TWI498938B - 荷電粒子束描繪裝置、光圈單元及荷電粒子束描繪方法 - Google Patents

Description

荷電粒子束描繪裝置、光圈單元及荷電粒子束描繪方法

本發明是有關於一種荷電粒子束描繪裝置、光圈單元及荷電粒子束描繪方法。

伴隨著近年來的大規模積體電路(Large Scale Integrated circuit，LSI)的高積體化及大容量化，半導體元件中所需的電路線寬日益變得微小。為了在半導體元件中形成所需的電路圖案，是使用光微影技術(lithography technology)，在上述光微影技術中，使用被稱為遮罩(標線片(reticle))的原畫圖案進行圖案轉印。為了製造用於上述圖案轉印的高精度的遮罩，是使用具有優異的解析度的荷電粒子束描繪裝置。

在上述荷電粒子束描繪裝置中，通常使用光圈(成形光圈)，而使荷電粒子束成形。具體而言，將轉印至晶圓上的電路圖案分解成多個基本圖形，並藉由多個光圈，使荷電粒子束成形為與各基本圖形相同的形狀及尺寸(大小)。其後，將經成形的荷電粒子束照射至抗蝕劑上，而實施描繪。

作為此時的荷電粒子束的一個成形方法，有可變成形束方式(Variable Shaped Beam：VSB方式)。上述方式是藉由輸入矩形、三角形及梯形的圖案作為基本圖形，對包括供荷電粒子束通過的開口部的兩片光圈的重合量進行控制，來使荷電粒子束成形為矩形或三角形等所需的形狀及尺寸。

在此種荷電粒子束描繪裝置中，由存在於環境中的碳等所引起的污染(contamination)成為問題。在荷電粒子束描繪裝置內的環境中，存在原本不應存在的成分變為氣體而混入的情況。因此，當荷電粒子束描繪裝置的運轉時間變長時，存在由上述成分所引起的污染物質附著於光圈的開口部(開口的變形)，導致荷電粒子束的形狀或尺寸發生變化的情況。上述荷電粒子束的形狀或尺寸的變化會引起描繪精度的下降。

因此，為了解決上述污染，已提出有如下的荷電粒子束描繪裝置：藉由膜厚測定器及元素分析器來對污染物質附著於光圈表面的狀況進行測定，當附著有規定量以上的污染物質時，藉由利用加熱器的加熱，或者藉由利用氧電漿(oxygen plasma)或離子束的蝕刻，來去除污染物質。

但是，在如上所述對污染物質附著於光圈表面的狀況進行測定的荷電粒子束描繪裝置中，允許污染物質的附著不超過規定量，但是在描繪過程中即便污染物質僅少量附著於光圈的開口部，荷電粒子束的形狀或尺寸亦會發生變化，從而描繪精度下降。

而且，為了抑制污染，需要使光圈溫度為數百度(例如， 200℃)的高溫，因此在描繪過程中大量電流會流入至加熱器。此時，若荷電粒子束因加熱器所產生的磁場(磁界)的影響而發生偏轉，則描繪位置會發生偏移，從而導致描繪精度下降。因此，需要縮小在描繪過程中流入至加熱器的電流，而抑制所產生的磁場的影響，但是若縮小電流則加熱器的發熱量下降，因此難以使光圈溫度為數百度的高溫。

再者，為了使光圈溫度為數百度的高溫，而在光圈表面上直接設置有加熱器(電熱絲)時，電流亦會流入至光圈。此時，若荷電粒子束因光圈所產生的磁場的影響而發生偏轉，則與上述相同，描繪位置會發生偏移，從而導致描繪精度下降。

本發明提供一種可抑制由光圈的污染所引起的描繪精度的下降的荷電粒子束描繪裝置、光圈單元及荷電粒子束描繪方法。

根據一個實施形態，荷電粒子束描繪裝置包括：束射出部，射出荷電粒子束；光圈，包括供由束射出部所射出的荷電粒子束通過的開口部；導熱構件，設置於光圈的表面，具有導熱性；以及加熱器，設置於導熱構件的表面，經由導熱構件對光圈供熱。

