JP6110685B2 - 荷電粒子ビーム描画装置、及びバッファメモリのデータ格納方法 - Google Patents

荷電粒子ビーム描画装置、及びバッファメモリのデータ格納方法 Download PDF

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Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置、及びバッファメモリのデータ格納方法に係り、例えば、描画データを処理領域毎にバッファメモリに入力してデータ処理を行う描画装置および方法に関する。
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、LSIの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン(レチクル或いはマスクともいう。)が必要となる。ここで、電子ビーム(EB:Electron beam)描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
図9は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
描画されるパターンの位置や形状等が定義された描画データを描画装置内のメモリ上に読み込む際、一般的に、制御コンピュータを管理する市販されているオペレーティングシステム(OS)によってメモリ領域(メモリ空間)内に振り分けされて格納される。そして、データ処理を行うプロセス側では、かかるメモリからデータを読み出し、描画処理に必要なデータにデータ変換を行っていく。描画装置では、電子ビームを照射する実際の描画動作と並行して次の描画処理領域のデータ処理をリアルタイムで実行していく。ここで、システム側では、かかるOSが行うガーベージコレクション(Garbage Collection)機能によって、メモリのメモリ容量の残量が指定量を超えた場合に、その時点で使用していないデータをメモリから削除する。そして、次のデータを空いた領域に順次格納していく。近年、描画されるパターン数は増大化し、そのパターンも多様化している。そのデータをOSの管理によってメモリ上に読み込むと、メモリ内でフラグメンテーションを引き起こす。さらに、OSは、メモリのメモリ容量が不足するとハードディスク等を用いてスワップアウトを行う。
特開2003−248834号公報
以上のように、OSによってメモリ管理を行うと、メモリ内でのフラグメンテーションやスワップアウトを引き起こす。これらによって、プロセス側にてデータ処理を行う際に、データの読み出し時間が長くなり、描画データのデータ処理速度を低下させてしまうといった問題があった。これにより、場合によってはデータ処理自体を停止させてしまい、描画処理が停止してしまうといった問題があった。
そこで、本発明は、上述した問題点を克服し、メモリ内でのフラグメンテーションやスワップアウトを抑制することが可能な描画装置および方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
描画される描画領域が仮想分割されたデータ処理領域毎に複数のデータファイルを有する描画データを一時的に格納する、複数のデータ処理領域分の描画データを同時期に格納可能なメモリ領域を有するバッファメモリと、
バッファメモリのメモリ領域を、領域サイズが大きい第1の領域と領域サイズが小さい第2の領域とに分割する分割部と、
データ処理領域毎に複数のデータファイルを有する描画データのうち、ファイルサイズの大きいデータファイルを第1の領域内に優先して格納すると共に、ファイルサイズの小さいデータファイルを第2の領域内に格納するように、バッファメモリのメモリ領域を指定する領域指定部と、
データ処理領域毎に、対応する複数のデータファイルをバッファメモリから読み出し、読み出された複数のデータファイルを用いてデータ処理を行うデータ処理部と、
データ処理領域毎に、データ処理されたデータ内容に沿って、荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
また、第1と第2の領域に分割するためのメモリ領域の閾値は、複数のデータファイルのファイルサイズの比を用いて決定されると好適である。
また、バッファメモリのメモリ領域は、第1と第2の領域に2分割されると好適である。
また、複数のデータファイルは、少なくとも1つの図形から構成されるセルパターンの位置を示す位置データが定義された位置データファイルと、セルパターンのパターンデータが定義されたパターンデータファイルと、位置データと対応するパターンデータとをリンクさせるリンク情報が定義されたリンクファイルと、を有すると好適である。
