TWI618452B - Substrate cover - Google Patents

Abstract

本發明係一種基板蓋，其中，基板蓋係具備：被覆經由帶電粒子束而加以描繪之基板的表面周緣範圍及周面上部範圍之導電性的導電框體，其中，具有加以設置於前述導電框體之內周的一部分之缺口部，和對於其缺口部而言呈排列鄰接於前述導電框體之框寬度方向地，加以設置於前述導電框體之上面的外周側之凹部的導電框體，和具有呈通過前述缺口部而突出於前述導電框體之框內地加以設置於前述凹部上之導電性的導電構件，其中，與前述基板表面導通之接觸部，和被覆前述缺口部之內壁與前述導電構件之間隙的上部之套環部的導電構件。

Description

基板蓋

本發明係有關基板蓋。

伴隨著近年來的大規模積體電路(LSI)之高集成化及大容量化，對於半導體裝置所要求之電路線寬度係成為日益微小。對於為了形成所期望的電路圖案於半導體裝置，係加以使用微影技術，而在此微影技術中，係加以進行有使用稱作光罩(網線)之原圖案的圖案轉印。對於為了製造使用於此圖案轉印之高精確度之光罩，係加以使用具有優越解像度之帶電粒子束描繪裝置。

帶電粒子束描繪裝置係在處理室中使支持光罩或素材等之基板的平台移動之同時，經由帶電粒子光學系統而偏向帶電粒子束於平台上之基板而加以照射，描繪圖案於平台上之基板者。然而，對於為了描繪精確度提升，係儘可能縮窄帶電粒子光學系統與基板之間隔者為佳，而其間隔係加以設定為數毫米程度(例如，2mm程度)。

在如此之帶電粒子束描繪裝置中，經由帶電粒子束而對於基板進行描繪之情況，加以形成於基板上之導電性材 料，例如，鉻(Cr)等之遮光層上的光阻劑則帶電。在此狀態持續描繪時，經由帶電之基板所作出之電場而加以彎曲帶電粒子束的軌道之故，成為無法描繪於所期望位置，而描繪精確度則下降。

為了抑制此描繪精確度之下降，而加以開發有放置於基板上而防止基板帶電之基板蓋。基板蓋的框架係加以形成為被覆基板之表面周緣範圍之框形狀。對於此框架上係加以複數設置具有與基板表面接觸的銷之導電板，而此等導電板係加以連接成接地。當如此之基板蓋加以放置於基板上時，加以連接為接地的導電板的銷則接觸於基板表面，加以防止基板帶電。另外，在基板周緣附近散射之電子係經由基板蓋而加以捕捉之故，亦加以防止基板周緣附近的帶電。

但如前述，帶電粒子光學系統與基板之間隔變為非常窄之故，而當基板蓋的厚度則經由框架上的導電板而為保持現狀之厚度狀態時，加以放置於基板上之基板蓋的導電板則成為在描繪時，與帶電粒子光學系統的下端接觸者，而進行正常的描繪係成為不可能。另外，亦擔憂有帶電粒子光學系統或基板蓋產生破損者。因此，加以要求薄化基板蓋之厚度者。

概要

本發明之實施形態係提供可抑制基板帶電之厚度的薄 基板蓋。

經由一實施形態之基板蓋係具備：被覆經由帶電粒子束而加以描繪之基板的表面周緣範圍及周面上部範圍之導電性的導電框體，其中，具有加以設置於前述導電框體之內周的一部分之缺口部，和對於其缺口部而言呈排列鄰接於前述導電框體之框寬度方向地，加以設置於前述導電框體之上面的外周側之凹部的導電框體；和具有呈通過前述缺口部而突出於前述導電框體之框內地加以設置於前述凹部上之導電性的導電構件，其中，與前述基板表面導通之接觸部，和被覆前述缺口部之內壁與前述導電構件之間隙的上部之套環部的導電構件。

