JPS60173834A

JPS60173834A - マルチ荷電ビ−ム露光装置

Info

Publication number: JPS60173834A
Application number: JP59024325A
Authority: JP
Inventors: Tsuneo Okubo; 恒夫大久保; Kenji Kurihara; 健二栗原; Kiichi Takamoto; 喜一高本
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1984-02-14
Filing date: 1984-02-14
Publication date: 1985-09-07

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の利用分野〕本発明は、集積回路等の製造に用いるマルチ荷電ビーム
露光装置に関するもので、特に、マ］・リソクス状に多
数配置された対物レンズを通過する各ビームに対して、
それぞれ偏向歪補正を行うことにより、ウェハ全体に対
して平均して描画精度の向上を図り、ＬＳＩチップ生産
時等の歩留り向」二を＝ｆ能としようとするものである
。

〔発明の背景〕

従来、荷電ビームを用いた露光装置として（］）スポッ
トビーム方式、（２）成形ビーム方式、（３）マスク転
写方式、（４）マルチビーム方式、等による装置が開発
されている。このうち、（１）及び（２）の方式は、１
本のビームを使用する方式であることから、パタン描画
時の露光時間が長く、スループットが十分てないという
問題があった。（３）のマスク転写方式では、予めマス
クパタンを用意する必要があり、任意パタンを電気的に
発生ずることができず、また、マスク製作の困難性があ
り、マスクとウェハの位置合わせがガ１しく、電子光学
系の歪やチップの歪等の・補正ができないという問題が
あった。これに対し、（４）のマルチビーム方式は、多
数のビームを同時に発生してパタンを描画する方式てあ
り、（１，１、（２）の方式に比較して描画時間が短縮
され、高いスループットが期待でき、有利な方式である
。

従来、（４）のマルチビーム方式のマルチ電子ビーム露
光装置の一例として、１．　Ｂｒｏｃｌｉｅ、　Ｅ、　
Ｒ，Ｗｅｓｊｅｒｂ−ｅｒｇ、　Ｄ、　Ｒ，Ｃｏｎｅ、
　Ｊ、　Ｊ、　Ｍｕｒａｙ、　Ｎ、　Ｗｉｌｌｉａｍｓ
、　ａｎｄ　Ｌ、　Ｇａ５１ｏ−ｒｅｋ　：　”　Ａ　
Ｍｕｌｔｉｐｌｅ−Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｂｅａｍ　Ｅｘ
ｐｏｓｕｒｅ　Ｓｙｓｔｅｍ　ｆｏｒＨｉｇｈ−Ｔｈｒ
ｏｕｇｈｐｕｔ、　Ｄｉｒｅｃｔ−Ｗｒｉｔｅ　Ｓｕｂ
ｍｉｃｒｏｍｅＬｅｒ　Ｌｉｔｈｏｇ−ｒａｐｈｙ−Ｉ
　Ｅ　Ｅ　Ｅ　Ｔｒａｎｓ、　ｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
　Ｄｅｖｉｃｅｓ、　ＶＯｌ、　ＥＤ−２８゜ｐ、　１
４２２　（１９８１）に掲載されている多数のアパーチ
ャレンズが二次元マｌ−ＩＪフックス状配列されたフラ
イズアイレンズを用いた装置を第１図に示す。

１０１は電子銃部、１０２はブランカ、１０３および１
０４は偏向器、１０５はビーム制限アパーチャとレンス
アハーチャでｊＨ成される静電レンズ、］、０６ハ静電
レンズ１０５を多数配置することで構成したフライズア
イレンズ、１０７はステージ、１０８はステー　シ１０
７に搭載されたウェハ、１０９バーｙライズアイレンス
ＩＯ６ヲ通過する前の電子ビーム、１１０ニ代表すれる
ビームは、フライズアイレンスｌｏ６ヲ通過シた後の電
子ビーム、］］１はオブジェクト。