本発明の一態様のバッファメモリのデータ格納方法は、
描画される描画領域が仮想分割されたデータ処理領域毎に複数のデータファイルを有する描画データを一時的に格納する、複数のデータ処理領域分の描画データを同時期に格納可能なメモリ領域を有するバッファメモリのメモリ領域を、領域サイズが大きい第1の領域と領域サイズが小さい第2の領域とに分割する工程と、
データ処理領域毎に複数のデータファイルを有する描画データのうち、ファイルサイズの大きいデータファイルを第1の領域内に優先して格納すると共に、ファイルサイズの小さいデータファイルを第2の領域内に格納するように、バッファメモリのメモリ領域を指定する工程と、
データ処理領域毎に、複数のデータファイルをそれぞれバッファメモリのメモリ領域のうち指定された領域に格納する工程と、
を備え
前記複数のデータファイルは、少なくとも1つの図形から構成されるセルパターンの位置を示す位置データが定義された位置データファイルと、前記セルパターンのパターンデータが定義されたパターンデータファイルと、前記位置データと対応する前記パターンデータとをリンクさせるリンク情報が定義されたリンクファイルと、を有することを特徴とする。
本発明の一態様によれば、メモリ内でのフラグメンテーションやスワップアウトを抑制できる。その結果、データ処理自体の停止(デッドロック)を回避し、描画処理の停止を回避できる。
実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態1におけるチップ領域とその処理領域の一例を示す図である。 実施の形態1における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。 実施の形態1におけるバッファメモリのメモリ領域を示す概念図である。 実施の形態1におけるバッファメモリのメモリ領域を示す概念図である。 実施の形態1におけるバッファメモリへの格納手法を説明するための図である。 実施の形態1におけるバッファメモリの入力データ量と時間との関係を示すグラフの一例である。 実施の形態2におけるバッファメモリのメモリ領域を示す概念図である。 可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。
実施の形態1.
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
制御部160は、制御計算機110、メモリ112、バッファメモリ114、制御回路130、及び磁気ディスク装置等の記憶装置140,142を有している。制御計算機110、メモリ112、バッファメモリ114、制御回路130、及び記憶装置140,142は、図示しないバスを介して互いに接続されている。
制御計算機110内には、分割部50、領域指定部52、判定部54、読み込み部56、判定部57、削除部58、及び描画データ処理部59が配置される。分割部50、領域指定部52、判定部54、読み込み部56、判定部57、削除部58、及び描画データ処理部59といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。分割部50、領域指定部52、判定部54、読み込み部56、判定部57、削除部58、及び描画データ処理部59に入出力される情報および演算中の情報はメモリ112にその都度格納される。
ここで、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。例えば、位置偏向用には、主偏向器208と副偏向器209の主副2段の多段偏向器を用いているが、1段の偏向器或いは3段以上の多段偏向器によって位置偏向を行なう場合であってもよい。
記憶装置140(記憶部)には、少なくとも1つの図形パターンから構成される複数のセルを有するチップのチップデータ(描画データ)が、外部より入力され、格納される。チップデータには、各図形パターンの形状、配置座標、およびサイズを示す各図形パターンデータが定義される。言い換えれば、チップデータには、複数の図形パターンを有するチップの各図形パターンの形状、配置座標、およびサイズを示す各図形パターンデータが定義される。
