JP3455006B2 - 荷電粒子ビーム装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム装置Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/153—Electron-optical or ion-optical arrangements for the correction of image defects, e.g. stigmators
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子ビーム光
学系とそれを用いた装置、特に微細パターンを形成する
リソグラフィのための荷電粒子ビーム装置に関する。
学系とそれを用いた装置、特に微細パターンを形成する
リソグラフィのための荷電粒子ビーム装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子ビーム露光装置やイオンビー
ム露光装置においては、ビームを収束・偏向制御するた
めに荷電粒子ビーム光学系が用いられている。荷電粒子
ビーム光学系では、磁気レンズや静電レンズ等により軸
対称な電磁場を利用してビームを収束制御するが、この
種の光学系では試料面におけるレンズの収差が問題とな
る。
ム露光装置においては、ビームを収束・偏向制御するた
めに荷電粒子ビーム光学系が用いられている。荷電粒子
ビーム光学系では、磁気レンズや静電レンズ等により軸
対称な電磁場を利用してビームを収束制御するが、この
種の光学系では試料面におけるレンズの収差が問題とな
る。
【０００３】軸対称な電磁場を利用した荷電粒子ビーム
光学系において、光学系の収差を除く方法としては、光
電子倍増管のように、マスクに相当する光電面を湾曲さ
せるという方法、又は静電レンズによって結像面を上下
させ、結像面と試料面とが交わる部分のみを利用すると
いう方法が用いられてきた。
光学系において、光学系の収差を除く方法としては、光
電子倍増管のように、マスクに相当する光電面を湾曲さ
せるという方法、又は静電レンズによって結像面を上下
させ、結像面と試料面とが交わる部分のみを利用すると
いう方法が用いられてきた。
【０００４】これらの方法は荷電粒子ビーム光学系の収
差のうち、像面湾曲収差と呼ばれる結像面が湾曲する収
差を除くのに有効である。しかし一方で、前者の方法に
ついては、マスクを曲げられない場合には用いることが
できないという問題がある。後者については、光学軸か
ら離れるに従って結像面が試料平面に対してより大きく
傾くようになり、結像面のずれを許容範囲内にするには
照射荷電粒子ビームをより細くしなければならないとい
う問題があった。
差のうち、像面湾曲収差と呼ばれる結像面が湾曲する収
差を除くのに有効である。しかし一方で、前者の方法に
ついては、マスクを曲げられない場合には用いることが
できないという問題がある。後者については、光学軸か
ら離れるに従って結像面が試料平面に対してより大きく
傾くようになり、結像面のずれを許容範囲内にするには
照射荷電粒子ビームをより細くしなければならないとい
う問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の荷
電粒子ビーム装置においては、像面湾曲収差以外の収差
は除けず、また平面マスクの像を投影平面ないし試料平
面に得ようとする場合には、荷電粒子ビームをより細く
しなければならないという問題があった。
電粒子ビーム装置においては、像面湾曲収差以外の収差
は除けず、また平面マスクの像を投影平面ないし試料平
面に得ようとする場合には、荷電粒子ビームをより細く
しなければならないという問題があった。
【０００６】本発明は、上記の事情を考慮して成された
もので、その目的とするところは、像面湾曲収差は勿論
のこと、荷電粒子ビーム光学系による各種の収差を取り
除くことができ、荷電粒子ビームを細くしなくても結像
面のずれを許容範囲内に設定することのできる荷電粒子
ビーム装置を提供することにある。
もので、その目的とするところは、像面湾曲収差は勿論
のこと、荷電粒子ビーム光学系による各種の収差を取り
除くことができ、荷電粒子ビームを細くしなくても結像
面のずれを許容範囲内に設定することのできる荷電粒子
ビーム装置を提供することにある。
【０００７】
（構成）
上記課題を解決するために本発明は、次のような構成を
採用している。即ち、本発明は、荷電粒子ビームをマス
クを通して試料に投影すると共に、前記荷電粒子ビーム
を移動することにより前記マスクのパターンを前記試料
上に描く荷電粒子ビーム装置において、磁気レンズと、
前記荷電粒子ビームの光軸に関して対称な電磁場を発生
させるために、前記磁気レンズを駆動する第１駆動回路
と、偏向器と、前記光軸に関して非対称な電磁場を発生
させて、前記対称な電磁場に起因する前記荷電粒子ビー