又，根據另一個實施形態，光圈單元包括：光圈，包括供荷電粒子束通過的開口部；導熱構件，設置於光圈的表面，具有導熱性；以及加熱器，設置於導熱構件的表面，經由導熱構件對光圈供熱。

又，根據另一個實施形態，荷電粒子束描繪方法包括如下步驟：經由具有導熱性的導熱構件對光圈供熱，上述光圈包括供荷電粒子束通過的開口部；以及向經供熱的光圈的開口部照射荷電粒子束。

1‧‧‧荷電粒子束描繪裝置

2‧‧‧描繪部

2a‧‧‧描繪室

2b‧‧‧光學鏡筒

3‧‧‧控制部

3a‧‧‧描繪資料記憶部

3b‧‧‧發射資料生成部

3c‧‧‧描繪控制部

11‧‧‧平台

21‧‧‧束射出部

22‧‧‧照明透鏡

23‧‧‧第1光圈

23a、26a、41、51、53、54‧‧‧開口部

24‧‧‧投影透鏡

25‧‧‧成形偏轉器

26‧‧‧第2光圈

27‧‧‧物鏡

28‧‧‧副偏轉器

29‧‧‧主偏轉器

31‧‧‧光圈單元

32‧‧‧固持器

32a‧‧‧固持器基座

32b‧‧‧固持器環

33‧‧‧單元本體

33a‧‧‧光圈基座

33b‧‧‧光圈強化板

33c‧‧‧光圈束射管

33d‧‧‧加熱器

33e‧‧‧加熱器按壓環

33f‧‧‧隔熱球

33g‧‧‧加熱器按壓構件

33h‧‧‧固定構件

34‧‧‧單元按壓構件

35‧‧‧固定構件

42‧‧‧溝槽

43‧‧‧隔熱球

52、56、57‧‧‧孔部

55‧‧‧電熱絲

B‧‧‧電子束

O1‧‧‧第2光圈的開口部的中央

W‧‧‧試樣

S1~S6‧‧‧步驟

圖1是表示實施形態的荷電粒子束描繪裝置的概略構成的圖。

圖2是用以說明實施形態的荷電粒子束的成形的說明圖。

圖3是表示實施形態的光圈單元的概略構成的俯視圖。

圖4是圖3所示的A1-A1線的剖面圖。

圖5是表示實施形態的固持器基座的俯視圖。

圖6是表示實施形態的加熱器的俯視圖。

圖7是表示實施形態的描繪處理的流程的流程圖。

以下，參照圖式對一實施形態進行說明。

如圖1所示，實施形態的荷電粒子束描繪裝置1包括：描繪部2，藉由荷電粒子束來進行描繪；以及控制部3，對上述描繪部2進行控制。上述荷電粒子束描繪裝置1是例如使用電子束作為荷電粒子束的可變成形型的描繪裝置的一例。再者，荷電粒子束並不限於電子束，亦可為離子束等其他荷電粒子束。

描繪部2包括：描繪室2a，收納作為描繪對象的試樣W；以及光學鏡筒2b，與上述描繪室2a連通。上述光學鏡筒2b設置 於描繪室2a的上面，使電子束成形及偏轉，而照射至描繪室2a內的試樣W。此時，描繪室2a及光學鏡筒2b這兩者的內部經減壓而成為真空狀態。

在描繪室2a內，設置有支撐試樣W的平台(stage)11。上述平台11形成為可藉由移動功能而沿在水平面內彼此正交的X軸方向及Y軸方向(以下僅稱為X方向及Y方向)移動。在上述平台11的載置面上，例如載置遮罩或胚料(blank)等的試樣W。

在光學鏡筒2b內配置有：電子槍等束射出部21，射出電子束B；照明透鏡22，使上述電子束B聚集；束成形用的第1光圈23；投影用的投影透鏡24；束成形用的成形偏轉器25；束成形用的第2光圈26；物鏡27，使束聚焦於試樣W上；以及副偏轉器28及主偏轉器29，用以控制束相對於試樣W的發射(shot)位置。

