JPH11329961A - 電子線描画装置,電子線描画システム、および描画方法 - Google Patents
電子線描画装置,電子線描画システム、および描画方法Info
- Publication number
- JPH11329961A JPH11329961A JP5508599A JP5508599A JPH11329961A JP H11329961 A JPH11329961 A JP H11329961A JP 5508599 A JP5508599 A JP 5508599A JP 5508599 A JP5508599 A JP 5508599A JP H11329961 A JPH11329961 A JP H11329961A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- drawing data
- sample
- exposure
- map
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
法のスループットを向上させる。 【解決手段】描画データ生成手段13,露光量マップ作
成手段15、電子線補正手段14を有する描画データ生
成部12a,12b,…,12nを複数個備え、条件や
種類の異なる複数個の露光量マップの作成を並行して行
う。
Description
射して所望のパターンを描画する電子線描画装置,電子
線描画システム、および描画方法に関する。
の描画データ生成部の機能ブロック図を示す。従来の電
子線描画装置においては、電子線描画データ生成手段1
3によって生成された照射単位の描画データ(座標,寸
法,照射量)を所定の電子線補正手段14によって補正
し、補正された描画データによって指定された電子線を
電子線描画手段16によって試料上に塗布された感光剤
に照射する。
正には色々な種類があるが、ここでは近接効果補正を対
象とする。近接効果とは、試料上に照射された電子線が
表面の感光剤の層を通り抜け、試料内部で後方散乱され
た電子線が再び試料表面の感光剤を通るために、電子線
の照射面積密度の高い部分で過剰露光となる現象であ
る。そのため電子線描画装置においては、特開平3−225
816 号公報には、実際の描画の前に電子線を照射しない
空描画を行って試料上に描画するパターンの露光面積密
度に基づいて露光量マップをメモリに作成し、実際の描
画時には図10に示した露光量マップ作成手段15によ
って前記メモリの内容を参照しながら、露光面積密度が
高い所では電子線の照射量が相対的に小さくなり、露光
面積密度が低い所では電子線の照射量が相対的に大きく
なるように補正して描画する技術が開示されている。
適な描画を行うために、描画パターンを分割するメッシ
ュサイズや平滑化する回数などの条件を変更し、その度
に露光量マップを作成し、それに従って空描画動作を行
って、評価している。そのため、1つのパターンの描画
データを最適に描画するために、複数回の露光量マップ
作成と空描画動作が必要となる。さらに、従来の技術で
は、条件が変わる度に露光量マップを作成し直している
ため、作成し直す前の露光量マップを保持できない。そ
のため、再度、最適な描画を行うためには、同じ描画デ
ータをもう一度作らなくてはならない。これらが電子線
描画装置のスループットを低下させている。特にマスク
の電子線描画装置では、1個の描画データに対してマス
ク1枚しか描画できず、1個の描画データを繰り返し使
用することができないのでスループットが低下してしま
うという問題があった。
鑑みてなされたもので、スループットを向上させること
ができる電子線描画装置,電子線描画システム、および
描画方法を提供することを目的とする。
め、本発明は、試料に描画パターンを形成するための描
画データを生成する描画データ生成手段、前記描画デー
タから電子線の露光量マップを作成する露光量マップ作
成手段、前記試料に照射する電子線の照射量を前記露光
量マップを参照して補正する電子線補正手段からなる複
数個の描画データ生成部と、前記電子線補正手段で補正
された値に基づいて前記電子線を前記試料に照射して描
画を行う電子線描画手段とを備えたものである。
類の異なる複数個の露光量マップを並行して作成可能と
することで、最適な描画条件の評価を迅速に行うことが
でき、前記目的を達成することができる。描画データの
生成条件の例としては、露光量マップ作成のときのメッ
シュサイズ、隣接メッシュ間で行う面積密度の平滑化の
回数などがある。
出力を比較する出力比較手段を備えた電子線描画装置
は、各描画データ生成部に全く同じ動作をさせてその出
力を比較することによって、制御回路全体の誤動作のチ
ェックを行うことができ、電子線描画装置の信頼性を増
すことができる。
タの描画中に第2の描画データの露光量マップ作成を並
行して行う機能を有する。さらに電子線描画装置は、描
画対象の露光量マップを前記複数の描画データ生成部で
分割して形成する機能を有する。これらの機能によっ
て、描画対象の露光量マップが1つの描画データ生成部
で生成できる範囲を超える大きな描画パターンに対して
も、露光量マップの作成を複数の描画データ生成部で分
担して行うことができるので、スループットの低下を防
ぐことができる。
伝送手段で接続し、第1の電子線描画装置で生成した描
画データを第2の電子線描画装置に転送することで、第
2の電子線描画装置で第1の電子線描画装置と同じ描画
データの描画が可能となる。また、本発明による電子線
描画装置を、露光装置に用いられるマスク,レチクルな
どへのパターン描画に用いれば、一度作成された描画デ
ータを繰り返し使用して描画するので、スループットを
向上させることができる。
施例を説明する。
