JPS60244024A - 電子線露光装置 - Google Patents
電子線露光装置Info
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- JPS60244024A JPS60244024A JP59098676A JP9867684A JPS60244024A JP S60244024 A JPS60244024 A JP S60244024A JP 59098676 A JP59098676 A JP 59098676A JP 9867684 A JP9867684 A JP 9867684A JP S60244024 A JPS60244024 A JP S60244024A
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- Japan
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- electron beam
- dot
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- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は１点状電子ビームをデジタル的に走査して所望
の図形をウェハやマスク板上に露光する電子線露光装置
に関する。
の図形をウェハやマスク板上に露光する電子線露光装置
に関する。
従来の２段偏向器を用いたデジタル走査形電子線露光装
置の構成を第１図に示す。電子ビーム１は、プランカー
２．アバ−チア３．副偏向器４゜主偏向器５を通って試
料６に達する。電子ビーム１が主偏向器５によって偏向
される試料６上の主偏向領域（フィールド）は図中実線
で囲まれた部分、副偏向器４で偏向される副偏向領域（
サブフィールド）は図中破線で囲まれた領域である。す
なわち、サブフィールドから次のサブフィールドへの偏
向は、主偏向器５で行ない、一つのサブフイールド内部
の偏向は、副偏向器４で行なう。これらの電子光学系を
制御する回路が左側に示すものである。制御計算機１５
からは図形データおよび偏向歪データが描画データメモ
リ７および補正係数演算回路８に送られる。回路８の出
力の１つは、フィールド内のサブフィールド中心を、偏
向歪を補正して指定するもので、主偏向ディジタル−ア
ナログ・コンバータ（ＤＡＯ） ９ｂ動作する。
置の構成を第１図に示す。電子ビーム１は、プランカー
２．アバ−チア３．副偏向器４゜主偏向器５を通って試
料６に達する。電子ビーム１が主偏向器５によって偏向
される試料６上の主偏向領域（フィールド）は図中実線
で囲まれた部分、副偏向器４で偏向される副偏向領域（
サブフィールド）は図中破線で囲まれた領域である。す
なわち、サブフィールドから次のサブフィールドへの偏
向は、主偏向器５で行ない、一つのサブフイールド内部
の偏向は、副偏向器４で行なう。これらの電子光学系を
制御する回路が左側に示すものである。制御計算機１５
からは図形データおよび偏向歪データが描画データメモ
リ７および補正係数演算回路８に送られる。回路８の出
力の１つは、フィールド内のサブフィールド中心を、偏
向歪を補正して指定するもので、主偏向ディジタル−ア
ナログ・コンバータ（ＤＡＯ） ９ｂ動作する。
図形分解回路１０では１図形が小区画（塗りつぶしフィ
ールド）に分割され、小区画内部はドツト分解回路１１
によりドツトに分解される。各ドツト毎の偏向歪補正は
、副偏向歪補正処理回路１２において、補正係数演算回
路８から送られたサブフィールド毎の偏向歪補正係数を
用いておこなわれる。その副偏向歪補正処理回路１２の
出力は副偏向ＤＡＯ１３およびブランクアンプ１４に入
力される。
ールド）に分割され、小区画内部はドツト分解回路１１
によりドツトに分解される。各ドツト毎の偏向歪補正は
、副偏向歪補正処理回路１２において、補正係数演算回
路８から送られたサブフィールド毎の偏向歪補正係数を
用いておこなわれる。その副偏向歪補正処理回路１２の
出力は副偏向ＤＡＯ１３およびブランクアンプ１４に入
力される。
第２図には、このシステム構成において１つの図形２３
が描画される様子の一例を示した。図中左側に示したも
のは、フィールド２１内の１つのサブフィールド２２を
拡大したものである。フィールド２１内の１つのサブフ
ィールド２２中の台形図形２３は１図中斜線部分の７つ
の小区画（塗りつぶしフィールド）に分割されている０
塗りつぶしフィールドの１つである２４は１点状電子ビ
ーム１によりドツト単位でデジタル的に塗りつぶされる
。
が描画される様子の一例を示した。図中左側に示したも
のは、フィールド２１内の１つのサブフィールド２２を
拡大したものである。フィールド２１内の１つのサブフ
ィールド２２中の台形図形２３は１図中斜線部分の７つ
