JPS62272529A - 電子ビ−ム露光装置 - Google Patents
電子ビ−ム露光装置Info
- Publication number
- JPS62272529A JPS62272529A JP61115775A JP11577586A JPS62272529A JP S62272529 A JPS62272529 A JP S62272529A JP 61115775 A JP61115775 A JP 61115775A JP 11577586 A JP11577586 A JP 11577586A JP S62272529 A JPS62272529 A JP S62272529A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aperture
- electron beam
- temperature
- heater
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
本発明は半導体集積回路に用いるホトマスク及びウェハ
ーにパターンを生成する可変矩形電子ビーム露光装置に
関するものである。
ーにパターンを生成する可変矩形電子ビーム露光装置に
関するものである。
［従来の技術］
第２図は可変矩形電子ビーム装置の概略図でおる。第２
図に示すように電子源４からの放照電子ビームは照射レ
ンズ６を介して第１アパーチヤー１８に照射される。次
に整形偏向器７．整形レンズ８を介して第２アバーチｐ
−ＩＣに照射される。第１アパーチャー１Ｂ、第２アパ
ーチヤー１０により整形された電子ビームは位置決め偏
向器９によりホトマスク１０の所定の位置１１に照射さ
れホトマスク１０を露光する。露光しない際の電子ビー
ムはブランキング電極５によりホトマスク１０に照射し
ないように偏向されている。
図に示すように電子源４からの放照電子ビームは照射レ
ンズ６を介して第１アパーチヤー１８に照射される。次
に整形偏向器７．整形レンズ８を介して第２アバーチｐ
−ＩＣに照射される。第１アパーチャー１Ｂ、第２アパ
ーチヤー１０により整形された電子ビームは位置決め偏
向器９によりホトマスク１０の所定の位置１１に照射さ
れホトマスク１０を露光する。露光しない際の電子ビー
ムはブランキング電極５によりホトマスク１０に照射し
ないように偏向されている。
したがって、アパーチャ一温度は電子ビーム照射時間に
より変化する。
より変化する。
［発明が解決しようとする問題点］
しかし、従来はアパーチャーの温度管理を行っておらず
、アパーチャーの温度変化はアパーチャー材質の温度膨
張係数に従って整形された電子ビームサイズの変動につ
なかり、従来高精度のパターンを発生させることは不可
能であった。
、アパーチャーの温度変化はアパーチャー材質の温度膨
張係数に従って整形された電子ビームサイズの変動につ
なかり、従来高精度のパターンを発生させることは不可
能であった。
電子ビーム０Ｎ−ＯＦＦ時間の変化要因としては■パタ
ーン形成するためのレジスト感度の違いによる整形矩形
単位ごとの電子ビーム照射時間の変化、■ステージ移動
時間による電子ビームＯＦＦ時間等が考えられる。
ーン形成するためのレジスト感度の違いによる整形矩形
単位ごとの電子ビーム照射時間の変化、■ステージ移動
時間による電子ビームＯＦＦ時間等が考えられる。
本発明の目的は高精度のパターンを発生させる可変矩形
電子ビーム露光装置を提供することにある。
電子ビーム露光装置を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は照射される電子ビームを開口部に通し、該電子
ビームを開口部の形状に合せて整形するアパーチャーを
備えた電子ビーム露光装置において、前記アパーチャー
の温度制御を行う機構を装備したことを特徴とする電子
ビーム露光装置でおる。
ビームを開口部の形状に合せて整形するアパーチャーを
備えた電子ビーム露光装置において、前記アパーチャー
の温度制御を行う機構を装備したことを特徴とする電子
ビーム露光装置でおる。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図において、本発明に係るアパーチャー１Ａは中央
部に矩形の開口部２を有し、温度制御機構としての線状
ヒーター３を開口部２の外周に沿わせてアパーチャー１
Ａ内に埋設したものでおる。
部に矩形の開口部２を有し、温度制御機構としての線状
ヒーター３を開口部２の外周に沿わせてアパーチャー１
Ａ内に埋設したものでおる。
本発明によれば、アパーチ１７−ＩＡをヒーター３によ
り昇温ざぜる温度を電子ビームの照射により昇温する温
度を加味して設定し、アパーチャー１八が電子ビームに
より照射されている期間はじ一ター３による加温を低く
抑え、アパーチ１７−１Ａが電子ビームにより照射され
ていない期間はヒーター３によりアパーチャー１八を昇
温させることにより、動作中におけるアパーチャー１Ａ
の温度を一定に保持し、開口部２の形状サイズを一定に
保償する。尚、開口部２の形状は矩形のものに限定され
るものではなく、その形状はいずれのものでもよい。
り昇温ざぜる温度を電子ビームの照射により昇温する温
度を加味して設定し、アパーチャー１八が電子ビームに
より照射されている期間はじ一ター３による加温を低く
抑え、アパーチ１７−１Ａが電子ビームにより照射され
ていない期間はヒーター３によりアパーチャー１八を昇
温させることにより、動作中におけるアパーチャー１Ａ
の温度を一定に保持し、開口部２の形状サイズを一定に
保償する。尚、開口部２の形状は矩形のものに限定され
るものではなく、その形状はいずれのものでもよい。