如圖2所示，在第1光圈23上，例如形成有矩形狀的開口部23a。並且，在第2光圈26上，形成有可變成形用的開口部26a，上述可變成形用的開口部26a使已通過開口部23a的電子束B成形為所需的形狀(例如，矩形狀或三角形狀等)及尺寸(大小)。

在上述描繪部2中，如圖1及圖2所示，自束射出部21射出電子束B，並藉由照明透鏡22而將上述電子束B照射至第1光圈23。上述電子束B通過第1光圈23的開口部23a，而使其剖面形狀成形為矩形狀，並藉由投影透鏡24而投影至第2光圈26。 此外，上述已被投影的電子束B通過第2光圈26的開口部26a，而使其剖面形狀成形為所需的形狀及尺寸。此時，上述投影位置可藉由成形偏轉器25來加以變更，從而可藉由變更上述投影位置來控制電子束B的形狀及尺寸。上述已通過第2光圈26的電子束B是藉由物鏡27使其焦點對準平台11上的試樣W而加以照射。此時，電子束B相對於平台11上的試樣W的發射位置可藉由副偏轉器28及主偏轉器29來加以變更。

控制部3包括：描繪資料記憶部3a，記憶描繪資料；發射資料生成部3b，對上述描繪資料進行處理而生成發射資料；以及描繪控制部3c，對描繪部2進行控制。再者，發射資料生成部3b或描繪控制部3c可由電路等硬體所構成，而且亦可由執行各功能的程式等軟體所構成，或者亦可由電路等硬體及執行各功能的程式等軟體這兩者的組合所構成。

描繪資料記憶部3a是記憶用以對試樣W描繪圖案的描繪資料的記憶部。上述描繪資料是已轉換成可將半導體積體電路的設計者等所製作的設計資料(布局(layout)資料)輸入至荷電粒子束描繪裝置1的資料，即，是已轉換成荷電粒子束描繪裝置1用的格式的資料，自外部裝置輸入至描繪資料記憶部3a而加以保存。再者，作為描繪資料記憶部3a，例如，可使用磁碟裝置或半導體碟片裝置(快閃記憶體(flash memory))等。

此處，上述設計資料通常包括多個微小圖案(圖形等)，上述資料量的容量相當之大。若將上述設計資料直接轉換為其他 格式，則轉換後的資料量會進一步增大。因此，對於描繪資料，藉由資料的級別化或圖案的陣列顯示等的方法，來使資料量壓縮化。例如，對描繪資料以如下方式加以級別化(級別構造)：碼片(chip)級別、較上述碼片級別更低的訊框(frame)級別、較上述訊框級別更低的資料段(block)級別、較上述資料段級別更低的儲存格(cell)級別、較上述儲存格級別更低的圖形級別。

發射資料生成部3b將藉由描繪資料而規定的描繪圖案分割成條帶狀(帶狀)的多個條帶區域(長邊方向為X方向，短邊方向為Y方向)，進而將各條帶區域分割成矩陣狀的多個子區域。此外，發射資料生成部3b確定各子區域內的圖形的形狀、大小、位置等，進而在無法利用一次發射來描繪圖形時，分割成可進行描繪的多個部分區域，而生成發射資料。再者，條帶區域的短邊方向(Y方向)的長度設定為能夠使電子束B以主偏轉進行偏轉的長度。

描繪控制部3c在描繪上述描繪圖案時，一面使平台11在條帶區域的長邊方向(X方向)上移動，一面藉由主偏轉器29而將電子束B定位於各子區域，並且藉由副偏轉器28發射至子區域的規定位置而描繪圖形。其後，當一個條帶區域的描繪結束後，使平台11沿Y方向步進移動後進行下一個條帶區域的描繪，反覆進行所述操作而對試樣W的整個描繪區域藉由電子束B進行描繪(描繪動作的一例)。再者，在描繪過程中，是平台11沿一個方向連續地移動，因此以描繪原點追隨於平台11的移動的方式，藉 由主偏轉器29而使子區域的描繪原點進行追蹤。