アパーチャである。

フライズアイレンズ１０６の径は約１０．５ｃｍであり
、フライズアイレンズ１０６Ｊ：に電子ビーム１．０９
は一様に照射されている。フライズアイレンズ１．０６
（７）各静電レンズ−１０５を通して、オブジェクト・
アパーチャ１１］の像が、ウェハ１０８上に、静電レン
ズの個数分だけ投影される。偏向器１０３および１．０
４に入力される偏向信号によって、フライズアイレンズ
１０６を通過した後の各ビーム１１０は、約２ｏ。

μｍ程度の幅で一方向に一斉に偏向され、複数チップを
同時に描画する。ステージ１０７の移動方向はビームの
偏向方向と直角の方向である。

荷電ビーム露光装置を用いて、試料面上に荷電ビームを
正確に位置決めしてパタンを露光するためには荷電ビー
ム露光装置の光学系に固有な偏向歪を測定し、この測定
結果に基づき適当なビーム位に補正を加える必要がある
。１本のビームを用いた装置における偏向歪補正は比較
的容易であったが、複数個の電子レンズを、１００個程
度マトリックス状に配置したフライズアイレンズを用い
るマルチ荷電ビーム露光装置においては、各々の電子レ
ンズにおける偏向歪が異なるため、各々の電子レンズに
おける偏向歪を高精度に補正することは困シ１１Ｆであ
るという問題があった。

〔発明のＬ１的〕本発明の１」的は、従来技術での上記した問題点を解決
し、二次元マトリックス状に配列された電子レンズから
成るフライズアイレンズにおける各電子レンズに対応し
た偏向歪補正を行なうことにより、高い描画位置精度を
得るようにしたマルチ荷電ビーム露光装置を提供するこ
とにある。

〔発明の概要〕本発明の特徴は、上記目的を達成するために、フライス
アイレンズ中の各電子レンズを通過する個々のビームに
対してそれぞれ独立に偏向歪を補正する手段を設ける構
成とすること、特に、補正手段として、電子レンズを通
過した各ビームごとに設置される偏向器と、これらの各
偏向器に対してそれぞれ独立に偏向歪補正を行なう固有
偏向歪補正回路と、これらの固有偏向歪補正回路に設定
する補正係数を個々の電子レンズの配置６位置の関数と
してめる演算手段とから成る補正手段を設ける構成とす
ることにある。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の実施例を図面により説明する。

第２図は本発明の実施例によるマルチ電子ビーム露光装
置である。２００は電子ビーム、２０１は電子銃部、２
０２はブランカ、２０３はオブ／エクト・アパーチャ、
２０４は１組の２段偏向器で、Ｘ方向、Ｙ方向に２組設
置されているが、ここでは１組のみを示している。２０
５は５×５本のビームの中てｑ等定のビームのみを照射
する際、他のビームを遮断するだめの機械的な高速ンヤ
ッタ、２０Ｇは静電レンズを５×５の７トソツクス状に
１ｃｍ間隔て配置したフライズアイレンズ、２０７は反
射電子検出器、２０８は各々のビームにス−１して設置
した偏向器、２０９はシリコン上に設置した幅１μｍの
十字彫金マーク、２］０はソリコンウェハ、２１１はス
テージ、２１２はステージ２１１を駆動するモータ、２
１３はステージ２１１の制御回路、２１４はステージ２
１１上に設置された測長用ミラー、２１５はレーザ測長
器、２１６はＤ／Ａ変換器および信号増幅器、２１７は
偏向器２０４に与える信号電圧設定回路、２１８は複数
本ビームに対して、まとめて偏向歪補正をおこなう回路
で、以下この回路を共通偏向歪補正回路とよぶ。２１９
はデータプロセソザ、２２０は信号増幅器を含む信号処
理回路、２２１はＤ／Ａ変換器および信号増幅器、２２
２は各々のビームに対して固有に偏向歪補正をおこなう
回路で、以下この回路を固有偏向歪補正回路とよぶ。固
有偏向歪・油止回路２２２は、５×５本のビームのそれ
ぞれに対応して、５×５系統設置されているが、ここで
は簡単のため、これらをまとめて１つにして示しである
。

