侧的量测光路13均经过第一套刻标记11的中心及第二套刻标记12的中心；即量测光路13可以从第一对准图形111L远离第二套刻标记12的一侧连续采集信号至第一对准图形111R远离第二套刻标记12的一侧，从第二对准图形112U远离第二套刻标记12的一侧连续采集信号至第二对准图形112D远离第二套刻标记12的一侧，两路量测光路13均采集通过第二套刻标记12。现有的对准方法为在第一套刻标记11和第二套刻标记12上分别选择多个块状量测区域分段式采集信号，根据量测信号的突变判断量测区域的边界，然后根据判断结果来判定第一套刻标记11与第二套刻标记12是否对准；但现有的对准方法会受到杂质噪声的干扰，杂质噪声的干扰会引起误判，从而导致判定结果不准确；而本申请的方法通过连续采集信号的方式，采集较完整的信号区间，可以辨别杂质噪声，从而使杂质噪声不会对采集信号形成干扰，进而可以提高对准量测的精确性。
作为示例，第一套刻标记11在第二套刻标记12所在层的正投影位于第二套刻标记12外围时，沿第一方向自对准量测标记结构的一侧连续采集信号至相对的另一侧的量测光路13的宽度及沿第二方向自对准量测标记结构的一侧连续采集信号至相对的另一侧的量测光路13的宽度可以均为第二套刻标记12宽度的0.5倍～1倍，具体的，沿第一方向自对准量测标记结构的一侧连续采集信号至相对的另一侧的量测光路13的宽度及沿第二方向自对准量测标记结构的一侧连续采集信号至相对的另一侧的量测光路13的宽度可以均为第二套刻标记12宽度的0.5倍、0.6倍、0.7倍、0.8倍、0.9倍或1倍。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (15)

1.一种对准量测标记结构，其特征在于，包括：
第一套刻标记；
第二套刻标记，所述第二套刻标记包括需要量测关键尺寸的待量测图形结构；所述第二套刻标记包括硅通孔图形；其中，
所述第一套刻标记与所述第二套刻标记位于相邻层，且所述第一套刻标记在所述第二套刻标记所在层的正投影位于所述第二套刻标记内侧，或所述第一套刻标记在所述第二套刻标记所在层的正投影位于所述第二套刻标记的外围。
2.根据权利要求1所述的对准量测标记结构，其特征在于，所述第二套刻标记的形状包括圆形、十字形或正多边形。
3.根据权利要求1所述的对准量测标记结构，其特征在于，所述第一套刻标记在所述第二套刻标记所在层的正投影位于所述第二套刻标记外围时，所述第一套刻标记包括：
第一对准图形，所述第一对准图形在所述第二套刻标记所在层的正投影位于所述第二套刻标记相对的两侧，所述第一对准图形沿第一方向延伸；
第二对准图形，所述第二对准图形在所述第二套刻标记所在层的正投影位于所述第二套刻标记相对的两侧，且位于所述第一对准图形的外侧，与所述第一对准图形具有间距，所述第二对准图形沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向正交。
4.根据权利要求3所述的对准量测标记结构，其特征在于，所述第一对准图形包括单个第一对准结构，所述第二对准图形包括单个第二对准结构。
5.根据权利要求3所述的对准量测标记结构，其特征在于，所述第一对准图形包括多个平行间隔排布的第一对准结构，所述第二对准图形包括多个平行间隔排布的第二对准结构。
6.根据权利要求4或5所述的对准量测标记结构，其特征在于，所述第一对准结构及所述第二对准结构均为条状结构。
7.根据权利要求4或5所述的对准量测标记结构，其特征在于，所述第一对准结构长度大于所述第二套刻标记沿所述第一方向的尺寸，所述第一对准结构长度大于所述第二套刻标记沿所述第二方向的尺寸。
8.根据权利要求3所述的对准量测标记结构，其特征在于，所述第二套刻标记在所述第一方向或所述第二方向的尺寸不小于3μm，所述第一套刻标记在所述第一方向或所述第二方向的尺寸为30μm～80μm，所述第一套刻标记在所述第二套刻标记所在层的正投影的边缘与所述第二套刻标记的间距不小于2μm。
9.根据权利要求1所述的对准量测标记结构，其特征在于，所述第一套刻标记包括环形套刻标记。
10.根据权利要求1所述的对准量测标记结构，其特征在于，所述第一套刻标记的中心与所述第二套刻标记的中心相重合。
11.根据权利要求1所述的对准量测标记结构，其特征在于，所述第一套刻标记及/或所述第二套刻标记位于光刻胶层的表面。
12.一种对准量测方法，其特征在于，基于如权利要求1至11中任一项所述的对准量测标记结构进行对准量测，包括：
沿第一方向自所述对准量测标记结构的一侧连续采集信号至相对的另一侧；
沿第二方向自所述对准量测标记结构的一侧连续采集信号至相对的另一侧；
根据量测结构判定所述第一套刻标记与所述第二套刻标记是否对准，并根据量测结果得到所述第二套刻标记的关键尺寸。
13.根据权利要求12所述的对准量测方法，其特征在于，使用光学量测工具基于量测光路对所述对准量测标记结构进行量测。
14.根据权利要求13所述的对准量测方法，其特征在于，所述第一套刻标记的中心与所述第二套刻标记的中心相重合，沿第一方向自所述对准量测标记结构的一侧连续采集信号至相对的另一侧的量测光路及沿第二方向自所述对准量测标记结构的一侧连续采集信号至相对的另一侧的量测光路均经过所述第一套刻标记的中心及所述第二套刻标记的中心。