如上所述，電子束B是一面藉由副偏轉器28及主偏轉器29而發生偏轉，追隨於連續地移動的平台11，一面確定其照射位置。藉由連續地進行平台11的X方向的移動，並且使電子束B的發射位置追隨於上述平台11的移動，可縮短描繪時間。然而，雖在本實施形態中，是連續地進行平台11的X方向的移動，但並不限定於此，例如，亦可使用步進重複(step and repeat)方式的描繪方法，即，在使平台11停止的狀態下進行一個子區域的描繪，當向下一個子區域移動時則不進行描繪。

其次，對內置上述第2光圈26的光圈單元(光圈固持器)31進行說明。

如圖3及圖4所示，光圈單元31包括：光圈專用的固持器32；單元本體33，組裝於上述固持器32上；多個單元按壓構件34，壓住上述單元本體33；以及多個固定構件35，將各單元按壓構件34分別固定於固持器32上。

固持器32包括：板狀的固持器基座(holder base)32a；以及環狀的固持器環32b，設置於上述固持器基座32a上。固持器基座32a包括供電子束B通過的開口部41。再者，作為所述固持器基座32a及固持器環32b的材料，可使用例如鈦等材料。

上述固持器32可裝卸地形成於光學鏡筒2b內的規定位置。藉此，光圈單元31可藉由專用夾具而連同固持器32一併加以安裝或拆卸(裝卸)。再者，關於固持器32的更換，只要使描 繪室2a或光學鏡筒2b等的柱筒(column)內為大氣環境，即可不對各部進行分解。

此處，在固持器基座32a的表面上，即在對單元本體33進行支撐的支撐面上，如圖5所示，形成有剖面呈V字形狀的多條(圖5中為三條)溝槽42。在該些溝槽42中，分別設置有隔熱球43。各隔熱球43可沿各自所設置的溝槽42移動，且以三點對單元本體33進行支撐(點接觸)。再者，作為各隔熱球43的材料，可使用導熱係數低於其他構件的材料，例如可使用氧化鋯或氮化矽等材料。

返回至圖3及圖4，單元本體33包括：上述第2光圈26、光圈基座33a、光圈強化板33b、光圈束射管33c、加熱器33d、加熱器按壓環33e、多個隔熱球33f、加熱器按壓構件33g及固定構件33h。

光圈基座33a形成為上部開口的圓柱形的箱體形狀，在其底面上包含供電子束B通過的開口部51。在上述光圈基座33a的下表面，即在固持器基座32a側的表面上，形成有多個(例如，三個)孔部52。光圈基座33a是使上述各孔部52與固持器基座32a上的各隔熱球43對準，而設置於該些隔熱球43上。藉此，以各隔熱球43的三點對單元本體33進行支撐(點接觸)。再者，作為光圈基座33a的材料，例如可使用鈦等材料。

光圈強化板33b包含供電子束B通過的開口部53，且設置於光圈基座33a的底部的上表面，即設置於與固持器基座32a 為相反側的表面。上述光圈強化板33b是對第2光圈26進行強化的板材。再者，作為光圈強化板33b的材料，可使用電子束B無法充入，且熱膨脹係數與第2光圈26相近的材料，例如可使用鉬或鎢等材料。

光圈束射管33c形成為筒狀，包含供電子束B通過的開口部54，且設置於第2光圈26的上表面。上述光圈束射管33c包括筒部及凸緣部。上述光圈束射管33c作為具有導熱性的導熱構件而發揮作用，將由加熱器33d產生的熱傳遞至第2光圈26。再者，作為光圈束射管33c的材料，可使用電子束B無法充入，且熱膨脹係數與第2光圈26相近的材料，例如可使用鉬或鎢等材料。

加熱器33d形成為嵌入至光圈束射管33c的筒部的環形狀，且嵌入至光圈束射管33c的筒部而設置於凸緣部上。再者，作為加熱器33d，例如，可使用陶瓷加熱器或聚醯亞胺加熱器等。