1‧‧‧帶電粒子束描繪裝置

2‧‧‧描繪部

2a‧‧‧描繪處理室

2b‧‧‧光學鏡筒

3‧‧‧控制部

3a‧‧‧描繪資料記憶部

3b‧‧‧放射資料生成部

3c‧‧‧描繪控制部

11‧‧‧平台

12‧‧‧移動機構

13‧‧‧基板蓋

13a‧‧‧導電框體

13b，13c，13d‧‧‧電極部

22‧‧‧照明透鏡

23‧‧‧第1成形孔徑

24‧‧‧投影透鏡

25‧‧‧成形偏向器

26‧‧‧第2成形孔徑

27‧‧‧對物透鏡

28‧‧‧副偏向器

29‧‧‧主偏向器

31a‧‧‧電源

31b‧‧‧電源配線

32‧‧‧第2電性電路

33‧‧‧測定器

41‧‧‧簷狀部

42‧‧‧缺口部

43‧‧‧凹部

51‧‧‧導電構件

51a‧‧‧接觸部

51b‧‧‧套環部

52‧‧‧支持構件

53‧‧‧連接構件

54‧‧‧第1固定構件

55‧‧‧第2固定構件

圖1係顯示有關實施一形態之帶電粒子束描繪裝置之概略構成圖。

圖2係顯示有關實施一形態之基板蓋之概略構成的平面圖。

圖3係為了說明有關實施一形態之基板蓋之電極部與基板之導通確認的說明圖。

圖4係顯示有關實施一形態之基板蓋之導電框體的平面圖。

圖5係顯示有關實施一形態之基板蓋之電極部的剖面圖(圖2之A1-A1線剖面圖)。

圖6係擴大顯示有關實施一形態之電極部的導電構件之一部分的平面圖。

圖7係擴大顯示有關實施一形態之電極部的導電構件之一部分的正面圖(自基板側而視之正面圖)。

圖8係為了說明有關實施一形態之經由導電構件的套環部及間隔壁部的基板帶電防止的說明圖。

對於實施一形態，參照圖面加以說明。

如圖1所示，有關實施一形態之帶電粒子束描繪裝置1係作為帶電粒子束而使用電子束B之可變成形型的描繪裝置之一例，具備進行經由電子束B之描繪的描繪部2，和控制其描繪部2之控制部3。然而，帶電粒子束係並不限定於電子束B者，而亦可為離子束等之其他的帶電粒子束。

描繪部2係具有收容成為描繪對象之基板W的描繪處理室(描繪室)2a，和連結於其描繪處理室2a之光學鏡筒2b。光學鏡筒2b係加以設置於描繪處理室2a之上面，經由電子光學系統(帶電粒子光學系統之一例)而將電子束B成形及偏向，對於描繪處理室2a內之基板W進行照射。描繪處理室2a及光學鏡筒2b係具有氣密性，此等雙方之內部係被加以減壓而做成真空狀態。

對於描繪處理室2a內係加以設置有支持光罩或擋片等之基板W的平台11，或使其平台11移動之平台移動機 構12。此平台移動機構12係使平台11移動於在水平面內相互正交之X軸方向與Y軸方向(以下，單稱作X方向及Y方向)之機構。然而，作為基板W係例如，使用於石英基板表面上形成鉻(Cr)等之遮光層，及於其遮光層上形成光阻層的基板。

在此，對於前述之基板W上，係加以放置有防止描繪中的基板W之電子充電或基板W之描繪範圍上的電場偏差(在基板W之周緣附近的描繪位置錯誤)的基板蓋13。此基板蓋13係例如，於加以放置基板W於平台11上之前，在描繪處理室2a之外(例如，收納基板蓋13之收納室等)，加以放置於基板W上，與基板W同時加以載置於平台11上。