２２３は／ヤッタ２０５の制御回路、２２４はＣＰＵイ
ンタフェイス制御回路、２２５は制御用計算機である。

第２図の装置においても、第１図の装置と同様に、シリ
コ／ウェハ２１０上に、オブジェクＩ・・アパーチャ２
０３の縮小像をフライズアイレンズ２０Ｇのレンズの個
数分たけ同時に照射する。本装置においては、第１図に
示した装置と異なり、各レンズに対応する偏向領域内で
の照射位置（ｘ、　ｙ）は、偏向器２０４および偏向器
２０８の両者によって決定される。

第３図は、フライスアイレンズ２０６における５×５の
静電レンズの配置を示す図である。３０１〜３０９は、
３×３個の代表レンズである。

第４図はフライズアイレンズ２０６における１つの静電
レンズに対する偏向領域を示した図である。

４００は偏向領域、４０１〜４０９は偏向領域４００内
の代表点であり、代表点間のＸ方向距離およびＹ方向距
離は４０μｍである。なお、最大偏向領域は１００μｍ
１であるが、第４図で示した点４０１．４０３．４．０
９および４．０７で囲まれた領域は８０μｍである。

本装置は、以」二で説明したような構成になっている。

つぎに、本装置により、高精度な描画をおこなうために
必要な偏向歪補正方法について説明する。最初に、共通
偏向歪補正回路２１８に設定する補正係数をめる方法に
ついて述べ、つぎに固有偏向歪補正回路２２２に設定す
る補正係数をめる方法について述べる。

まず、共通偏向歪補正回路２１８に設定する補正係数を
めるに際して、共通偏向歪補正回路２１８および固有偏
向歪補正回路２２２に設定する補正係数をすべて０にし
、偏向歪補正が全くなされない状態にする。フライズア
イレンズ２０６の５×５個の静電レンズの中で最初に偏
向歪を測定する１つの静電レンズ３０１に着目し、該静
電レンズ３０１を通過するビームのみが試料面上に達す
るように、シャッタ２０５を設定する。すなわち、レン
ズ３０１に対応したシャッタのみを開放にし、他のシャ
ッタはすべて閉じる。

つぎに、静電レンズ３０１に対する偏向領域の中心４０
５にマーク２０９の中心が来るようにステージ２１１を
移動する。本装置のステージ２１１の最大停止位置誤差
は２μｍであり、ステージ２］１の移動後のマーク２０
９の中心は、偏向領域の中心４０５を中央とした４　、
ｍＯの領域内に停止する。つぎに、＋５μｍの偏向によ
り周知のマーク検出技術によりマーク検出をおこなう。

＋５μｍ程度の偏向量に対しては偏向歪をほとんど無視
できるため、マーク検出結果を（ｘｍｏ、’　Ｙｍｏ　
）とすると、この（Ｘｍｏ、　Ｙｍｏ）に含まれる偏向
歪は無視てき、この（Ｘｍｏ、　Ｙｍｏ　）は、偏向中
心４０５からマーク２０９の中心までを高精度に測定し
た距離と考えて問題ない。この時、レーザ測長器２１５
によりステージ２］１の停ｊ１−位置を高精度に測定し
た結果を（Ｘｓｏ、　Ｙｓｏ　）とする。

マーク検出結果（Ｘｍｏ、　Ｙｍｏ）とレーザ測長器果
（Ｘｓｏ　Ｙｅ。）を用いて、偏向中心４０５とマーク
２０９の中心を一致させた場合のステー７２１１の停止
位置は（Ｘｓｏ　Ｘｍｏ、　Ｙｓｏ　−Ｙｍｏ　）であ
ることがめられる。第５図（ａ）は、このように、偏向
中心４０５とマーク２０９の中心が一致したときのステ
ージ２１１の停止状態を示す模式図である。ｘＢ軸、Ｙ
８軸は、レーサ測長器２１５により高精度に測定したス
テージ停止位置のＸ座標、Ｙ座標を示す。