図2は、実施の形態1におけるチップ領域とその処理領域の一例を示す図である。図2において、描画される対象となるチップ領域10(描画領域)は、複数のフレーム領域12(データ処理領域)に仮想分割される。各フレーム領域12のサイズは、同じであっても良いし、図2に示すように異なっていてもよい。例えば、データ量に応じてフレーム領域12のサイズを変えても好適である。上述した描画データは、例えば、かかるフレーム領域12毎に複数のデータファイルによってファイル構成されている。各フレーム領域12の複数のデータファイルとして、セルパターンデータファイルと、位置データファイルと、リンクファイルとが挙げられる。その他、複数のフレーム領域12において、参照されるセルパターンについては、別途、共通セルパターンデータファイルを設けても好適である。セルパターンデータファイルには、少なくとも1つの図形から構成されるセルパターンのパターンデータが定義される。位置データファイルには、各セルパターンの位置(座標)を示す位置データが定義される。リンクファイルには、位置データと対応するパターンデータとをリンクさせるリンク情報が定義される。かかるセルパターンデータファイルは、各セルを構成する図形の図形種、サイズ等を定義しているので、座標を定義する位置データファイル及びリンク情報(例えば識別子)を定義するリンクファイルに比べて、非常にデータサイズ(データ量)が大きいファイルとなる。
描画装置100では、例えば、フレーム領域12毎に対応する複数のデータファイルをバッファメモリ114に一時的に格納する。そして、描画データ処理部59では、バッファメモリ114からデータを読み出し、描画処理に必要なデータにデータ変換を行っていく。実施の形態1では、制御コンピュータを管理する市販されている一般的なオペレーティングシステム(OS)(図示せず)によってバッファメモリ114のメモリ領域(メモリ空間)を管理するのではなく、特に、制御計算機110内に配置された構成によって管理制御していく。
図3は、実施の形態1における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図3において、実施の形態1における描画方法は、領域分割工程(S102)と、領域指定工程(S104)と、判定工程(S106)と、データ読み込み工程(S108)と、判定工程(S109)と、データ消去工程(S110)と、データ変換処理工程(S112)と、描画工程(S114)という一連の工程を実施する。かかる工程のうち、実施の形態1におけるバッファメモリのデータ格納方法として、領域分割工程(S102)と、領域指定工程(S104)と、判定工程(S106)と、データ読み込み工程(S108)と、判定工程(S109)と、データ消去工程(S110)とを実施する。
領域分割工程(S102)として、分割部50は、バッファメモリ114のメモリ領域(メモリ空間)を、領域サイズが大きい大データサイズ領域(第1の領域)と領域サイズが小さい小データサイズ領域(第2の領域)とに分割する。
図4は、実施の形態1におけるバッファメモリのメモリ領域を示す概念図である。図4に示すように、バッファメモリ114のメモリ領域20(メモリ空間)は、分割位置21により大データサイズ領域22(A)と小データサイズ領域24(B)とに2分割される。バッファメモリ114のメモリ領域20は、複数のフレーム領域12分の描画データを同時期に格納可能なサイズである。数フレーム領域12分のメモリ領域20を有する。実効的には、例えば、少なくとも3フレーム領域分のメモリ領域20を有すると好適である。大データサイズ領域22と小データサイズ領域24とに分割するためのメモリ領域20の閾値(分割位置21)は、複数のデータファイルのファイルサイズの比を用いて決定されると好適である。具体的には、セルパターンデータファイルのファイルサイズと、位置データファイル及びリンクファイルのファイルサイズとの比をまず求める。例えば、セルパターンデータファイル:位置データファイル:リンクファイル=10:1:1であれば、メモリ領域20のうち、連続する10/12の領域を大データサイズ領域22に割り当てる。そして、連続する2/12の残りの領域を小データサイズ領域24に割り当てる。その際、かかる大データサイズ領域22に、少なくとも2フレーム領域分のセルパターンデータファイルが格納されるように分割位置21を調整すると好適である。より好ましくは、3フレーム領域分のセルパターンデータファイルが格納されるように分割位置21を調整するとよい。例えば、複数のデータファイルのファイルサイズの比で求めた分割位置21を、少なくとも2フレーム領域分のセルパターンデータファイルが格納されるように大データサイズ領域22側にオフセットαだけシフトさせてもよい。ここで、フレーム領域12によって複数のデータファイルのファイルサイズの比が異なる場合には、複数のフレーム領域12に対しての平均値を用いても好適である。例えば、2フレーム領域分の複数のデータファイルのファイルサイズの比の平均値を用いるとよい。
