JP2019186584A - マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents

Abstract

【目的】マルチビーム描画について、ミラーの反射面の歪み、及び／または描画対象とする試料面に歪み等に起因する位置ずれを補正可能な装置を提供する。【構成】描画装置１００は、試料の描画領域をマルチ荷電粒子ビームが照射されるメッシュ状の複数の画素領域に分割する画素分割部５０と、複数の画素領域を少なくとも１つの画素領域で構成される複数の画素ブロックにグループ化する画素ブロック作成部５２と、複数の画素ブロックの画素ブロック毎に、画素ブロック単位で位置ずれを補正する補正部６４と、位置ずれが補正された画素毎に、当該画素を照射する照射量を演算する照射量演算部６８と、各画素が演算された照射量になるように、前記マルチ荷電粒子ビームを用いて前記試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図１

Description

本発明は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法に係り、例えば、ステージの歪み、及び位置測定用ミラーの歪み等に起因した位置ずれ等の補正を行うマルチビーム描画装置および方法に関する。

半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。

例えば、１本のビームを用いた描画装置がある。例えば、ラスター方式の描画装置がある。かかるラスター方式の描画装置では、例えば、電子銃から放出された電子ビームを１つの穴を持ったマスクに通して１本のビームを成形し、試料上を順になぞるように偏向器で１本の成形ビームを偏向しながら、必要な箇所にビームが照射されるように、ブランキング制御される。

その他、例えば、マルチビームを用いた描画装置がある。１本の電子ビームで描画する場合に比べて、マルチビームを用いることで一度に多くのビームを照射できるのでスループットを大幅に向上させることができる。かかるマルチビーム方式の描画装置では、例えば、電子銃から放出された電子ビームを複数の穴を持ったマスクに通してマルチビームを形成し、各々、ブランキング制御され、遮蔽されなかった各ビームが光学系で縮小され、偏向器で偏向され試料上の所望の位置へと照射される。

マルチビーム描画を含む描画装置では、ステージの位置を測定する際にレーザ測長装置を用いる場合がある。かかるレーザ測長装置では、ステージ上に配置されたミラーの反射面の歪みに起因して測定される位置に誤差が生じてしまうといった問題がある。また、描画対象とする試料面に歪みがあると描画位置に誤差が生じてしまうといった問題がある。従来、例えば、可変成形型の描画装置といったベクター方式のシングルビーム描画装置では、描画装置の座標系を理想的な座標系に補正するため、描画される試料の全面を所定のグリッド寸法でメッシュ状に分割し、各メッシュの頂点の位置を測定する。そして、測定された位置と設計上の位置との誤差から描画装置の座標系を補正している（かかる機能を「グリッドマッチングコレクション：ＧＭＣ」機能と呼ぶ。以下、かかる機能による補正をＧＭＣ補正という。）。具体的には、レジストが塗布されたマスクブランクスの上述した各メッシュの頂点の位置に相当する位置にＧＭＣ測定用のパターンを描画する。そして、かかるマスクを現象及びエッチング等のプロセス処理を行なって、描画されたパターンから位置精度の測定を行なっていた。そして、得られた結果から描画装置の座標系を補正している（例えば特許文献１参照）。かかるＧＭＣ補正では、ショットデータを生成した後に個々のショット毎に位置補正を行っていた。

一方、マルチビーム描画方式では、一度に多数のビームが照射され、ビームを偏向する場合にもマルチビーム全体を一括して偏向するので、個々のビーム毎に位置を補正することが困難である。位置を補正するためには、パターン形状をビット（画素）パターンで近似するように変換して、各画素の照射量を演算し、隣接する画素に自己の画素の照射量を振り分ける等の照射量変調を行うといった手法がある。しかしながら、かかる手法では、パターン端部に位置する画素の照射量が周囲の画素に振り分けられてしまうのでビームプロファイルの傾きが急峻ではなくなってしまう（小さくなってしまう）。その結果、解像度が劣化してしまうといった問題を抱えている。解像度が劣化してしまうとパターンの描画位置及び線幅の精度が劣化してしまう。

特開２００８−０８５１２０号公報

上述したように、マルチビーム描画について、ステージ上のミラーの反射面の歪み、及び／または描画対象とする試料面に歪み等に起因する位置ずれを個別に補正することが困難であった。その結果、かかる位置ずれを十分に補正することが困難であった。

そこで、本発明は、マルチビーム描画について、ミラーの反射面の歪み、及び／または描画対象とする試料面に歪み等に起因する位置ずれを補正可能な装置および方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、
試料の描画領域をマルチ荷電粒子ビームが照射されるメッシュ状の複数の画素領域に分割する分割部と、
複数の画素領域を少なくとも１つの画素領域で構成される複数の画素ブロックにグループ化するグループ処理部と、
複数の画素ブロックの画素ブロック毎に、画素ブロック単位で当該画素ブロックが処理対象とする描画データ上での領域の位置を補正する補正部と、
位置が補正された画素毎に、当該画素を照射する照射量を演算する照射量演算部と、
各画素が演算された照射量になるように、前記マルチ荷電粒子ビームを用いて前記試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。

また、補正部は、画素ブロック毎に、当該画素ブロックの代表点での位置ずれを補正する補正関数の逆変換量を用いて、当該画素ブロックの代表点の位置を補正すると好適である。

また、補画素ブロック毎に、補正関数の逆変換処理に使用する逆変換項を演算する第１の演算部をさらに備えると好適である。

また、画素ブロック毎に、補正関数の偏微分値を係数に用いる関数を用いて、当該画素ブロックの形状を特定する各位置の補正量を演算する第２の演算部をさらに備えると好適である。

本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、
試料の描画領域をマルチ荷電粒子ビームが照射されるメッシュ状の複数の画素領域に分割する工程と、
複数の画素領域を少なくとも１つの画素領域で構成される複数の画素ブロックにグループ化する工程と、
複数の画素ブロックの画素ブロック毎に、画素ブロック単位で当該画素ブロックが処理対象とする描画データ上での領域の位置を補正する工程と、
位置が補正された画素毎に、当該画素を照射する照射量を演算する工程と、
各画素が演算された照射量になるように、マルチ荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。