一例の構成を図1に示す断面図を用いて説明する。図1
において、右側に断面で示した部分は、実際にウエハを
描画する電子線鏡体100であり、その周囲の四角形は
電子線鏡体100を制御する機能をブロックで表したも
のである。試料108は搬送部102から電子線鏡体1
00の内部の試料台101へ搬送される。電子線鏡体1
00の最上部にある電子銃103から発射された電子線
104は、鏡体内のレンズ106によって形状が整えら
れ、さらに電磁偏向器と静電偏向器からなる偏向器10
7によって偏向され、試料台101上に配置された試料
108の目標位置に照射される。照射される電子線10
4の幾種類かの断面形状は、アパーチャ105を選択す
ることによって試料108上に転写することができる。
をブロックで表したものであり、システム全体の制御と
外部からのインターフェイスとを分担している。ハード
ディスク121に保持された描画すべきパターンの描画
データは計算機112に伝送される。枠111で囲まれ
たブロック群は、計算機112から伝送された描画デー
タを、電子線の偏向データへと連続的,パイプライン的
に、かつ高速に変換する制御系デジタル処理群であっ
て、他の制御部とバス119を介して接続されており、
図示した各処理部では以下の処理を行っている。
納する。
であるショットに置き換え、各ショットの位置,形状,
露光量のデータを作成する。
センサー109で監視し、そのずれ,変形に合わせて補
正を行う。
ターンの単位面積あたりの面積マップである露光量マッ
プ129を求めてメモリへ保持し、その値を参照しなが
らショット単位に露光量を補正する処理を行う。
置測長部120で測定される試料台101の位置に基づ
いて、電子線104が試料108上の目標位置に照射さ
れる様に、電子線偏向位置を計算するとともに、電子線
鏡体100の偏向歪み量なども補正する。
制御を受け持つ。
は、D/A変換器113でD/A変換されてビーム制御
部114へ移り、レンズ106,偏向器107の制御を
行う。この他、高圧電源115は、電子銃103の加速
電圧を発生し、アパーチャ制御部116はアパーチャ交
換部131を制御してアパーチャ105の形状を選択
し、試料台制御部117は試料台101の移動制御を行
い、搬送系制御部118は試料108を試料台101へ
搬送する搬送部102を制御する。それぞれのユニット
間はバス119で結ばれ、インターフェイスを介して信
号の受け渡しを行う。計算機112によってこれらのユ
ニットの制御を行うこともできる。
す。
7の機能を示すブロック図である。この電子線描画装置
は、描画データ生成部制御手段11によって制御される
複数の描画データ生成部12a,12b,…,12n
と、1つの電子線描画手段16とを備える。各描画デー
タ生成部12a,12b,…,12nは、各々描画デー
タ生成手段13a,13b,…,13n、電子線補正手
段14a,14b,…,14n及び露光量マップ作成手
段15a,15b,…,15nを備える。描画データ生
成部制御手段11は、複数の描画データ生成部12a,
12b,…,12nに、描画データの条件等の指示を出し
たり、描画データ生成部12a,12b,…,12nか
らデータ電子線描画手段16に出力するデータの選択指
示等を出す。
ーチャートを、図4にパターンの形状の例を示す。図3
のステップS41において、図4に示すようにパターン
51をメッシュサイズ52で分割し、ステップS42で
各メッシュ内のパターン面積密度を求める。次に、ステ
ップS43で隣接メッシュ間で面積密度が大きく変化す
る部分での寸法変化を低減するための平滑化を行い、ス
テップS44で露光量マップを作成する。露光量マップ
の作成の際には、描画データ生成手段13からの電子線
データ(例えば、座標,寸法,照射量)が露光量マップ
作成手段15に送られる。
細に示したブロック図である。露光量マップ作成手段1
5においては、図2に示した描画データ生成手段13が
生成した描画データから露光量マップを露光量マップメ
モリ61上に作成するため、座標データからそれに対応
するメモリアドレスを生成する座標−アドレス変換手段
62と、パターンの寸法を示すデータから面積密度を生
成する面積密度計算手段63とを持ち、これにより生成
された値を面積密度平滑化手段64にて平滑化し、平滑
化された値を露光量マップメモリ61に累積しながら格
納する。また、露光量マップメモリ61に格納した値を
再度平滑化するときは、露光量マップメモリ61より値
を読み出し、面積密度平滑化手段64で平滑化して、露
光量マップメモリ61に格納する。
データ生成手段13から入力される描画データのうち照
射量データを、先に生成した露光量マップの対応するア
ドレスの値によって補正する。すなわち、露光量マップ
作成手段15が作成した露光量マップメモリ61の値か
ら描画データが該当する値、及びその周辺の数個の値を
読み出し、それらから描画データの周辺の密集度合を算
出して、それに反比例するように照射量を調整する。電
子線描画手段16は、電子線補正手段14により補正さ
れた照射量と座標及び電子線の大きさを電子銃に出力し
て補正描画を実施する。
御手段11は、各描画データ生成部12a,12b,
…,12nごとに異なる分割メッシュサイズや平滑回数
等の条件の指示を出す。各描画データ生成部12a,1
2b,…,12nでは、各々の描画データ生成手段13
a,13b,…,13nで生成された描画データを基
に、各露光量マップ作成手段15a,15b,…,15
nの図5に示した面積密度計算手段63にてメッシュサ
イズ毎に面積密度を計算し、算出された値を座標−アド
レス変換手段62から出力されるメモリアドレスに対応
させて露光量マップメモリ61に格納する。このように
して、条件が異なる複数個の露光量マップを、従来の露