領域指定工程(S104)として、領域指定部52は、フレーム領域12毎に複数のデータファイルを有する描画データのうち、ファイルサイズの大きいセルパターンデータファイルを大データサイズ領域22内に優先して格納すると共に、ファイルサイズの小さい位置データファイル及びリンクファイルを少なくとも小データサイズ領域24内に格納するように、バッファメモリ114のメモリ領域20を指定する。
判定工程(S106)として、判定部54は、バッファメモリ112内の指定された領域内に要求されたサイズ以上の連続した領域が取れるかどうかを判定する。言い換えれば、バッファメモリ112内の指定された領域内に、当該フレーム領域12の複数のデータファイルを格納するために必要なサイズ以上の連続した領域が取れるかどうかを判定する。必要サイズ以上の連続領域が取れない場合であれば、データ消去工程(S110)へ進む。必要サイズ以上の連続領域が取れる場合であれば、データ読み込み工程(S108)へ進む。
データ読み込み工程(S108)として、読み込み部56は、フレーム領域12毎に、複数のデータファイル(セルパターンデータファイルと位置データファイルとリンクファイル)をそれぞれバッファメモリ114のメモリ領域20のうち指定された領域に読み込み、格納する。
図5は、実施の形態1におけるバッファメモリのメモリ領域を示す概念図である。図5の例では、1番目のフレーム領域12のセルパターンデータファイル(1)を大データサイズ領域22の端部側(分割位置21と反対側)から格納する。また、1番目のフレーム領域12の位置データファイル(1)とリンクファイル(1)を小データサイズ領域24の端部側(分割位置21と反対側)から格納する。位置データファイル(1)とリンクファイル(1)は、連続して格納すると良い。どちらのファイルが先でも構わない。端部側に寄せて順に格納していくことで、次回以降のデータファイルの格納領域を確保できる。
判定工程(S109)として、判定部57は、すべてのフレーム領域12についてファイルデータの格納が終了したかどうを判定する。すべてのフレーム領域12についてファイルデータの格納が終了していない場合には、領域指定工程(S104)に戻り、すべてのフレーム領域12についてファイルデータの格納が終了するまで、順次、後続するフレーム領域について、領域指定工程(S104)から判定工程(S109)までを順に繰り返す。その際、メモリ領域に空いている必要サイズの連続領域の有無に応じて、後述するデータ消去工程(S110)も実施することは言うまでもない。
図5の例では、大データサイズ領域22の端部側から1番目のフレーム領域12のセルパターンデータファイル(1)と2番目のフレーム領域12のセルパターンデータファイル(2)と3番目のフレーム領域12のセルパターンデータファイル(3)とが順に格納される。そして、小データサイズ領域24の端部側から1番目のフレーム領域12の位置データファイル(1)とリンクファイル(1)と、2番目のフレーム領域12の位置データファイル(2)とリンクファイル(2)と、3番目のフレーム領域12の位置データファイル(3)とリンクファイル(3)とが順に格納される。
図6は、実施の形態1におけるバッファメモリへの格納手法を説明するための図である。図6(a)では、比較例として、1,2番目のフレーム領域12分のデータファイルが格納された後、3番目のフレーム領域12の位置データファイル(3)とリンクファイル(3)を大データサイズ領域22に格納した例を示す。かかる場合には、3番目のフレーム領域12のセルパターンデータファイル(3)が格納することが困難になってしまう。これに対して、実施の形態1では、図6(b)に示すように、小データサイズ領域24の端部側から位置データファイル(2)とリンクファイル(2)に続き、3番目のフレーム領域12の位置データファイル(3)を順に寄せて格納することで、セルパターンデータファイル(3)を格納できる。また、その際、セルパターンデータファイルについては、大データサイズ領域22から分割位置21を超えて、小データサイズ領域24側にはみ出して格納させても構わない。
データ消去工程(S110)として、バッファメモリ112内の指定された領域内に、当該フレーム領域12の複数のデータファイルを格納するために必要なサイズ以上の連続した領域が取れない場合であれば、削除部58は、使用済で不必要となった、読み込み時間が古いフレーム領域12側から必要に応じて順にデータファイルを削除する。例えば、図5の例では、4番目のフレーム領域12分のデータファイルを読み込むには、必要サイズ以上の連続領域が不足する場合に、1番目のフレーム領域12分のデータファイルをまず削除する。それでも、不足する場合に、2番目のフレーム領域12分のデータファイルを削除する。従来のOSが行うガーベージコレクション(Garbage Collection)機能では、メモリのメモリ残容量が不足した場合に、その時点で使用していないすべてのフレーム領域分のデータをメモリから削除してしまっていた。これでは、後に改めて必要となったデータファイルの再読み込み時間が余分にかかってしまう。これに対して、実施の形態1では、使用済で不必要となった、読み込み時間が古いフレーム領域12側から必要に応じて順にデータファイルを削除する。そのため、必要以上に削除しないで済ますことができる。よって、データファイルの再読み込み時間を無くす、或いは、低減することができる。