ムの収差を補償するために、前記偏向器を駆動する第２
駆動回路とを具備することを特徴とする。前記第２駆動
回路は、前記荷電粒子ビームの移動に伴って前記非対称
な電磁場を動的に変化させる回路を有することを特徴と
する。 前記第２駆動回路は、前記対称な電磁場に起因す
るコマ収差をキャンセルするために、前記非対称な電磁
場により偏向コマ収差を発生させる回路を有することを
特徴とする。 前記第２駆動回路は、前記荷電粒子ビーム
の移動に伴って前記偏向コマ収差を動的に変化させる回
路を有することを特徴とする。 前記第１駆動回路は前記
磁気レンズの焦点距離を補正する回路を有し、前記第２
駆動回路は前記非対称な電磁場により前記荷電粒子ビー
ムをシフトする回路を有し、これら補正及びシフトによ
り、湾曲収差によって湾曲された前記荷電粒子ビームの
結像面の底部が、前記試料上の任意の位置に接すること
を特徴とする。 前記第１駆動回路は、前記荷電粒子ビー
ムの移動に伴って前記焦点距離の補正量を動的に変化さ
せる回路を有し、前記第２駆動回路は、前記荷電粒子ビ
ームの移動に伴って前記荷電粒子ビームのシフト量を動
的に変化させる回路を有することを特徴とする。 前記第
２駆動回路は、前記荷電粒子ビームの偏向量を、前記試
料の表面で略ゼロに設定する回路を有することを特徴と
する。 前記第２駆動回路は、前記荷電粒子ビームの偏向
量を、前記荷電粒子ビームが交差するクロスオーバ面で
略ゼロに設定する回路を有することを特徴とする。 前記
磁気レンズは、電磁レンズ又は静電レンズであることを
特徴とする。 また、本発明は、荷電粒子ビームをマスク
を通して試料に投影すると共に、前記荷電粒子ビームを
移動することにより前記マスクのパターンを前記試料上
に描く荷電粒子ビーム装置において、前記荷電粒子ビー
ムを集束させるために、前記荷電粒子ビームの光軸に関
して対称な電磁場を発生する手段と、前記光軸に関して
非対称な電磁場を発生する手段と、前記対称な電磁場に
起因する前記荷電粒子ビームの収差を補償するように前
記非対称な電磁場を発生させる補償手段とを具備するこ
とを特徴とする。
採用している。即ち、本発明は、荷電粒子ビームをマス
クを通して試料に投影すると共に、前記荷電粒子ビーム
を移動することにより前記マスクのパターンを前記試料
上に描く荷電粒子ビーム装置において、磁気レンズと、
前記荷電粒子ビームの光軸に関して対称な電磁場を発生
させるために、前記磁気レンズを駆動する第１駆動回路
と、偏向器と、前記光軸に関して非対称な電磁場を発生
させて、前記対称な電磁場に起因する前記荷電粒子ビー
ムの収差を補償するために、前記偏向器を駆動する第２
駆動回路とを具備することを特徴とする。前記第２駆動
回路は、前記荷電粒子ビームの移動に伴って前記非対称
な電磁場を動的に変化させる回路を有することを特徴と
する。 前記第２駆動回路は、前記対称な電磁場に起因す
るコマ収差をキャンセルするために、前記非対称な電磁
場により偏向コマ収差を発生させる回路を有することを
特徴とする。 前記第２駆動回路は、前記荷電粒子ビーム
の移動に伴って前記偏向コマ収差を動的に変化させる回
路を有することを特徴とする。 前記第１駆動回路は前記
磁気レンズの焦点距離を補正する回路を有し、前記第２
駆動回路は前記非対称な電磁場により前記荷電粒子ビー
ムをシフトする回路を有し、これら補正及びシフトによ
り、湾曲収差によって湾曲された前記荷電粒子ビームの
結像面の底部が、前記試料上の任意の位置に接すること
を特徴とする。 前記第１駆動回路は、前記荷電粒子ビー
ムの移動に伴って前記焦点距離の補正量を動的に変化さ
せる回路を有し、前記第２駆動回路は、前記荷電粒子ビ
ームの移動に伴って前記荷電粒子ビームのシフト量を動
的に変化させる回路を有することを特徴とする。 前記第
２駆動回路は、前記荷電粒子ビームの偏向量を、前記試
料の表面で略ゼロに設定する回路を有することを特徴と
する。 前記第２駆動回路は、前記荷電粒子ビームの偏向
量を、前記荷電粒子ビームが交差するクロスオーバ面で
略ゼロに設定する回路を有することを特徴とする。 前記
磁気レンズは、電磁レンズ又は静電レンズであることを
特徴とする。 また、本発明は、荷電粒子ビームをマスク
を通して試料に投影すると共に、前記荷電粒子ビームを
移動することにより前記マスクのパターンを前記試料上
に描く荷電粒子ビーム装置において、前記荷電粒子ビー
ムを集束させるために、前記荷電粒子ビームの光軸に関
して対称な電磁場を発生する手段と、前記光軸に関して
非対称な電磁場を発生する手段と、前記対称な電磁場に
起因する前記荷電粒子ビームの収差を補償するように前
記非対称な電磁場を発生させる補償手段とを具備するこ
とを特徴とする。
【０００８】
【０００９】（作用）
図２は、マスク面内にＸＹ直交座標系を取った時のコマ
収差の位置依存性を示すものである。図２の線９は結像
手段（軸対称レンズ）による軸対称電磁場によるコマ収