［発明の効果１
以上説明したように本発明によれば電子ビームを整形す
るアパーチャーに温度を一定にする機能を有することに
より、電子ビーム照射時間変化による整形ビームサイズ
の変動をなくし高精度なパターン形成を行うことができ
、又従来の電子ビーム露光装置では電子源を交換した際
に必要であったアパーチャ一温度安定化時間か不要とな
り、作業能率を向上できる効果を有するものである。
るアパーチャーに温度を一定にする機能を有することに
より、電子ビーム照射時間変化による整形ビームサイズ
の変動をなくし高精度なパターン形成を行うことができ
、又従来の電子ビーム露光装置では電子源を交換した際
に必要であったアパーチャ一温度安定化時間か不要とな
り、作業能率を向上できる効果を有するものである。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は可変
矩形電子ビーム装置を示す概略図である。 １Ａ・・・アパーチャー ２・・・開口部３・・・
ヒーター（温度制御機構） ４・・・電子源 ５・・・ブランキング電極
６・・・照射レンズ ７・・・整形偏向器８・・
・整形レンズ ９・・・位置決め鍋向器１０・・
・ホトマスク
矩形電子ビーム装置を示す概略図である。 １Ａ・・・アパーチャー ２・・・開口部３・・・
ヒーター（温度制御機構） ４・・・電子源 ５・・・ブランキング電極
６・・・照射レンズ ７・・・整形偏向器８・・
・整形レンズ ９・・・位置決め鍋向器１０・・
・ホトマスク
Claims (1)
- （１）照射される電子ビームを開口部に通し、該電子ビ
ームを間口部の形状に合せて整形するアパーチャーを備
えた電子ビーム露光装置において、前記アパーチャーの
温度制御を行う機構を装備したことを特徴とする電子ビ
ーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61115775A JPS62272529A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 電子ビ−ム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61115775A JPS62272529A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 電子ビ−ム露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62272529A true JPS62272529A (ja) | 1987-11-26 |
Family
ID=14670746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61115775A Pending JPS62272529A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 電子ビ−ム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62272529A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5428203A (en) * | 1992-10-12 | 1995-06-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electron beam exposing apparatus with a stencil mask kept at a constant temperature |
| WO2012164546A2 (en) | 2011-06-03 | 2012-12-06 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Microheater-based in situ self-cleaning dynamic stencil lithography |
| JP2014175573A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置、アパーチャユニット及び荷電粒子ビーム描画方法 |
-
1986
- 1986-05-20 JP JP61115775A patent/JPS62272529A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5428203A (en) * | 1992-10-12 | 1995-06-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electron beam exposing apparatus with a stencil mask kept at a constant temperature |
| WO2012164546A2 (en) | 2011-06-03 | 2012-12-06 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Microheater-based in situ self-cleaning dynamic stencil lithography |
| JP2014175573A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置、アパーチャユニット及び荷電粒子ビーム描画方法 |
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