データ変換処理工程(S112)として、描画データ処理部59(データ処理部)は、フレーム領域12毎に、対応する複数のデータファイルをバッファメモリ114から読み出し、読み出された複数のデータファイルを用いて複数段のデータ変換処理(データ処理)を行う。そして、装置固有のショットデータを生成する。ここで、セルパターンは、通常、複数の図形パターンによって構成される。描画装置100で図形パターンを描画するためには、1回のビームのショットで照射できるサイズにセルパターンデータに定義された各図形パターンを分割する必要がある。そこで、描画データ処理部59は、実際に描画するために、各図形パターンを1回のビームのショットで照射できるサイズに分割してショット図形を生成する。そして、ショット図形毎にショットデータを生成する。ショットデータには、例えば、図形種、図形サイズ、及び照射位置といった図形データが定義される。生成されたショットデータは、記憶装置142に記憶される。
描画工程(S114)として、描画部150は、フレーム領域12毎に、データ処理されたデータ内容に沿って、電子ビーム200を用いて試料101にパターンを描画する。具体的には、以下のように動作する。
電子銃201(放出部)から放出された電子ビーム200は、照明レンズ202により矩形例えば長方形の穴を持つ第1のアパーチャ203全体を照明する。ここで、電子ビーム200をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第1のアパーチャ203を通過した第1のアパーチャ像の電子ビーム200は、投影レンズ204により第2のアパーチャ206上に投影される。偏向器205によって、かかる第2のアパーチャ206上での第1のアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させる(可変成形させる)ことができる。そして、第2のアパーチャ206を通過した第2のアパーチャ像の電子ビーム200は、対物レンズ207により焦点を合わせ、主偏向器208及び副偏向器209によって偏向され、連続的に移動するXYステージ105に配置された試料101の所望する位置に照射される。図1では、位置偏向に、主副2段の多段偏向を用いた場合を示している。かかる場合には、主偏向器208でストライプ領域をさらに仮想分割したサブフィールド(SF)の基準位置にステージ移動に追従しながら該当ショットの電子ビーム200を偏向し、副偏向器209でSF内の各照射位置にかかる該当ショットのビームを偏向すればよい。
図7は、実施の形態1におけるバッファメモリの入力データ量と時間との関係を示すグラフの一例である。図7において、縦軸にバッファメモリの入力データ量を示し、横軸に時間を示す。従来のOSによりメモリ管理を行った場合、データをOSの管理によってメモリ上に読み込むと、メモリ内でフラグメンテーションを引き起こす。さらに、OSは、メモリのメモリ容量が不足するとハードディスク等を用いてスワップアウトを行う。これにより、システム側で描画データのデータ変換処理を行う際、データの読み出しに時間がかかり、データ処理が停止してしまう。これに対して、実施の形態1では、制御計算機110内でバッファメモリ114の実際のメモリ領域20に則したメモリの管理を行っているので、フラグメンテーションを生じないようにできる。さらに、実施の形態1では、入力データ量が、バッファメモリ114の実際のメモリ領域20の指定量(許容量)を超えることを回避できる。実施の形態1でのバッファメモリ114の使用率は概ね80〜90%で推移させることができる。よって、スワップアウトを生じさせないようにできる。その結果、描画データ処理部59にてデータ変換処理を行う際、データの読み出しを短時間で済ますことができ、データ処理が停止してしまうことを回避できる。実際、従来の手法でスワップアウトにより読み出しに時間がかかりタイムアウトしたデータ処理が、実施の形態1によって実行可能になった。
以上のように、実施の形態1によれば、メモリ内でのフラグメンテーションやスワップアウトを抑制できる。その結果、データ処理自体の停止を回避し、描画処理の停止を回避できる。
実施の形態2.