つぎに、偏向領域４００内の３×３の代表点４０１〜４
０９が金マーク２０９の中心の移動「１標値になるよう
にして順次ステージ２１１を移動する。各代表点におい
て、マーク検出およびステージ２１１の停止位置のレー
ザ測長をおこなう。第５図（ｂ）は、代表点４０１か金
マーク２０９の中心の移動ｌ目を標値になるようにして
ステージ２１１を移動した時の、ステージ２１１の停止
状態を示す模式図である。第５図（ｂ）に示すように、
ステー７２１１を移動した場合に、ステージ２１１の停
止位置のレーサ測長結果を（ＸＳ□。

Ｙｓ□）とすると、第５図（ａ）の状態から第５図（ｂ
）の状態にステージ２１１か移動したときのＸ方向移動
距離およびＹ方向移動距離（ｘｏ工、Ｙｏよ）は、（Ｘ
ｃ工。

Ｙｃｉ）＝（Ｘｓｉ　ＸＳｏ＋Ｘｍｏ、　Ｙｓｉ　Ｙｓ
ｏ＋Ｙｍｏ）である。したがって、ステージ２１１を移
動した後１こおこなった各代表点でのマーク検出の結果
を（Ｘｍ□、　ｙ、ｎ、）であられすとすると、偏向器
へ送出する値、すなわち偏向の入力値（Ｘｍ□、Ｙｍｊ
、）に対し、実際の偏向量は（Ｘｃ工、Ｙｏよ）である
゛ということになる。最初に偏向歪を測定する静電レン
ズ３０１に苅して、（Ｘｍｉ、　Ｙｍｉ　）と（ｘｏユ
、　Ｙｃｉ）のデータの組が偏向領域４００内の各代表
点４０１〜４０９に対応して９組得られる。以上で静電
レンズ３０］を通過するビームに対する偏向歪の測定が
終了する。

つぎに、フライズアイレンズ２０６の５×５個の静電レ
ンズの中で第２番「Ｉに偏向歪を測定する静電レンズ３
０２を通過するビームのみが試料面上に達するように、
シャッタ２０５を設定する。つぎに前述の手順て静電レ
ンズ３０２にＺ＝Ｊする偏向歪を測定する。以上のよう
な操作の繰り返しにより、フライズアイレンズ２０６の
中の静電レンズ３０１〜３０９を通過するビームに対す
る偏向歪をすべて測定する。静電レンズ３０１〜３０９
に対して偏向歪の測定が終了した場合に得られる（Ｘｍ
工、Ｙｍ□）と（Ｘｃユ。

Ｙｏ工）のデータの組は３Ｘ３Ｘ９＝８１組である。

つぎに、偏向歪測定で得られた８１組の測定データを基
に、最小二乗法を用いて以下に示す偏向歪補正式を決定
する。すなわち、次の式は共通偏向歪補正回路２１８の
機能を示す論理式である。

ここて、（ｘ、ｙ）は各電子レンズに対する偏向領域の
中心を原点と定義した偏向座標値であり、偏向領域内の
電子ビームの照射位置の設計値である。（ＸＤ、ＹＤ）
は偏向歪補正後の偏向領域内の電子ビームの照射位置の
座標であり、試料にバタンを描画する場合には（ＸＤ、
ＹＤ）の値に基づいてビームを・偏向することになる。

すなわち、（ｘ、ｙ）は、制御用計算機２２５から、共
通偏向歪補正回路２１８へ送られてくるバタンデータに
おけるＸ座標Ｙ座標、（ＸＤＹＤ）は共通偏向歪補正回
路２１８から出力されるＸ座標、Ｙ座標である。Ａｏ−
Ａ３゜Ｂｏ−Ｂ、、は、共通偏向歪補正回路２１８ｉこ
設定する補正係数である。

ところで、偏向歪の測定において、偏向器２０４への入
力値（Ｘｍ工、Ｙｍよ）に対し、実際の偏向量は（Ｘｃ
ｉ、　Ｙｃｉ　）てあった。そこで、（Ｘｃｉ、、　Ｙ
ｃｉ）　全人力し、（Ｘｍｉ、　Ｙｍ工）を出力する共
通偏向歪補正回路２１８を通したデータを偏向器２０４
へ入力すると、実際の偏向量は（Ｘｃよ、Ｙｃｉ）に戻
り、照射位置の設計値と試料面上での実際の偏向量を一
致させることができるわけである。そこで、（１）式の
（ｘ。

Ｙ　）　ニ（Ｘｃｉ、　Ｙｃｉ）を代入し、（ＸＩ）、
　Ｙｌ）　）ニ（Ｘｍｊ。

Ｙｍよ）を代入することにより、８１組の連立４元１次
方程式をたてる。未知数の数より方程式の数か多いので
最小二乗法によって解を得る。すなわち、まずをめ、の８個の方程式から、補正係数Ａ。−Ａ３、Ｂ、〜Ｂ３
をめる。

なお、（１）式における補正係数をめる方法として、ま
ず、各レンズ３０１〜３０９を通過するビームそれぞれ
に刻しての偏向歪係数Ａ。、、〜Ａ３．、Ｂｏ。

〜Ｂ３ｊ（ｊ＝］〜９）を、最小二乗法よりめておき、
共通の偏向歪補正係数Ａ。−Ａ３、Ｂ　ｏ　””’−８
３は偏向歪係数ＡＯｊ　−Ａ３．、ＢＯｊ　−Ｂ３．の
それぞれの平均値としてめてもよい。

つぎに、個々のビームに対応して偏向歪補正をおこなう
固有偏向歪補正回路２２２に設定する偏向歪補正係数を
める方法として、２種類の方法について述べる。

まず、固有偏向歪補正回路２２２に設定する補正係数は
すべて０とし、共通偏向歪補正回路２１８には、上記で
めた補正係数を設定する。この状態て、フライズアイレ
ンズ２０６の中の５×５個の各々のレンズについて、」
二記と同様の手順にて偏向歪を測定する。ここで、測定
された偏向歪は、共通偏向歪補正回路２１８を通しても
補正しきれなかった残存の偏向歪であり、その大きさは
、最大１７ｚｍ程度である。したかって、個々のビーム
に対応して設置した偏向器２０８による偏向量は、１１
５μｍで十分てあり、この偏向器２０８自体による偏向
歪は無視して問題ない。

各ビームに対応した偏向歪測定結果を基に、以下に示す
ような、各々のビームに対する偏向歪補正式を定める。

ここて、（ｘ、ｙ）は、（１）式の説明と同様に、各電
子レンズに対する偏向領域の中心を原点と定義した偏向
座標値であり、偏向領域内の電子ビームの原則位置の設
計値である。（Δｘｊ、Δｙｊ）は、レンズＪを通過す
るビームに対応する残存した偏向歪の補正量である。す
なわち、（ｘ、ｙ）は、制御用計算機２２５から、レン
ズＪに対応する固有偏向歪補正回路２２２へ送られて（
るパタンデータにおけるＸ座標、Ｙ座標、（Δｘｊ、Δ
ｙｊ）は、この固有偏向歪補正回路２２２から出力され
るＸ方向補正量、Ｙ方向補正量である。ａｏｊ　”　ａ
３ｊ　、　１）ｏｊ　−ｂ３ｊは、この固有偏向歪補正
回路２２２に設定する補正係数である。

レンズＪを通過するビームによるマーク検出において得
られたマーク検出値を（Ｘｍ□ｊ、Ｙｍよ、）、実際の
偏向量を（Ｘｃｉｊ、　Ｙｃよ、）とすると、１個のレ
ンズ゛Ｊに文１して、（Ｘｍ１ｊ、　Ｙｍｉｊ　）と（
Ｘｃｊ、ｊ、　Ｙｃｉｊ　）の組合ぜが９組得られる。

（４）式の（ΔＸＪ、Δｙｊ）に、補正すべきｆｉ　（
Ｘｍ１ｊ　−Ｘｃｉｊ　、　Ｙｍｉｊ　Ｙｃｉｊ　）を
代入し、（ｘ、　ｙ）に（Ｘｍｊ、ｊ、　Ｙｍｉｊ　）
を代入するコトニヨリ、９組の連立４元１次方程式を得
る。最小二乗法により、補正係数ａｏｊ”−ａ３ｊ、　
１）ｏｊ−１）３ｊをめる。

つぎに、固有偏向歪補正回路２２２に設定する補正係数
の別の決定方法について説明する。上記の方法では、５
×５のすべてのレンズを通過するビームに対する偏向歪
をめたが、偏向歪の測定時間を短縮するため、ここでは
、代表のレンズ３０］〜３０９の９組のレンズを通過す
るビームに対する偏向歪を測定し、この他のレンズ、ず
なわち５×５−３Ｘ３＝１６個のレンズに苅する固有偏
向歪補正回路２２２の補正係数は、９個の補正係数を基
にしてめる。

（４）式における補正係数は、フライズアイレンズ２０
６の中の各レンズの配置位１首の関数になると仮定し、
以下の式のように表す。

ここで、（Ｕ、Ｖ）は、フライズアイレンズ２０６の中
てのレンズの配置位置を示す座標で、原点はレンズ３０
５の中心にあり、Ｕ軸はレンズ３０２゜３０５、および
３０８の中心を含む座標軸、Ｖ軸はレンズ３０４．３０
５．および３０６の中心を含む座標軸になっている。ａ
ｉｊ、　ｂｉｊは、各レンズの補正係数である。

ます、９個のレンズ３０１〜３０９を通過すると−ムに
対する偏向歪補正式’ＪＪ　ａｉｊ　％　ａｉｊ　、　
ｂｉｊ　％　ｂｉｊ　（ｉ　＝Ｏ〜３＋Ｊ−］〜０）を
前に述べた方法と同様の方法でめる。つぎに、これらの
結果を、（５）式の左辺の（ａｊｊ、　ｂｉｊ　）に、
また、あらかじめ測定しておいたレンズの配置座標（ｕ
、ｖ）を（５）式の右辺に代入し、１個の補正係数につ
いて９個の４元連立１次力程式をたてる。最小二乗法に
よって、ｐｏ−ｐ３゜および、ＱＯ−ｑ３をめる。つき
に、（５）式により、補正係数のまた定まっていない５
　Ｘ　５　”　３　Ｘ　３　＝　１．６個のレンズに対
応した固有偏向歪補正回路２２２の補正係数をめる。

以上により、すべての偏向歪補正係数か設定されたこと
になり、この状態で描画をおこなえば、偏向領域４００
内で高精度な照躬位箇の設定かできる。

ＬＳＩパタンの描画においては、パタンを８０μｍＤ単
位であらかしめ分割しておき、８０μｍ　ずつ描画をお
こなう。ひとつの８０μｍＯの領域内の描画が終了した
場合、つぎに描画すべき８０μｍ　の領域が、ビームの
偏向領域４００と一致するように、ステージ２１１を移
動する。この動作を繰り返して、ＬＳＩチップパクンを
描画してゆく。５×５本のビームにより、２５チツプの
描画が同時に終了する。