對於光學鏡筒2b內係加以配置有出射電子束B之電子槍等之出射部21，和將其電子束B進行集光的照明透鏡22，和束成形用的第1成形孔徑23，和投影用之投影透鏡24，和束成形用之成形偏向器25，和束成形用的第2成形孔徑26，和連結束焦點於基板W上之對物透鏡27，和為了控制對於基板W而言之束放射位置的副偏向器28及主偏向器29。此等各部則構成電子光學系統。此電子光學系統的下端與平台11上之基板W的間隔(隔離距離)係為了描繪精確度的提升，加以設定為數毫米(例如，2mm程度)。然而，電子光學系統之下端的寬度(直徑)係經由構成構件而有差異，但例如成為80~300mm程度。

在此描繪部2中，自出射部21加以出射之電子束B，再經由照明透鏡22而加以照射至第1成形孔徑23。此第1成形孔徑23係例如，具有矩形狀的開口。經由此，電子束B則通過第1成形孔徑23時，其電子束的剖面形狀係加以成形為矩形狀，再經由投影透鏡24而加以投影於第2成形孔徑26。然而，此投影位置係可經由成形偏向器25而偏向，可經由投影位置之變更而控制電子束B的形狀與尺寸者。之後，通過第2成形孔徑26之電子束B係其焦點則經由對物透鏡27而配合加以照射至平台11上之基板W。此時，對於平台11上之基板W而言之電子束B的放射位置係可經由副偏向器28及主偏向器29而變更。

控制部3係具備：記憶描繪資料的描繪資料記憶部3a，和處理此描繪資料而生成放射資料之放射資料生成部3b，和控制描繪部2之描繪控制部3c。然而，放射資料生成部3b或描繪控制部3c係經由電性電路等之硬件而加以構成亦可，另外，經由執行各機能之程式等之軟件而加以構成亦可，或者，經由此等之雙方的組成而加以構成亦可。

描繪資料記憶部3a係記憶為了描繪圖案於基板W之描繪資料的記憶部。此描繪資料係經由半導體積體電路之設計者等所作成之設計資料(佈局資料)則加以變換為帶電粒子束描繪裝置1用的格式的資料，自外部裝置加以輸入而保存於描繪資料記憶部3a。作為描繪資料記憶部3a係 例如，可使用磁碟裝置或半導體磁片裝置(快閃記憶體)等者。

放射資料生成部3b係將經由描繪資料而加以規定之描繪圖案，分割為條紋狀(長方形)之複數的框架範圍(長度方向為X方向，短方向為Y方向)，更且，將各框架範圍分割成行列狀之多數的次範圍。加上，放射資料生成部3b係決定各次範圍內之圖形的形狀或尺寸，位置等，更且，對於無法一次放射而描繪圖形之情況，係分割成可描繪之複數的部分範圍，生成放射資料。然而，框架範圍之短方向(Y方向)之長度係加以設定為可在主偏向，將電子束B偏向之長度。

描繪控制部3c係在描繪前述的描繪圖案時，經由平台移動機構12，使平台11移動於框架範圍之長度方向(X方向)同時，經由主偏向器29而將電子束B決定位置於各次範圍，而經由副偏向器28而放射於次範圍之特定位置，描繪圖形。之後，一個之框架範圍的描繪結束時，使平台11步驟移動於Y方向之後，進行接下來的框架範圍之描繪，重複此等而對於基板W之描繪範圍全體，進行經由電子束B之描繪(描繪動作的一例)。然而，對於描繪中，平台11則連續性地移動於一方向之故，而描繪原點則呈追隨平台11之移動地，經由主偏向器29而使次範圍之描繪原點進行軌跡追蹤。

如此，電子束B係經由副偏向器28與主偏向器29而加以偏向，追隨於連續性移動之平台11同時，加以決定 其照射位置。由連續性地進行平台11之X方向的移動同時，使電子束B之放射位置追蹤於其平台11的移動者，可縮短描繪時間。但在第1實施形態中，連續進行平台11之X方向的移動，但並不限定於此者，而例如，在使平台11停止之狀態，進行一個次範圍的描繪，而移動於接下來之次範圍時係使用未進行描繪之步驟與反覆方式之描繪方法亦可。