差、線１０は偏向手段（偏向器）によるある特定の偏向
電磁場によって作り出されるコマ収差を示す。９と１０
の和である１１は、領域１２付近で零になる。これを式
で示すと以下のようになる。
収差の位置依存性を示すものである。図２の線９は結像
手段（軸対称レンズ）による軸対称電磁場によるコマ収
差、線１０は偏向手段（偏向器）によるある特定の偏向
電磁場によって作り出されるコマ収差を示す。９と１０
の和である１１は、領域１２付近で零になる。これを式
で示すと以下のようになる。
【００１０】荷電粒子ビームの光学軸からの距離をＬ、
収束半角をＡとすると、軸対称レンズによるコマ収差は
ＬＡ2 となる。一方、偏向器によるコマ収差は、偏向電
磁場の強さをＤとすると、ＤＡ2 となる。そこで、Ｌが
ある値Ｌ0 を取る時、Ｄ＝−Ｌ0 とすれば、 ＬＡ2 ＋ＤＡ2 ＝（Ｌ＋Ｄ）Ａ2 ＝（Ｌ0 −Ｌ0 ）Ａ2 となり、軸対称レンズによるコマ収差と偏向器によるコ
マ収差とが打ち消し合うことになる。
収束半角をＡとすると、軸対称レンズによるコマ収差は
ＬＡ2 となる。一方、偏向器によるコマ収差は、偏向電
磁場の強さをＤとすると、ＤＡ2 となる。そこで、Ｌが
ある値Ｌ0 を取る時、Ｄ＝−Ｌ0 とすれば、 ＬＡ2 ＋ＤＡ2 ＝（Ｌ＋Ｄ）Ａ2 ＝（Ｌ0 −Ｌ0 ）Ａ2 となり、軸対称レンズによるコマ収差と偏向器によるコ
マ収差とが打ち消し合うことになる。
【００１１】従って、領域１２近傍を荷電粒子ビームが
照射する場合には偏向器により１０のような偏向コマ収
差を作り出し、これによって軸対称レンズによるコマ収
差を打ち消すようにする。さらに、荷電粒子ビームの照
射領域の移動と同期して偏向器の駆動力（駆動電圧，駆
動電流）を可変し偏向コマ収差を制御することによっ
て、該照射位置における軸対称レンズによるコマ収差を
常に取り除くことが可能になる。
照射する場合には偏向器により１０のような偏向コマ収
差を作り出し、これによって軸対称レンズによるコマ収
差を打ち消すようにする。さらに、荷電粒子ビームの照
射領域の移動と同期して偏向器の駆動力（駆動電圧，駆
動電流）を可変し偏向コマ収差を制御することによっ
て、該照射位置における軸対称レンズによるコマ収差を
常に取り除くことが可能になる。
【００１２】図３は、試料面付近での結像面の形を示
す。線１３はマスクパターンを投影すべき試料面、線１
４は軸対称電磁場の像面湾曲収差によって湾曲した結像
面を示す。偏向電磁場を加えると線１５に示すように結
像面が傾き、レンズによる湾曲と重なって、線１６に示
すように結像面が移動する。さらに、図３で軸対称電磁
場の強さを調節して結像面を上下に移動すると、領域１
７付近では、湾曲した像面１８の底と試料面１３とが接
する。この場合、像面の湾曲形状は光学軸上と同じであ
り、荷電粒子ビームを細くする必要はなくなる。
す。線１３はマスクパターンを投影すべき試料面、線１
４は軸対称電磁場の像面湾曲収差によって湾曲した結像
面を示す。偏向電磁場を加えると線１５に示すように結
像面が傾き、レンズによる湾曲と重なって、線１６に示
すように結像面が移動する。さらに、図３で軸対称電磁
場の強さを調節して結像面を上下に移動すると、領域１
７付近では、湾曲した像面１８の底と試料面１３とが接
する。この場合、像面の湾曲形状は光学軸上と同じであ
り、荷電粒子ビームを細くする必要はなくなる。
【００１３】偏向器を複数用いると、荷電粒子ビームの
偏向量を制御できるようになる。特に、結像面での偏向
量が零になるように制御すれば、軸対称電磁場による結
像の基本的特性を変えることなく、収差のみを取り除く
ことが可能になる。
偏向量を制御できるようになる。特に、結像面での偏向
量が零になるように制御すれば、軸対称電磁場による結
像の基本的特性を変えることなく、収差のみを取り除く
ことが可能になる。
【００１４】また、クロスオーバ面での偏向量が零にな
るように制御すれば、クロスオーバ面に丸い開口部を持
つ制限絞りを置くことによって、荷電粒子ビームの収差
半角を制御することができるようになる。
るように制御すれば、クロスオーバ面に丸い開口部を持
つ制限絞りを置くことによって、荷電粒子ビームの収差
半角を制御することができるようになる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施
形態によって説明する。図１は、本発明の一実施形態に
係わる電子ビーム露光装置の基本構成を示す図である。
形態によって説明する。図１は、本発明の一実施形態に
係わる電子ビーム露光装置の基本構成を示す図である。
【００１６】１は電子ビーム露光用マスク、２，３は軸
対称な磁場を形成する磁気レンズ、４，５は非軸対称な
電磁場を形成する偏向器、６は電子ビーム、７は試料面
であり、マスク１を透過した電子ビームは、磁気レンズ
２，３によって試料面７上に結像・投影される。このと