上述加熱器33d如圖6所示，在其內部包含一根電熱絲55。上述電熱絲55與加熱器33d的環形狀相吻合而配線，上述配線圖案是以通過第2光圈26的開口部26a的中央O1的直線為中心而形成為左右對稱的形狀。將電熱絲55例如印刷至具有絕緣性的兩塊氧化鋁板中的任一者上，然後將該些氧化鋁板加以黏合，而形成加熱器33d。再者，作為加熱器33d的材料，除氧化鋁板以外，亦可使用聚醯亞胺等各種材料。

返回至圖3及圖4，加熱器按壓環33e形成為嵌入至光 圈束射管33c的筒部的環形狀，且嵌入至光圈束射管33c的筒部而設置於加熱器33d上。上述加熱器按壓環33e作為加熱器按壓區塊(block)而發揮作用。再者，作為加熱器按壓環33e的材料，例如可使用鈦等材料。

在上述加熱器按壓環33e的上表面，形成有多個(圖4中為兩個)孔部56。該些孔部56設置於以光圈束射管33c的開口部54的中央為中心而成對稱的位置。並且，在光圈基座33a的上表面，在較其他部分更低的多個(例如，三個)部位，形成有孔部57。再者，分別形成有孔部57的多個部位是等間隔地設置。

各隔熱球33f逐個地設置於加熱器按壓環33e上的各孔部56及光圈基座33a上的各孔部57。該些隔熱球33f分別嵌入至所設置的各孔部56或各孔部57。再者，作為各隔熱球43的材料，可使用導熱係數低於其他構件的材料，例如可使用氧化鋯或氮化矽等材料。

各加熱器按壓構件33g分別形成為L字形狀(參照圖3)。加熱器按壓構件33g將其兩端藉由兩個固定構件33h而固定於光圈基座33a的上表面，利用中間部來壓住加熱器按壓環33e上的隔熱球33f(點接觸)。作為上述加熱器按壓構件33g，例如可使用板簧等，作為上述加熱器按壓構件33g的材料，例如可使用鈦等材料。並且，作為固定構件33h，例如可使用螺栓等。

各單元按壓構件34分別形成為矩形的板形狀(參照圖3)。單元按壓構件34將其一端藉由固定構件35而固定於固持器 環32b的上表面上較其他部分更低的部位，利用另一端來壓住光圈基座33a上的隔熱球33f(點接觸)。作為上述單元按壓構件34，例如可使用板簧等，作為上述單元按壓構件34的材料，例如可使用鈦等材料。又，作為固定構件35，例如可使用螺栓等。

其次，對上述荷電粒子束描繪裝置1所進行的描繪動作(描繪處理)進行說明。荷電粒子束描繪裝置1所包含的描繪控制部3c執行描繪處理，即執行以下的各步驟。

如圖7所示，對第2光圈26實施加熱(步驟S1)，判斷第2光圈26的溫度是否已達到規定溫度(例如，200℃)(步驟S2)。由於事先已掌握上述溫度在多長時間會上升多少度，因此上述第2光圈26的溫度是否已達到規定溫度的判斷是基於自加熱開始後的時間來進行的。再者，上述判斷除了基於時間的方式以外，亦可對第2光圈26的溫度進行測定，而採用基於上述經測定的溫度的方式。

在上述步驟S2中，當判斷為第2光圈26的溫度已達到規定溫度時(步驟S2的是)，開始描繪(步驟S3)。其次，使第2光圈26的溫度維持在上述規定溫度(步驟S4)，判斷描繪是否完成(步驟S5)，當判斷為描繪完成時(步驟S5的是)，停止描繪(步驟S6)。