光量マップ作成時間と同じ時間で作成することが可能と
なる。
描画データ生成部12a,12b,…,12nのうちの
1つを選択し、選択された描画データ生成部12nで描
画データ生成手段13から描画データが出力されると、
先の露光量マップ生成時と同様に図5に示す露光量マッ
プメモリ61の対応するアドレスが座標−アドレス変換
手段62から出力され、それに該当する値とその近傍の
値が読み出される。電子線補正手段14では、読み出さ
れた値を参照して、露光密度が高い所では照射量を相対
的に小さく、逆に低い所では相対的に大きくなるように
照射量の補正を行う。電子線描画手段16は、電子線補
正手段14で補正された描画データを受けて補正描画を
実行する。この作業をすべての描画データ生成部12
a,12b,…,12nの描画データに対して連続的に
行い、描画結果を評価し、評価の結果、最適とされた描
画データを基に、再度描画作業が可能となる。
の大きさを示すタイムチャートであり、従来技術の場合
と本発明の第1の実施例の場合とを比較したものであ
る。
の評価を行い、再度、最適な評価結果のデータ(図6の
場合は条件2の描画データとする。)で描画した場合の
時間割合を比較している。従来技術の場合は、条件1で
露光量マップを作成し、その露光量マップに基づいて空
描画を行い、次に条件2で露光量マップを作成して空描
画を行う。その後、条件3で露光量マップを作成して空
描画を行う。そして、各条件での空描画の結果を評価
し、条件2が最適であることが判明すると、再度条件2
で露光量マップを作成して実際の描画を行うことにな
る。
異なる露光量マップが同時に作成される。すなわち、条
件1の露光量マップは描画データ生成部12aで、条件
2の露光量マップは描画データ生成部12bで、条件3
の露光量マップは描画データ生成部12cで、それぞれ
並行して作成される。作成された露光量マップは各々の
描画データ生成部内に保持される。電子線描画手段16
では、各描画データ生成部12a,12b,12cに保
持されている露光量マップに基づいて、条件1,条件
2,条件3での描画を順次行う。描画結果を評価した結
果、条件2が最適であることが判明すると、描画データ
生成部12bに保持されている露光量マップを用いて直
ちに条件2での描画に移ることができる。このように、
従来技術に比較して描画のスループットを大幅に向上さ
せることができる。
イムチャートである。この例は、図2に示した複数個の
描画データ生成部12a,12b,…,12nにおい
て、各々異なるパターンを描画するための描画データを
生成するものである。
1は、図7において、5個の描画データ生成部12a,
12b,12c,12d,12eに、それぞれの描画デ
ータ生成手段13にて異なる描画データを生成するよう
に指示を出す。5個の描画データ生成部12a,12
b,12c,12d,12eでは、それぞれの描画デー
タ生成手段13から出力された描画データに基づいて露
光量マップを作成する。その結果、図に示すように、従
来技術では2個のパターンA,Bの描画に費やされる時
間と同じ時間で、本発明では6個のパターンA,B,
C,D,E,Fの描画が可能となる。さらに、パターン
AからFの補正描画の最中に、描画データ生成部12b
から12eでは、パターンGからJの露光量マップが作
成できるので、パターンFの補正描画の終了の後に続け
てパターンGの補正描画が可能となる。
量マップを従来技術における1つの露光量マップの作成
時間と同じ時間で作成することが可能になる。そして、
次に行う電子線描画を、露光量マップ単位で異なる描画
データで連続して行うことが可能となる。さらに、電子
線描画中に、使用していない描画データ生成部では、新
しい描画データの露光量マップの作成を並行して行うこ
とが可能となり、スループットが大幅に向上する。
て、1系統の描画データ生成部で生成できる範囲を超え
る露光量マップも容易に生成することができる。すなわ
ち、描画対象の露光量マップが1系統の描画データ生成
部で生成できる範囲を超える場合において、全体の露光
量マップを1系統の描画データ生成部で処理可能な露光
量マップ単位で分割して露光量マップ作成を行う。ま
ず、全体の露光量マップを何分割にするかを描画データ
生成部制御手段11から指示し、分割した単位の露光量
マップの作成を、各描画データ生成部12a,12b,
…,12nで行い、次に描画データ生成部12aで生成
した露光量マップを参照して電子線描画手段16で描画
を行い、続けて描画データ生成部12bで生成した露光
量マップを参照して電子線描画手段16で描画を行うと
いうように、各描画データ生成部12nを描画データ生
成部制御手段11で制御すると、どの様な大きさの露光
量マップの描画も可能となる。
し、図2に対応するブロック図である。本実施例は2個
の描画データ生成部12a,12bと出力比較手段81
とを備えることが特徴である。出力比較手段81は、描
画データ生成部12aの電子線補正手段14aの出力と
描画データ生成部12bの電子線補正手段14bの出力
とを比較する。
手段11より、描画データ生成部12aと描画データ生
成部12bの2系統に同一の動作をさせ、出力比較手段
81で両者からの出力を比較する。電子線補正手段14
aの出力と電子線補正手段14bの出力が一致しなかっ
た場合、その情報を描画データ生成部制御部11に伝送
し、描画データ生成部制御手段11は、再度、各描画デ
ータ生成部12a,12bに起動を指示し、出力比較手
段81で両者の出力を比較する。出力の比較の結果一致
すれば正常とし、描画作業を行うことにより、描画不良
を未然に防ぐことができ、装置,システムの信頼性を大
幅に向上させることができる。
2に対応するブロック図である。本実施例は、図8に示