実施の形態1では、バッファメモリ114のメモリ領域20を大データサイズ領域22(A)と小データサイズ領域24(B)とに分けて、格納するデータファイル自体を区別したが、実施の形態2では、もっと簡易な方法で少なくともスワップアウトを抑制可能な手法について説明する。実施の形態2における描画装置の構成は、分割部50、及び領域指定部52を不要とする点以外は、図1と同様である。また、以下、特に説明する点以外の内容は実施の形態1と同様で構わない。
図8は、実施の形態2におけるバッファメモリのメモリ領域を示す概念図である。読み込み部56は、フレーム領域12毎に、複数のデータファイル(セルパターンデータファイルと位置データファイルとリンクファイル)をセットにして、バッファメモリ114のメモリ領域20に読み込み格納する。図8の例では、1番目のフレーム領域12のセルパターンデータファイル(1)と位置データファイル(1)とリンクファイル(1)とを1つのセット(1)として、並べてメモリ領域20の端部側に寄せて格納する。その隣に続けて2番目のフレーム領域12のセルパターンデータファイル(2)と位置データファイル(2)とリンクファイル(2)とを1つのセット(2)として格納する。同様に、順に、各セットを格納する。
また、判定部54によって、バッファメモリ112内の指定された領域内に、当該フレーム領域12の複数のデータファイルを格納するために必要なサイズ以上の連続した領域が取れるかどうかを判定する。そして、必要サイズ以上の連続領域が不足する場合であれば、削除部58は、使用済で不必要となった、読み込み時間が古いフレーム領域12側から必要に応じて順にデータファイルのセットを削除する。例えば、図8の例では、4番目のフレーム領域12分のデータファイルのセット(4)を読み込むには、残容量が少ない場合に、1番目のフレーム領域12分のデータファイルのセット(1)をまず削除する。それでも、連続領域が不足する場合に、2番目のフレーム領域12分のデータファイルのセット(2)を削除する。そして、判定部57によってすべてのフレーム領域のデータファイルの格納が終了するまで読み込みとデータ削除を行う。
実施の形態2によれば、常に、同じフレーム領域12用の複数のデータファイルがセットで格納と削除が行われるので、ファイル毎に独立した領域への格納を回避できる。よって、フラグメンテーションを生じさせにくい。また、メモリ領域の指定量(許容量)を超えるデータ格納も行われないので、スワップアウトを回避できる。その結果、データ処理の停止を回避できる。
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置100を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置、描画方法、及びバッファメモリのデータ格納方法は、本発明の範囲に包含される。
20 メモリ領域
22 大データサイズ領域
24 小データサイズ領域
50 分割部
52 領域指定部
54 判定部
56 読み込み部
57 判定部
58 削除部
59 描画データ処理部
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
112 メモリ
114 バッファメモリ
130 制御回路
140,142 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース

Claims (4)

  1. 描画される描画領域が仮想分割されたデータ処理領域毎に複数のデータファイルを有する描画データを一時的に格納する、複数のデータ処理領域分の描画データを同時期に格納可能なメモリ領域を有するバッファメモリと、
    前記バッファメモリのメモリ領域を、領域サイズが大きい第1の領域と領域サイズが小さい第2の領域とに分割する分割部と、
    データ処理領域毎に複数のデータファイルを有する描画データのうち、ファイルサイズの大きいデータファイルを前記第1の領域内に優先して格納すると共に、ファイルサイズの小さいデータファイルを少なくとも前記第2の領域内に格納するように、前記バッファメモリのメモリ領域を指定する領域指定部と、
    データ処理領域毎に、対応する複数のデータファイルを前記バッファメモリから読み出し、読み出された複数のデータファイルを用いてデータ処理を行うデータ処理部と、
    データ処理領域毎に、データ処理されたデータ内容に沿って、荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部と、
    を備え
    前記複数のデータファイルは、少なくとも1つの図形から構成されるセルパターンの位置を示す位置データが定義された位置データファイルと、前記セルパターンのパターンデータが定義されたパターンデータファイルと、前記位置データと対応する前記パターンデータとをリンクさせるリンク情報が定義されたリンクファイルと、を有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
  2. 前記第1と第2の領域に分割するためのメモリ領域の閾値は、前記複数のデータファイルのファイルサイズの比を用いて決定されることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
  3. 前記バッファメモリのメモリ領域は、前記第1と第2の領域に2分割されることを特徴とする請求項1又は2記載の荷電粒子ビーム描画装置。
  4. 描画される描画領域が仮想分割されたデータ処理領域毎に複数のデータファイルを有する描画データを一時的に格納する、複数のデータ処理領域分の描画データを同時期に格納可能なメモリ領域を有するバッファメモリのメモリ領域を、領域サイズが大きい第1の領域と領域サイズが小さい第2の領域とに分割する工程と、
