JP5436927B2 - 荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法および荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 232
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 26
- 238000002039 particle-beam lithography Methods 0.000 claims description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 29
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
第1の実施の形態の荷電粒子ビーム描画装置は、基板を載置する描画用ステージと、ステージに載置される基板に接触可能なアース端子と、同一の基板とアース端子をn回(nは2以上の整数)繰り返して接触させる際に、基板とアース端子の接触位置をn回ともずらした状態で接触することを可能にする接触位置変更手段と、を備える。
本実施の形態の荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法は、第1の実施の形態がパーティクルテストにおける基板搬送方法であるの対し、同一基板に再描画(2度描画)する場合の基板搬送方法である点で異なっている。第1の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態の荷電粒子ビーム描画装置およびその基板搬送方法は、あらかじめ描画用チャンバ内に設けられたアース端子により基板の帯電を防止する機構を備えた電子ビーム描画装置を用いる点で、第1の実施の形態と異なっている。なお、第1の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
18 電子鏡筒
20 描画用ステージ
50 基板カバー
52 フレーム
54 アース端子
54a アース端子接触部
70 アース端子接触位置制御部
Claims (5)
- 基板にアース端子を接触させる第1のアース端子接触ステップと、
前記基板から前記アース端子を離間させる第1のアース端子離間ステップと、
前記基板に、前記第1のアース端子接触ステップにおける接触位置とずらして前記アース端子を接触させる第2のアース端子接触ステップと、
前記基板から前記アース端子を離間させる第2のアース端子離間ステップと、
を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法。 - 前記アース端子が基板の外周部を覆うよう基板上に載置可能な基板カバーに設けられ、
前記第1および第2のアース端子接触ステップにおいて、前記基板カバーを前記基板上に載置することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法。 - 描画用チャンバとは独立した基板カバーを収納する基板カバー収納チャンバにおいて、前記第1および第2のアース端子接触ステップおよび前記第1および第2のアース端子離間ステップが行われることを特徴とする請求項2記載の荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法。
- 前記アース端子の先端が半径Rの半球形状を有し、前記第2のアース端子接触ステップにおける接触位置のずらし量が2Rより大きいことを特徴とする請求項1ないし請求項3いずれか一項記載の荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法。
- 基板を載置する描画用ステージと、
前記描画用ステージに載置される基板に接触可能なアース端子と、
同一の基板と前記アース端子をn回(nは2以上の整数)繰り返して接触させる際に、前記基板と前記アース端子の接触位置をn回ともずらした状態で接触することを可能にするアース端子接触位置制御手段と、
を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009117153A JP5436927B2 (ja) | 2009-05-14 | 2009-05-14 | 荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009117153A JP5436927B2 (ja) | 2009-05-14 | 2009-05-14 | 荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010267757A JP2010267757A (ja) | 2010-11-25 |
JP5436927B2 true JP5436927B2 (ja) | 2014-03-05 |
Family
ID=43364494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009117153A Active JP5436927B2 (ja) | 2009-05-14 | 2009-05-14 | 荷電粒子ビーム描画装置の基板搬送方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5436927B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10303093A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
JP2005032963A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Toshiba Mach Co Ltd | 電子ビーム露光装置 |
JP2006013049A (ja) * | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 試料接地機構、試料接地方法、及び電子線露光装置 |
JP2008058809A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Nuflare Technology Inc | 基板カバー、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5293021B2 (ja) * | 2008-09-10 | 2013-09-18 | 凸版印刷株式会社 | 電子線描画方法及び電子線描画装置 |
-
2009
- 2009-05-14 JP JP2009117153A patent/JP5436927B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010267757A (ja) | 2010-11-25 |
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