15.根据权利要求13所述的对准量测方法，其特征在于，所述第一套刻标记在所述第二套刻标记所在层的正投影位于所述第二套刻标记外围时，沿第一方向自所述对准量测标记结构的一侧连续采集信号至相对的另一侧的量测光路的宽度及沿第二方向自所述对准量测标记结构的一侧连续采集信号至相对的另一侧的量测光路的宽度均为所述第二套刻标记宽度的0.5倍～1倍。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113093479B (zh) * 2021-04-02 2022-10-28 长鑫存储技术有限公司 对准量测标记结构及对准量测方法
CN115586714B (zh) * 2022-12-13 2023-04-07 合肥新晶集成电路有限公司 套刻对准图形及测量方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203825357U (zh) * 2014-02-19 2014-09-10 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种用于识别光掩膜待量测图形的结构
CN108693714A (zh) * 2018-05-25 2018-10-23 德淮半导体有限公司 Opc数据收集方法及opc数据收集装置
CN112015061A (zh) * 2020-08-27 2020-12-01 上海华力集成电路制造有限公司 一种套刻精度量测标记及其使用方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1203524C (zh) * 2001-11-30 2005-05-25 联华电子股份有限公司 叠合标记及其应用方法
US7190823B2 (en) * 2002-03-17 2007-03-13 United Microelectronics Corp. Overlay vernier pattern for measuring multi-layer overlay alignment accuracy and method for measuring the same
JP2007208081A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Oki Electric Ind Co Ltd アラインメントマーク、合わせマーク及び半導体装置の製造方法
US7879514B2 (en) * 2006-08-04 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic method and patterning device
JP5623033B2 (ja) * 2009-06-23 2014-11-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置、リソグラフィ方法、及び半導体装置の製造方法
CN102736431B (zh) * 2011-04-08 2015-08-26 上海微电子装备有限公司 一种测量运动台运动精度的测量装置及其测量方法
CN104698773B (zh) * 2015-03-31 2017-06-16 上海华力微电子有限公司 光刻对准标记结构及其制造方法
CN108417562B (zh) * 2018-03-19 2019-04-26 长江存储科技有限责任公司 套刻标记及其可靠性验证方法
CN108628107A (zh) * 2018-04-13 2018-10-09 上海华力集成电路制造有限公司 套刻误差测量方法及套刻标记
CN112201645B (zh) * 2020-09-18 2024-04-12 武汉新芯集成电路制造有限公司 套刻标识、晶圆的套刻误差测量方法及晶圆的堆叠方法
CN112420674B (zh) * 2020-11-19 2023-04-07 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 套刻对准标记和套刻误差测量方法
CN113093479B (zh) * 2021-04-02 2022-10-28 长鑫存储技术有限公司 对准量测标记结构及对准量测方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203825357U (zh) * 2014-02-19 2014-09-10 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种用于识别光掩膜待量测图形的结构
CN108693714A (zh) * 2018-05-25 2018-10-23 德淮半导体有限公司 Opc数据收集方法及opc数据收集装置
CN112015061A (zh) * 2020-08-27 2020-12-01 上海华力集成电路制造有限公司 一种套刻精度量测标记及其使用方法

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