き、偏向器４，５で偏向感度を制御し、レンズ２，３の
収差を局所的に補正する。
対称な磁場を形成する磁気レンズ、４，５は非軸対称な
電磁場を形成する偏向器、６は電子ビーム、７は試料面
であり、マスク１を透過した電子ビームは、磁気レンズ
２，３によって試料面７上に結像・投影される。このと
き、偏向器４，５で偏向感度を制御し、レンズ２，３の
収差を局所的に補正する。
【００１７】ここで、偏向器４は３段の偏向器からな
り、レンズ２の内側に光軸方向に沿って配列されてい
る。同様に、偏向器５も３段の偏向器からなり、レンズ
３の内側に光軸方向に沿って配列されている。マスク１
としては、転写したい任意形状のＬＳＩパターンを持つ
ものでもよいし、また同じ形のものが周期的に配列され
たものでもよい。
り、レンズ２の内側に光軸方向に沿って配列されてい
る。同様に、偏向器５も３段の偏向器からなり、レンズ
３の内側に光軸方向に沿って配列されている。マスク１
としては、転写したい任意形状のＬＳＩパターンを持つ
ものでもよいし、また同じ形のものが周期的に配列され
たものでもよい。
【００１８】任意形状のパターンを持ったマスク１は、
電子ビームで走査することによって、その上のパターン
を試料面７に投影する。走査する電子ビームの光学軸に
対する位置に応じて偏向器４，５による偏向電磁場を動
的に制御し、磁気レンズ２，３の各収差が走査位置（試
料面）では常に零ないし極小になるようにする。その
際、偏向感度が零になるようにすれば、軸対称な磁気レ
ンズ２，３のみの場合の近軸結像特性と同じになる。
電子ビームで走査することによって、その上のパターン
を試料面７に投影する。走査する電子ビームの光学軸に
対する位置に応じて偏向器４，５による偏向電磁場を動
的に制御し、磁気レンズ２，３の各収差が走査位置（試
料面）では常に零ないし極小になるようにする。その
際、偏向感度が零になるようにすれば、軸対称な磁気レ
ンズ２，３のみの場合の近軸結像特性と同じになる。
【００１９】なお、偏向器４，５による偏向電磁場の可
変により結像面の位置が変わる場合は、偏向器４，５の
制御に応じてレンズ２，３の駆動電流をも可変制御すれ
ばよい。また、マスク１を載せるステージとマスク１上
のパターンを投影する試料を載せるステージとは、その
速度の比が電子ビーム光学系の倍率に等しくなるよう
に、同期して駆動・制御する。
変により結像面の位置が変わる場合は、偏向器４，５の
制御に応じてレンズ２，３の駆動電流をも可変制御すれ
ばよい。また、マスク１を載せるステージとマスク１上
のパターンを投影する試料を載せるステージとは、その
速度の比が電子ビーム光学系の倍率に等しくなるよう
に、同期して駆動・制御する。
【００２０】一方、周期的パターンを持ったマスク１の
場合は、従来の可変成形ビーム露光装置と同じように使
用する。従来の可変成形ビーム露光装置では、第１アパ
ーチャで矩形に成形したビームを第２アパーチャに当て
て、任意サイズの矩形・三角形ビームを得ている。その
ときの第１，第２アパーチャの開口部は通常光学軸上に
１つ設置され、そこで成形されたビームを偏向器で投影
面上の任意の位置に照射していた。この方式では、広い
照射領域を確保しようとする場合、偏向器用電源として
ビット数の多いＤＡコンバータと増幅率の大きい高速ア
ンプを必要とした。
場合は、従来の可変成形ビーム露光装置と同じように使
用する。従来の可変成形ビーム露光装置では、第１アパ
ーチャで矩形に成形したビームを第２アパーチャに当て
て、任意サイズの矩形・三角形ビームを得ている。その
ときの第１，第２アパーチャの開口部は通常光学軸上に
１つ設置され、そこで成形されたビームを偏向器で投影
面上の任意の位置に照射していた。この方式では、広い
照射領域を確保しようとする場合、偏向器用電源として
ビット数の多いＤＡコンバータと増幅率の大きい高速ア
ンプを必要とした。
【００２１】そこで、マスク１として同一形状の開口部
が周期的に配列されたアパーチャマスクを用い、その投
影面上での位置に応じて開口部を選択して使い分けれ
ば、ビーム成形後に大きく偏向しなくても、広い範囲に
任意形状に成形ビームを投影することができる。従っ
て、ビット数の少ないＤＡコンバータと、増幅率の小さ
いアンプでも比較的広い領域を照射することができる。
このとき、アパーチャマスクにおいては光軸から大きく
離れた領域を使用するので、従来構成ではレンズの収差
が大きくなり、パターンを解像性良く転写できなくなる
が、本実施形態の収差補正方法によりこれを解決するこ
とができるのである。
が周期的に配列されたアパーチャマスクを用い、その投
影面上での位置に応じて開口部を選択して使い分けれ
ば、ビーム成形後に大きく偏向しなくても、広い範囲に
任意形状に成形ビームを投影することができる。従っ
て、ビット数の少ないＤＡコンバータと、増幅率の小さ
いアンプでも比較的広い領域を照射することができる。