の小区画（塗りつぶしフィールド）に分割されている０
塗りつぶしフィールドの１つである２４は１点状電子ビ
ーム１によりドツト単位でデジタル的に塗りつぶされる
。
さて、この構成においてフィールド及びサブフィールド
をそれぞれ決めるＤＡＣ９およびＤＡＣ１３のビット数
は１通常１８ビット、１２ビット前後の値であり、デジ
タル走査の最小単位（Ｌ８Ｂ）Ｋｏ、０１μｍとすると
２．５ｍｍ フィールド。
をそれぞれ決めるＤＡＣ９およびＤＡＣ１３のビット数
は１通常１８ビット、１２ビット前後の値であり、デジ
タル走査の最小単位（Ｌ８Ｂ）Ｋｏ、０１μｍとすると
２．５ｍｍ フィールド。
４０μｍ サブフィールドとなる０この場合、塗りつぶ
しフィールド２４のドツト描画は、副偏向ＤＡＯ１３に
よりおこなわれる。
しフィールド２４のドツト描画は、副偏向ＤＡＯ１３に
よりおこなわれる。
ところで、一般にＤＡＯのセトリング時間（データが変
化した後、ＤＡＯの出力が最終値の許容範囲内に到達す
る迄の時間）と分解能は相反する関係にあり１分解能が
上る程、セトリング時間は長くなる。例えば、１２ピツ
）ＤＡＯでは約１００ｎｓの程度である（８ピツ）ＤＡ
Ｃでは１０ ｎｓの程度である）。また、ドツト毎に偏
向歪補正をおこない、ビームブランキング動作をおこな
っている。したがって補正演算時間が余分にかかり、ビ
ーム０Ｎ−ＯＦＦのタイミング調整も困難であった〇 一方１点状電子ビームの電流密度は、これまでの技術か
らすると５００Ａ／ｃｍ２が容易に得られるし、レジス
ト感度が５μｃ／ｃｍ”以下とすると１ドツト当りの照
射時間（１露光単位位置の電子ビームの滞在時間）は１
０ｎｓ以下で良い。したがって、このような従来システ
ムの露光は、レジスト照射時間よりもむしろ、ＤＡＯの
整定時間により決められるのが普通であった。すなわち
１点状ビームがデジタル的に隣接点に移動するのに１０
０ ｎｓ程度かかるので、せっかく得られた電子ビーム
の高電流密度を下げて描画せざるを得なかった。
化した後、ＤＡＯの出力が最終値の許容範囲内に到達す
る迄の時間）と分解能は相反する関係にあり１分解能が
上る程、セトリング時間は長くなる。例えば、１２ピツ
）ＤＡＯでは約１００ｎｓの程度である（８ピツ）ＤＡ
Ｃでは１０ ｎｓの程度である）。また、ドツト毎に偏
向歪補正をおこない、ビームブランキング動作をおこな
っている。したがって補正演算時間が余分にかかり、ビ
ーム０Ｎ−ＯＦＦのタイミング調整も困難であった〇 一方１点状電子ビームの電流密度は、これまでの技術か
らすると５００Ａ／ｃｍ２が容易に得られるし、レジス
ト感度が５μｃ／ｃｍ”以下とすると１ドツト当りの照
射時間（１露光単位位置の電子ビームの滞在時間）は１
０ｎｓ以下で良い。したがって、このような従来システ
ムの露光は、レジスト照射時間よりもむしろ、ＤＡＯの
整定時間により決められるのが普通であった。すなわち
１点状ビームがデジタル的に隣接点に移動するのに１０
０ ｎｓ程度かかるので、せっかく得られた電子ビーム
の高電流密度を下げて描画せざるを得なかった。
本発明は、上記の欠点を除き、高速動作を可能ならしめ
る電子線露光装置を提供することを目的とするものであ
る。
る電子線露光装置を提供することを目的とするものであ
る。
上記目的を達成するために１本発明では、塗りつぶしフ
ィールドのドツト塗りつぶし領域をビット数の小さなり
ＡＯｉ用いて偏向し、その領域内ではドツト毎の偏向歪
補正は不要に構成したものであり、これにより整定時間
を大幅に短縮できるというものである。
ィールドのドツト塗りつぶし領域をビット数の小さなり
ＡＯｉ用いて偏向し、その領域内ではドツト毎の偏向歪
補正は不要に構成したものであり、これにより整定時間
を大幅に短縮できるというものである。
以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明する０第３図
は、第１図の従来システムの、ドツト分解回路と副偏向
歪補正処理回路の順序を逆転したシステムである。番号
１〜１５の機能は第１図と同様である。本実施例では１
分解された小区画（塗りつぶしフィールド）毎に偏向歪
補正が回路８より与えられ、ドツト分解回路１１ではド
ツト毎の補正はおこなわない０すなわち、主偏向ＤＡＯ
９と塗りつぶし偏向ＤＡＯ１３のビット数の比を十分大
きくすることにより、塗りつぶしフイールド内のドツト
毎の偏向歪補正は不要にできる。例えば、主偏向ＤＡＯ
９と塗りつぶし偏向ＤＡＯ１３のビット数の比ヲ２１０
程度（〜１０３）にとると（例えば、主偏向１８ビツト
に対し、塗りつぶし偏向８ビツトヲ使用した場合）、塗
りつぶしフィールドの偏向歪はフィールドの歪（〜数μ
ｍ）の１０−３程度となり、補正なしでも無視できる。
は、第１図の従来システムの、ドツト分解回路と副偏向
歪補正処理回路の順序を逆転したシステムである。番号