在上述描繪處理中，在步驟S1中，根據描繪控制部3c的控制，將電流供給至加熱器33d的電熱絲55。藉此，電熱絲55發熱，其產生的熱自加熱器33d經由光圈束射管33c而供給至第2 光圈26。藉此，第2光圈26經加熱而達到規定溫度。其後，在步驟S4中，在描繪過程中亦繼續對第2光圈26進行加熱，使第2光圈26的溫度固定地維持在規定溫度。再者，描繪完成後，在執行下一個描繪時，亦繼續對第2光圈26進行加熱，但是例如在生產結束等長時間不執行下一個描繪的情形時，則停止對第2光圈26的加熱。

在此種荷電粒子束描繪裝置1中，第1光圈23是在描繪過程中對其開口部23a的整體照射電子束B，因為維持某種程度的溫度，即使長時間被使用，對開口部23a造成的污染亦少。與此相對，第2光圈26中，當電子束B所照射的位置根據欲描繪的圖案的形狀而變化時，並且，當電子束B被遮斷(blanking)時，即電子束B以不通過上述開口部23a的方式對第1光圈23進行照射時，電子束B不會抵達至第2光圈26，因此溫度下降，從而容易產生污染。

因此，藉由採用上述光圈單元31的構造，即採用藉由加熱器33d而經由光圈束射管33c對第2光圈26進行加熱的構造，可對第2光圈26進行加熱而維持在數百度的溫度(例如，200℃)，從而抑制對第2光圈26的開口部26a的污染。

又，第2光圈26由光圈強化板33b與光圈束射管33c夾著而受到保持，作為上述光圈強化板33b及光圈束射管33c的材料，可使用熱膨脹係數與矽製的第2光圈26相近的鉬。此時，可防止第2光圈26在加熱時發生破裂。

並且，在描繪過程中繼續對第2光圈26進行加熱，第2光圈26的溫度維持在規定溫度(例如，200℃)。藉此，可確實地抑制在描繪過程中污染物質附著於第2光圈26的開口部26a，從而可抑制電子束B的形狀或尺寸發生變化。此外，描繪過程中的第2光圈26、光圈強化板33b、光圈束射管33c等各構件的熱膨脹保持為固定，因此可抑制加熱時的第2光圈26因熱膨脹的變化而發生破裂。

並且，為了使第2光圈26的溫度為數百度的溫度(例如，200℃)，需要大量電流，但是此時所產生的磁場亦增大，因此存在電子束B由於上述磁場的影響而發生偏轉，從而描繪位置發生偏移的情況。因此，理想的是增加對第2光圈26的供熱量，且使供給至加熱器33d的電流為儘可能小的電流。因此，藉由採用如下構造，即，利用加熱器33d經由光圈束射管33c對第2光圈26進行加熱，可儘可能地增大加熱器33d與光圈束射管33c的接觸面積，進而可儘可能地增大光圈束射管33c與第2光圈26的接觸面積。藉此，因為對第2光圈26的供熱量增加，即使加熱器33d的發熱量減少，亦可縮小供給至加熱器33d的電流。

並且，作為加熱器33d，可使用具有絕緣性的陶瓷加熱器。此時，加熱器33d由光圈束射管33c及加熱器按壓環33e等周圍的金屬零件所覆蓋。藉此，可抑制因加熱器33d的充電所引起的束偏移(beam drift)。而且，加熱器33d的電熱絲55以如下方式進行配線，即，其圖案以通過第2光圈26的開口部26a的中 央O1的直線為中心而成左右對稱。藉此，由電熱絲55產生的磁場被消除，因此可防止電子束B因磁場而發生偏轉。

又，單元本體33理想的是與周圍隔熱，以使第2光圈26可容易地上升至需要的溫度(例如，200℃)為止。因此，在上述單元本體33的與外部的接觸部位，可使用導熱係數小的氧化鋯製的隔熱球43。此時，單元本體33與外部的接觸成為點接觸，上述接觸面積縮小，因此可使第2光圈26的溫度容易地上升至200℃左右的高溫。