    データ処理領域毎に複数のデータファイルを有する描画データのうち、ファイルサイズの大きいデータファイルを前記第1の領域内に優先して格納すると共に、ファイルサイズの小さいデータファイルを少なくとも前記第2の領域内に格納するように、前記バッファメモリのメモリ領域を指定する工程と、
    データ処理領域毎に、前記複数のデータファイルをそれぞれ前記バッファメモリのメモリ領域のうち指定された領域に格納する工程と、
    を備え
    前記複数のデータファイルは、少なくとも1つの図形から構成されるセルパターンの位置を示す位置データが定義された位置データファイルと、前記セルパターンのパターンデータが定義されたパターンデータファイルと、前記位置データと対応する前記パターンデータとをリンクさせるリンク情報が定義されたリンクファイルと、を有することを特徴とするバッファメモリのデータ格納方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6547635B2 (ja) 2016-01-08 2019-07-24 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6819475B2 (ja) * 2017-06-14 2021-01-27 株式会社ニューフレアテクノロジー データ処理方法、荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画システム

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4534016A (en) * 1983-07-08 1985-08-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Beam addressed memory system
JPS62154728A (ja) * 1985-12-27 1987-07-09 Hitachi Ltd 荷電粒子線描画装置
JPS6381819A (ja) * 1986-09-25 1988-04-12 Fujitsu Ltd 電子ビ−ム露光の制御方式
JP2553102B2 (ja) 1987-09-17 1996-11-13 富士通株式会社 電子ビーム露光装置
JPH07191199A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Fujitsu Ltd 荷電粒子ビーム露光システム及び露光方法
JPH0983771A (ja) * 1995-09-19 1997-03-28 Fuji Xerox Co Ltd ファクシミリ装置
JP4410871B2 (ja) * 1999-03-25 2010-02-03 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
JP2001168017A (ja) * 1999-12-13 2001-06-22 Canon Inc 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び制御データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。
JP4010537B2 (ja) 2002-02-21 2007-11-21 株式会社リコー 画像出力装置及び該装置の画像出力方法
JP4313145B2 (ja) * 2003-10-07 2009-08-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP4989158B2 (ja) * 2005-09-07 2012-08-01 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子線描画データの作成方法及び荷電粒子線描画データの変換方法
JP4476975B2 (ja) * 2005-10-25 2010-06-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム照射量演算方法、荷電粒子ビーム描画方法、プログラム及び荷電粒子ビーム描画装置
JP4745089B2 (ja) * 2006-03-08 2011-08-10 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法、描画データ作成方法及びプログラム
JP2008033838A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Sanyo Electric Co Ltd メモリ管理装置及びメモリ管理方法
US20100180209A1 (en) * 2008-09-24 2010-07-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device management method, and electronic device management system and host electronic device using the method
JP5586183B2 (ja) * 2009-07-15 2014-09-10 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法および装置
JP5159721B2 (ja) * 2009-08-05 2013-03-13 株式会社東芝 メモリ割り当て装置およびメモリ割り当て方法

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