JP2872420B2 - 荷電粒子ビーム露光の方法と装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム露光の方法と装置Info
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- B82—NANOTECHNOLOGY
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- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、荷電粒子ビーム露光技
術に関し、特に電子ビーム等の荷電粒子ビームを用い
て、ＩＣ等の微細なパターンを描画する荷電粒子ビーム
露光技術に関する。
術に関し、特に電子ビーム等の荷電粒子ビームを用い
て、ＩＣ等の微細なパターンを描画する荷電粒子ビーム
露光技術に関する。
【０００２】近年、増々ＩＣの集積度と機能が向上し、
計算器、通信、機械制御等、広く産業全般に亘り、技術
進歩の核技術としての役割りが期待されている。ＩＣ
は、２〜３年で４倍の高集積化を達成し、ＤＲＡＭでは
１Ｍ、４Ｍ、１６Ｍ、６４Ｍとその集積化が進んでい
る。
計算器、通信、機械制御等、広く産業全般に亘り、技術
進歩の核技術としての役割りが期待されている。ＩＣ
は、２〜３年で４倍の高集積化を達成し、ＤＲＡＭでは
１Ｍ、４Ｍ、１６Ｍ、６４Ｍとその集積化が進んでい
る。
【０００３】このような高集積化は、微細加工技術の進
歩によって初めて可能とされる。これまでの微細加工技
術は、主に光技術による露光によって行なわれている。
光技術は、０．５μｍの微細加工が可能になるところま
で進歩を続けている。しかし、光技術の限界は、０．３
μｍ程度にあると考えられる。したがって、将来必要と
される０．１５μｍ以下の微細パターンを形成すること
は、非常に困難になりつつある。
歩によって初めて可能とされる。これまでの微細加工技
術は、主に光技術による露光によって行なわれている。
光技術は、０．５μｍの微細加工が可能になるところま
で進歩を続けている。しかし、光技術の限界は、０．３
μｍ程度にあると考えられる。したがって、将来必要と
される０．１５μｍ以下の微細パターンを形成すること
は、非常に困難になりつつある。
【０００４】電子ビーム露光においては、０．１０μｍ
以下の微細加工が、０．０５μｍ以下の位置合わせ精度
で実現できる。従来の電子ビーム露光は、スループット
が低くてＬＳＩの量産には使用できないであろうと考え
られていた。しかし、近年本発明者らによるブロック露
光やブランキングアパーチャアレー方式等の発明によ
り、１ｃｍ2 ／１ｓｅｃ程度のスループットが期待でき
るようになった。スループットが確保されれば、その他
の微細化、位置合わせ精度、クイックターンアラウン
ド、信頼性、ソフトの向上による将来性等においては、
電子ビーム露光は他のリソグラフィ手段に比較し、格段
に優れていると考えられる。
以下の微細加工が、０．０５μｍ以下の位置合わせ精度
で実現できる。従来の電子ビーム露光は、スループット
が低くてＬＳＩの量産には使用できないであろうと考え
られていた。しかし、近年本発明者らによるブロック露
光やブランキングアパーチャアレー方式等の発明によ
り、１ｃｍ2 ／１ｓｅｃ程度のスループットが期待でき
るようになった。スループットが確保されれば、その他
の微細化、位置合わせ精度、クイックターンアラウン
ド、信頼性、ソフトの向上による将来性等においては、
電子ビーム露光は他のリソグラフィ手段に比較し、格段
に優れていると考えられる。
【０００５】
【従来の技術】電子ビームの偏向手段には、静電偏向と
電磁偏向がある。一般的に静電偏向の方が高速であり、
電磁偏向は遅いと考えられている。
電磁偏向がある。一般的に静電偏向の方が高速であり、
電磁偏向は遅いと考えられている。
【０００６】そこで、高速性を目的として静電偏向のみ
で電子ビーム光学鏡筒を設計することがある。しかし、
電子ビーム露光を高速にするためには、電子ビームの強
度（電流密度）も大きくすることが必須条件となる。電
流密度を上げ、かつ解像度を確保するためには、少なく
とも最終段の投影レンズの焦点距離を小さくし、球面収
差と色収差を極小に抑える必要がある。
で電子ビーム光学鏡筒を設計することがある。しかし、
電子ビーム露光を高速にするためには、電子ビームの強
度（電流密度）も大きくすることが必須条件となる。電
流密度を上げ、かつ解像度を確保するためには、少なく
とも最終段の投影レンズの焦点距離を小さくし、球面収
差と色収差を極小に抑える必要がある。
【０００７】また、電流密度の大きなパターン化された
ビームには、数多くの電子が含まれているため、電子間
のクーロン反発力によってビームがぼける現象もある。
このぼけを低減するためには、レンズ全体を短くするこ
とが必要である。電磁レンズを短いものにすると、静電
偏光器のみによる偏向では、偏向能率が著しく落ちる。
特に、ステップアンドリピートモードの露光では、まる
で使用できないスループットになってしまう。連続移動
モード露光を採用したとしても、１ｍｍに満たない偏向
幅を用いると、ステージの移動速度は秒速１００ｍｍ以
上に上げないと、実際的な露光の高速性は望めない。
ビームには、数多くの電子が含まれているため、電子間
のクーロン反発力によってビームがぼける現象もある。
このぼけを低減するためには、レンズ全体を短くするこ
とが必要である。電磁レンズを短いものにすると、静電
偏光器のみによる偏向では、偏向能率が著しく落ちる。
特に、ステップアンドリピートモードの露光では、まる
で使用できないスループットになってしまう。連続移動
モード露光を採用したとしても、１ｍｍに満たない偏向
幅を用いると、ステージの移動速度は秒速１００ｍｍ以
上に上げないと、実際的な露光の高速性は望めない。
【０００８】偏向能率を向上させるため、静電偏向アン
プの電圧を上げる方法もある。しかし、高電圧出力トラ
ンジスタは、速度が遅く、故障が多い。これらの問題を
解決し、静電偏向器をメインデフレクタとして使用でき
たとしても、サブフィールド走査のためのサブデフレク