接著，對於基板蓋13，參照圖2乃至圖8而加以詳細說明。

如圖2所示，基板蓋13係具備：對應於基板W的周緣形狀之框形狀的導電框體(導電框架)13a，和接觸於基板W表面之複數(在圖2中係三個)之電極部13b，13c及13d。此等電極部13b，13c及13d係於加以放置基板蓋13於基板W之前，作為在收納室等，以三點而支持導電框體13a之支持部而發揮機能之故，導電框體13a之荷重則呈成為略等分布地加以配置。

如圖3所示，三個之電極部13b，13c及13d係在加以放置基板蓋13於基板W上的狀態，均點接觸於基板W表面。其中，兩個之電極部13b及13c係導通於導電框體13a，而一個之電極部13d係與導電框體13a加以絕緣。電極部13d係作為在加以放置基板蓋13於基板W上的狀態，為了確認兩個之電極部13b及13c之至少一方則是否導通於基板W表面之導通確認部而發揮機能。

兩個之電極部13b及13c係藉由導電框體13a而加以 連接於第1電性電路31。此第1電性電路31係具有：電源31a，和加以連接於其電源31a之電源配線31b，和加以接地連接之接地配線31c，和加以連接於導電框體13a之導電配線31d，和切換導電框體13a之接地及電壓施加的開關31e。然而，對於確認電極部13b或13c與基板W之導通的情況以外，係經由開關31e而加以連接接地配線31c及導電配線31d，而各電極部13b及13c係與導電框體13a同時加以接地。

電極部13d係未加以連接於導電框體13a，而加以連接於第2電性電路32。此第2電性電路32係經由阻抗R2及R3與反轉放大型之運算放大器32a而加以構成，加以連接於測定電壓之測定器33。加以施加於電極部13b或13c與電極部13d之間的施加電壓係經由第2電性電路32而加以放大，經由測定器33而加以測定。

對於為了前述之導通確認，係經由開關31e而加以連接電源配線31b及導電配線31d。經由此，加以施加電壓於電極部13b或13c與電極部13d之間。此時，如電極部13b及13c之至少一方則接觸於基板W表面時，可經由測定器33而測定電壓者。例如，經由第2電性電路32而加以放大之輸出電壓則經由測定器33而加以測定，加以判斷自此測定值，電極部13b及13c之至少一方是否導通於基板W表面。

如圖4所示，導電框體13a係具有使基板W的描繪範圍露出之開口部H1，而加以形成為至少被覆基板W之 表面周緣範圍及周面上部範圍(側面上部範圍)的框形狀。此導電框體13a係具有被覆基板W之表面周緣範圍之簷狀部41，和位置於框的內周的複數之缺口部42，和個別地連接於此等缺口部42而位置於框的外周側之複數的凹部43。此等凹部43係沿著缺口部42之內壁加以配置。

簷狀部41係呈沿著導電框體13a之框形狀地加以形成，延伸於基板W側而被覆基板W之表面周緣範圍(例如，周緣絕緣範圍)。另外，各缺口部42係各呈位置於框的內周地，將包含簷狀部41之導電框體13a的一部分進行缺口而加以形成，個別地加以設置於導電框體13a內周之各部。各凹部43係各對於各缺口部42而言排列鄰接於導電框體13a之框寬度方向，呈連結於此等缺口部42地，加以形成於導電框體13a上面之外周側。然而，框寬度係並非框體全體之寬度，而是貢獻於框體粗度之寬度，即構成框體之一邊的構件之寬度。

如圖5乃至圖7所示，電極部13d係具備：成為主體之導電構件(導電板)51，和為了支持導電框體13a之支持構件52，和為了進行與外部電性連接之連接構件53，和固定導電構件51於導電框體13a之第1固定構件54，和固定支持構件52及連接構件53於導電構件51之第2固定構件55。

