JPS636140B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS636140B2 JPS636140B2 JP57037633A JP3763382A JPS636140B2 JP S636140 B2 JPS636140 B2 JP S636140B2 JP 57037633 A JP57037633 A JP 57037633A JP 3763382 A JP3763382 A JP 3763382A JP S636140 B2 JPS636140 B2 JP S636140B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- small
- deflection system
- distortion correction
- deflection
- deflector
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 229920005994 diacetyl cellulose Polymers 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 101100015484 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) GPA1 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/153—Electron-optical or ion-optical arrangements for the correction of image defects, e.g. stigmators
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高精度と高スループツトを実現した電
子ビーム露光方法に関する。
子ビーム露光方法に関する。
近年、LSIや超LSI素子製作の担い手として電
子ビーム露光方法が注目を浴びている。一般に、
電子ビーム露光方法により直接材料上に図形を描
画する場合、ビームの照射すべき位置を指定する
信号をデイジタル電子計算機から、デイジタルア
ナログコンバータ（以後DACと称す）を介して
偏向器へ送ることにより、電子ビームを材料上で
適宜に走査して図形描画を行つている。この様な
露光方法において、品質、性能及びスループツト
を向上させる為には前記ビームの走査幅の拡大を
考えねばならないが、走査幅を拡大するとビーム
の偏向歪も拡大するので、描画位置精度維持の為
には、偏向歪の無視出来るか又は簡単な補正で済
む小振幅でビームを使用せざるを得ない。しか
し、小振幅で描画する場合、ステージの移動等の
機械的手段に依存する割合が高くなり結果的にス
ループツトが低下してしまう。そこで、最近、こ
れらの点を全て解決した偏向系を備えた露光方法
が提案された（特公昭53−24792号）。この偏向系
は大偏向系と小偏向系からなり、大偏向系として
高精度DAC即ち偏向幅の大きい（ビツト数の大
きい）DACを用い、小偏向系として高速DAC即
ち偏向幅の小さい（ビツト数の小さい）DACを
用い、これら二つの偏向系を加算的に動作せるよ
うにしたものである。実際の図形を描画する時
は、材料上を仮想的に基準区画に区分し、予め小
偏向系の偏向範囲に入る図形データ（ビームの照
射位置を示すデータ）と、基準区画位置を示すデ
ータを用意し、基準区画を大偏向系で指定し且つ
該基準区画内におけるビームの照射位置を小偏向
系で指定するようにして図形を描画している。こ
の方法によれば、小偏向系で描画可能な一群の図
形データを処理する度に、一度大偏向系を動作さ
せるだけでよいので、高速且つ高精度な図形描画
が実現され、ほとんどが小偏向系の動作だけで済
むので、スループツトが向上する。尚、この方法
においては、描画データをマトリツクス状の基準
区画に区分しないで、小偏向系の許容範囲内の偏
向幅以内の大きさの小区画位置をあらかじめ定め
られたメツシユ状の基準設定位置として大偏向系
で指定し、該小区画内の描画データの個々のビー
ム照射位置を小偏向系で指定するようにする。
又、ランダムに小区画を指定して、該小区画内に