タも静電偏向器で構成されるため、両者を重ねて配置す
ることはできず、並べて配置せざるを得ない。このため
レンズの長さは、ある程度以上短くならない。レンズの
長さが短くならないと、電子間のクーロン反発力による
ぼけを有効に低減することができない。
プの電圧を上げる方法もある。しかし、高電圧出力トラ
ンジスタは、速度が遅く、故障が多い。これらの問題を
解決し、静電偏向器をメインデフレクタとして使用でき
たとしても、サブフィールド走査のためのサブデフレク
タも静電偏向器で構成されるため、両者を重ねて配置す
ることはできず、並べて配置せざるを得ない。このため
レンズの長さは、ある程度以上短くならない。レンズの
長さが短くならないと、電子間のクーロン反発力による
ぼけを有効に低減することができない。
【０００９】実際的な電子ビーム露光装置は、電磁偏向
と静電偏向の２つを用いたものとなるであろう。電磁偏
向器は、複数個のコイルをビーム軸に交差させて配列し
たものであり、電子ビームをビーム軸に直角な方向に大
きく偏向することが可能であるが、コイルを用いるた
め、コイルのインダクタンスによる電流変化の静定が遅
い。
と静電偏向の２つを用いたものとなるであろう。電磁偏
向器は、複数個のコイルをビーム軸に交差させて配列し
たものであり、電子ビームをビーム軸に直角な方向に大
きく偏向することが可能であるが、コイルを用いるた
め、コイルのインダクタンスによる電流変化の静定が遅
い。
【００１０】また、渦電流によって電子ビームの位置が
変動し、ビーム位置の静定までに長い時間がかかること
がある。本発明者らは、先にメインデフレクタの静定に
かかる時間の短縮を提案した（ＵＳＰ４，６０７，３３
３）。
変動し、ビーム位置の静定までに長い時間がかかること
がある。本発明者らは、先にメインデフレクタの静定に
かかる時間の短縮を提案した（ＵＳＰ４，６０７，３３
３）。
【００１１】以下、図３、図４を参照して、この提案に
よる露光技術を簡単に説明する。図３は、電子ビーム
（ＥＢ）露光装置の構成を概略的に示す。電子ビーム鏡
筒内には、電子ビーム源４が配置され、電子ビーム２４
が発生する。この電子ビーム２４は、電磁コイルで形成
されたメインデフレクタ７によって大きく偏向され、か
つ静電偏向電極８ａ、８ｂで形成されたサブデフレクタ
８によって小さく、かつ高速に偏向される。また、電子
ビーム軸上には、ブランキング電極等のシャッター手段
１１が設けられ、任意に電子ビーム２４をオン／オフ操
作する。電子ビームを用いて露光すべきウエハ１は、移
動用ステージ１０の上に載置されている。連続移動方式
の場合、ステージ１０は１方向に連続的に移動される。
よる露光技術を簡単に説明する。図３は、電子ビーム
（ＥＢ）露光装置の構成を概略的に示す。電子ビーム鏡
筒内には、電子ビーム源４が配置され、電子ビーム２４
が発生する。この電子ビーム２４は、電磁コイルで形成
されたメインデフレクタ７によって大きく偏向され、か
つ静電偏向電極８ａ、８ｂで形成されたサブデフレクタ
８によって小さく、かつ高速に偏向される。また、電子
ビーム軸上には、ブランキング電極等のシャッター手段
１１が設けられ、任意に電子ビーム２４をオン／オフ操
作する。電子ビームを用いて露光すべきウエハ１は、移
動用ステージ１０の上に載置されている。連続移動方式
の場合、ステージ１０は１方向に連続的に移動される。
【００１２】露光すべきパターンのデータは、メモリ１
４に記憶され、必要に応じてバス１５を介してＣＰＵ１
６に読み出される。ＣＰＵ１６から供給されるデジタル
データのパターン情報は、デジタル制御回路１７、２０
で処理され、デジタル・アナログ変換器１８、２１を介
して、アナログ信号に変換された後、アンプ１９、２３
に供給される。アンプ２３は、メインデフレクタ７用で
あり、さらにアンプ２２を介して増幅され、メインデフ
レクタ７のコイルに電流Ｉを供給する。メインデフレク
タ７を流れる電流Ｉは、モニタ抵抗ＲＭを介して電流値
に比例した電圧を発生させる。ところで、メインデフレ
クタ７はインダクタンスＬを有するため、電流の立上が
りに時間を必要とする。このため、過渡状態において
は、アンプ２３の出力電圧とアンプ２２の出力電流の変
化に差が生じる。
４に記憶され、必要に応じてバス１５を介してＣＰＵ１
６に読み出される。ＣＰＵ１６から供給されるデジタル
データのパターン情報は、デジタル制御回路１７、２０
で処理され、デジタル・アナログ変換器１８、２１を介
して、アナログ信号に変換された後、アンプ１９、２３
に供給される。アンプ２３は、メインデフレクタ７用で
あり、さらにアンプ２２を介して増幅され、メインデフ
レクタ７のコイルに電流Ｉを供給する。メインデフレク
タ７を流れる電流Ｉは、モニタ抵抗ＲＭを介して電流値
に比例した電圧を発生させる。ところで、メインデフレ
クタ７はインダクタンスＬを有するため、電流の立上が
りに時間を必要とする。このため、過渡状態において
は、アンプ２３の出力電圧とアンプ２２の出力電流の変
化に差が生じる。
【００１３】アンプ２３の出力電圧は、調整用アンプ２
９を介してモニタ抵抗ＲＭの出力電圧準位に対応する電
圧Ｖ１に増幅され、モニタ抵抗ＲＭの出力電圧Ｖ２と共
に、差動アンプ２５に供給される。定常状態において
は、２つの入力電圧Ｖ１とＶ２は同じ値をとる。
９を介してモニタ抵抗ＲＭの出力電圧準位に対応する電
圧Ｖ１に増幅され、モニタ抵抗ＲＭの出力電圧Ｖ２と共
に、差動アンプ２５に供給される。定常状態において
は、２つの入力電圧Ｖ１とＶ２は同じ値をとる。
【００１４】差動アンプ２５は、入力電圧の差に基づい
て出力電圧Ｖ３を発生し、抵抗Ｒ１ａ、Ｒ１ｂを介して
アンプ２６、２７に差信号を供給する。なお、アンプ２
８に供給される差信号は、インバータ２７を介して極性
が反転されている。
て出力電圧Ｖ３を発生し、抵抗Ｒ１ａ、Ｒ１ｂを介して
アンプ２６、２７に差信号を供給する。なお、アンプ２
８に供給される差信号は、インバータ２７を介して極性
が反転されている。
【００１５】サブデフレクタ用アンプ１９ａ、１９ｂ
は、それぞれサブデフレクタの電極８ａ、８ｂに電圧を
供給するためのものであり、互いに極性が逆の電圧を抵