導電構件51係如圖5所示，藉由第1絕緣構件56而加以設置於導電框體13a之凹部43，與導電框體13a加以絕緣。此導電構件51係加以形成為被覆自缺口部42露出 之基板W的至少表面周緣範圍之長方形等之板形狀，呈突出於缺口部42及導電框體13a之框內地加以設置於凹部43上。導電構件51係具有：接觸於基板W表面的銷等之接觸部51a，和延伸於導電框體13a側而被覆至導電框體13a為止之間隙的套環部51b(參照圖6及圖7)，和被覆至導電框體13a之基板W側的前端面為止之間隙的間隔壁部51c(參照圖6及圖7)。此導電構件51係被覆自缺口部42露出之基板W表面周緣範圍的長度以上，而接觸部51a則成為可接觸於基板W表面周緣範圍以外之範圍的長度，延伸於基板W表面上。

接觸部51a係如圖5所示，加以設置於導電構件51之基板W側的端部，即突出於導電構件51之導電框體13a框內之部分，而其前端則呈接觸於基板W表面地加以形成。此接觸部51a係在將基板蓋13加以放置於基板W上之狀態，接觸於基板W表面，即貫通基板W上之光阻層而接觸於遮光層，與基板W表面導通。另外，接觸部51a係在將放置有基板蓋13之基板W加以設置於平台11上的狀態，位置於與自背面支持其基板W之複數的支持銷(支持點)11a之中一個支持銷11a同一直線上，接觸於對向於其一個支持銷11a的基板W表面的位置(對向點)。

套環部51b係如圖6及圖7所示，在導電構件51之短方向的兩端，各加以設置於導電構件51的上面側，呈沿著導電構件51之長度方向地加以形成。即，套環部51b係延伸存在於導電框體13a之框寬度方向。此等套環 部51b係略水平地延伸於導電框體13a側而被覆與導電框體13a之間隙(例如，0.2~0.5mm程度之間隙)，防止電子進入至其間隙者。然而，詳細為套環部51b係被覆缺口部42之內壁與導電構件51之間隙(第1間隙)之上部，更且，因應必要，為了防止加以照射電子於第1絕緣構件56，而被覆凹部43之內壁(內側面)與導電構件51之間隙(第2間隙)之上部。隨之，對於第1絕緣構件56則對於凹部43而言為相當小之情況，未設置套環部51b於凹部43上亦可。另外，對於將第1絕緣構件56置換為導電構件之情況，遮蔽則成為不需要，而未設置套環部51b於凹部43上亦可。

間隔壁部51c係如圖6及圖7所示，加以設置於導電構件51之基板W側的端部，呈與套環部51b之長度方向正交地，各加以形成於各套環部51b之下方。此等間隔壁部51c係被覆與導電框體13a之基板W側的前端面之間隙(例如，0.2~0.5mm程度之間隙)，防止電子進入至其間隙者。然而，詳細為間隔壁部51c係被覆缺口部42之內壁與導電構件51之間隙的導電框體13a之內周側(第3間隙)。

返回至圖5，支持構件52係於加以放置基板蓋13於基板W之前，作為例如，在收納室等支持導電框體13a之三點的支持點之中之一個支持點而發揮機能。此支持構件52之下端部係加以形成為半球狀。

連接構件53係在加以載置放置有基板蓋13之基板W 於平台11上之狀態，接觸於平台11上之板彈簧11b。此板彈簧11b係加以電性連接於第2電性電路32。隨之，導電構件51係成為藉由連接構件53及板彈簧11b而與第2電性電路32導通者。

第1固定構件54係自導電框體13a的背面，貫通其導電框體13a而侵入至導電構件51內部之途中，固定導電構件51於導電框體13a。此第1固定構件54係經由第2絕緣構件57而與導電框體13a加以絕緣。作為第1固定構件54係例如，可使用螺絲等。

第2固定構件55係自導電構件51之上面，貫通其導電構件51及連接構件53而侵入至支持構件52內部之途中，固定支持構件52及連接構件53於導電構件51。作為第2固定構件55係例如，可使用螺絲等。