本装置においては、共通偏向歪補正回路２１８で、最大
偏向歪量を１μｍ以下に低減させ、固有偏向歪補正用偏
向器２０８自体の偏向歪は無視てきるようにすることに
より、歪補正方法を比較的単純にしている。全く補正を
かけない場合の最大偏向歪量が１μｍ程度であれば、固
有偏向歪補正のみで同様の効果が得られることは、いう
までもない。また、パタンごとの精度のばらつきが許さ
れる場合には共通偏向歪補正のみてもよい。

なお、以上の偏向歪補正方法における偏向歪補正式にお
いて、シフト項までを考慮した式、−次項までを考慮し
た式、あるいはここで述べた式より、さらに高次項まで
考慮する式を用いてもよいことは自明である。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、フライズアイレ
ンズの中の各レンズを通過するビームに７Ｊ’　して、
それぞれ偏向歪補正を行なうことにより、ウェハ全体に
対して平均して描画積層の向上を図ることがてき、マル
ヂ荷電ビーム露光装置を用いたＬ　Ｓ　Ｉチップ生産の
歩留りを上げることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はマルチ電子ビーム露光装置の従来例を示す図、
第２図は本発明の一実施例装置を示す同第３図はフライ
ズアイレンズにおける静電レンズの配置を示す図、第４
図はフライズアイレンズ中の一つの静電レンズの偏向領
域を示す図、第５図ｆａ）　、　ｆｂ）はそれぞれステ
ージの停止状態を示す模式〔符号の説明〕１０１、２０１・・・電子銃部　１０２．２０２・・ブ
ランカ１０３、１０４．、２０４．２０８・・偏向器］
、０５・・・静電レンズ１０６、２０６・・フライスアイレンズ１０７、２１］
　・ステージ　１０８・・・ウェハ１０９、１１０．２
００・・・電子ビーム１１１、２０３・　オブジェクト
・アパーチャ２０５・・・シャッタ　２０７・・・反射
電子検出器２０９・・・金マ’／　２１０・・シリコン
ウェハ２１２・・・ステージ駆動モータ２１３・・ステージ制御回路２１４・・測長用ミラー　２１５・レーサ測長器２１．
６．２２１　・Ｄ／Ａ変換及び増幅器２１７・・・信号
電圧設定回路２１８・・共通偏向歪補正回路２］９・・データブロセッザ２２０・・増幅及び信号処理回路２２２・−・固有偏向歪補正回路２２３・・ツヤツタ制御回路２２４・・・ＣＰＵインタフェイス制御回路２２５・・
制御用計算機　３０１〜３０９・・代表レンズ４００・
・偏向領域４０１〜４０９・・偏向領域の代表点特許出願人　日本電信電話公社代理人弁理士　中村純之助１？１　図ｒ３　図１′−４図

Claims

【特許請求の範囲】（］）二次元マトリックス状に配列された電子レンズか
ら成るフライズアイレンズを対物レンズとして用いるマ
ルチ荷電ビーム露光装置において、フライズアイレンズ
中の各電子レンズを通過する個々のビームに対してそれ
ぞれ独立に偏向歪を補正する手段を設けたことを特徴と
するマルチ荷電ビーム露光装置１Ｇ。（２）前記偏向歪を補正する手段が、電子レンズを通過
した各ビームごとに設置される偏向器と、これらの各偏
向器に対してそれぞれ独立に偏向歪補正を行なう固有偏
向歪補正回路と、これらの固有偏向歪補正回路に設定す
る補正係数を個々の電子レンズの配置位置の関数として
める演算手段とから成ることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のマルチ荷電ビーム露光装置。（３）前記フライズアイレンズ中の各電子レンズを通過
する個々のビームは、前記フライズアイレンズに到達す
る前段においてすてにその複数本のビームに対して共通
に偏向歪を補正されたヒートであることを特徴とする特
許請求の範囲第１１Ｊ１記載のマルチ荷電ビーム露光装
置。