図形を描画するようにしてもよい。（特願昭53−
151593号） さて、偏向系は諸要因により偏向歪が不可避な
ので、該歪を補正する為の歪補正器を偏向系に付
けなければならない。しかし、偏向歪は各偏向系
において特有なものなので、前記大偏向系と小偏
向系から成る偏向系（各々Ｘ方向偏向系Ｙ方向偏
向系とから成る）二組の歪補正器が必要となる。
従つてコストの上昇、装置の複雑化及びスループ
ツトの低下が生じる。
子ビーム露光方法が注目を浴びている。一般に、
電子ビーム露光方法により直接材料上に図形を描
画する場合、ビームの照射すべき位置を指定する
信号をデイジタル電子計算機から、デイジタルア
ナログコンバータ（以後DACと称す）を介して
偏向器へ送ることにより、電子ビームを材料上で
適宜に走査して図形描画を行つている。この様な
露光方法において、品質、性能及びスループツト
を向上させる為には前記ビームの走査幅の拡大を
考えねばならないが、走査幅を拡大するとビーム
の偏向歪も拡大するので、描画位置精度維持の為
には、偏向歪の無視出来るか又は簡単な補正で済
む小振幅でビームを使用せざるを得ない。しか
し、小振幅で描画する場合、ステージの移動等の
機械的手段に依存する割合が高くなり結果的にス
ループツトが低下してしまう。そこで、最近、こ
れらの点を全て解決した偏向系を備えた露光方法
が提案された（特公昭53−24792号）。この偏向系
は大偏向系と小偏向系からなり、大偏向系として
高精度DAC即ち偏向幅の大きい（ビツト数の大
きい）DACを用い、小偏向系として高速DAC即
ち偏向幅の小さい（ビツト数の小さい）DACを
用い、これら二つの偏向系を加算的に動作せるよ
うにしたものである。実際の図形を描画する時
は、材料上を仮想的に基準区画に区分し、予め小
偏向系の偏向範囲に入る図形データ（ビームの照
射位置を示すデータ）と、基準区画位置を示すデ
ータを用意し、基準区画を大偏向系で指定し且つ
該基準区画内におけるビームの照射位置を小偏向
系で指定するようにして図形を描画している。こ
の方法によれば、小偏向系で描画可能な一群の図
形データを処理する度に、一度大偏向系を動作さ
せるだけでよいので、高速且つ高精度な図形描画
が実現され、ほとんどが小偏向系の動作だけで済
むので、スループツトが向上する。尚、この方法
においては、描画データをマトリツクス状の基準
区画に区分しないで、小偏向系の許容範囲内の偏
向幅以内の大きさの小区画位置をあらかじめ定め
られたメツシユ状の基準設定位置として大偏向系
で指定し、該小区画内の描画データの個々のビー
ム照射位置を小偏向系で指定するようにする。
又、ランダムに小区画を指定して、該小区画内に
図形を描画するようにしてもよい。（特願昭53−
151593号） さて、偏向系は諸要因により偏向歪が不可避な
ので、該歪を補正する為の歪補正器を偏向系に付
けなければならない。しかし、偏向歪は各偏向系
において特有なものなので、前記大偏向系と小偏
向系から成る偏向系（各々Ｘ方向偏向系Ｙ方向偏
向系とから成る）二組の歪補正器が必要となる。
従つてコストの上昇、装置の複雑化及びスループ
ツトの低下が生じる。
本発明はこの様な点に鑑みてなされたもので、
大偏向系と小偏向系の歪補正を一つの歪補正器で
行う様にした新規な電子ビーム露光方法を提供す
るものである。
大偏向系と小偏向系の歪補正を一つの歪補正器で
行う様にした新規な電子ビーム露光方法を提供す
るものである。
今、第１図に示す様に、材料上の小領域Ｐ内の
Ｑ点にビームを照射する場合を例に取る。大偏向
系への入力を〓0、大偏向系の歪補正値をΔ〓0、
小偏向系への入力を〓1、小偏向系の歪補正値を
Δ〓1とすれば、図の如きベクトル図に従つて、
Ｑ点が照射される。ここで、 〓0＋〓1＝〓A (1) Δ〓0＋Δ〓1＝Δ〓A (2) と置けば、破線に示すベクトル図に従つて、Ｑ点
に達する。又、図中一点鎖線で示したベクトル〓
Ｂは〓A＋Δ〓Aを示す。
Ｑ点にビームを照射する場合を例に取る。大偏向
系への入力を〓0、大偏向系の歪補正値をΔ〓0、
小偏向系への入力を〓1、小偏向系の歪補正値を
Δ〓1とすれば、図の如きベクトル図に従つて、
Ｑ点が照射される。ここで、 〓0＋〓1＝〓A (1) Δ〓0＋Δ〓1＝Δ〓A (2) と置けば、破線に示すベクトル図に従つて、Ｑ点
に達する。又、図中一点鎖線で示したベクトル〓