此第2固定構件55上面之高度係成為較在導電構件51之導電框體13a上的表面高度為低。詳述時，與在導電構件51之基板W相反側之端部則具有朝向下方之階差，於此階差部分，加以設置有第2固定構件55，而第2固定構件55上面之高度係成為較在導電構件51之導電框體13a上的表面高度為低。另外，如圖5所示，導電構件51之最下面係位於較導電框體13a之最上面為低之位置。

前述導電構件51或支持構件52，連接構件53，第1固定構件54，第2固定構件55係經由具有導電性之材料而加以形成。作為此材料，係例如，可使用非磁性的金屬 (例如，鈦合金等)或導電性陶瓷，或者塗層導電性材料於陶瓷之構成等。

在此，其他的電極部13b及13c均與前述之電極部13d基本上相同的構造。但，在其他的電極部13b及13c中，加以替換為電極部13d之第1絕緣構件56及第2絕緣構件57之任一方或雙方具有導電性之構件(導電構件)，而各電極部13b及13c係導通於導電框體13a。

因此，如前述，對於直接加以連接導電框體13a於第1電性電路31之情況(參照圖3)，各電極部13b及13c之連接構件53或板彈簧11b係成為不需要。另一方面，對於未加以直接連接導電框體13a於第1電性電路31之情況，係作為呈加以設置各電極部13b及13c之連接構件53所接觸之板彈簧11b，將此等板彈簧11b電性連接於第1電性電路31亦可。

如此構成之基板蓋13係在收納室等，加以放置於基板W上，之後，將放置有基板蓋13之基板W加以載置於平台11上。接著，加以確認兩個之電極部13b及13c之至少一方則是否導通於基板W表面，當確定其導通時，開始對於平台11上之基板W而言之描繪。此描繪中，兩個之電極部13b及13c之至少一方則接地之故，基板W的表面亦接地而加以防止基板W表面之帶電。更且，在基板W周緣附近散射之電子亦經由基板蓋13而加以捕捉之故，亦加以防止在基板W周緣附近的帶電。特別是，在缺口部42之導電框體13a與導電構件51之間隙則經由 各套環部51b及各間隔壁部51c而加以被覆，加以抑制電子侵入至此等之間隙者。

例如，如圖8所示，加以抑制電子Ba係經由套環部51b及間隔壁部51c而侵入至導電構件51與導電框體13a之間隙者。間隔壁部51c係防止電子Ba則以特定的角度範圍R1(例如，自基板W表面至30度程度之範圍)侵入者，而套環部51b係防止電子Ba則以剩下之特定的角度範圍R2(例如，自30度至90度程度為止之範圍)侵入者。經由如此之套環部51b及間隔壁部51c之存在，加以抑制對於導電框體13a與導電構件51之間隙之電子的侵入，進而加以防止基板W外周面的帶電。

另外，導電構件51係加以設置於凹部43，加以設置於凹部43之導電構件51係通過缺口部42而延伸於基板W側。即，導電構件51係超過(重疊)導電框體13a之上面，未有延伸於基板W側之故，成為可薄化其部分基板蓋13之厚度者。當詳述時，對於未存在有缺口部42於導電框體13a之情況，加以設置於凹部43之導電構件51係成為超過導電框體13a上面而延伸於基板W側者。此時，呈未接觸有導電構件51及導電框體13a地，對於此等之間隙設置間隔之故，僅其間隔與導電構件51之厚度部分，基板蓋13之厚度變厚。另一方面，對於存在有缺口部42於導電框體13a之情況，如前述，加以設置於凹部43之導電構件51係通過缺口部42而延伸於基板W側。因此，未有超過導電框體13a之上面之情況，而未有 未存在有缺口部42情況之導電框體13a之上面與導電構件51之重疊之故，可薄化基板蓋13之厚度者。隨之，如前述，成為防止基板W之帶電同時，可薄化基板蓋13之厚度者。