した構成と同様の構成を有する第1の電子線描画装置9
1と、図8に示した構成に対して電子線描画手段16a
のみを搭載した第2の電子線描画装置92aと、同様に
電子線描画手段16nのみを搭載した電子線描画装置9
2nとを通信手段93を介して組み合わせたものであ
る。第1の電子線描画装置91では、出力比較手段81
の結果が正常であれば、描画データ生成部12aまたは
描画データ生成部12bの出力をデータ格納手段94が
保持する。
部制御手段11によって描画データ生成部12aと描画
データ生成部12bの2系統に同一の動作をさせ、出力
比較手段81で両者の出力を比較する。出力比較手段8
1の結果が正常であれば、その情報に基づいて描画デー
タ生成部制御手段11から描画作業の指示を描画データ
生成部12aに対して指示を出すとともに、描画データ
生成部12bに対して、データ格納手段94に出力を伝
送する指示を出す。データ格納手段94には電子線描画
データ生成部12bの出力が保持される。この保持され
たデータを、通信手段93を介して第2の電子線描画装
置92aないし電子線描画装置92nに転送することに
より、複数個の電子線描画装置で第1の電子線描画装置
と同じ描画が可能となる。
画データの評価を迅速に行うことができ、スループット
が向上する。また、露光量マップのデータを保持してお
くことが可能であり、再度描画する際に同じデータを作
る作業を省略できるので、さらにスループットを大幅に
向上させることができる。また、装置,システムの信頼
性を向上させることもできる。
ループットを向上させることができる電子線描画装置,
電子線描画システム、および描画方法を得ることができ
る。
図。
ック図。
ト。
ク図。
すタイムチャート。
すタイムチャート。
ック図。
ック図。
ック図。
…,12n…描画データ生成部、13a,13b,…,
13n…描画データ生成手段、14a,14b,…,1
4n…電子線補正手段、15a,15b,…,15n…
露光量マップ作成手段、16,16a,16n…電子線
描画手段、51…パターン、52…メッシュサイズ、6
1…露光量マップメモリ、62…座標−アドレス変換手
段、63…面積密度計算手段、64…面積密度平滑化手
段、81…出力比較手段、91…第1の電子線描画装
置、92a…第2の電子線描画装置、92n…電子線描
画装置、93…通信手段、94…データ格納手段、10
0…電子線鏡体、101…試料台、102…搬送部、1
03…電子銃、104…電子線、105…アパーチャ、
106…レンズ、107…偏向器、108…試料、10
9…センサー、110…測長器、111…枠、112…
計算機、113…D/A変換器、114…ビーム制御
部、115…高圧電源、116…アパーチャ制御部、1
17…試料台制御部、118…搬送系制御部、119…
バス、120…試料台位置測長部、121…ハードディ
スク、122…手順制御部、123…図形データ部、1
24…図形復元部、125…図形分解部、126…合わ
せ補正部、127…近接効果補正部、128…追従絶対
校正部、129…露光量マップ、130…真空制御部、
131…アパーチャ交換部。
Claims (10)
- 【請求項1】試料に描画パターンを形成するための描画
データを生成する描画データ生成手段、前記描画データ
から電子線の露光量マップを作成する露光量マップ作成
手段、前記試料に照射する電子線の照射量を前記露光量
マップを参照して補正する電子線補正手段からなる複数
個の描画データ生成部と、前記電子線補正手段で補正さ
れた値に基づいて前記電子線を前記試料に照射して描画
を行う電子線描画手段とを備えることを特徴とする電子
線描画装置。 - 【請求項2】請求項1記載の電子線描画装置において、
前記複数個の描画データ生成部は前記描画データの生成
条件が異なる複数個の描画データを並行して作成するこ
とを特徴とする電子線描画装置。 - 【請求項3】請求項1又は2記載の電子線描画装置にお
いて、前記複数個の描画データ生成部からの出力を比較
する出力比較手段を備えることを特徴とする電子線描画
装置。 - 【請求項4】請求項1,2又は3記載の電子線描画装置
において、前記複数個の描画データ生成部のうちの第1
の描画データ生成部からの描画データに基づいた第1の
パターンの描画中に前記複数個の描画データ生成部のう
ちの第2の描画データ生成部からの描画データに基づい
た第2のパターンの露光量マップ作成を並行して行うこ
とを特徴とする電子線描画装置。 - 【請求項5】請求項1,2又は3記載の電子線描画装置
において、前記露光量マップを前記複数個の描画データ
生成部で分割して形成することを特徴とする電子線描画
装置。 - 【請求項6】請求項1から5のいずれかに記載の電子線
描画装置において、前記試料はウエハ,マスク,レチク
ルのいずれかであることを特徴とする電子線描画装置。 - 【請求項7】データ伝送手段で接続された第1の電子線
描画装置と第2の電子線描画装置とからなり、前記第2
の電子線描画装置は前記第1の電子線描画装置で生成さ
れた描画データに基づいて試料に描画を行うことを特徴
とする電子線描画システム。 - 【請求項8】請求項7記載の電子線描画システムにおい
て、前記第1の電子線描画装置は前記描画データを生成
する描画データ生成部、前記描画データから電子線の露
光量マップを作成する露光量マップ作成手段、前記試料
に照射する電子線の照射量を前記露光量マップを参照し
て補正する電子線補正手段からなる複数個の描画データ
生成部を有し、前記第2の電子線描画装置は前記第1の
電子線描画装置の前記電子線補正手段で補正された値に
基づいて前記電子線を前記試料に照射して描画を行う電
子線描画手段を有することを特徴とする電子線描画シス
テム。 - 【請求項9】試料に描画パターンを形成するための描画