このとき、アパーチャマスクにおいては光軸から大きく
離れた領域を使用するので、従来構成ではレンズの収差
が大きくなり、パターンを解像性良く転写できなくなる
が、本実施形態の収差補正方法によりこれを解決するこ
とができるのである。
【００２２】なお、本発明は上述した実施形態に限定さ
れるものではない。実施形態では、電子ビーム露光装置
を例に取り説明したが、イオンビーム露光装置にも同様
に適用することができる。さらに、光学系の構成は図１
に何等限定されるものではなく、仕様に応じて適宜変更
可能である。また、レンズは電磁レンズに限らず静電レ
ンズであってもよく、さらに偏向器は静電偏向器に限ら
ず電磁偏向器であってもよい。また、必ずしも露光装置
に限らず、マスクの像を電子ビームやイオンビームを用
いて試料面に投影結像する装置であれば適用可能であ
る。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変
形して実施することができる。
れるものではない。実施形態では、電子ビーム露光装置
を例に取り説明したが、イオンビーム露光装置にも同様
に適用することができる。さらに、光学系の構成は図１
に何等限定されるものではなく、仕様に応じて適宜変更
可能である。また、レンズは電磁レンズに限らず静電レ
ンズであってもよく、さらに偏向器は静電偏向器に限ら
ず電磁偏向器であってもよい。また、必ずしも露光装置
に限らず、マスクの像を電子ビームやイオンビームを用
いて試料面に投影結像する装置であれば適用可能であ
る。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変
形して実施することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、マ
スク上に照射される荷電粒子ビームの位置に同期して偏
向手段（又は偏向手段及び結像手段）を動的に制御する
ことによって、荷電粒子ビームがマスク上のどこを照射
する場合でも、試料面上における収差が局所的にほぼ零
又は極小に設定されるので、太い荷電粒子ビームを使っ
て解像度の良い転写を行うことが可能となる。
スク上に照射される荷電粒子ビームの位置に同期して偏
向手段（又は偏向手段及び結像手段）を動的に制御する
ことによって、荷電粒子ビームがマスク上のどこを照射
する場合でも、試料面上における収差が局所的にほぼ零
又は極小に設定されるので、太い荷電粒子ビームを使っ
て解像度の良い転写を行うことが可能となる。
【図１】本発明の一実施形態に係わる電子ビーム露光装
置の基本構成を示す図。
置の基本構成を示す図。
【図２】レンズ及び偏向器によるコマ収差と、これらの
和を示す図。
和を示す図。
【図３】レンズによる像面湾曲収差と偏向器による結像
面の傾き、及びこれらの和を示す図。
面の傾き、及びこれらの和を示す図。
１…電子ビーム露光用マスク
２，３…磁気レンズ
４，５…偏向器
６…電子ビーム
７…試料面
８…光学軸
９…軸対称電磁場によるコマ収差
１０…偏向電磁場によるコマ収差
１１…９と１０の和
１２…荷電粒子ビーム照射領域
１３…試料面
１４…軸対称電磁場による像面湾曲
１５…偏向電磁場による像面の傾斜
１６…１４と１５の和
１７…１６で焦点をずらしたもの
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 小笠原 宗博
神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式
会社東芝川崎事業所内
(56)参考文献 特開 昭58−5954（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−195345（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−147525（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−102014（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
Claims (8)
- 【請求項１】 荷電粒子ビームをマスクを通して試料に
投影すると共に、前記荷電粒子ビームを移動することに
より前記マスクのパターンを前記試料上に描く荷電粒子
ビーム装置において、 磁気レンズと、 前記荷電粒子ビームの光軸に関して対称な電磁場を発生
させるために、前記磁気レンズを駆動する第１駆動回路
と、 偏向器と、 前記光軸に関して非対称な電磁場を発生させて、前記対
称な電磁場に起因する前記荷電粒子ビームの収差を補償
するために、前記偏向器を駆動する第２駆動回路とを具
備することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。 - 【請求項２】 前記第２駆動回路は、前記荷電粒子ビー