如以上說明，如根據實施形態，於導電框體13a內周形成缺口部42，於鄰接於其缺口部42之凹部43，經由設置被覆自缺口部42露出之基板W的表面周緣範圍之板形狀之導電構件51之時，導電構件51則通過缺口部42而延伸於基板W側之故，比較於未存在有缺口部42而導電構件51則超過導電框體13a上之情況(重疊之情況)，成為可薄化基板蓋13之厚度。更且，經由將被覆延伸於導電框體13a側而至導電框體13a為止之間隙的套環部51b，設置於導電構件51之時，加以抑制經由其套環部51b而電子則侵入至導電構件51與導電框體13a之間隙之故，成為可防止基板W的帶電者。從此等之情況，加上於防止基板W的帶電，可薄化基板蓋13之厚度。

更且，經由設置被覆至導電框體13a之基板W側的前端面為止之間隙之間隔壁部51c於導電構件51之時，更確實地加以抑制經由其間隔壁部51c而電子則侵入至導電構件51與導電框體13a之間隙之故，成為可確實地防止基板W的帶電者。

另外，接觸部51a係從將安裝有基板蓋13之基板W，接觸於對向於自其背面支持之複數的支持銷(支持點)11a之中一個之支持銷11a的基板W表面之位置情 況，比較於接觸部51a則接觸於未對向於支持銷11a的基板W表面之位置情況，可抑制基板W之彎曲或偏差者。

另外，使第1固定構件54，自導電框體13a之背面，貫通於其導電框體13a而侵入至導電構件51內部之途中，經由此第1固定構件54而固定導電構件51於導電框體13a。此時，未有第1固定構件54自導電構件51上面露出之情況，而即使經由根據振動等之第1固定構件54與導電構件51之摩擦等而產生有微粒之情況，亦未有自導電構件51之上面露出於外部者，而未有基板W表面則經由微粒而加以污染之情況。隨之，比較於第1固定構件54則貫通導電構件51而自其上面露出之情況，可防止基板W之污染者。

然而，在前述之實施形態中，呈未自導電構件51之上面露出地設置第1固定構件54，但並不限定於此等者，而亦可作為呈未產有微粒的問題之情況等，使第1固定構件54，自導電構件51之上面露出。

以上，雖已說明過本發明之幾個實施形態，但此等實施形態係作為例而提示之構成，未特意限定發明之範圍者。此等新穎之實施形態係可由其他種種形態而加以實施，在不脫離發明的內容範圍，可進行種種省略，置換，變更者。此等實施形態或其變形係與包含於發明範圍或內容之同時，包含於記載於申請專利申請範圍之發明與其均等的範圍。

Claims (5)

1. 一種基板蓋，其特徵為具備：一導電框體，其被覆在藉由帶電粒子束所描繪基板之表面周緣範圍及周面上部範圍，具有：設置於前述導電框體之內周的一部分的缺口部、和對於其缺口部而言，以排列鄰接於前述導電框體之框寬度方向之方式，設置於前述導電框體上面的外周側的凹部；和一導電構件，通過前述缺口部，使突出於前述導電框體之框內而設置於前述凹部上中，具有：與前述基板表面導通的接觸部，和被覆前述缺口部內壁與前述導電構件間隙的上部的套環部。
2. 如申請專利範圍第1項記載之基板蓋，其中，前述套環部係被覆前述凹部之內壁與前述導電構件之間隙的上部。
3. 如申請專利範圍第1項記載之基板蓋，其中，前述導電構件係具有被覆前述缺口部內壁與前述導電構件間隙的前述導電框體的內周側之間隔壁部。
4. 如申請專利範圍第1項記載之基板蓋，其中，前述接觸部係將安裝有基板蓋之前述基板，接觸於對向於自其背面所支持之複數支持點之中之一個支持點之前述基板的表面位置。
5. 如申請專利範圍第1項記載之基板蓋，其中，更具備自前述導電框體的背面，貫通其導電框體而侵入至前述導電構件內部之途中，固定前述導電構件於前述 導電框體之固定構件。