抗Ｒ２ａ、Ｒ２ｂを介してアンプ２６、２８に供給す
る。なお、アンプ２６、２８には、フィードバック用抵
抗Ｒ３ａ、Ｒ３ｂが設けられている。このようにして、
アンプ２６、２８は、サブフィールド内で電子ビームを
走査するための電圧を発生し、サブデフレクタ８の電極
８ａ、８ｂ間に供給する。
は、それぞれサブデフレクタの電極８ａ、８ｂに電圧を
供給するためのものであり、互いに極性が逆の電圧を抵
抗Ｒ２ａ、Ｒ２ｂを介してアンプ２６、２８に供給す
る。なお、アンプ２６、２８には、フィードバック用抵
抗Ｒ３ａ、Ｒ３ｂが設けられている。このようにして、
アンプ２６、２８は、サブフィールド内で電子ビームを
走査するための電圧を発生し、サブデフレクタ８の電極
８ａ、８ｂ間に供給する。
【００１６】本発明者らの先の提案（ＵＳＰ４，６０
７，３３３）においては、描画パターンの分割は図４
（Ａ）に示すように行なわれている。すなわち、描画す
べき全領域であるフィールド３０は、矢印で示すステー
ジ移動方向に沿った細長い複数のストライプ３１に分割
され、各ストライプはステージ移動方向と直交する複数
のバンド３２に分割されている。バンド３２は、さらに
サブデフレクタによって走査すべき複数のサブフィール
ド３３に分割される。サブフィールド３３は、メインデ
フレクタをサブフィールド中心点に偏向し、高速のサブ
デフレクタによって描画パターンを走査する領域であ
る。サブデフレクタの偏向可能領域が、たとえば１００
μｍ×１００μｍである場合、サブフィールド３３の大
きさはほぼ同等の１００μｍ×１００μｍの大きさに設
定される。
７，３３３）においては、描画パターンの分割は図４
（Ａ）に示すように行なわれている。すなわち、描画す
べき全領域であるフィールド３０は、矢印で示すステー
ジ移動方向に沿った細長い複数のストライプ３１に分割
され、各ストライプはステージ移動方向と直交する複数
のバンド３２に分割されている。バンド３２は、さらに
サブデフレクタによって走査すべき複数のサブフィール
ド３３に分割される。サブフィールド３３は、メインデ
フレクタをサブフィールド中心点に偏向し、高速のサブ
デフレクタによって描画パターンを走査する領域であ
る。サブデフレクタの偏向可能領域が、たとえば１００
μｍ×１００μｍである場合、サブフィールド３３の大
きさはほぼ同等の１００μｍ×１００μｍの大きさに設
定される。
【００１７】ストライプ３１の露光にあたっては、ステ
ージを矢印方向に連続的に移動させながら、メインデフ
レクタで各サブフィールド３３の中心位置を次々に走査
する。メインデフレクタの位置が、各サブフィールドの
中心にあるあいだにサブデフレクタによって電子ビーム
をサブフィールド３３内に偏向し、サブフィールド内の
パターンを描画する。
ージを矢印方向に連続的に移動させながら、メインデフ
レクタで各サブフィールド３３の中心位置を次々に走査
する。メインデフレクタの位置が、各サブフィールドの
中心にあるあいだにサブデフレクタによって電子ビーム
をサブフィールド３３内に偏向し、サブフィールド内の
パターンを描画する。
【００１８】１つのサブフィールド３３の露光が終わっ
た時は、メインデフレクタによる偏向を次のサブフィー
ルドに移動させ、サブデフレクタの走査によって次のサ
ブフィールドの露光を行なう。
た時は、メインデフレクタによる偏向を次のサブフィー
ルドに移動させ、サブデフレクタの走査によって次のサ
ブフィールドの露光を行なう。
【００１９】ところで、メインデフレクタを移動させる
場合、図３に示すメインデフレクタ用アンプ２３の立上
がり時間と、メインデフレクタを流れる電流Ｉの立上が
り時間に差が生じる。
場合、図３に示すメインデフレクタ用アンプ２３の立上
がり時間と、メインデフレクタを流れる電流Ｉの立上が
り時間に差が生じる。
【００２０】図４（Ｂ）は、デジタル・アナログ変換器
２１の立上がり電圧を表わす電圧Ｖ１の変化を示す。Ｄ
ＡＣ２１、アンプ２３、２９の立上がりは早く、電圧Ｖ
１は１００μｍの移動に対応する変化をほぼ１〜２μｓ
ｅｃの間に行なう。
２１の立上がり電圧を表わす電圧Ｖ１の変化を示す。Ｄ
ＡＣ２１、アンプ２３、２９の立上がりは早く、電圧Ｖ
１は１００μｍの移動に対応する変化をほぼ１〜２μｓ
ｅｃの間に行なう。
【００２１】コイル７を流れる電流は、インダクタンス
Ｌのため立上がりに時間を要する。図４（Ｃ）がコイル
電流を表わすモニタ抵抗ＲＭの出力電圧Ｖ２の立上がり
波形を示す。電圧Ｖ２は、比較的緩やかに立上がってオ
ーバーシュートし、次第に安定化する。コイル電流が安
定化するためには、ほぼ１００μｓｅｃ程度の時間を必
要とする。
Ｌのため立上がりに時間を要する。図４（Ｃ）がコイル
電流を表わすモニタ抵抗ＲＭの出力電圧Ｖ２の立上がり
波形を示す。電圧Ｖ２は、比較的緩やかに立上がってオ
ーバーシュートし、次第に安定化する。コイル電流が安
定化するためには、ほぼ１００μｓｅｃ程度の時間を必
要とする。
【００２２】メインデフレクタの位置を変更するたび
に、１００μｓｅｃの待ち時間を生じると、たとえば１
０ｍｍ平方の面積を露光する場合、待ち時間だけで１秒
の時間を必要としてしまう。すると、実際の露光に１秒
必要とするとすれば、合計２秒の時間が必要となってし
まう。
に、１００μｓｅｃの待ち時間を生じると、たとえば１
０ｍｍ平方の面積を露光する場合、待ち時間だけで１秒
の時間を必要としてしまう。すると、実際の露光に１秒
必要とするとすれば、合計２秒の時間が必要となってし
まう。
【００２３】そこで、ＤＡＣの出力電圧とコイル電流の
モニタ電圧との差を図３に示す差動アンプ２５で検出
し、補正用電圧Ｖ３を形成する。図４（Ｄ）に、この差
信号Ｖ３の波形を示す。差信号電圧Ｖ３は、ＤＡＣ出力
の立上がりと共に立上がり、コイル電流モニタ電圧の立
上がりにしたがって徐々に減少し、小さな振幅となって
やがて安定化する。
モニタ電圧との差を図３に示す差動アンプ２５で検出
し、補正用電圧Ｖ３を形成する。図４（Ｄ）に、この差
信号Ｖ３の波形を示す。差信号電圧Ｖ３は、ＤＡＣ出力
の立上がりと共に立上がり、コイル電流モニタ電圧の立
上がりにしたがって徐々に減少し、小さな振幅となって
やがて安定化する。