Ｂは〓A＋Δ〓Aを示す。
さて本発明は、大偏向器の偏向歪補正関数を
（（〓0）＝〓0＋Δ〓0）小偏向器の偏向歪補正
関数を（（〓1）＝〓1＋Δ〓1）とした時、前
記(1)と(2)の関係から、 （〓0）＋（〓1）＝（〓0＋〓1）＝（〓A）
(3) なる関係、即ち、ベクトルの途中経路いかんに拘
わらず、最終位置をもつて大偏向と小偏向の歪補
正関数を一つの関数ｆにて近似できる範囲内にお
いて、一つの偏向歪補正器だけで大偏向系と小偏
向系の歪補正を行おうとするものである。
（（〓0）＝〓0＋Δ〓0）小偏向器の偏向歪補正
関数を（（〓1）＝〓1＋Δ〓1）とした時、前
記(1)と(2)の関係から、 （〓0）＋（〓1）＝（〓0＋〓1）＝（〓A）
(3) なる関係、即ち、ベクトルの途中経路いかんに拘
わらず、最終位置をもつて大偏向と小偏向の歪補
正関数を一つの関数ｆにて近似できる範囲内にお
いて、一つの偏向歪補正器だけで大偏向系と小偏
向系の歪補正を行おうとするものである。
第２図は本発明の電子ビーム露光方法の一応用
例を示した電子ビーム露光装置の概略図である。
図中１は電子銃で、該電子銃から射出された電子
ビームは集束レンズ等から成るレンズ群２により
材料６上に投影される。又、該ビームは同時に偏
向器の動作により、材料６上の適宜な箇所を走査
する。この偏向器はＸ、Ｙ方向偏向器共夫々、大
偏向器７Ｘ，７Ｙと小偏向系８Ｘ，８Ｙからな
り、小偏向器は該小偏向器の歪補正が及ぶ範囲の
小領域内のビーム位置の指定を、大偏向器は該小
領域の指定を行う（特願昭53−151593号参照）。
９はデイジタル電子計算機で、小領域の位置信号
を夫々、Ｘ方向高精度DAC１０、加算器１１及
び減算器１２、Ｙ方向高精度DAC１３、加算器
１４及び減算器１５へ送る。又、該小領域内のビ
ーム照射位置信号を夫々前記加算器１１，１４へ
送る。更に、前記Ｘ方向大偏向器７Ｘの歪補正値
を作成する為の信号とＸ方向小偏向器８Ｘの歪補
正値を作成する為の信号及びＹ方向偏向器７Ｙの
歪補正値を作成する為の信号とＹ方向小偏向器８
Ｙの歪補正値を作成する為の信号を夫々偏向歪補
正演算器１６へ送る。前記Ｘ方向高精度DAC１
０及びＹ方向高精度DAC１３の出力は夫々増幅
器１７，１８を介して前記Ｘ方向大偏向器、Ｙ方
向大偏向器へ送られる。又、前記加算器１１，１
４は出力を夫々前記偏向歪補正演算器１６へ送
る。該演算器は入力信号に基づいて、Ｘ方向の
大、小偏向器の歪補正値の合計値、Ｙ方向の大、
小偏向器の歪補正値の合計値を含んだ出力を夫々
前記減算器１２，１５へ送る。該減算器１２，１
５は出力を夫々、Ｘ方向高速DAC１９及び増幅
器２１を介して前記Ｘ方向小偏向器８Ｘ、Ｙ方向
高速DAC２０及び増幅器２２を介して前記Ｙ方
向小偏向器８Ｙへ送る。
例を示した電子ビーム露光装置の概略図である。
図中１は電子銃で、該電子銃から射出された電子
ビームは集束レンズ等から成るレンズ群２により
材料６上に投影される。又、該ビームは同時に偏
向器の動作により、材料６上の適宜な箇所を走査
する。この偏向器はＸ、Ｙ方向偏向器共夫々、大
偏向器７Ｘ，７Ｙと小偏向系８Ｘ，８Ｙからな
り、小偏向器は該小偏向器の歪補正が及ぶ範囲の
小領域内のビーム位置の指定を、大偏向器は該小
領域の指定を行う（特願昭53−151593号参照）。
９はデイジタル電子計算機で、小領域の位置信号
を夫々、Ｘ方向高精度DAC１０、加算器１１及
び減算器１２、Ｙ方向高精度DAC１３、加算器
１４及び減算器１５へ送る。又、該小領域内のビ
ーム照射位置信号を夫々前記加算器１１，１４へ
送る。更に、前記Ｘ方向大偏向器７Ｘの歪補正値
を作成する為の信号とＸ方向小偏向器８Ｘの歪補
正値を作成する為の信号及びＹ方向偏向器７Ｙの
歪補正値を作成する為の信号とＹ方向小偏向器８
Ｙの歪補正値を作成する為の信号を夫々偏向歪補
正演算器１６へ送る。前記Ｘ方向高精度DAC１
０及びＹ方向高精度DAC１３の出力は夫々増幅
器１７，１８を介して前記Ｘ方向大偏向器、Ｙ方
向大偏向器へ送られる。又、前記加算器１１，１
４は出力を夫々前記偏向歪補正演算器１６へ送
る。該演算器は入力信号に基づいて、Ｘ方向の
大、小偏向器の歪補正値の合計値、Ｙ方向の大、
小偏向器の歪補正値の合計値を含んだ出力を夫々
前記減算器１２，１５へ送る。該減算器１２，１
