JP6110685B2 - 荷電粒子ビーム描画装置、及びバッファメモリのデータ格納方法 - Google Patents
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Description
可変成形型電子線描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
描画される描画領域が仮想分割されたデータ処理領域毎に複数のデータファイルを有する描画データを一時的に格納する、複数のデータ処理領域分の描画データを同時期に格納可能なメモリ領域を有するバッファメモリと、
バッファメモリのメモリ領域を、領域サイズが大きい第1の領域と領域サイズが小さい第2の領域とに分割する分割部と、
データ処理領域毎に複数のデータファイルを有する描画データのうち、ファイルサイズの大きいデータファイルを第1の領域内に優先して格納すると共に、ファイルサイズの小さいデータファイルを第2の領域内に格納するように、バッファメモリのメモリ領域を指定する領域指定部と、
データ処理領域毎に、対応する複数のデータファイルをバッファメモリから読み出し、読み出された複数のデータファイルを用いてデータ処理を行うデータ処理部と、
データ処理領域毎に、データ処理されたデータ内容に沿って、荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
描画される描画領域が仮想分割されたデータ処理領域毎に複数のデータファイルを有する描画データを一時的に格納する、複数のデータ処理領域分の描画データを同時期に格納可能なメモリ領域を有するバッファメモリのメモリ領域を、領域サイズが大きい第1の領域と領域サイズが小さい第2の領域とに分割する工程と、
データ処理領域毎に複数のデータファイルを有する描画データのうち、ファイルサイズの大きいデータファイルを第1の領域内に優先して格納すると共に、ファイルサイズの小さいデータファイルを第2の領域内に格納するように、バッファメモリのメモリ領域を指定する工程と、
データ処理領域毎に、複数のデータファイルをそれぞれバッファメモリのメモリ領域のうち指定された領域に格納する工程と、
を備え、
前記複数のデータファイルは、少なくとも1つの図形から構成されるセルパターンの位置を示す位置データが定義された位置データファイルと、前記セルパターンのパターンデータが定義されたパターンデータファイルと、前記位置データと対応する前記パターンデータとをリンクさせるリンク情報が定義されたリンクファイルと、を有することを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
実施の形態1では、バッファメモリ114のメモリ領域20を大データサイズ領域22(A)と小データサイズ領域24(B)とに分けて、格納するデータファイル自体を区別したが、実施の形態2では、もっと簡易な方法で少なくともスワップアウトを抑制可能な手法について説明する。実施の形態2における描画装置の構成は、分割部50、及び領域指定部52を不要とする点以外は、図1と同様である。また、以下、特に説明する点以外の内容は実施の形態1と同様で構わない。
22 大データサイズ領域
24 小データサイズ領域
50 分割部
52 領域指定部
54 判定部
56 読み込み部
57 判定部
58 削除部
59 描画データ処理部
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
112 メモリ
114 バッファメモリ
130 制御回路
140,142 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (4)
- 描画される描画領域が仮想分割されたデータ処理領域毎に複数のデータファイルを有する描画データを一時的に格納する、複数のデータ処理領域分の描画データを同時期に格納可能なメモリ領域を有するバッファメモリと、
前記バッファメモリのメモリ領域を、領域サイズが大きい第1の領域と領域サイズが小さい第2の領域とに分割する分割部と、
データ処理領域毎に複数のデータファイルを有する描画データのうち、ファイルサイズの大きいデータファイルを前記第1の領域内に優先して格納すると共に、ファイルサイズの小さいデータファイルを少なくとも前記第2の領域内に格納するように、前記バッファメモリのメモリ領域を指定する領域指定部と、
データ処理領域毎に、対応する複数のデータファイルを前記バッファメモリから読み出し、読み出された複数のデータファイルを用いてデータ処理を行うデータ処理部と、
データ処理領域毎に、データ処理されたデータ内容に沿って、荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部と、
を備え、
前記複数のデータファイルは、少なくとも1つの図形から構成されるセルパターンの位置を示す位置データが定義された位置データファイルと、前記セルパターンのパターンデータが定義されたパターンデータファイルと、前記位置データと対応する前記パターンデータとをリンクさせるリンク情報が定義されたリンクファイルと、を有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記第1と第2の領域に分割するためのメモリ領域の閾値は、前記複数のデータファイルのファイルサイズの比を用いて決定されることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記バッファメモリのメモリ領域は、前記第1と第2の領域に2分割されることを特徴とする請求項1又は2記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 描画される描画領域が仮想分割されたデータ処理領域毎に複数のデータファイルを有する描画データを一時的に格納する、複数のデータ処理領域分の描画データを同時期に格納可能なメモリ領域を有するバッファメモリのメモリ領域を、領域サイズが大きい第1の領域と領域サイズが小さい第2の領域とに分割する工程と、
データ処理領域毎に複数のデータファイルを有する描画データのうち、ファイルサイズの大きいデータファイルを前記第1の領域内に優先して格納すると共に、ファイルサイズの小さいデータファイルを少なくとも前記第2の領域内に格納するように、前記バッファメモリのメモリ領域を指定する工程と、
データ処理領域毎に、前記複数のデータファイルをそれぞれ前記バッファメモリのメモリ領域のうち指定された領域に格納する工程と、
を備え、
前記複数のデータファイルは、少なくとも1つの図形から構成されるセルパターンの位置を示す位置データが定義された位置データファイルと、前記セルパターンのパターンデータが定義されたパターンデータファイルと、前記位置データと対応する前記パターンデータとをリンクさせるリンク情報が定義されたリンクファイルと、を有することを特徴とするバッファメモリのデータ格納方法。
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