ムの移動に伴って前記非対称な電磁場を変化させる回路
を有することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビー
ム装置。 - 【請求項３】 前記第２駆動回路は、前記対称な電磁場
に起因するコマ収差をキャンセルするために、前記非対
称な電磁場により偏向コマ収差を発生させる回路を有す
ることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム装
置。 - 【請求項４】 前記第２駆動回路は、前記荷電粒子ビー
ムの移動に伴って前記偏向コマ収差を変化させる回路を
有することを特徴とする請求項３記載の荷電粒子ビーム
装置。 - 【請求項５】 前記第２駆動回路は、前記荷電粒子ビー
ムの偏向量を、前記試料の表面で略ゼロに設定する回路
を有することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビー
ム装置。 - 【請求項６】 前記第２駆動回路は、前記荷電粒子ビー
ムの偏向量を、前記荷電粒子ビームが交差するクロスオ
ーバ面で略ゼロに設定する回路を有することを特徴とす
る請求項１記載の荷電粒子ビーム装置。 - 【請求項７】 前記磁気レンズは、電磁レンズ又は静電
レンズであることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子
ビーム装置。 - 【請求項８】 荷電粒子ビームをマスクを通して試料に
投影すると共に、前記荷電粒子ビームを移動することに
より前記マスクのパターンを前記試料上に描く荷電粒子
ビーム装置において、 前記荷電粒子ビームを集束させるために、前記荷電粒子
ビームの光軸に関して対称な電磁場を発生する手段と、 前記光軸に関して非対称な電磁場を発生する手段と、 前記対称な電磁場に起因する前記荷電粒子ビームの収差
を補償するように前記非対称な電磁場を発生させる補償
手段とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06878996A JP3455006B2 (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 荷電粒子ビーム装置 |
| US08/821,303 US5850083A (en) | 1996-03-25 | 1997-03-20 | Charged particle beam lithograph apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06878996A JP3455006B2 (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 荷電粒子ビーム装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260238A JPH09260238A (ja) | 1997-10-03 |
| JP3455006B2 true JP3455006B2 (ja) | 2003-10-06 |
Family
ID=13383851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06878996A Expired - Fee Related JP3455006B2 (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 荷電粒子ビーム装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5850083A (ja) |
| JP (1) | JP3455006B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10044199B9 (de) | 2000-09-07 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Ablenkanordnung und Projektionssystem für geladene Teilchen |
| DE10109965A1 (de) * | 2001-03-01 | 2002-09-12 | Zeiss Carl | Teilchenoptische Linsenanordnung und Verfahren unter Einsatz einer solchen Linsenanordnung |
| US8642974B2 (en) * | 2009-12-30 | 2014-02-04 | Fei Company | Encapsulation of electrodes in solid media for use in conjunction with fluid high voltage isolation |