【００２４】この差信号電圧Ｖ３を、図３の回路に示す
ように、サブデフレクタ用のアンプ２６、２８に加算的
に供給すると、コイル電流が安定化しない状態において
も、差信号がある程度安定化すると磁場の変化を補償
し、必要とする精度で描画することを可能にする。差信
号電圧Ｖ３が補正可能な値（位置変動に換算して約１０
μｍ程度）に落着くまでの時間は、約４０μｓｅｃ程度
である。したがって、図３の回路に示すように、差信号
をサブデフレクタにフィードバックすることにより、メ
インデフレクタ変更時の待ち時間を約１００μｓｅｃか
ら約４０μｓｅｃに減少することが可能となる。
ように、サブデフレクタ用のアンプ２６、２８に加算的
に供給すると、コイル電流が安定化しない状態において
も、差信号がある程度安定化すると磁場の変化を補償
し、必要とする精度で描画することを可能にする。差信
号電圧Ｖ３が補正可能な値（位置変動に換算して約１０
μｍ程度）に落着くまでの時間は、約４０μｓｅｃ程度
である。したがって、図３の回路に示すように、差信号
をサブデフレクタにフィードバックすることにより、メ
インデフレクタ変更時の待ち時間を約１００μｓｅｃか
ら約４０μｓｅｃに減少することが可能となる。
【００２５】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
本発明者らの先の提案によれば、メインデフレクタによ
る偏向位置を変更するたびに必要とする待ち時間が半分
以下に減少できるが、待ち時間は少なければ少ないほど
よい。
本発明者らの先の提案によれば、メインデフレクタによ
る偏向位置を変更するたびに必要とする待ち時間が半分
以下に減少できるが、待ち時間は少なければ少ないほど
よい。
【００２６】本発明の目的は、電磁コイルを用いたメイ
ンデフレクタと、静電偏向電極を用いたサブデフレクタ
とを用いる荷電粒子ビーム露光方法において、メインデ
フレクタによる偏向位置を変更した時に必要とする待ち
時間を、さらに減少させることのできる荷電粒子ビーム
露光方法を提供することである。
ンデフレクタと、静電偏向電極を用いたサブデフレクタ
とを用いる荷電粒子ビーム露光方法において、メインデ
フレクタによる偏向位置を変更した時に必要とする待ち
時間を、さらに減少させることのできる荷電粒子ビーム
露光方法を提供することである。
【００２７】本発明の他の目的は、このような荷電粒子
ビーム露光方法を実施することのできる荷電粒子ビーム
露光装置を提供することである。
ビーム露光方法を実施することのできる荷電粒子ビーム
露光装置を提供することである。
【００２８】
【課題を解決するための手段】本発明の荷電粒子ビーム
露光方法は、荷電粒子ビームを電磁偏向のメインデフレ
クタによってＸ方向に偏向しつつ、静電偏向のサブデフ
レクタによってメインデフレクタの偏向位置周辺に荷電
粒子ビームを偏向して露光する荷電粒子ビーム露光方法
であって、露光すべきパターンデータをＹ軸方向の幅に
対してＸ軸方向の幅がほぼ１／３以下である細長いサブ
フィールドに分割する工程と、Ｘ方向に隣接するサブフ
ィールドの基準位置のデータをメインデフレクタ用のデ
ジタル・アナログ変換器に順次設定する工程と、デジタ
ル・アナログ変換器の出力電圧がほぼ安定した時は、メ
インデフレクタの電流の変動に対応する補正電圧とサブ
フィールド内部のパターンデータとに基づいて、サブデ
フレクタによって荷電粒子ビームを偏向して露光を行な
う工程とを含み、細長いサブフィールドのＸ軸方向の幅
は、補正電圧によるサブデフレクタの偏向によってメイ
ンデフレクタの電流立上がりによる位置変動が補正可能
なように選択されている。
露光方法は、荷電粒子ビームを電磁偏向のメインデフレ
クタによってＸ方向に偏向しつつ、静電偏向のサブデフ
レクタによってメインデフレクタの偏向位置周辺に荷電
粒子ビームを偏向して露光する荷電粒子ビーム露光方法
であって、露光すべきパターンデータをＹ軸方向の幅に
対してＸ軸方向の幅がほぼ１／３以下である細長いサブ
フィールドに分割する工程と、Ｘ方向に隣接するサブフ
ィールドの基準位置のデータをメインデフレクタ用のデ
ジタル・アナログ変換器に順次設定する工程と、デジタ
ル・アナログ変換器の出力電圧がほぼ安定した時は、メ
インデフレクタの電流の変動に対応する補正電圧とサブ
フィールド内部のパターンデータとに基づいて、サブデ
フレクタによって荷電粒子ビームを偏向して露光を行な
う工程とを含み、細長いサブフィールドのＸ軸方向の幅
は、補正電圧によるサブデフレクタの偏向によってメイ
ンデフレクタの電流立上がりによる位置変動が補正可能
なように選択されている。
【００２９】
【作用】サブフィールドがＹ軸方向の幅に対して、Ｘ軸
方向の幅がほぼ１／３以下に設定されるため、Ｘ方向に
サブフィールドを移動する時の移動距離が短くなる。こ
の移動距離を定めるＸ軸方向の幅は、メインデフレクタ
の電流立上がりによる位置変動が、メインデフレクタ電
流等によって形成される補正電圧によって、補正可能な
値に選択されているため、デジタル・アナログ変換器の
出力電圧が安定化した後は、必要とする精度で露光を行
なうことができる。
方向の幅がほぼ１／３以下に設定されるため、Ｘ方向に
サブフィールドを移動する時の移動距離が短くなる。こ
の移動距離を定めるＸ軸方向の幅は、メインデフレクタ
の電流立上がりによる位置変動が、メインデフレクタ電
流等によって形成される補正電圧によって、補正可能な
値に選択されているため、デジタル・アナログ変換器の
出力電圧が安定化した後は、必要とする精度で露光を行
なうことができる。
【００３０】たとえば、デジタル・アナログ変換器の立
上がり時間は、２〜３μｓｅｃ以下のものが容易に得ら
れるため、メインデフレクタ偏向位置変更後の待ち時間
を極めて短くすることができる。
上がり時間は、２〜３μｓｅｃ以下のものが容易に得ら
れるため、メインデフレクタ偏向位置変更後の待ち時間
を極めて短くすることができる。
【００３１】
【実施例】本発明の実施例を、以下図面を参照して説明
する。電子ビーム露光装置としては、図３に示す構成と
同様の構成のものを用いることができる。メインデフレ
クタ７は、たとえば２ｍｍ平方の面積を偏向することが