如以上所述，根據本實施形態，藉由設置經由光圈束射管33c對第2光圈26供熱的加熱器33d，而將由加熱器33d產生的熱經由光圈束射管33c供給至第2光圈26，從而使第2光圈26受到加熱。藉此，可抑制污染物質附著於第2光圈26的開口部26a，因此可抑制由光圈的污染所引起的電子束B的形狀或尺寸的變化，從而可抑制描繪精度的下降。

特別是由於加熱器33d經由光圈束射管33c對第2光圈26供熱，因此光圈束射管33c作為導熱構件而發揮作用，從而可擴大上述光圈束射管33c與第2光圈26的接觸面積。因此，可增加對第2光圈26的供熱量，縮小供給至加熱器33d的電流。藉此，可一面抑制電子束B因加熱器33d產生的磁場的影響而發生偏轉，一面使第2光圈26的溫度為高溫(例如，200℃)，從而可確實地抑制污染物質附著於第2光圈26的開口部26a。再者，與在第2光圈26上直接設置有加熱器(電熱絲)的情況等相比，加熱 器33d的大小及配置等的設計自由度得到提高，因此亦可一面將流入至加熱器33d的電流控制為少量，一面增大加熱器33d的發熱量。

此外，第2光圈26與加熱器33d藉由光圈束射管33c而隔開，並未直接接觸，因此與在第2光圈26上直接設置有加熱器(電熱絲)的情況相比，不存在加熱器33d用的電流流經第2光圈26之類的情況。因此，不存在電流流入至第2光圈26而產生磁場的情況，從而可防止電子束B因上述磁場而發生偏轉，從而描繪位置發生偏移的情況，因此可抑制描繪精度的下降。

以上已說明本發明的若干實施形態，但是該些實施形態是作為示例起提示作用，並不意圖限定發明的範圍。該些新穎的實施形態可藉由其他各種方式來實施，在未脫離發明主旨的範圍內，可進行各種省略、置換、變更。所述實施形態及其變形包含於發明的範圍或主旨內，並且包含於申請專利範圍中所記載的發明及其同等的範圍內。

26‧‧‧第2光圈

26a、41、51、53、54‧‧‧開口部

31‧‧‧光圈單元

32‧‧‧固持器

32a‧‧‧固持器基座

32b‧‧‧固持器環

33‧‧‧單元本體

33a‧‧‧光圈基座

33b‧‧‧光圈強化板

33c‧‧‧光圈束射管

33d‧‧‧加熱器

33e‧‧‧加熱器按壓環

33f‧‧‧隔熱球

33g‧‧‧加熱器按壓構件

33h‧‧‧固定構件

34‧‧‧單元按壓構件

35‧‧‧固定構件

42‧‧‧溝槽

43‧‧‧隔熱球

52、56、57‧‧‧孔部

Claims (5)

1. 一種荷電粒子束描繪裝置，其特徵在於包括：束射出部，射出荷電粒子束；光圈，包括供由上述束射出部所射出的上述荷電粒子束通過的開口部；導熱構件，設置於上述光圈的表面，具有導熱性；以及加熱器，設置於上述導熱構件的表面，經由上述導熱構件對上述光圈供熱。
2. 如申請專利範圍第1項所述的荷電粒子束描繪裝置，其中更包括光圈強化板，上述光圈強化板相對於設置有上述導熱構件的上述光圈的表面而設置於相反面，與上述導熱構件一併夾持上述光圈。
3. 如申請專利範圍第1項所述的荷電粒子束描繪裝置，其中上述加熱器內置有發熱的電熱絲，上述電熱絲以通過上述開口部的中央的直線為中心而配線成左右對稱的形狀。
4. 一種光圈單元，其特徵在於包括：光圈，包括供荷電粒子束通過的開口部；導熱構件，設置於上述光圈的表面，具有導熱性；以及加熱器，設置於上述導熱構件的表面，經由上述導熱構件對上述光圈供熱。
5. 一種荷電粒子束描繪方法，其特徵在於包括如下步驟： 利用加熱器經由具有導熱性的導熱構件對光圈供熱，上述光圈包括供荷電粒子束通過的開口部；以及向經供熱的上述光圈的開口部照射上述荷電粒子束。