１〜１５の機能は第１図と同様である。本実施例では１
分解された小区画（塗りつぶしフィールド）毎に偏向歪
補正が回路８より与えられ、ドツト分解回路１１ではド
ツト毎の補正はおこなわない０すなわち、主偏向ＤＡＯ
９と塗りつぶし偏向ＤＡＯ１３のビット数の比を十分大
きくすることにより、塗りつぶしフイールド内のドツト
毎の偏向歪補正は不要にできる。例えば、主偏向ＤＡＯ
９と塗りつぶし偏向ＤＡＯ１３のビット数の比ヲ２１０
程度（〜１０３）にとると（例えば、主偏向１８ビツト
に対し、塗りつぶし偏向８ビツトヲ使用した場合）、塗
りつぶしフィールドの偏向歪はフィールドの歪（〜数μ
ｍ）の１０−３程度となり、補正なしでも無視できる。
すなわち塗りつぶし偏向内部ではドツト毎に偏向歪補正
は不要にできる。
は不要にできる。
なお、ビームの０Ｎ−ＯＦＦは、塗りつぶしフィールド
の始点と終点のみでおこない、ドツト毎におこなうこと
はしない。
の始点と終点のみでおこない、ドツト毎におこなうこと
はしない。
このようにして、ＤＡＯ整定時間’ｐｌＯｎｓ以下にで
き、露光時間が回路律速となることを回避できる。
き、露光時間が回路律速となることを回避できる。
第３図の実施例では、塗りつぶしフィールドの数が大き
くなりすぎ（例えば、主偏向１８ビツトに対し、塗りつ
ぶし偏向８ビ、トにおいて （２１８７２８＞ ２中１
０’）、主偏向ＤＡＯの整定時間が長い場合は問題とな
る。たとえば、主偏向として。
くなりすぎ（例えば、主偏向１８ビツトに対し、塗りつ
ぶし偏向８ビ、トにおいて （２１８７２８＞ ２中１
０’）、主偏向ＤＡＯの整定時間が長い場合は問題とな
る。たとえば、主偏向として。
静電偏向器を用いる場合は問題はないが、磁界偏向器を
用いると渦電流等のため、整定時間は１０μｓ程度とな
る。この場合、主偏向ＤＡＯの整定総時間は、１０’Ｘ
１０μ５＝１０秒となり、フィールド毎のステージ移動
時間にくらべても数１０倍ともなる。
用いると渦電流等のため、整定時間は１０μｓ程度とな
る。この場合、主偏向ＤＡＯの整定総時間は、１０’Ｘ
１０μ５＝１０秒となり、フィールド毎のステージ移動
時間にくらべても数１０倍ともなる。
このような場合には、第４図に示す本発明の他の実施例
が有効である。先の実施例では、副偏向器により、サブ
フィールド内の偏向と塗すつぶしフィールド内の塗りつ
ぶし描画をおこなっていたが、本実施例では、主偏向と
塗りつぶし偏向の中間のビット数の副偏向器を別に設け
、副偏向器４と塗りつぶし偏向器１７￥：分離したもの
である。
が有効である。先の実施例では、副偏向器により、サブ
フィールド内の偏向と塗すつぶしフィールド内の塗りつ
ぶし描画をおこなっていたが、本実施例では、主偏向と
塗りつぶし偏向の中間のビット数の副偏向器を別に設け
、副偏向器４と塗りつぶし偏向器１７￥：分離したもの
である。
これにより、主偏向器の動作回数が、先の実施例では塗
りつぶしフィールドの数と等しかったが。
りつぶしフィールドの数と等しかったが。
本実施例では塗りつぶしフィールドの数より十分少ない
サブフィールドの数に低減できるので、主偏向ＤＡＯ９
の整定総時間を大幅ｔこ短縮できる。
サブフィールドの数に低減できるので、主偏向ＤＡＯ９
の整定総時間を大幅ｔこ短縮できる。
本実施例では、主偏向ＤＡＯ９，副偏向ＤＡＯ１３、塗
りつぶし偏向ＤＡＯ１６のビット数は。
りつぶし偏向ＤＡＯ１６のビット数は。
それぞれ１例えば１８ビツト、１２ビツト、８ビツトで
ある０ １ＬＳＢｉ０．０１μｍとすると、主偏向佃域
２，５ｍｍロ、副偏向領域４０μｍ口、塗りつぶし偏向
領域２．５μｍ口となる。サブフィールドの数は （２
１８／２１２）２中４ ｘ １０３と少いので、主偏向
ＤＡＯの整定総時間は４ Ｘ １０３ｘ１０μｓ＝４Ｑ
ｍｓ というわずかなものとなる。
ある０ １ＬＳＢｉ０．０１μｍとすると、主偏向佃域
２，５ｍｍロ、副偏向領域４０μｍ口、塗りつぶし偏向
領域２．５μｍ口となる。サブフィールドの数は （２
１８／２１２）２中４ ｘ １０３と少いので、主偏向
ＤＡＯの整定総時間は４ Ｘ １０３ｘ１０μｓ＝４Ｑ
ｍｓ というわずかなものとなる。
また１本実施例ではサブフィールド内部における塗りつ
ぶしフィールド間の偏向は、副偏向器によりおこなうが
、この整定時間は、主偏向ＤＡＣの整定時間にくらべ無
視できるほど短くできる。
ぶしフィールド間の偏向は、副偏向器によりおこなうが
、この整定時間は、主偏向ＤＡＣの整定時間にくらべ無
視できるほど短くできる。
副偏向器１３．塗りつぶし偏向器１７は、応答特性のよ
い静電偏向器を用いた方はよいことは言うまでもない。
い静電偏向器を用いた方はよいことは言うまでもない。
以上述べたように１本発明によれば、デジタル走査に伴
うＤＡＯ整定時間を短縮できるので露光時間が回路律速
となることを避は得る。したがって電子ビームの高電流
密度を十分に生かした高速・高精度の電子線描画装置の
構成が可能となる。
うＤＡＯ整定時間を短縮できるので露光時間が回路律速
となることを避は得る。したがって電子ビームの高電流
密度を十分に生かした高速・高精度の電子線描画装置の
構成が可能となる。
第１図は従来の２段偏向方式による電子線描画装置を示
す図、第２図はフィールド、サブフィールド、塗りつぶ
しドツトフィールド分割の一例を示す図、第３図は本発
明の一実施例を示す図、第４図は本発明の他の実施例を
示す図である。 ４・・・副偏向器、５・・・主偏向器、６・・・制御計
算機。 ７・・・描画データメモリ、８・・・補正係数演算回路
。 ９・・・主偏向ＤＡ０，１０・・・図形分解回路、１１
・・・ドツト分解回路、１２・・・副偏向歪補正処理回
路。 １３・・・副偏向ＤＡＯ１１４・・・ブランキング増巾
器。
す図、第２図はフィールド、サブフィールド、塗りつぶ
しドツトフィールド分割の一例を示す図、第３図は本発
明の一実施例を示す図、第４図は本発明の他の実施例を
示す図である。 ４・・・副偏向器、５・・・主偏向器、６・・・制御計
算機。 ７・・・描画データメモリ、８・・・補正係数演算回路
。 ９・・・主偏向ＤＡ０，１０・・・図形分解回路、１１
・・・ドツト分解回路、１２・・・副偏向歪補正処理回
路。 １３・・・副偏向ＤＡＯ１１４・・・ブランキング増巾
器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、点状電子ビームをディジタル的に走査して所望の図
形をウェハやマスク板上に露光する電子線露光装置にお
いて、描画図形を小区画に分割し、該小区画の基準点を
指定する偏向器と、小区画内部を点状電子ビームで塗り
つぶす偏向器とを有することを特徴とする電子線露光装
置。 ２、前記塗りつぶし偏向範囲内ではデジタル偏向に伴う
ビームの０Ｎ−ＯＦＦ動作をすることなく描画する如く
構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
電子線露光装置。 ３、前記塗りつぶし偏向範囲内ではデジタル偏向に伴う
偏向歪補正をおこなうことなく構成したことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の電子線露光装置。 ４、前記小区画の基準点を指定する偏向器を、主偏向器
と副偏向器の２段で構成したことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の電子線露光装置。 ５、前記副偏向器および前記塗りつぶし偏向器を静電偏
向器で構成したことを特徴とする特許請求の範囲第４項
記載の電子線露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59098676A JPH0732110B2 (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 電子線露光装置 |
| US06/735,184 US4692579A (en) | 1984-05-18 | 1985-05-17 | Electron beam lithography apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59098676A JPH0732110B2 (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 電子線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60244024A true JPS60244024A (ja) | 1985-12-03 |
| JPH0732110B2 JPH0732110B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=14226113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59098676A Expired - Lifetime JPH0732110B2 (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 電子線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732110B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3825892A1 (de) * | 1987-07-30 | 1989-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | Elektronenstrahl-direktzeichenvorrichtung |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB201411619D0 (en) | 2014-06-30 | 2014-08-13 | British American Tobacco Co | Flow control device |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS522176A (en) * | 1975-06-13 | 1977-01-08 | Ibm | Method of forming integrated circuit pattern |
| JPS52130570A (en) * | 1976-04-27 | 1977-11-01 | Jeol Ltd | Electron beam exposing device |
| JPS52151568A (en) * | 1976-06-11 | 1977-12-16 | Jeol Ltd | Electron beam exposure apparatus |
| JPS58154230A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-13 | Jeol Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
| JPS5922325A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-04 | Toshiba Corp | 電子ビ−ム描画装置 |
| JPS59125622A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-20 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
| JPS60126826A (ja) * | 1983-12-13 | 1985-07-06 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
-
1984
- 1984-05-18 JP JP59098676A patent/JPH0732110B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS522176A (en) * | 1975-06-13 | 1977-01-08 | Ibm | Method of forming integrated circuit pattern |
| JPS52130570A (en) * | 1976-04-27 | 1977-11-01 | Jeol Ltd | Electron beam exposing device |
| JPS52151568A (en) * | 1976-06-11 | 1977-12-16 | Jeol Ltd | Electron beam exposure apparatus |
| JPS58154230A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-13 | Jeol Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
| JPS5922325A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-04 | Toshiba Corp | 電子ビ−ム描画装置 |
| JPS59125622A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-20 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
| JPS60126826A (ja) * | 1983-12-13 | 1985-07-06 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
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|---|---|---|---|---|
| DE3825892A1 (de) * | 1987-07-30 | 1989-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | Elektronenstrahl-direktzeichenvorrichtung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0732110B2 (ja) | 1995-04-10 |
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