データを複数個生成し、前記複数個の描画データから電
子線の露光量マップを作成し、前記試料に照射する電子
線の照射量を前記露光量マップを参照して補正し、前記
複数個の描画データのうちの少なくとも1つの描画デー
タに基づいて補正された値に基づいて電子線を試料に照
射して描画を行うことを特徴とする描画方法。 - 【請求項10】第1の電子線描画装置は描画データを生
成し、第2の電子線描画装置は前記第1の電子線描画装
置で生成された前記描画データに基づいて電子線を試料
に照射して描画を行うことを特徴とする描画方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05508599A JP3555484B2 (ja) | 1998-03-20 | 1999-03-03 | 電子線描画装置、および描画方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7181898 | 1998-03-20 | ||
JP10-71818 | 1998-03-20 | ||
JP05508599A JP3555484B2 (ja) | 1998-03-20 | 1999-03-03 | 電子線描画装置、および描画方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004088193A Division JP3938149B2 (ja) | 1998-03-20 | 2004-03-25 | 電子線描画装置,電子線描画システム、および描画方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11329961A true JPH11329961A (ja) | 1999-11-30 |
JP3555484B2 JP3555484B2 (ja) | 2004-08-18 |
Family
ID=26395933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP05508599A Expired - Fee Related JP3555484B2 (ja) | 1998-03-20 | 1999-03-03 | 電子線描画装置、および描画方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3555484B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008034439A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
US7629092B2 (en) | 2005-09-27 | 2009-12-08 | Fujitsu Microelectronics Limited | Exposure system, exposure method and semiconductor device manufacturing method |
US7842926B2 (en) | 2003-11-12 | 2010-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for correcting SLM stamp image imperfections |
US9291902B2 (en) | 2010-03-05 | 2016-03-22 | Mycronic AB | Method and apparatus for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image |
US10714312B2 (en) | 2017-06-14 | 2020-07-14 | Nuflare Technology, Inc. | Data processing method, charged particle beam writing apparatus, and charged particle beam writing system |
-
1999
- 1999-03-03 JP JP05508599A patent/JP3555484B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7842926B2 (en) | 2003-11-12 | 2010-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for correcting SLM stamp image imperfections |
US7629092B2 (en) | 2005-09-27 | 2009-12-08 | Fujitsu Microelectronics Limited | Exposure system, exposure method and semiconductor device manufacturing method |
JP2008034439A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
US9291902B2 (en) | 2010-03-05 | 2016-03-22 | Mycronic AB | Method and apparatus for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image |