本発明の一態様によれば、マルチビーム描画について、ミラーの反射面の歪み、及び／または描画対象とする試料面に歪み等に起因する位置ずれを補正できる。よって、精度の高い位置および寸法でパターンを描画できる。

実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態１における成形アパーチャアレイ部材の構成を示す概念図である。 実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ部の構成を示す断面図である。 実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ部のメンブレン領域内の構成の一部を示す上面概念図である。 実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。 実施の形態１における描画順序を説明するための図である。 実施の形態１における画素ブロックの一例および画素ブロックが補正された状態の一例を示す図である。 実施の形態１における直線の方程式および直線までの距離を説明するための図である。 実施の形態１における位置ずれ補正をおこなった画素を用いて１０°回転させた矩形パターンを描画する場合のビームプロファイルのシミュレーション結果の一例を示す図である。 実施の形態１における補正有無の場合で三角形パターンを描画する場合のシミュレーション結果の一例を示す図である。 実施の形態１における補正有無の場合で三角形パターンを描画する場合のシミュレーション結果の他の一例を示す図である。

以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、成形アパーチャアレイ部材２０３、ブランキングアパーチャアレイ部２０４、縮小レンズ２０５、制限アパーチャ部材２０６、対物レンズ２０７、及び偏向器２０８が配置されている。描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画時には描画対象基板となるマスク等の試料１０１が配置される。試料１０１は、例えば、図示しない３点支持によりＸＹステージ１０５上に保持される。試料１０１には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板（シリコンウェハ）等が含まれる。また、試料１０１には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。ＸＹステージ１０５上には、さらに、ＸＹステージ１０５の位置測定用のミラー２１０が配置される。

制御部１６０は、制御計算機１１０、メモリ１１２、偏向制御回路１３０、ステージ位置検出器１３９及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４２，１４４を有している。制御計算機１１０、メモリ１１２、偏向制御回路１３０、ステージ位置検出器１３９及び記憶装置１４０，１４２，１４４は、図示しないバスを介して互いに接続されている。描画されるための複数の図形パターンのパターデータが定義された描画データが描画装置１００の外部から入力され、記憶装置１４０（記憶部）に格納されている。ここでは、描画データとして、例えば、ミラー２１０の反射面の歪み、及び／または描画対象とする試料１０１の試料面に歪み等に起因する位置ずれを評価するための評価パターンの描画データが用いられる。

また、制御計算機１１０内には、画素分割部５０、画素ブロック作成部５２、画素ブロック設定部５４、取得部５５、フィッティング処理部５６、補正マップ作成部５８、代表点位置補正量演算部６０、画素ブロック形状演算部６２、補正部６４、判定部６５、判定部６６、近接効果補正照射係数Ｄｐ演算部６７、照射量Ｄ演算部６８、照射時間ｔ演算部７０、及び描画制御部７２が配置される。画素分割部５０、画素ブロック作成部５２、画素ブロック設定部５４、取得部５５、フィッティング処理部５６、補正マップ作成部５８、代表点位置補正量演算部６０、画素ブロック形状演算部６２、補正部６４、判定部６５、判定部６６、近接効果補正照射係数Ｄｐ演算部６７、照射量Ｄ演算部６８、照射時間ｔ演算部７０、及び描画制御部７２といった各機能は、プログラムといったソフトウェアで構成されても良い。或いは、電子回路等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、これらの組み合わせであってもよい。制御計算機１１０内に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度メモリ１１２に記憶される。また、画素分割部５０、画素ブロック作成部５２、画素ブロック設定部５４、取得部５５、フィッティング処理部５６、補正マップ作成部５８、代表点位置補正量演算部６０、画素ブロック形状演算部６２、補正部６４、判定部６５、判定部６６、近接効果補正照射係数Ｄｐ演算部６７、照射量Ｄ演算部６８、照射時間ｔ演算部７０、及び描画制御部７２の少なくとも１つがソフトウェアで構成される場合には、ＣＰＵ或いはＧＰＵといった計算器が配置される。

ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。

図２は、実施の形態１における成形アパーチャアレイ部材の構成を示す概念図である。図２（ａ）において、成形アパーチャアレイ部材２０３には、縦（ｙ方向）ｍ列×横（ｘ方向）ｎ列（ｍ，ｎ≧２）の穴（開口部）２２が所定の配列ピッチでマトリクス状に形成されている。図１０（ａ）では、例えば、５１２×８列の穴２２が形成される。各穴２２は、共に同じ寸法形状の矩形で形成される。或いは、同じ外径の円形であっても構わない。ここでは、ｙ方向の各列について、ｘ方向にＡからＨまでの８つの穴２２がそれぞれ形成される例が示されている。これらの複数の穴２２を電子ビーム６００の一部がそれぞれ通過することで、マルチビーム２０が形成されることになる。ここでは、縦横（ｘ，ｙ方向）が共に２列以上の穴２２が配置された例を示したが、これに限るものではない。その他、例えば、縦横（ｘ，ｙ方向）どちらか一方が複数列で他方は１列だけであっても構わない。また、穴２２の配列の仕方は、図２（ａ）のように、縦横が格子状に配置される場合に限るものではない。図２（ｂ）に示すように、例えば、縦方向（ｙ方向）１段目の列と、２段目の列の穴同士が、横方向（ｘ方向）に寸法ａだけずれて配置されてもよい。同様に、縦方向（ｙ方向）２段目の列と、３段目の列の穴同士が、横方向（ｘ方向）に寸法ｂだけずれて配置されてもよい。

図３は、実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ部の構成を示す断面図である。
図４は、実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ部のメンブレン領域内の構成の一部を示す上面概念図である。なお、図３と図４において、制御電極２４と対向電極２６と制御回路４１，４３の位置関係は一致させて記載していない。ブランキングアパーチャアレイ部２０４は、図３に示すように、支持台３３上にシリコン等からなる半導体基板３１が配置される。基板３１の中央部は、例えば裏面側から薄く削られ、薄い膜厚ｈのメンブレン領域３０（第１の領域）に加工されている。メンブレン領域３０を取り囲む周囲は、厚い膜厚Ｈの外周領域３２（第２の領域）となる。メンブレン領域３０の上面と外周領域３２の上面とは、同じ高さ位置、或いは、実質的に同じ高さ位置になるように形成される。基板３１は、外周領域３２の裏面で支持台３３上に保持される。支持台３３の中央部は開口しており、メンブレン領域３０の位置は、支持台３３の開口した領域に位置している。