| US8987678B2 (en) | 2009-12-30 | 2015-03-24 | Fei Company | Encapsulation of electrodes in solid media |
| US20130098871A1 (en) | 2011-10-19 | 2013-04-25 | Fei Company | Internal Split Faraday Shield for an Inductively Coupled Plasma Source |
| US20150089118A1 (en) * | 2013-09-20 | 2015-03-26 | Sandisk Technologies Inc. | Methods, systems, and computer readable media for partition and cache restore |
| US10916414B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-02-09 | Ionpath, Inc. | Ion beam focus adjustment |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4101813A (en) * | 1977-04-14 | 1978-07-18 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Double deflection system for an electron beam device |
| US4137459A (en) * | 1978-02-13 | 1979-01-30 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for applying focus correction in E-beam system |
| JPS5693318A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-28 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure device |
| US4438336A (en) * | 1982-03-26 | 1984-03-20 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Corpuscular radiation device for producing an irradiation pattern on a workpiece |
| US5304811A (en) * | 1991-08-09 | 1994-04-19 | Fujitsu Ltd. | Lithography system using charged-particle beam and method of using the same |
| US5412277A (en) * | 1993-08-25 | 1995-05-02 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Dynamic off-axis defocusing correction for deflection lens CRT |
| US5635719A (en) * | 1996-07-23 | 1997-06-03 | International Business Machines Corporation | Variable curvilinear axis deflection means for particle optical lenses |
| US5757010A (en) * | 1996-12-18 | 1998-05-26 | International Business Machines Corporation | Curvilinear variable axis lens correction with centered dipoles |
-
1996
- 1996-03-25 JP JP06878996A patent/JP3455006B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-03-20 US US08/821,303 patent/US5850083A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09260238A (ja) | 1997-10-03 |
| US5850083A (en) | 1998-12-15 |
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