US10714312B2 (en) | 2017-06-14 | 2020-07-14 | Nuflare Technology, Inc. | Data processing method, charged particle beam writing apparatus, and charged particle beam writing system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3555484B2 (ja) | 2004-08-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3454983B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
JP5063035B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
US7777202B2 (en) | Electron beam exposure apparatus involving the position and velocity calculation | |
US11789372B2 (en) | Writing data generating method and multi charged particle beam writing apparatus | |
US6674086B2 (en) | Electron beam lithography system, electron beam lithography apparatus, and method of lithography | |
US11774860B2 (en) | Writing data generating method, multi charged particle beam writing apparatus, pattern inspecting apparatus, and computer-readable recording medium | |
US20100237469A1 (en) | Photomask, semiconductor device, and charged beam writing apparatus | |
CN110737178B (zh) | 描绘数据生成方法、计算机可读记录介质及多带电粒子束描绘装置 | |
US6087669A (en) | Charged-particle-beam projection-microlithography apparatus and transfer methods | |
JPH11329961A (ja) | 電子線描画装置,電子線描画システム、および描画方法 | |
US10445450B2 (en) | Generating method of drawing data and charged particle beam drawing method | |
KR20180111578A (ko) | 묘화 데이터 작성 방법 | |
JPS62150716A (ja) | 荷電ビ−ム描画方法 | |
JP4664552B2 (ja) | 可変成型ビーム型パターン描画装置 | |
JP3938149B2 (ja) | 電子線描画装置,電子線描画システム、および描画方法 | |
JPH10261557A (ja) | パターン描画方法及び描画装置 | |
JP2007115891A (ja) | 露光量補正方法および電子線露光装置 | |
JPS6234134B2 (ja) | ||
JP4563682B2 (ja) | 画像形成方法および装置 | |
KR101753196B1 (ko) | 묘화 데이터 검증 방법 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 | |
JP2000306827A (ja) | 荷電粒子線描画装置及びパターン形成方法 | |
JPH06349718A (ja) | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 | |
JPH11121354A (ja) | 歪み補正方法および荷電ビーム露光装置 | |
WO2017131119A1 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画システムおよび描画データ生成方法 | |
JP2002093694A (ja) | 電子ビーム描画装置および描画方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040127 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20040325 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20040420 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040503 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080521 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080521 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090521 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100521 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110521 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |