JPH02102519A - ビーム描画装置の位置補正装置 - Google Patents

ビーム描画装置の位置補正装置

Info

Publication number
JPH02102519A
JPH02102519A JP25681588A JP25681588A JPH02102519A JP H02102519 A JPH02102519 A JP H02102519A JP 25681588 A JP25681588 A JP 25681588A JP 25681588 A JP25681588 A JP 25681588A JP H02102519 A JPH02102519 A JP H02102519A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
distortion correction
deflection distortion
sub
calculation
deflection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25681588A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuo Iida
信雄 飯田
Teruaki Okino
輝昭 沖野
Ichiro Kawamura
一郎 河村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jeol Ltd filed Critical Jeol Ltd
Priority to JP25681588A priority Critical patent/JPH02102519A/ja
Publication of JPH02102519A publication Critical patent/JPH02102519A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はビーム描画装置のステージ位置補正装置に関し
、さらに詳細にはビーム露光時の位置決めを高速且つ高
精度に行えるようにしたビーム描画装置の位置補正装置
に関する。
[従来の技術] ビーム露光装置、例えば電子ビーム露光装置においては
、ビーム露光を行う場合にステージ位置に若干量の位置
誤差を伴うのが普通である。この場合、機械的にステー
ジ位置を調整するのは極めて困難であるため、通常はス
テージ位置の誤差をレーザ測長系を用いて求め、その結
果をビーム偏向系にフィードバックして位置補正を行う
方法が採られている。このような位置誤差の補正方法を
レーザビームコントロール(Laser  Beam 
 Control  略してLBC)という。この誤差
量は、ビーム露光装置の主偏向器及び副偏向器に分配さ
れるように演算される。そして、大まかな値を主偏向器
に入れ、微少部分を副偏向器に入れ、ステージ位置の変
動に対応させている。
従来、この位置誤差補正の演算は誤差量の大小に拘らず
同一の演算モードで行っていた。
この演算及び補正に要する時間が装置の性能に及ぼす影
響は極めて大きく、高速のビーム露光を行うためには、
この演算及び補正に要する時間を極力短縮することが必
要となる。例えば、ビーム露光時にはステージ移動を行
って、直ちに露光を開始できることが望ましいが、通常
ステージには停止時の残留振動がある。この残留振動の
速度よりもLBのフィードバックが高速であれば、直ぐ
に露光が可能となる。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、前述したようなステージ位置の補正演算
は、偏向器の偏向歪補正演算を行う為に通常2次式以上
で行われおり、その演算に時間がかかる。LBCデータ
は時々刻々と変化しているので補正演算に時間がかかる
と、位置誤差補正演算中にステージ位置が大きく変化し
てしまうことになり、描画位置に誤差を生じてしまう。
一方、もし誤差量が微少であれば補正計算の高次項が無
視出来るため1次式でも十分であり、その分演算速度も
高速化される。
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであって
、その目的はビーム露光時の位置決めをより高速に行う
ことができるようにしたビーム描画装置の位置補正装置
を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 前期した課題を解決する本発明は、ステージ位置の誤差
をレーザ測長系を用いて求め、この誤差量に応じてビー
ムを偏向せしめて描画位置誤差の補正を行うようにした
ビーム描画装置の位置補正装置において、主偏向用偏向
歪補正回路、及び高次偏向歪補正演算用と1次偏向歪補
正演算用の二系統の副偏向用歪補正回路を設け、レーザ
測長系で求めた位置誤差を前記主偏向用偏向歪補正回路
及び副偏向用歪補正回路に分配して入力する場合に、前
記主偏向用偏向歪回路と高次偏向歪補正演算用副偏向用
歪補正回路にはレーザflP1長系でΔpj長した位置
データをそのまま与えて高次の偏向歪補正演算を、前記
1次偏向歪補正演算用副偏向用歪補正回路には描画パタ
ーン位置データが次の値に入れ代わるまでの期間のステ
ージ位置の誤差微少変動分を与えてリアルタイムで1次
の偏向歪補正演算を行わせるようにしたことを特徴とし
ている。
[作用] 位置誤差補正演算において、2次式以上の演算により誤
差補正量を求め、その演算期間中の微少な位置誤差変動
分には1次式の演算により誤差補正量を求めて、全体と
してビーム露光時の高速化を図る。
[実施例] 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
第1図は、本発明の一実施例を示す構成図である。図に
おいて、1はビームBiを偏向する主偏向器、2は同じ
くビームBiを偏向する副偏向器である。3はその上に
露光用の材料4を載置する。
移動ステージ(以下単にステージという)である。
該ステージ4は図示しない駆動系によりx、y各方向に
移動できるようになっている。5,6はそれぞれステー
ジ3のx、y各方向のステージ位置を検出するためのレ
ーザδ1長器である。
7はレーザ測長器5.6からのステージ位置検出データ
を受けて、主偏向用の歪補正演算(高次の補正演算)を
行い、主偏向器1に駆動信号x=。
y、を出力する主偏向歪補正回路である。8は同じくレ
ーザ測長器5,6からのステージ位置検出データを受け
て上記の様な高次の補正演算と1次の歪補正演算を行い
、これらの演算結果を加算して出力して副偏向器2に駆
動信号x1+Δx、  y1+Δyとして与える副偏向
歪補正回路である。
9は描画パターン位置データ発生器である。
第2図はLBC補正部の具体的構成例を示すブロック図
である。図に示す回路は、第1図の主偏向歪補正回路7
と副偏向歪補正回路8を合わせたものである。図におい
て、11はLBCデータX。
yのラッチである。D、はその一方の人力に刻々と変化
するLBCデータx、yを、他方の人力に上記ラッチ1
1でラッチされているxA+YAデータを人力し、X 
 XA、’/  YAを夫々演算する引算器である。1
2は該引算器のデータX−Xい、Y−VAのラッチであ
る。D2はその一方の入力に刻々と変化するLBCデー
タX+Yを、他方の入力に上記ラッチ12でラッチされ
ているXy′データを入力し、x−” +  3’−Y
’を夫々演算する引算器である。A、、A、は各々加算
器で、A、は、上記ラッチ11でラッチされているデー
タXA、yAと上記描画パターン位置データ発生器9か
らのパターン位置データの主偏向分を加算するもの、A
2は、上記ラッチ12でラッチされているデータX′、
y′と上記描画パターン位置データ発生器9からのパタ
ーン位置データの副偏向分を加算するものである。
13aは、上記加算器A1を通じて送られて来るラッチ
11の出力XAIYAを受けて高次主偏向歪補正演算を
行う主偏向歪補正高次式演算部、13bは、上記加算器
A2を通じて送られて来るラッチ12の出力x ′、 
 y /を受けて高次副偏向歪補正演算を行う副偏向歪
補正高次式演算部、14は、上記引算器D2からの差分
信号を受けて微少分の1次の補正演算を行った後、該演
算値が副偏向歪補正高次演算部13bの出力に付加され
る副偏向歪補正1次式演算部で、上記主偏向歪補正高次
式演算部13aは第1図の主偏向歪補正回路7に、上記
副偏向歪補正高次式演算部と副偏向歪補正1次式演算部
14は第1図の副偏向歪補正回路8に夫々対応している
15はX方向用の主偏向アンプ、16はX方向用の主偏
向アンプ、17はX方向用の副偏向アンプ、18はX方
向用の副偏向アンプである。夫々第1図に示す主偏向器
1及び副偏向器2を駆動する様に成っている。
この様に構成された装置の動作を説明すれば、以下の通
りである。
レーザ測長器5,6はx、  y夫々の方向のステージ
位置を検出して主偏向歪補正回路7及び副偏向歪補正回
路8に送るが、該主偏向歪補正回路7及び副偏向歪補正
回路8は次の様な補正演算を行描画パターン位置データ
発生器9からパターン位置データの主偏向分が送られる
と、そのタイミングでレーザ測長系からのLBCデータ
x、yがラッチ11ヘラツチされる。該ラッチ11のデ
ータxA、yAは加算器A、でパターン位置データの主
偏向分が加算され、主偏向歪補正高次式演算部13aで
、例えば、次に示す様な2次の歪補正演算を行う。
Xm−Xp、+ao+al XA +a2 VA +a
3XA 2+a4XA yA +ag VA ’   
 −(1)Ym−’/A+bo+l:z XA +b2
 yA +b3XA 2+b4XA 3’A +bS 
yA ’    −(2)該主偏向歪補正高次式演算部
13aの演算結果xm r  ’/ mは夫々偏向アン
プ15.16を介して主偏向器1に与える。
一方、描画パターン位置データ発生器9からパターン位
置データの副偏向分が送られると、そのタイミングで上
記レーザn1長系からのLBCデータX、yと上記ラッ
チ11のデータX^13’Aの引算を行っている引算器
り、の出力x−xA、yMAがラッチ12ヘラツチされ
る。該ラッチ12のデータx1.y1は加算器A2でパ
ターン位置データの副偏向分が加算され、副偏向歪補正
高次式演算部13bで、例えば、上記(1)、(2)式
で示す様な2次の歪補正演算(但し、上記(1)(2)
式中のXAIVAの代わりにx ′、  y /が入り
、且つ各係数が異なる)を行う。