できる。図においては、１つのコイルで例示したが、メ
インデフレクタ７はビーム軸に垂直なＸ軸およびＹ軸に
垂直な２組のコイルで構成される。各組のコイルは、２
〜４個のコイルを直列に接続したもので構成される。こ
のようなコイルのインダクタンスは、たとえば約４０μ
Ｈであり、１軸あたりのフィールド端部（最大偏向量）
での発熱量は約１０ｗである。
する。電子ビーム露光装置としては、図３に示す構成と
同様の構成のものを用いることができる。メインデフレ
クタ７は、たとえば２ｍｍ平方の面積を偏向することが
できる。図においては、１つのコイルで例示したが、メ
インデフレクタ７はビーム軸に垂直なＸ軸およびＹ軸に
垂直な２組のコイルで構成される。各組のコイルは、２
〜４個のコイルを直列に接続したもので構成される。こ
のようなコイルのインダクタンスは、たとえば約４０μ
Ｈであり、１軸あたりのフィールド端部（最大偏向量）
での発熱量は約１０ｗである。
【００３２】サブフィールドを１００μｍ平方に形成す
ると、サブフィールド間移動の際に生じる渦電流による
位置ずれは、約０．０５〜０．１０μｍである。ＵＳＰ
４，５８５，９４３で提案したような、ナイフエッジと
反射電子検出器を用いた渦電流補償手段を用いると、渦
電流による位置ずれを、約０．０１〜０．０２μｍ程度
まで減少することが可能である。
ると、サブフィールド間移動の際に生じる渦電流による
位置ずれは、約０．０５〜０．１０μｍである。ＵＳＰ
４，５８５，９４３で提案したような、ナイフエッジと
反射電子検出器を用いた渦電流補償手段を用いると、渦
電流による位置ずれを、約０．０１〜０．０２μｍ程度
まで減少することが可能である。
【００３３】サブフィールドの幅を約１０μｍとする
と、メインデフレクタによる偏向位置のジャンプも約１
０μｍとなる。この場合、コイルに流す電流の変動も小
さくて済むため、渦電流による位置ずれも１／５以下に
抑えられる。
と、メインデフレクタによる偏向位置のジャンプも約１
０μｍとなる。この場合、コイルに流す電流の変動も小
さくて済むため、渦電流による位置ずれも１／５以下に
抑えられる。
【００３４】デジタル・アナログ変換器２１は、１０μ
ｍジャンプに相当する出力変化を行なうには、たとえば
約１μｓｅｃの時間で２０ビットの出力を安定化させる
ことができる。この立上がりに必要な時間も、１００μ
ｍジャンプの場合と比べ、約１／２程度減少できる。メ
モリ１４およびデジタル制御回路１７、２０は、サブフ
ィールドの数を１０倍にした時も十分な記憶容量を有す
るように設計される。他の点は、前に述べた場合と同様
である。
ｍジャンプに相当する出力変化を行なうには、たとえば
約１μｓｅｃの時間で２０ビットの出力を安定化させる
ことができる。この立上がりに必要な時間も、１００μ
ｍジャンプの場合と比べ、約１／２程度減少できる。メ
モリ１４およびデジタル制御回路１７、２０は、サブフ
ィールドの数を１０倍にした時も十分な記憶容量を有す
るように設計される。他の点は、前に述べた場合と同様
である。
【００３５】図１は、本発明の実施例による荷電粒子ビ
ーム露光方法を説明するための図である。図１（Ａ）
は、描画パターンの分割を模式的に示す平面図である。
露光すべき領域は、矢印で示すステージ移動方向にほぼ
垂直な方向（Ｘ軸方向とする）に細長い複数のバンド３
２に分割されている。各バンド３２は、さらにＸ軸方向
に垂直なＹ軸方向に細長いサブフィールド３３に分割さ
れる。サブフィールド３３は、メインデフレクタによる
偏向位置を一定の値に保ちつつ、サブデフレクタによっ
てベクトル走査でパターンを描画する領域である。
ーム露光方法を説明するための図である。図１（Ａ）
は、描画パターンの分割を模式的に示す平面図である。
露光すべき領域は、矢印で示すステージ移動方向にほぼ
垂直な方向（Ｘ軸方向とする）に細長い複数のバンド３
２に分割されている。各バンド３２は、さらにＸ軸方向
に垂直なＹ軸方向に細長いサブフィールド３３に分割さ
れる。サブフィールド３３は、メインデフレクタによる
偏向位置を一定の値に保ちつつ、サブデフレクタによっ
てベクトル走査でパターンを描画する領域である。
【００３６】図１（Ｂ）は、サブフィールド３３を拡大
して示す。各サブフィールドには露光すべき露光パター
ン３４が分布している。これらの露光パターンをサブデ
フレクタの偏向によって露光する。
して示す。各サブフィールドには露光すべき露光パター
ン３４が分布している。これらの露光パターンをサブデ
フレクタの偏向によって露光する。
【００３７】図１（Ｃ）は、さらにサブフィールド３３
と図３に示すような電子ビーム露光装置の性能との関係
を示す。図３に示す電子ビーム露光装置においては、Ｄ
ＡＣ２１の立上がり電圧と、コイルの電流モニタ用抵抗
ＲＭの立上がり電圧との差分を差動アンプ２５によって
増幅し、サブデフレクタ用アンプ２６、２８にフィード
バックして、メインデフレクタ用コイルの電流不足を補
償する。このフィードバックによって、偏向位置が補正
可能な領域を３５で示す。このフィードバック可能領域
３５は、サブデフレクタの偏向可能領域よりはかなり小
さく、たとえばサブデフレクタによる偏向可能領域が約
１００μｍである場合、フィードバック補正可能領域３
５は、約１０μｍの幅である。したがって、サブフィー
ルド３３を幅約１０μｍ、長さ約１００μｍとした場
合、フィードバック補正可能領域３５はサブフィールド
３３の周囲に幅約１０μｍの領域となる。本実施例にお
いては、サブフィールド３３をＸ軸方向の幅が約１０μ
ｍ、Ｙ軸方向の幅が約１００μｍの長方形に設定する。
したがって、図１（Ａ）に示す隣接するサブフィールド
間のＸ軸方向距離は約１０μｍである。フィードバック
補正可能領域３５が、約１０μｍの幅を有するので、メ
インデフレクタの偏向位置をあるサブフィールドからＸ
軸方向の隣りのサブフィールドに偏向した場合、コイル
の電流が立上がらなくても、次のサブフィールドは補正
可能領域３５に含まれることになる。
と図３に示すような電子ビーム露光装置の性能との関係
を示す。図３に示す電子ビーム露光装置においては、Ｄ
ＡＣ２１の立上がり電圧と、コイルの電流モニタ用抵抗