メンブレン領域３０には、図２に示した成形アパーチャアレイ部材２０３の各穴２２に対応する位置にマルチビームのそれぞれのビームの通過用の通過孔２５（開口部）が開口される。そして、メンブレン領域３０上には、図３及び図４に示すように、各通過孔２５の近傍位置に該当する通過孔２５を挟んでブランキング偏向用の制御電極２４と対向電極２６の組（ブランカー：ブランキング偏向器）がそれぞれ配置される。また、メンブレン領域３０上の各通過孔２５の近傍には、各通過孔２５用の制御電極２４に偏向電圧を印加する制御回路４１（ロジック回路）が配置される。各ビーム用の対向電極２６は、グランド接続される。

また、図４に示すように、各制御回路４１は、制御信号用の例えば１０ビットのパラレル配線が接続される。各制御回路４１は、制御信号用の例えば１０ビットのパラレル配線の他、クロック信号線および電源用の配線が接続される。クロック信号線および電源用の配線はパラレル配線の一部の配線を流用しても構わない。マルチビームを構成するそれぞれのビーム毎に、制御電極２４と対向電極２６と制御回路４１とによる個別ブランキング機構４７が構成される。また、図３の例では、制御電極２４と対向電極２６と制御回路４１とが基板３１の膜厚が薄いメンブレン領域３０に配置される。但し、これに限るものではない。

各通過孔２５を通過する電子ビーム２０は、それぞれ独立にかかる対となる２つの電極２４，２６に印加される電圧によって偏向される。かかる偏向によってブランキング制御される。言い換えれば、制御電極２４と対向電極２６の組は、成形アパーチャアレイ部材２０３の複数の穴２２（開口部）を通過したマルチビームのうちの対応ビームをそれぞれブランキング偏向する。

次に描画装置１００における描画部１５０の動作について説明する。電子銃２０１（放出部）から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２によりほぼ垂直に成形アパーチャアレイ部材２０３全体を照明する。成形アパーチャアレイ部材２０３には、矩形の複数の穴（開口部）が形成され、電子ビーム２００は、すべての複数の穴が含まれる領域を照明する。複数の穴の位置に照射された電子ビーム２００の各一部が、かかる成形アパーチャアレイ部材２０３の複数の穴をそれぞれ通過することによって、例えば矩形形状の複数の電子ビーム（マルチビーム）２０ａ〜ｅが形成される。かかるマルチビーム２０ａ〜ｅは、ブランキングアパーチャアレイ部２０４のそれぞれ対応するブランカー（第１の偏向器：個別ブランキング機構）内を通過する。かかるブランカーは、それぞれ、個別に通過する電子ビーム２０を偏向する（ブランキング偏向を行う）。

ブランキングアパーチャアレイ部２０４を通過したマルチビーム２０ａ〜ｅは、縮小レンズ２０５によって、縮小され、制限アパーチャ部材２０６に形成された中心の穴に向かって進む。ここで、ブランキングアパーチャアレイ部２０４のブランカーによって偏向された電子ビーム２０は、制限アパーチャ部材２０６の中心の穴から位置がはずれ、制限アパーチャ部材２０６によって遮蔽される。一方、ブランキングアパーチャアレイ部２０４のブランカーによって偏向されなかった電子ビーム２０は、図１に示すように制限アパーチャ部材２０６の中心の穴を通過する。かかる個別ブランキング機構のＯＮ／ＯＦＦによって、ブランキング制御が行われ、ビームのＯＮ／ＯＦＦが制御される。このように、制限アパーチャ部材２０６は、個別ブランキング機構によってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する。そして、ビーム毎に、ビームＯＮになってからビームＯＦＦになるまでに形成された、制限アパーチャ部材２０６を通過したビームにより、１回分のショットのビームが形成される。制限アパーチャ部材２０６を通過したマルチビーム２０は、対物レンズ２０７により焦点が合わされ、所望の縮小率のパターン像となり、偏向器２０８によって、制限アパーチャ部材２０６を通過した各ビーム（マルチビーム２０全体）が同方向に一括して偏向され、各ビームの試料１０１上のそれぞれの照射位置に照射される。また、例えばＸＹステージ１０５が連続移動している時、ビームの照射位置がＸＹステージ１０５の移動に追従（トラッキング）するように偏向器２０８によって制御される。ＸＹステージ１０５の位置は、ステージ位置検出器１３９からレーザをＸＹステージ１０５上のミラー２１０に向けて照射し、その反射光を用いて測定される。一度に照射されるマルチビーム２０は、理想的には成形アパーチャアレイ部材２０３の複数の穴の配列ピッチに上述した所望の縮小率を乗じたピッチで並ぶことになる。描画装置１００は、各回のトラッキング動作中にＸＹステージ１０５の移動に追従しながらショットビームとなるマルチビーム２０を偏向器２０８によるビーム偏向位置の移動によって１画素ずつ描画制御部７０により制御された描画シーケンスに沿って照射していく描画動作を行う。所望のパターンを描画する際、パターンに応じて必要なビームがブランキング制御によりビームＯＮに制御される。

図５は、実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図５において、実施の形態１における描画方法は、画素分割工程（Ｓ１０２）と、画素ブロック作成工程（Ｓ１０４）と、評価パターン描画工程（Ｓ１０６）と、位置ずれ量測定工程（Ｓ１０７）と、画素ブロック設定工程（Ｓ１０８）と、位置ずれ量測定工程（Ｓ１１０）と、補正関数フィッティング工程（Ｓ１１６）と、補正マップ作成工程（Ｓ１１８）と、代表点位置補正量演算工程（Ｓ１２０）と、画素ブロック形状演算工程（Ｓ１２２）と、画素ブロック補正工程（Ｓ１２４）と、判定工程（Ｓ１２６）と、パターン面積密度ρ演算工程（Ｓ１３０）と、近接効果補正照射係数Ｄｐ演算工程（Ｓ１３２）と、照射量Ｄ演算及び照射時間演算工程（Ｓ１３４）と、描画工程（Ｓ１３６）と、いう一連の工程を実施する。