５は出力を夫々、Ｘ方向高速DAC１９及び増幅
器２１を介して前記Ｘ方向小偏向器８Ｘ、Ｙ方向
高速DAC２０及び増幅器２２を介して前記Ｙ方
向小偏向器８Ｙへ送る。
斯くの如き装置において、第１図に示す如き小
領域Ｐ内のＱの位置へビームを照射する場合、電
子計算機９は小領域Ｐの位置に対応した信号X0，
Y0をＸ方向高精度DAC１０、加算器１１及び減
算器１２、Ｙ方向高精度DAC１３、加算器１４
及び減算器へ、該小領域内のビーム照射位置に対
応した信号X1，Y1を夫々前記加算器１１，１４
へ、偏向歪補正係数データa1〜a3、b1〜b3を偏向
歪補正演算器１６へ送る。すると、該演算器には
前記加算器１１，１４から夫々XA（＝X0＋X1）、
YA（＝Y0＋Y1）なる出力が送られてくるので、
前記偏向歪補正係数データa1〜a3、b1〜b3と該出
力XA，YAとから、偏向歪補正値を含む偏向系へ
の入力値の演算を行う。即ち、例えば、 XT＝Xs＋a1＋a2×ｓ＋a3Ys＝Xs＋ΔXs ………(4) YT＝Ys＋b1＋b2×ｓ＋b3Ys＝Ys＋ΔYs ………(5) （但し、入力を（Xs、Ys）、出力を（XT、YT）、
偏向歪補正値を（ΔXs、ΔYs）、歪補正係数をa1、
a2、a3、b1、b2、b3とする）の式で表される偏向
歪補正値を含む偏向系への入力値演算式中のXs、
Ysに夫々XA，YAを代入して、XB，YBを出力す
る。該出力が送られて来た減算器１２，１５は該
出力XB，YBから高精度DAC１０，１３へ送られ
る信号X0，Y0を差引いた信号（XB−X0）、（YB−
Y0）（第１図中二点鎖線のベクトル図参照）を
夫々Ｘ方向高速偏向器１９、Ｙ方向高速偏向器２
０へ送る。これらの信号（XB−X0）、（YB−Y0）
は第１図にて明らかな様に、ΔX0＋X1＋ΔX1、
即ち小領域Ｐ内のＱ点の位置を示す信号と大偏向
器及び小偏向器の歪補正値とを含む信号に等し
い。而して、前記Ｘ方向高精度DAC１０、Ｘ方
向高速度DAC１９、Ｙ方向高精度DAC１３、Ｙ
方向高速度DAC２０は各々、増幅器を介して出
力X0，XB−X0，Y0，YB−Y0を、Ｘ方向大偏向
器７Ｘ、Ｘ方向小偏向器８Ｘ、Ｙ方向大偏向器７
Ｙ、Ｙ方向小偏向器８Ｙへ送るので、全ての偏向
器による偏向歪が補正され、ビームは目的の位置
Ｑへ照射される。
領域Ｐ内のＱの位置へビームを照射する場合、電
子計算機９は小領域Ｐの位置に対応した信号X0，
Y0をＸ方向高精度DAC１０、加算器１１及び減
算器１２、Ｙ方向高精度DAC１３、加算器１４
及び減算器へ、該小領域内のビーム照射位置に対
応した信号X1，Y1を夫々前記加算器１１，１４
へ、偏向歪補正係数データa1〜a3、b1〜b3を偏向
歪補正演算器１６へ送る。すると、該演算器には
前記加算器１１，１４から夫々XA（＝X0＋X1）、
YA（＝Y0＋Y1）なる出力が送られてくるので、
前記偏向歪補正係数データa1〜a3、b1〜b3と該出
力XA，YAとから、偏向歪補正値を含む偏向系へ
の入力値の演算を行う。即ち、例えば、 XT＝Xs＋a1＋a2×ｓ＋a3Ys＝Xs＋ΔXs ………(4) YT＝Ys＋b1＋b2×ｓ＋b3Ys＝Ys＋ΔYs ………(5) （但し、入力を（Xs、Ys）、出力を（XT、YT）、
偏向歪補正値を（ΔXs、ΔYs）、歪補正係数をa1、
a2、a3、b1、b2、b3とする）の式で表される偏向
歪補正値を含む偏向系への入力値演算式中のXs、
Ysに夫々XA，YAを代入して、XB，YBを出力す
る。該出力が送られて来た減算器１２，１５は該
出力XB，YBから高精度DAC１０，１３へ送られ
る信号X0，Y0を差引いた信号（XB−X0）、（YB−
Y0）（第１図中二点鎖線のベクトル図参照）を
夫々Ｘ方向高速偏向器１９、Ｙ方向高速偏向器２
０へ送る。これらの信号（XB−X0）、（YB−Y0）
は第１図にて明らかな様に、ΔX0＋X1＋ΔX1、
即ち小領域Ｐ内のＱ点の位置を示す信号と大偏向
器及び小偏向器の歪補正値とを含む信号に等し
い。而して、前記Ｘ方向高精度DAC１０、Ｘ方
向高速度DAC１９、Ｙ方向高精度DAC１３、Ｙ
方向高速度DAC２０は各々、増幅器を介して出
力X0，XB−X0，Y0，YB−Y0を、Ｘ方向大偏向
器７Ｘ、Ｘ方向小偏向器８Ｘ、Ｙ方向大偏向器７
Ｙ、Ｙ方向小偏向器８Ｙへ送るので、全ての偏向