さて、引算器D2では時々刻々変化している上記レーザ
測長系からのLBCデータx、yと上記ラッチ12のデ
ータx / 、  y / との引算を常に行っている
ので、上記副偏向歪補正高次式演算部13bが歪補正演
算を行っている間に変化している(x’+y’はパター
ン位置データの副偏向分が更新されるタイミングでラッ
チ(取込まれ)されて上記副偏向歪補正高次式演算部1
3bで高次の歪補正演算が施されるが、該x′、y′が
ラッチされてから、該高次の演算が終了する迄の間に通
常LBCデータが変動する)LBC値に基づいて、副偏
向歪補正1次式演算部14は以下に示す様な1次の歪補
正演算をリアルタイムで行っている。
尚、上記ラッチ11は、x XA +  3’  YA
が所定の値を越えた時にも、そのタイミングでx、yを
ラッチして、その値をxA、yAとする。
この際、x、yはXl、yIに対し、変動するが、この
変動分をΔX、Δyとする。即ち、Δx−x−x’、 
 Δy−y−y’ として、ΔX−aIXs +a2 
Ys        −(3)ΔY−t)+ x、+b
2Vs        ・” (4)但し、X、+Y*
 は微少骨である。
この様に副偏向歪補正1次式演算部14において、微少
変動補正演算が1次の演算でリアルタイムで行われるが
、この演算が1次式である上、演算の桁数が少ないので
、2次の補正演算に比べ、極めて高速に行われる。従っ
て、ステージ位置の微少変動分にも高速で対応すること
ができる。
該副偏向歪補正1次式演算部14の演算結果ΔX、Δy
(微少変動補正値)は、上記副偏向歪補正高次式演算骨
13bの演算結果X、、  y*  (2次の歪補正演
算値)と加算器A3で加算され、該加算された信号xs
、ysは夫々偏向アンプ17゜18を介して副偏向器2
に与えられる。
この様にして上記各歪補正値が各々主偏向器1と該副偏
向器2に与えられる事によりビームBiの偏向補正が行
われる。
その後のステージ位置の変動分は、パターン位置データ
(副偏向器)が更新されるタイミングでラッチ(取込ま
れ)され、上記の如く高次の演算補正が施される。該取
込まれた後、該高次演算中の微少変動分の補正は、上記
の様に副偏向歪補正1次式演算部14が微少付歪補正信
号を副偏向器2に与えてリアルタイムで行う。
尚、上記の説明では、主として電子ビーム描画装置の場
合を例にとって説明したが、本発明はこれに限るもので
はなく、他の例えば、集束イオンビーム装置等にも使用
することができる。
また、連続的にステージを移動させながらパターン描画
する描画システムにも有効に応用できる。
[発明の効果] 以上詳細に説明したように、本発明によれば、歪補正演
算に時間のかかる高次の偏向歪補正以外にその高次の補
正演算の際に取込んだLBCデータからの微少変動分に
ついては、副偏向歪補正1次式演算部がリアルタイムで
微少変動に追随してビーム偏向補正を行うので、常にビ
ーム露光時の位置決めをより高速にしかも正確に行うこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す構成ブロック図、第2
図はLBC補正部の具体的構成系を示すブロック図であ
る。 1・・・主偏向器     2・・・副偏向器3・・・
ステージ     4・・・材料5.6・・・レーザ測
長器 7・・・主偏向歪補正回路8・・・副偏向歪補正
回路

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ステージ位置の誤差をレーザ測長系を用いて求め、この
    誤差量に応じてビームを偏向せしめて描画位置誤差の補
    正を行うようにしたビーム描画装置の位置補正装置にお
    いて、主偏向用偏向歪補正回路、及び高次偏向歪補正演
    算用と1次偏向歪補正演算用の二系統の副偏向用歪補正
    回路を設け、レーザ測長系で求めた位置誤差を前記主偏
    向用偏向歪補正回路及び副偏向用歪補正回路に分配して
    入力する場合に、前記主偏向用偏向歪回路と高次偏向歪
    補正演算用副偏向用歪補正回路にはレーザ測長系で測長
    した位置データをそのまま与えて高次の偏向歪補正演算
    を、前記1次偏向歪補正演算用副偏向用歪補正回路には
    描画パターン位置データが次の値に入れ代わるまでの期
    間のステージ位置の誤差微少変動分を与えてリアルタイ
    ムで1次の偏向歪補正演算を行わせるようにしたことを
    特徴とするビーム描画装置の位置補正装置。
JP25681588A 1988-10-12 1988-10-12 ビーム描画装置の位置補正装置 Pending JPH02102519A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25681588A JPH02102519A (ja) 1988-10-12 1988-10-12 ビーム描画装置の位置補正装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25681588A JPH02102519A (ja) 1988-10-12 1988-10-12 ビーム描画装置の位置補正装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02102519A true JPH02102519A (ja) 1990-04-16