かかる工程群のうち、実際の製品となる試料１０１の描画処理の前処理として、画素分割工程（Ｓ１０２）と、画素ブロック作成工程（Ｓ１０４）と、評価パターン描画工程（Ｓ１０６）と、位置ずれ量測定工程（Ｓ１０７）と、が実施される。そして、かかる前処理の後、実描画処理として、画素ブロック設定工程（Ｓ１０８）と、位置ずれ量取得工程（Ｓ１１０）と、補正関数フィッティング工程（Ｓ１１６）と、補正マップ作成工程（Ｓ１１８）と、代表点位置補正量演算工程（Ｓ１２０）と、画素ブロック形状演算工程（Ｓ１２２）と、画素ブロック補正工程（Ｓ１２４）と、判定工程（Ｓ１２６）と、画素内外判定工程（Ｓ１３０）と、近接効果補正照射係数Ｄｐ演算工程（Ｓ１３２）と、照射量Ｄ演算及び照射時間演算工程（Ｓ１３４）と、描画工程（Ｓ１３６）と、が実施される。

画素分割工程（Ｓ１０２）として、画素分割部５０（分割部）は、試料１０１の描画領域をマルチビーム２０が照射されるメッシュ状の複数の画素領域に分割する。

図６は、実施の形態１における描画順序を説明するための図である。試料１０１の描画領域１０（或いは描画されるチップ領域）は、所定の幅で短冊上のストライプ領域３５（描画領域の他の一例）に分割される。そして、画素分割部５０は、各ストライプ領域３５を、複数のメッシュ状の画素領域３６（画素）に分割する。画素領域３６（画素）のサイズは、例えば、ビームサイズ、或いは、それ以下のサイズであると好適である。例えば、１０ｎｍ程度のサイズにすると好適である。画素領域３６（画素）は、マルチビームの１つのビームあたりの照射単位領域となる。

マルチビーム２０で試料１０１を描画する際、マルチビーム２０による１回の照射によって照射領域３４を照射することになる。上述したように、トラッキング動作中にＸＹステージ１０５の移動に追従しながらショットビームとなるマルチビーム２０全体を一括して偏向器２０８によるビーム偏向位置の移動によって例えば１画素ずつ順に連続して照射していく。そして、試料１０１上のどの画素をマルチビームのどのビームが照射するのかは描画シーケンスによって決まる。マルチビームのｘ，ｙ方向にそれぞれ隣り合うビーム間のビームピッチを用いて、試料１０１面上におけるｘ，ｙ方向にそれぞれ隣り合うビーム間のビームピッチ（ｘ方向）×ビームピッチ（ｙ方向）の領域はｎ×ｎ画素の領域（サブピッチ領域）で構成される。例えば、１回のトラッキング動作で、ＸＹステージ１０５が−ｘ方向にビームピッチ（ｘ方向）だけ移動する場合、ｘ方向或いはｙ方向（或いは斜め方向）に１つのビームによって照射位置をシフトしながらｎ画素が描画される。同じｎ×ｎ画素の領域内の他のｎ画素が次回のトラッキング動作で上述したビームとは異なるビームによって同様にｎ画素が描画される。このようにｎ回のトラッキング動作でそれぞれ異なるビームによってｎ画素ずつ描画されることにより、１つのｎ×ｎ画素の領域内のすべての画素が描画される。マルチビームの照射領域内の他のｎ×ｎ画素の領域についても同時期に同様の動作が実施され、同様に描画される。かかる動作によって、照射領域３４内の全画素が描画可能となる。これらの動作を繰り返すことで、対応するストライプ領域３５全体を描画することができる。そして、描画装置１００では、必要な画素に必要な照射量のビームを照射することにより形成される画素パターン（ビットパターン）の組み合わせにより、所望のパターンを描画することができる。

画素ブロック作成工程（Ｓ１０４）として、画素ブロック作成部５２は、複数の画素領域３６を少なくとも１つの画素領域３６で構成される複数の画素ブロックにグループ化する。画素ブロック作成部５２は、グループ処理部の一例となる。

図７は、実施の形態１における画素ブロックの一例および画素ブロックが補正された状態の一例を示す図である。図７の例では、ｘ方向に４列とｙ方向に４段の４×４の画素領域３６群を１つの画素ブロック３８（４２）として定義している例を示している。

ここで、上述したように、試料１０１は、例えば、図示しない３点支持によりＸＹステージ１０５上に保持される。この様な試料の支持方法は、試料１０１に支持点からの距離の応じた自重による撓みを生じさせる。そのため、電子ビームの投影像は試料面上で歪み、描画位置（露光位置）にずれが生じる。また、ＸＹステージ１０５上の位置測定用のミラー２１０の反射面にも歪みが生じる。よって、ステージの測定位置にずれが生じる。その結果、描画位置（露光位置）にずれが生じる。実施の形態１では、マルチビーム描画において、かかるミラー２１０の反射面の歪み、及び／または描画対象とする試料１０１の試料面に歪み等に起因する位置ずれを補正する。具体的には、実施の形態１では、かかる画素ブロック３８（４２）毎に、画素ブロック３８（４２）が処理対象とする描画データ上での領域の位置及び形状を補正する。画素ブロック３８（４２）の構成画素数は、少なくとも１つの画素領域３６で可能であるが、１つの画素毎の計算では、すべての画素領域３６を補正するための計算時間が膨大に必要となるので、数個の画素群で構成されると好適である。例えば、４×４の画素領域３６群を１つの画素ブロック３８（４２）として定義することで、１つの画素毎の計算に比べて計算量を１／１６に低減できる。逆に構成画素が多すぎると位置に依存した補正が困難になる。よって、画素ブロック３８（４２）の幅サイズが、例えば、ストライプ領域３５の短辺側の幅以下のサイズにすると好適である。また、図７の例では、各画素ブロック３８（４２）がどれも同じ正方形となる、隣接する４×４の画素領域３６群によってそれぞれ構成されているが、これに限るものではない。画素ブロック３８（４２）毎に構成画素数や画素ブロック３８（４２）の形状が異なってもよい。