ＲＭの立上がり電圧との差分を差動アンプ２５によって
増幅し、サブデフレクタ用アンプ２６、２８にフィード
バックして、メインデフレクタ用コイルの電流不足を補
償する。このフィードバックによって、偏向位置が補正
可能な領域を３５で示す。このフィードバック可能領域
３５は、サブデフレクタの偏向可能領域よりはかなり小
さく、たとえばサブデフレクタによる偏向可能領域が約
１００μｍである場合、フィードバック補正可能領域３
５は、約１０μｍの幅である。したがって、サブフィー
ルド３３を幅約１０μｍ、長さ約１００μｍとした場
合、フィードバック補正可能領域３５はサブフィールド
３３の周囲に幅約１０μｍの領域となる。本実施例にお
いては、サブフィールド３３をＸ軸方向の幅が約１０μ
ｍ、Ｙ軸方向の幅が約１００μｍの長方形に設定する。
したがって、図１（Ａ）に示す隣接するサブフィールド
間のＸ軸方向距離は約１０μｍである。フィードバック
補正可能領域３５が、約１０μｍの幅を有するので、メ
インデフレクタの偏向位置をあるサブフィールドからＸ
軸方向の隣りのサブフィールドに偏向した場合、コイル
の電流が立上がらなくても、次のサブフィールドは補正
可能領域３５に含まれることになる。
【００３８】図２は、図１に示すような描画パターンの
分割を行なった場合の図３の回路の要部で得られる信号
波形を示す。メインデフレクタをＸ軸方向の隣りのサブ
フィールドに偏向した場合、このサブフィールド変更に
したがって、ＤＡＣ２１には新な位置座標が設定され、
ＤＡＣ２１の出力に対応する電圧Ｖ１は、図２（Ａ）に
示すように立上がる。出力電圧Ｖ１は、ＤＡＣ２１およ
びアンプ２３、２９を含む回路の立上がり電圧である
が、これらの回路は応答速度が速く、約１０μｍの位置
移動に対する応答は約１μｓｅｃ程度以下にできる。な
お、このＤＡＣの出力電圧Ｖ１が安定化するまでは、電
子ビームの位置決めは信頼性を持って行なうことができ
ないため、この立上がり中の時間は利用することができ
ない。
分割を行なった場合の図３の回路の要部で得られる信号
波形を示す。メインデフレクタをＸ軸方向の隣りのサブ
フィールドに偏向した場合、このサブフィールド変更に
したがって、ＤＡＣ２１には新な位置座標が設定され、
ＤＡＣ２１の出力に対応する電圧Ｖ１は、図２（Ａ）に
示すように立上がる。出力電圧Ｖ１は、ＤＡＣ２１およ
びアンプ２３、２９を含む回路の立上がり電圧である
が、これらの回路は応答速度が速く、約１０μｍの位置
移動に対する応答は約１μｓｅｃ程度以下にできる。な
お、このＤＡＣの出力電圧Ｖ１が安定化するまでは、電
子ビームの位置決めは信頼性を持って行なうことができ
ないため、この立上がり中の時間は利用することができ
ない。
【００３９】図２（Ｂ）は、図３の回路におけるメイン
デフレクタ用コイル７のモニタ用抵抗ＲＭの端子電圧Ｖ
２の波形を示す。コイルはインダクタンスＬを有するた
め、立上がりが遅く、電圧波形は緩かに立上がり、安定
化するまでには約１００μｓｅｃの時間を要する。
デフレクタ用コイル７のモニタ用抵抗ＲＭの端子電圧Ｖ
２の波形を示す。コイルはインダクタンスＬを有するた
め、立上がりが遅く、電圧波形は緩かに立上がり、安定
化するまでには約１００μｓｅｃの時間を要する。
【００４０】図２（Ｃ）は、これら２つの電圧信号Ｖ
１、Ｖ２の差信号の波形を示す。この差信号が差動アン
プ２５の入力電圧となる。サブフィールド３３のＸ軸方
向の幅が、約１０μｍに設定されているため、ＤＡＣの
出力Ｖ１の値は最大１０μｍに対応する値である。ま
た、コイル電流モニタ電圧Ｖ２の値は、立上がりが緩や
かではあるが正の値をとる。したがって、差電圧Ｖ３＝
Ｖ１−Ｖ２は、当初正の方向に立上がり、１０μｍの位
置変動に対応する値よりも小さな値でピークを形成す
る。その後、差信号は緩やかに減少し、わずかに振動し
た後、安定化する。安定化までに要する時間は、約１０
０μｓｅｃと従来の技術同様であるが、差信号の絶対値
は常にフィードバック補正可能領域３５内に相当する電
圧となる。したがって、ＤＡＣ２１の立上がり時間が０
であれば、メインデフレクタの偏向位置変動指令の発生
と同時にフィードバック補正が可能となる。
１、Ｖ２の差信号の波形を示す。この差信号が差動アン
プ２５の入力電圧となる。サブフィールド３３のＸ軸方
向の幅が、約１０μｍに設定されているため、ＤＡＣの
出力Ｖ１の値は最大１０μｍに対応する値である。ま
た、コイル電流モニタ電圧Ｖ２の値は、立上がりが緩や
かではあるが正の値をとる。したがって、差電圧Ｖ３＝
Ｖ１−Ｖ２は、当初正の方向に立上がり、１０μｍの位
置変動に対応する値よりも小さな値でピークを形成す
る。その後、差信号は緩やかに減少し、わずかに振動し
た後、安定化する。安定化までに要する時間は、約１０
０μｓｅｃと従来の技術同様であるが、差信号の絶対値
は常にフィードバック補正可能領域３５内に相当する電
圧となる。したがって、ＤＡＣ２１の立上がり時間が０
であれば、メインデフレクタの偏向位置変動指令の発生
と同時にフィードバック補正が可能となる。
【００４１】なお、差左信号で形成される補正電圧が未
だ安定化しない内に露光が終了した場合、直ちに次のサ
ブフィールドに移動すると差信号が次第に大きくなって
フィードバック補正可能領域を越えることがある。した
がって、適当な閾値を設け、差信号が閾値を越えている
時は次のメインデフレクタ用データをＤＡＣに入力する
ことを控え、閾値以下となった時に移動指令を発するよ
うにするのがよい。
だ安定化しない内に露光が終了した場合、直ちに次のサ
ブフィールドに移動すると差信号が次第に大きくなって
フィードバック補正可能領域を越えることがある。した
がって、適当な閾値を設け、差信号が閾値を越えている
時は次のメインデフレクタ用データをＤＡＣに入力する
ことを控え、閾値以下となった時に移動指令を発するよ
うにするのがよい。
【００４２】ＤＡＣ２１の出力電圧が安定化するまで
は、差動アンプ２５の入力信号自身が信頼できるものに
ならないため、ＤＡＣ２１の立上がりを経過するまでは
描画を待たなくてはならない。ただし、ＤＡＣ２１（ア
ンプ２３、２９を含む）の立上がり時間は約１μｓｅｃ
程度とできるため、待ち時間は極めて低減される。
は、差動アンプ２５の入力信号自身が信頼できるものに
ならないため、ＤＡＣ２１の立上がりを経過するまでは
描画を待たなくてはならない。ただし、ＤＡＣ２１（ア
ンプ２３、２９を含む）の立上がり時間は約１μｓｅｃ
程度とできるため、待ち時間は極めて低減される。
【００４３】Ｘ軸方向に関しては、サブデフレクタの数
が１０倍にされているが、たとえば１０ｍｍ平方の面積
を露光する時、メインデフレクタのジャンプは１００，
０００回であり、待ち時間の総計は約０．１秒となる。
したがって、メインデフレクタのコイルに流れる電流が
安定化するまで待つ場合と比べると、待ち時間は約１／
１０に低減する。図３、図４に示した本発明者らの先の
提案による場合と比べても、待ち時間の総計は約１／４
に低減する。
が１０倍にされているが、たとえば１０ｍｍ平方の面積
を露光する時、メインデフレクタのジャンプは１００，
０００回であり、待ち時間の総計は約０．１秒となる。
したがって、メインデフレクタのコイルに流れる電流が
安定化するまで待つ場合と比べると、待ち時間は約１／
１０に低減する。図３、図４に示した本発明者らの先の
提案による場合と比べても、待ち時間の総計は約１／４
に低減する。
【００４４】また、メインデフレクタによるジャンプ距
離自体が低減したため、必要とする磁束変化の量が低減
し、コイルに誘起される渦電流が低減する。たとえば、
サブフィールドのＸ軸方向の幅を約５μｍとすれば、渦
電流による位置ずれは約０．００２μｍとすることがで
き、渦電流補償が必ずしも必要でなくなる。また、前述
の渦電流補償を行なえば、０．０００５μｍの精度補償
が可能になる。
離自体が低減したため、必要とする磁束変化の量が低減
し、コイルに誘起される渦電流が低減する。たとえば、
サブフィールドのＸ軸方向の幅を約５μｍとすれば、渦
電流による位置ずれは約０．００２μｍとすることがで
き、渦電流補償が必ずしも必要でなくなる。また、前述
の渦電流補償を行なえば、０．０００５μｍの精度補償
が可能になる。
【００４５】なお、バンドを次のバンドに移行する場合
には、メインデフレクタによる偏向方向は逆方向とする
ことが好ましい。たとえば、図１（Ａ）に示す描画パタ
ーンも最上段のバンドを左から右に偏向した場合、次の
バンドに移る時はそのまま下に下り、２段目のバンドを
右から左に偏向する。このような折り返し型走査を行な
うことにより、バンド移行の際に生ずるメインデフレク
タの電流変化の量を低減し、回復するまでの時間を短縮
化することができる。
には、メインデフレクタによる偏向方向は逆方向とする
ことが好ましい。たとえば、図１（Ａ）に示す描画パタ
ーンも最上段のバンドを左から右に偏向した場合、次の
バンドに移る時はそのまま下に下り、２段目のバンドを
右から左に偏向する。このような折り返し型走査を行な
うことにより、バンド移行の際に生ずるメインデフレク
タの電流変化の量を低減し、回復するまでの時間を短縮
化することができる。
【００４６】以上、ステージを連続的に移動させ、露光
フィールドを露光する場合を例にとって説明したが、本
発明はこれに限らない。メインデフレクタで次々に偏向
位置を更新しつつ、サブデフレクタによってサブフィー
ルドを露光する露光方法であれば、同様の手順が適用可
能である。
フィールドを露光する場合を例にとって説明したが、本
発明はこれに限らない。メインデフレクタで次々に偏向
位置を更新しつつ、サブデフレクタによってサブフィー
ルドを露光する露光方法であれば、同様の手順が適用可
能である。
【００４７】サブデフレクタは２組用意し、１くみによ
って本来のパターン走査を行ない、他の１組によって補
正を行なってもよい。以上実施例に沿って本発明を説明
したが、本発明はこれらに制限されるものではない。た
とえば、種々の変更、改良、組合わせ等が可能なことは
当業者に自明であろう。
って本来のパターン走査を行ない、他の１組によって補
正を行なってもよい。以上実施例に沿って本発明を説明
したが、本発明はこれらに制限されるものではない。た
とえば、種々の変更、改良、組合わせ等が可能なことは
当業者に自明であろう。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
メインデフレクタの偏向位置を更新した際に、必要とさ
れる待ち時間が低減されるため、広い露光面積を露光す
るために必要とされる全時間が短縮化される。
メインデフレクタの偏向位置を更新した際に、必要とさ
れる待ち時間が低減されるため、広い露光面積を露光す
るために必要とされる全時間が短縮化される。
【００４９】このため、荷電粒子ビーム露光におけるス
ループットが改善される。
ループットが改善される。
【図１】本発明の実施例を示す。図１（Ａ）は描画パタ
ーンの分割を示す概略平面図、図１（Ｂ）は１つのサブ
フィールドを拡大して示す概略平面図、図１（Ｃ）はフ
ィードバック補正可能領域とサブフィールドとの関係を
示す概略平面図である。
ーンの分割を示す概略平面図、図１（Ｂ）は１つのサブ
フィールドを拡大して示す概略平面図、図１（Ｃ）はフ
ィードバック補正可能領域とサブフィールドとの関係を
示す概略平面図である。
【図２】図１の実施例における特性を説明するためのグ
ラフである。図２（Ａ）はＤＡＣの出力電圧変化を示す
グラフ、図２（Ｂ）はコイル電流のモニタ電圧の変化を
示すグラフ、図２（Ｃ）はＤＡＣ出力電圧とコイル電流
モニタ電圧との差信号の波形を示すグラフである。
ラフである。図２（Ａ）はＤＡＣの出力電圧変化を示す
グラフ、図２（Ｂ）はコイル電流のモニタ電圧の変化を
示すグラフ、図２（Ｃ）はＤＡＣ出力電圧とコイル電流
モニタ電圧との差信号の波形を示すグラフである。
【図３】電子ビーム露光装置の構成を概略的に示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図４】従来の技術を示す。図４（Ａ）は描画パターン
の分割を説明するための概略平面図、図４（Ｂ）はＤＡ
Ｃの出力電圧の変化を示すグラフ、図４（Ｃ）はコイル
電流モニタ電圧の波形を示すグラフ、図４（Ｄ）はＤＡ
Ｃ出力電圧とコイル電流モニタ電圧との差信号の波形を