Family

ID=17297818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25681588A Pending JPH02102519A (ja) 1988-10-12 1988-10-12 ビーム描画装置の位置補正装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02102519A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5648188A (en) * 1995-06-07 1997-07-15 International Business Machines Corporation Real time alignment system for a projection electron beam lithographic system
US6403973B1 (en) 1999-02-26 2002-06-11 Hitachi, Ltd. Electron beam exposure method and apparatus and semiconductor device manufactured using the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5648188A (en) * 1995-06-07 1997-07-15 International Business Machines Corporation Real time alignment system for a projection electron beam lithographic system
US5716742A (en) * 1995-06-07 1998-02-10 International Business Machines Corporation Real time alignment system for a projection electron beam lithographic system
US6403973B1 (en) 1999-02-26 2002-06-11 Hitachi, Ltd. Electron beam exposure method and apparatus and semiconductor device manufactured using the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7777202B2 (en) Electron beam exposure apparatus involving the position and velocity calculation
JPS62277724A (ja) 電子ビ−ム露光装置
US6399954B1 (en) Charged-particle beam lithography apparatus and system capable of readily detecting abnormality in controlling on-off operation
JPH0691005B2 (ja) 荷電ビ−ム描画方法
US6177680B1 (en) Correction of pattern-dependent errors in a particle beam lithography system
JPH02102519A (ja) ビーム描画装置の位置補正装置
KR100257640B1 (ko) 전자선 노광 방법 및 그 장치
JP4664552B2 (ja) 可変成型ビーム型パターン描画装置
JPH03270215A (ja) 荷電粒子ビーム露光方法及び露光装置
JPH0521323A (ja) 荷電ビーム描画装置
JP3321838B2 (ja) 電子線描画装置
JP3245201B2 (ja) 電子ビーム露光装置
JP3394233B2 (ja) 荷電粒子線描画方法及び装置
JP6039970B2 (ja) セトリング時間の設定方法、荷電粒子ビーム描画方法、および荷電粒子ビーム描画装置
JPS636140B2 (ja)
US20210193436A1 (en) Settling time determination method and multi charged particle beam writing method
JPH02236936A (ja) 荷電ビーム装置
JP2012142328A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画処理の再現方法
JP3161101B2 (ja) 荷電粒子線描画装置
JPH07106222A (ja) 電子線描画装置
JPS60107832A (ja) 電子線描画方法
JPS634697B2 (ja)
JPS60173834A (ja) マルチ荷電ビ−ム露光装置
JPH02262326A (ja) 荷電ビーム描画方法
JPS62149126A (ja) 荷電ビ−ム露光方法