器による偏向歪が補正され、ビームは目的の位置
Ｑへ照射される。
尚、前記実施例における偏向歪補正値を含む偏
向系への入力値の演算を、(4)式と(5)式で示す低次
のものを使用して行つたが、(6)式と(7)式に示す高
次のものを使用すればより精度が良くなる。
向系への入力値の演算を、(4)式と(5)式で示す低次
のものを使用して行つたが、(6)式と(7)式に示す高
次のものを使用すればより精度が良くなる。
XT′＝c1＋c2Xs＋c3Ys＋c4Xs2＋c5XsYs＋c6Ys2＋c7Xs3
＋c8Xs2Ys ＋c9XsYs2＋c10Ys3＋ ………(6) YT′＝d1＋d2Xs＋d3Ys＋d4Xs2＋d5XsYs＋d6Ys2＋d7Xs3
＋d8Xs2Ys ＋d9XsYs2＋d10Ys3＋ ………(7) （但し（XT′、YT′）は出力、c1〜c10及びd1〜d10
は高次式における歪補正係数） 又、本発明を電子ビーム断面整形用マスクが一
枚からなる断面固定型電子ビーム露光装置や、複
数枚のマスクと上位マスクの孔を通過したビーム
を適宜偏向して下位マスクの孔を通過させる断面
可変型の電子ビーム露光装置にも応用できる。
＋c8Xs2Ys ＋c9XsYs2＋c10Ys3＋ ………(6) YT′＝d1＋d2Xs＋d3Ys＋d4Xs2＋d5XsYs＋d6Ys2＋d7Xs3
＋d8Xs2Ys ＋d9XsYs2＋d10Ys3＋ ………(7) （但し（XT′、YT′）は出力、c1〜c10及びd1〜d10
は高次式における歪補正係数） 又、本発明を電子ビーム断面整形用マスクが一
枚からなる断面固定型電子ビーム露光装置や、複
数枚のマスクと上位マスクの孔を通過したビーム
を適宜偏向して下位マスクの孔を通過させる断面
可変型の電子ビーム露光装置にも応用できる。
又、前記実施例では、小偏向系に大偏向系の歪
補正値と小偏向系の歪補正値の合計値を含んだ小
領域内のビーム照射位置に対応した信号を供給す
る様に成したが、大偏向系に大偏向系の歪補正値
と小偏向系の歪補正値の合計値を含んだ小領域の
位置に対応した信号を供給する様に成しても良
い。
補正値と小偏向系の歪補正値の合計値を含んだ小
領域内のビーム照射位置に対応した信号を供給す
る様に成したが、大偏向系に大偏向系の歪補正値
と小偏向系の歪補正値の合計値を含んだ小領域の
位置に対応した信号を供給する様に成しても良
い。
本発明によれば、大偏向系と小偏向系の歪補正
を一つの歪補正器で行う様にしたので、コストの
ダウン、装置の簡略化及びスループツトの向上を
もたらす。
を一つの歪補正器で行う様にしたので、コストの
ダウン、装置の簡略化及びスループツトの向上を
もたらす。
第１図は本発明の原理及び動作の説明を補足す
る為のベクトル図、第２図は本発明の一応用例と
して示した電子ビーム露光装置のブロツク図であ
る。 ６：試料、７Ｘ：Ｘ方向大偏向器、７Ｙ：Ｙ方
向大偏向器、８Ｘ：Ｘ方向小偏向器、８Ｙ：Ｙ方
向小偏向器、９：デイジタル電子計算機、１０：
Ｘ方向高精度DAC、１１：加算器、１２：減算
器、１３：Ｙ方向高精度DAC、１４：加算器、
１５：減算器、１６：偏向歪補正演算器、１９：
Ｘ方向高速DAC、２０：Ｙ方向高速DAC。
る為のベクトル図、第２図は本発明の一応用例と
して示した電子ビーム露光装置のブロツク図であ
る。 ６：試料、７Ｘ：Ｘ方向大偏向器、７Ｙ：Ｙ方
向大偏向器、８Ｘ：Ｘ方向小偏向器、８Ｙ：Ｙ方
向小偏向器、９：デイジタル電子計算機、１０：
Ｘ方向高精度DAC、１１：加算器、１２：減算
器、１３：Ｙ方向高精度DAC、１４：加算器、
１５：減算器、１６：偏向歪補正演算器、１９：
Ｘ方向高速DAC、２０：Ｙ方向高速DAC。
Claims (1)
- １ 小領域の位置に対応した信号と該小領域内の
電子ビームの位置に対応した信号とを加算したも
のと、歪補正係数データとから大偏向系の歪補正
値と小偏向系の歪補正値の合計値を含んだ偏向系
入力を一つの歪補正器で作成し、該作成した偏向
系入力から前記小領域の位置に対応した信号又は
小領域内の電子ビームの位置に対応した信号を差
引き、前者の差引きを行なつた場合には差信号を
高速DA変換器を用いた小偏向系に供給すると同
時に前記小領域の位置に対応した信号を高精度
DA変換器を用いた大偏向系に供給し、後者の差
引きを行なつた場合には差信号を該大偏向系に供