評価パターン描画工程（Ｓ１０６）として、描画制御部７２の制御のもと、描画部１５０は、評価パターンを試料１０１上に描画する。そのために、まず、ρ演算部６６は、記憶装置１４０から評価パターン用の描画データ（評価用データ）を読み出し、画素領域３６毎のパターン面積密度ρを演算する。

また、Ｄｐ演算部６７は、描画領域（ここでは、例えばストライプ領域３５）を所定のサイズでメッシュ状に複数の近接メッシュ領域に仮想分割する。近接メッシュ領域のサイズは、近接効果の影響範囲の１／１０程度、例えば、１μｍ程度に設定すると好適である。そして、かかる近接メッシュ領域毎に、近接効果を補正するための補正照射係数Ｄｐ（ｘ）を演算する。補正照射係数Ｄｐ（ｘ）の補正モデル及びその計算手法は従来と同様で構わない。

そして、照射量Ｄ演算部６８は、画素領域３６毎に、得られた補正照射係数Ｄｐ（ｘ）と面積密度（ρ）と基準照射量Ｄ_０とを乗じて照射量Ｄ（ｘ）を演算する。このように、照射量Ｄ（ｘ）は、画素領域３６毎に算出されたパターンの面積密度に比例して求めると好適である。そして、照射時間ｔ演算部７０は、画素領域３６毎に、得られた照射量Ｄ（ｘ）を電流密度Ｊで割ることで当該画素の照射時間ｔを演算する。画素毎に得られた照射時間データは、ショットデータとして記憶装置１４４にショット順に記憶される。

そして、描画部１５０は、各画素が演算された照射量になるように、マルチビームを用いて評価用の試料１０１に評価パターンを描画（露光）する。描画（露光）された評価用の試料１０１は、現像され、レジストパターンが形成される。

位置ずれ量測定工程（Ｓ１０７）として、レジストパターンの各評価位置となるグリッドの位置を図示しない位置測定装置で測定することにより、各グリッドにおける描画位置を測定できる。そして、各評価対象グリッドについて評価パターンの設計位置からの対応する測定位置の位置ずれ量を演算する。位置ずれ量データは、描画装置１００の外部から入力され、記憶装置１４２に格納される。

画素ブロック設定工程（Ｓ１０８）として、画素ブロック設定部５４は、作成された複数の画素ブロックの中から１つの画素ブロックを設定する。

位置ずれ量取得工程（Ｓ１１０）として、取得部５５は、記憶装置１４２に格納された位置ずれ量データを読み出し、設定された画素ブロック内の各位置の位置ずれ量を取得する。

補正関数フィッティング工程（Ｓ１１６）として、フィッティング処理部５６は、当該画素ブロック３８内の各位置での位置ずれを補正するための補正量を補正関数で近似（フィッティング）する。言い換えれば、多項式の補正関数の各係数を演算する。補正関数の一例として、例えば４次の多項式を用いることができる。４次の多項式は、以下の式（１−１）、式（１−２）、式（１−３）、式（１−４）で定義できる。ｘ方向の補正量ｇ_ｘ（ｘ，ｙ）は、式（１−１）で定義される。ｙ方向の補正量ｇ_ｙ（ｘ，ｙ）は、式（１−２）で定義される。また、ここでは、１次項とそれ以外の項とを分けて示している。

補正マップ作成工程（Ｓ１１８）として、補正マップ作成部５８は、補正関数では補正しきれない偏在的な位置ずれを補正する補正量（Ｇｘ（ｘ，ｙ），Ｇｙ（ｘ，ｙ））を上述したグリッド毎に定義した補正マップを作成する。位置（ｘ、ｙ）における補正マップからの位置補正量（Ｇｘ（ｘ，ｙ），Ｇｙ（ｘ，ｙ））は位置（ｘ、ｙ）に相当するマップグリッドの４隅の補正量の内挿値を用いればよい。

よって、ミラー２１０の反射面の歪み、及び／または描画対象とする試料１０１の試料面の歪み等に起因するパターン位置ずれの補正量（δ_ｘ，δ_ｙ）は、行列表記を用いると以下の式（２）で定義できる。

上述したように、実施の形態１では、かかる画素ブロック４２毎に、注目する当該画素ブロック３８が処理対象とする描画データ上での領域の位置及び形状を補正する。まずは、注目する当該画素ブロック３８の代表点４０位置補正の位置補正量を演算する。

代表点位置補正量演算工程（Ｓ１２０）として、代表点位置補正量演算部６０は、画素ブロック４２毎に、注目する当該画素ブロック３８の代表点４０での位置ずれを補正する補正関数の逆変換量を用いて、注目する当該画素ブロック３８ａの代表点４０ａの位置補正量を演算する。代表点４０ａの位置として、例えば、当該画素ブロック３８ａの中心位置を用いると好適である。後述するように、画素ブロック３８が処理対象とする描画データ上の領域の形状は上述した位置補正の補正関数式（１−１）〜（１−４）及び補正マップからの補正量に応じた歪みが生じている場合がある。しかし、その歪みは通常十分に小さく、そのため、代表点４０の近傍の位置でも代表点４０と同じ歪みを持つとすることで画素ブロック内の形状補正を容易にできる。

式（１−１）と式（１−２）とで示す補正関数を逆変換した逆変換式は、以下の式（３−１）と式（３−２）で定義できる。

なお、代表点位置補正量演算部６０は、式（３−１）と式（３−２）に用いる係数ｋを演算する。係数ｋは、以下の式（４）で定義できる。

また、代表点位置補正量演算部６０（第１の演算部）は、式（３−１）と式（３−２）を演算するにあたって、まず、画素ブロック毎に、補正関数の逆変換処理に使用する、式（１−３）で示す１次項以外をまとめた関数ｇ_Δｘ（ｘ，ｙ）の逆変換項ｇ_Δｘ ^−１（ｘ，ｙ）と式（１−４）で示す１次項以外をまとめた関数ｇ_Δｙ（ｘ，ｙ）の逆変換項ｇ_Δｙ ^−１（ｘ，ｙ）とを演算する。逆変換項ｇ_Δｘ ^−１（ｘ，ｙ）と逆変換項ｇ_Δｙ ^−１（ｘ，ｙ）とは、以下の式（５−１）と式（５−２）とで定義できる。

そして、代表点位置補正量演算部６０は、演算された逆変換項ｇ_Δｘ ^−１（ｘ，ｙ）と逆変換項ｇ_Δｙ ^−１（ｘ，ｙ）と係数ｋとを用いて、式（３−１）に示すｇ_ｘ ^−１（ｘ，ｙ）と式（３−２）に示すｇ_ｙ ^−１（ｘ，ｙ）とを演算すればよい。よって、代表点位置補正量演算部６０は、注目する当該画素ブロック３８ａの代表点４０ａの位置Ｃｂ＝（Ｘｂ、Ｙｂ）での逆変換項ｇ_Δｘ ^−１（Ｘｂ、Ｙｂ）と逆変換項ｇ_Δｙ ^−１（Ｘｂ、Ｙｂ）とを求め、これらの結果を用いて、位置補正量（ｇ_ｘ ^−１（Ｘｂ、Ｙｂ），ｇ_ｙ ^−１（Ｘｂ、Ｙｂ））を演算する。このように、座標Ｃｂ＝（Ｘｂ、Ｙｂ）で定義される注目する当該画素ブロック３８ａの代表点４０ａの位置補正量は、補正関数の逆変換量（ｇ_ｘ ^−１（Ｘｂ、Ｙｂ），ｇ_ｙ ^−１（Ｘｂ、Ｙｂ））から求めることができる。これにより、図７に示すような画素ブロック３８ａの代表点４０ａの補正後の位置である画素ブロック３８ｂの代表点４０ｂの座標は４０ａの座標（Ｘｂ、Ｙｂ）を用いて（Ｘｂ＋ｇ_ｘ ^−１（Ｘｂ、Ｙｂ），Ｙｂ＋ｇ_ｙ ^−１（Ｘｂ、Ｙｂ））から求められる。

ミラー２１０の反射面の歪み、及び／または描画対象とする試料１０１の試料面に歪み等に起因する位置ずれにより、各画素ブロックが処理対象とする描画データ上の領域は歪んでいる。通常この歪みの位置毎の変化は十分に小さい。このため、画素ブロックが処理対象とする描画データ上の領域の歪みは、画素ブロック代表点に対応する描画データ上の位置での平行移動、拡大縮小、回転、せん断といった線形変換で表すことが出来る。そこで、次に画素ブロック形状を画素ブロック代表点と対応する描画データ上の位置の歪みを表す形状補正係数を演算する。

画素ブロック形状演算工程（Ｓ１２２）として、画素ブロック形状演算部６２（第２の演算部）は、画素ブロック４２毎に、補正関数の偏微分値を係数（或いは行列の要素）に用いる関数を用いて、当該画素ブロック３８ｂの形状補正係数を演算する。具体的には以下のように演算する。歪を画素ブロック毎で線形補正するための補正係数Δｇ（ｘ，ｙ）は、次の式（６）で定義できる。

また、式（６）の係数として用いられている補正関数の各偏微分値ｇ_ｘ ^（ｘ），ｇ_ｘ ^（ｙ），ｇ_ｙ ^（ｘ），ｇ_ｙ ^（ｙ）は、補正関数のｘ或いはｙによる偏微分値で定義され、具体的には以下の式（７−１）、式（７−２）、式（７−３）、式（７−４）で定義される。

判定工程（Ｓ１２６）として、判定部６５は、すべての画素ブロックについて処理が終了したかどうかを判定する。まだ、処理が済んでいない画素ブロックがあれば画素ブロック設定工程（Ｓ１０８）に戻る。そして、すべての画素ブロックについて処理が終了するまで画素ブロック設定工程（Ｓ１０８）から判定工程（Ｓ１２６）までの各工程を実施する。

以上により、画素ブロック単位で、ミラー２１０の反射面の歪み、及び／または描画対象とする試料１０１の試料面に歪み等に起因する位置ずれを補正するように、各画素領域３６の位置及び形状を補正するための係数を取得できる。かかる画素領域３６は、照射時間データを定義するための基準となる領域である。実施の形態１では、補正前の各画素領域３６を使ってパターンの面積密度等を演算し、各画素領域３６に照射時間データを定義した後に、各画素領域の位置を補正するのではなく、それらの処理を行う前に大元となる各画素領域３６自体の位置及び形状を補正する。

画素内外判定工程（Ｓ１３０）として、判定部６６は、記憶装置１４０から描画データを読み出し、描画データに定義された各図形パターンについて、画素領域３６毎に当該画素領域３６が各図形パターンの内外どちらに位置するのか判定する。

図８は、実施の形態１における直線の方程式および直線までの距離を説明するための図である。直線の方程式ｌ（ｘ，ｙ）は、ｌ（ｘ，ｙ）＝ｄｙ（ｘ−ｘ０）−ｄｘ（ｙ−ｙ０）で定義される。図８（ｂ）に示す補正後の画素領域（例えば画素中心）から当該図形パターンの１辺にあたる直線までｘ方向距離ｄｘ’とｙ方向距離ｄｙ’は、図８（ａ）に示す補正前の画素領域（例えば画素中心）からかかる直線までｘ方向距離ｄｘとｙ方向距離ｄｙと式（６）と画素ブロック代表点Ｃｂと当該画素の画素ブロック代表点からの相対位置δ（Ｃｂ）とを用いて、以下の式（８）で定義される。

次に、補正後の画素ブロック代表点から見た対象画素の相対位置（ｘ’，ｙ’）の直線の方程式Ｌｂは、補正後の画素ブロック代表点の直線の方程式ｌｂを用いて、以下の式（９）で定義される。

但し、画素ブロック代表点の直線の方程式ｌｂは、以下の式（１０）で定義される。

また、画素ブロック代表点から見た計算領域の位置δ^−１（Ｃｂ）は、以下の式（１１）で定義される。但し、画素ブロック代表点Ｃｂの座標は（Ｘｂ，Ｙｂ）とする。

そして、式（９）が正の値であれば、当該直線に対して図形パターン内と判定する。負の値であれば、当該直線に対して図形パターン外と判定する。図形パターンの辺毎に当該判定を行う。そして、判定部６６は、当該図形パターンに対して、すべての辺について式（９）が正の値であれば、当該画素は、当該図形パターン内に位置すると判定する。画素毎に内外判定結果ｆが例えば記憶装置１４２に記憶される。内外判定結果ｆは、当該画素がいずれかの図形パターン内であれば“１”、当該画素がいずれの図形パターン内でもない場合であれば“０”を定義する。

近接効果補正照射係数Ｄｐ演算工程（Ｓ１３２）として、Ｄｐ演算部６７は、描画領域（ここでは、例えばストライプ領域３５）を所定のサイズでメッシュ状に複数の近接メッシュ領域に仮想分割する。近接メッシュ領域のサイズは、近接効果の影響範囲の１／１０程度、例えば、１μｍ程度に設定すると好適である。そして、かかる近接メッシュ領域毎に、近接効果を補正するための補正照射係数Ｄｐ（ｘ）を演算する。補正照射係数Ｄｐ（ｘ）の補正モデル及びその計算手法は従来と同様で構わない。Ｄｐ演算部６７は、例えば、近接メッシュ領域毎に面積密度ρ’を演算する。そして、Ｄｐ演算部６７は、近接効果補正係数η、分布関数Ｒ（ｘ）、閾値Ｄｔｈを用いて、以下の式（１２）を満たす未知のＤｐ（ｘ）を演算する。分布関数Ｒ（ｘ）として、例えば、ガウシアン分布関数を用いると好適である。なお、式（１２）において、ｘは、近接メッシュの位置を示す。

照射量Ｄ演算及び照射時間演算工程（Ｓ１３４）として、照射量Ｄ演算部６８は、位置ずれが補正された画素領域毎に、当該画素領域を照射する照射量を演算する。具体的には、照射量Ｄ演算部６８は、位置ずれが補正された画素領域３６毎に、得られた補正照射係数Ｄｐ（ｘ+ｇ_ｘ ^−１（ｘ，ｙ），ｙ+ｇ_ｙ ^−１（ｘ，ｙ））と内外判定結果ｆと基準照射量Ｄ_０とを乗じて照射量Ｄ（ｘ，ｙ）を演算する。このように、照射量Ｄ（ｘ，ｙ）は、位置ずれが補正された画素領域３６毎に算出されたパターンの面積密度に比例して求めると好適である。そして、照射時間ｔ演算部７０は、位置ずれが補正された画素領域３６毎に、得られた照射量Ｄ（ｘ，ｙ）を電流密度Ｊで割ることで当該画素領域３６の照射時間ｔを演算する。位置ずれが補正された画素領域３６毎に得られた照射時間データは、ショットデータとして記憶装置１４４にショット順に記憶される。

描画工程（Ｓ１３６）として、描画部１５０は、各画素領域３６が演算された照射量になるように、マルチビーム２０を用いて試料１０１にパターンを描画（露光）する。描画（露光）された試料１０１は、現像され、レジストパターンが形成される。そして、レジストパターンをマスクとして、その下層の遮光膜をエッチングすることでマスク基板が形成される。

図９は、実施の形態１における位置ずれ補正をおこなった画素を用いて１０°回転させた矩形パターンを描画する場合のビームプロファイルのシミュレーション結果の一例を示す図である。図９では、矩形パターンを１０°回転させることによって、ｙ軸から１０°の角度で傾斜した２斜辺をｙ方向に向かって等間隔でｘ方向に描画する場合のビームプロファイルのシミュレーション結果の一例を示している。ｙ方向に向かって等間隔でｘ方向に描画する場合、ｙ方向の各位置でのパターンの線幅は、設計上、いずれも同じ線幅になるはずである。そして、かかる線幅は設計上、等間隔でシフトするはずである。図９に示すように、実施の形態１における位置ずれ補正をおこなった画素を用いることで同じ線幅の各ビームプロファイルが等間隔でシフトしていることがわかる。

図１０は、実施の形態１における補正有無の場合で三角形パターンを描画する場合のシミュレーション結果の一例を示す図である。ここでは、拡大、縮小、及び回転無しに単に２次元方向に位置ずれする場合を想定している。図１０（ａ）では、実施の形態１における位置ずれ補正を行わずに描画した場合の三角形パターンの一例を示す。設計上は、点線で示す位置に三角形パターンが形成されるはずであったが、位置ずれにより実線の位置にずれている様子が示されている。これに対して、実施の形態１における位置ずれ補正を行って描画した場合、図１０（ｂ）に示すように、位置ずれが解消されていることがわかる。なお、図１０（ｂ）では、画素ブロック中心の位置補正を行い、拡大、縮小、及び回転の補正は行っていない場合の一例を示している。

図１１は、実施の形態１における補正有無の場合で三角形パターンを描画する場合のシミュレーション結果の他の一例を示す図である。ここでは、回転による位置ずれが生じる場合を想定している。図１１（ａ）では、実施の形態１における位置ずれ補正を行わずに描画した場合の三角形パターンの一例を示す。設計上は、点線で示す位置に三角形パターンが形成されるはずであったが、回転による位置ずれにより実線の位置にずれている様子が示されている。これに対して、実施の形態１における位置ずれ補正を行って描画した場合、図１１（ｂ）に示すように、位置ずれが解消されていることがわかる。なお、図１１（ｂ）では、画素ブロック中心の位置補正と共に、拡大、縮小、及び回転の補正を行っている場合の一例を示している。

以上のように、実施の形態１によれば、マルチビーム描画について、ミラー２１０の反射面の歪み、及び／または描画対象とする試料１０１面に歪み等に起因する位置ずれを補正できる。よって、精度の高い位置および寸法でパターンを描画できる。

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置及び方法は、本発明の範囲に包含される。

１０ 描画領域
２０ マルチビーム
２２ 穴
２４，４４ 制御電極
２５，４５ 通過孔
２６，４６ 対向電極
３０ メンブレン領域
３１ 基板
３２ 外周領域
３３ 支持台
３４ 照射領域
３５ ストライプ領域
３６ 画素
４７ 個別ブランキング機構
５０ 画素分割部
５２ 画素ブロック作成部
５４ 画素ブロック設定部
５５ 取得部
５６ フィッティング処理部
５８ 補正マップ作成部
６０ 代表点位置補正量演算部
６２ 画素ブロック形状演算部
６４ 補正部
６５ 判定部
６６ ρ演算部
６７ Ｄｐ演算部
６８ Ｄ演算部
７０ ｔ演算部
７２ 描画制御部
１００ 描画装置
１０１ 試料
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１１０ 制御計算機
１１２ メモリ
１３０ 偏向制御回路
１３９ ステージ位置検出器
１４０，１４２，１４４ 記憶装置
１５０ 描画部
１６０ 制御部
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０２ 照明レンズ
２０３ 成形アパーチャアレイ部材
２０４ ブランキングアパーチャアレイ部
２０５ 縮小レンズ
２０６ 制限アパーチャ部材
２０７ 対物レンズ
２０８ 偏向器
２１０ ミラー

Claims (4)

1. 試料の描画領域をマルチ荷電粒子ビームが照射されるメッシュ状の複数の画素領域に分割する分割部と、
   前記複数の画素領域を少なくとも１つの画素領域で構成される複数の画素ブロックにグループ化するグループ処理部と、
   前記複数の画素ブロックの画素ブロック毎に、画素ブロック単位で当該画素ブロックが処理対象とする描画データ上での領域の位置を補正する補正部と、
   前記位置が補正された画素毎に、当該画素を照射する照射量を演算する照射量演算部と、
   各画素が演算された照射量になるように、前記マルチ荷電粒子ビームを用いて前記試料にパターンを描画する描画部と、
   を備え、
   前記補正部は、前記画素ブロック毎に、当該画素ブロックの代表点に対応する描画データ上での位置を補正し、
   前記補正部は、前記画素ブロック毎に、当該画素ブロックの代表点に対応する描画データ上での位置の補正量を、前記試料上における当該画素ブロックの代表点の位置を補正する補正関数についての逆変換式を用いて算出し、
   前記画素ブロック毎に、前記補正関数の偏微分値を係数に用いる関数を用いて、当該画素ブロックの形状を特定する各位置の補正量を演算する演算部をさらに備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
2. 試料の描画領域をマルチ荷電粒子ビームが照射されるメッシュ状の複数の画素領域に分割する分割部と、
   前記複数の画素領域を少なくとも１つの画素領域で構成される複数の画素ブロックにグループ化するグループ処理部と、
   前記複数の画素ブロックの画素ブロック毎に、画素ブロック単位で当該画素ブロックが処理対象とする描画データ上での領域の位置を補正する補正部と、
   前記位置が補正された画素毎に、当該画素を照射する照射量を演算する照射量演算部と、
   各画素が演算された照射量になるように、前記マルチ荷電粒子ビームを用いて前記試料にパターンを描画する描画部と、
   を備え、
   前記補正部は、前記画素ブロック毎に、当該画素ブロックの代表点に対応する描画データ上での位置を補正し、
   前記補正部は、前記画素ブロック毎に、当該画素ブロックの代表点に対応する描画データ上での位置の補正量を、前記試料上における当該画素ブロックの代表点の位置を補正する補正関数についての逆変換式を用いて算出し、
   前記画素ブロック毎に、前記補正関数に対しての逆変換処理に使用する逆変換項を演算する第１の演算部と、
   前記画素ブロック毎に、前記補正関数の偏微分値を係数に用いる関数を用いて、当該画素ブロックの形状を特定する各位置の補正量を演算する第２の演算部と、
   をさらに備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
3. 試料の描画領域をマルチ荷電粒子ビームが照射されるメッシュ状の複数の画素領域に分割する工程と、
   前記複数の画素領域を少なくとも１つの画素領域で構成される複数の画素ブロックにグループ化する工程と、
   前記複数の画素ブロックの画素ブロック毎に、画素ブロック単位で当該画素ブロックが処理対象とする描画データ上での領域の位置を補正する工程と、
   前記位置が補正された画素毎に、当該画素を照射する照射量を演算する工程と、
   各画素が演算された照射量になるように、前記マルチ荷電粒子ビームを用いて前記試料にパターンを描画する工程と、
   を備え、
   前記画素ブロック毎に、当該画素ブロックの代表点に対応する描画データ上での位置を補正し、
   前記画素ブロック毎に、当該画素ブロックの代表点に対応する描画データ上での位置の補正量を、前記試料上における当該画素ブロックの代表点の位置を補正する補正関数についての逆変換式を用いて算出し、
   前記画素ブロック毎に、前記補正関数の偏微分値を係数に用いる関数を用いて、当該画素ブロックの形状を特定する各位置の補正量を演算する工程をさらに備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
4. 試料の描画領域をマルチ荷電粒子ビームが照射されるメッシュ状の複数の画素領域に分割する工程と、
   前記複数の画素領域を少なくとも１つの画素領域で構成される複数の画素ブロックにグループ化する工程と、
   前記複数の画素ブロックの画素ブロック毎に、画素ブロック単位で当該画素ブロックが処理対象とする描画データ上での領域の位置を補正する工程と、
   前記位置が補正された画素毎に、当該画素を照射する照射量を演算する工程と、
   各画素が演算された照射量になるように、前記マルチ荷電粒子ビームを用いて前記試料にパターンを描画する工程と、
   を備え、
   前記画素ブロック毎に、当該画素ブロックの代表点に対応する描画データ上での位置を補正し、
   前記画素ブロック毎に、当該画素ブロックの代表点に対応する描画データ上での位置の補正量を、前記試料上における当該画素ブロックの代表点の位置を補正する補正関数についての逆変換式を用いて算出し、
   前記画素ブロック毎に、前記補正関数に対しての逆変換処理に使用する逆変換項を演算する工程と、
   前記画素ブロック毎に、前記補正関数の偏微分値を係数に用いる関数を用いて、当該画素ブロックの形状を特定する各位置の補正量を演算する工程と、
   をさらに備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画方法。

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