示すグラフである。
の分割を説明するための概略平面図、図４（Ｂ）はＤＡ
Ｃの出力電圧の変化を示すグラフ、図４（Ｃ）はコイル
電流モニタ電圧の波形を示すグラフ、図４（Ｄ）はＤＡ
Ｃ出力電圧とコイル電流モニタ電圧との差信号の波形を
示すグラフである。
１ ウエハ ４ 電子ビーム源 ７ メインデフレクタ ８ サブデフレクタ １０ ステージ １１ シャッター手段 １４ メモリ １５ バス １６ ＣＰＵ １７、２０ 制御回路 １８、２１ デジタル・アナログ変換器 １９、２２、２３、２５、２６、２８、２９ アンプ ２７ インバータ ３２ バンド ３３ サブフィールド ３４ 露光パターン ３５ フィードバック補正可能領域 Ｒ 抵抗 ＲＭ モニタ抵抗 Ｖ 電圧
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安武 信幸 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 西野 久泰 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−87815（ＪＰ，Ａ) 特公 平４−32530（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (6)
- 【請求項１】 荷電粒子ビームを電磁偏向のメインデフ
レクタによってＸ方向に偏向しつつ、静電偏向のサブデ
フレクタによってメインデフレクタの偏向位置周辺に荷
電粒子ビームを偏向して露光する荷電粒子ビーム露光方
法であって、露光すべきパターンデータをＹ軸方向の幅
に対してＸ軸方向の幅がほぼ１／３以下である細長いサ
ブフィールドに分割する工程と、Ｘ方向に隣接するサブ
フィールドの基準位置のデータを前記メインデフレクタ
用のデジタル・アナログ変換器に順次設定する工程と、
前記デジタル・アナログ変換器の出力電圧がほぼ安定し
た時は、メインデフレクタの電流の変動に対応する補正
電圧とサブフィールド内部のパターンデータとに基づい
て、前記サブデフレクタによって荷電粒子ビームを偏向
して露光を行なう工程とを含み、前記細長いサブフィー
ルドのＸ軸方向の幅は、前記補正電圧によるサブデフレ
クタの偏向によって、メインデフレクタの電流立上がり
による位置変動が補正可能なように選択されている荷電
粒子ビーム露光方法。 - 【請求項２】 前記メインデフレクタの偏向方向は、Ｙ
軸方向に１段移行する時は折り返して逆方向に行なわれ
る請求項１記載の荷電粒子ビーム露光方法。 - 【請求項３】 前記メインデフレクタの電流の変動に対
応する補正電圧は、前記メインデフレクタ用デジタル・
アナログ変換器の出力に相当する電圧と、前記メインデ
フレクタを流れる電流に相当する電圧との差信号を取る
ことによって形成される請求項１ないし２記載の荷電粒
子ビーム露光方法。 - 【請求項４】 前記サブデフレクタによる荷電粒子ビー
ムの偏向は、前記差信号とパターンデータに基づくサブ
デフレクタ用アナログ信号とを加算して１つのサブデフ
レクタを駆動するか、前記差信号によって第１サブデフ
レクタを駆動し、かつ前記サブデフレクタ用アナログ信
号によって第２サブデフレクタを駆動することによって
行なわれる請求項３記載の荷電粒子ビーム露光方法。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の荷電粒
子ビーム露光方法であって、さらにサブフィールドの露
光が終了した時、前記メインデフレクタを流れる電流に
相当する電圧と、前記メインデフレクタ用デジタル・ア
ナログ変換器の出力に相当する電圧との差の絶対値が所
定の値より大きい場合は、前記絶対値が所定の値以下に
減少することを待って、次のメインデフレクタ用データ
を前記デジタル・アナログ変換器に設定する工程を含む
荷電粒子ビーム露光方法。 - 【請求項６】 荷電粒子のビームを発生する荷電粒子ビ
ーム源（４）と、前記荷電粒子ビームを大きく偏向させ
る電磁偏向系を有するメインデフレクタ（７）と、前記
荷電粒子ビームを高速で小さく偏向させることのできる
静電偏向系を有するサブデフレクタ（８）と、露光すべ
きパターンのデジタルデータを記憶するメモリ（１４）
と、前記メモリからパターンのデジタルデータを受け、
パターンをメインデフレクタによる主たる偏向方向の幅
がそれに交差する方向の幅の約１／３以下である細長い
サブフィールドに分割するデータ処理回路（１６、１
７、２０）と、前記データ処理回路からのデジタル信号
から、前記メインデフレクタおよび前記サブデフレクタ
を制御するためのアナログ信号を形成するデジタル・ア
ナログ変換回路（２１、１８）と、前記メインデフレク
タ用のデジタル・アナログ変換回路（２１）の出力がほ
ぼ安定した時に、前記メインデフレクタの電流の変動値
と前記データ処理回路からのパターンデータとに基づい
て、前記サブデフレクタを起動するサブデフレクタ駆動
回路（１６、２５、２６、２８、ＲＭ）とを有する荷電
粒子ビーム露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3034424A JP2872420B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 荷電粒子ビーム露光の方法と装置 |
| US07/843,172 US5404018A (en) | 1991-02-28 | 1992-02-28 | Method of and an apparatus for charged particle beam exposure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3034424A JP2872420B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 荷電粒子ビーム露光の方法と装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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