給すると同時に前記小領域内の電子ビームの位置
に対応した信号を該小偏向系に供給する様にした
電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3763382A JPS58154230A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3763382A JPS58154230A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58154230A JPS58154230A (ja) | 1983-09-13 |
| JPS636140B2 true JPS636140B2 (ja) | 1988-02-08 |
Family
ID=12503038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3763382A Granted JPS58154230A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58154230A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210434U (ja) * | 1988-06-23 | 1990-01-23 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0732110B2 (ja) * | 1984-05-18 | 1995-04-10 | 株式会社日立製作所 | 電子線露光装置 |
| JP2553032B2 (ja) * | 1985-03-19 | 1996-11-13 | 株式会社ニコン | 荷電粒子ビ−ム偏向回路 |
| JPS62277724A (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-02 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5093571A (ja) * | 1973-12-19 | 1975-07-25 | ||
| JPS5324792A (en) * | 1976-08-20 | 1978-03-07 | Canon Inc | Semiconductor laser device |
| JPS5527689A (en) * | 1978-08-21 | 1980-02-27 | Jeol Ltd | Electro beam exposing method |
| JPS5577144A (en) * | 1978-12-07 | 1980-06-10 | Jeol Ltd | Electron beam exposure method |
-
1982
- 1982-03-10 JP JP3763382A patent/JPS58154230A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5093571A (ja) * | 1973-12-19 | 1975-07-25 | ||
| JPS5324792A (en) * | 1976-08-20 | 1978-03-07 | Canon Inc | Semiconductor laser device |
| JPS5527689A (en) * | 1978-08-21 | 1980-02-27 | Jeol Ltd | Electro beam exposing method |
| JPS5577144A (en) * | 1978-12-07 | 1980-06-10 | Jeol Ltd | Electron beam exposure method |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210434U (ja) * | 1988-06-23 | 1990-01-23 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58154230A (ja) | 1983-09-13 |
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