JP2002252158A

JP2002252158A - 荷電ビーム描画方法と描画データ作成方法

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Publication number: JP2002252158A
Application number: JP2001048495A
Authority: JP
Inventors: Toshiyuki Umagoe; 俊幸馬越; Ryoichi Inenami; 良市稲浪
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2001-02-23
Filing date: 2001-02-23
Publication date: 2002-09-06
Anticipated expiration: 2021-02-23
Also published as: JP3959238B2

Abstract

(57)【要約】【課題】キャラクタアパーチャ上を電子ビームで選択
的に照射するための描画データを簡易に作成することが
でき、描画効率の向上をはかる。【解決手段】コンタクトホール形状の開口パターンが
マトリックス配列されたキャラクタ用アパーチャ上を選
択的に電子ビームで照射することにより開口パターンの
複数個を試料上に同時に転写する電子ビーム描画方法で
あって、コンタクトホールの設計パターンの対向する辺
を指定の量だけ外側に移動させ、得られたパターン間の
重なりを除去して融合し、融合パターンを複数の長方形
に分解し、得られた各長方形データに基づいて電子ビー
ムを成形し、この成形ビーム４１，４２，４３でキャラ
クタ用アパーチャ上の開口パターン３０の複数個を照射
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、微細パターンを高
精度かつ高スループットで描画するための技術に係わ
り、特にキャラクタアパーチャを用いて複数のパターン
を一括露光する荷電ビーム描画方法及び描画データ作成
方法、更には描画プログラムを格納した記録媒体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造工程における光リソグラフィ
は、そのプロセス簡易性，低コストなどの利点により広
くデバイス生産に用いられてきた。常に技術革新が続け
られており、近年では短波長化（ＫｒＦエキシマレーザ
光源）により０．２μｍ以下の素子の微細化が達成され
つつある。さらに微細化を進めようと、より短波長のＡ
ｒＦエキシマレーザ光源やレベンソン型の位相シフトマ
スクの開発が進められており、これらは０．１３μｍル
ール対応の量産リソグラフィツールとして期待されてい
る。しかし、これを実現するための課題も多く、その開
発に係わる時間が長期化しており、デバイスの微細化の
スピードに追いつかなくなることが心配されつつある。

【０００３】これに対して、ポスト光リソグラフィの第
１候補である電子線リソグラフィは、細く絞ったビーム
を用いて０．０１μｍまでの加工ができることは実証済
みである。微細化という観点では当面問題なさそうであ
るが、デバイス量産ツールとしてはスループットに問題
がある。即ち、細かいパターンを一つ一つ順番に描いて
いくためにどうしても時間がかかってしまう。この描画
時間を短縮するために、ＬＳＩパターンの繰り返し部分
を部分的に一括して露光する部分一括露光方式（キャラ
クタプロジェクション方式：ＣＰ方式）などの露光方式
を採用した幾つかの装置が開発されている。

【０００４】しかしながら、これらの装置を用いても光
リソグラフィのスループットに追いつくまでには至って
いない。その理由は、繰り返しパターンの形にビームを
成形するために用いるステンシルマスク（キャラクタア
パーチャ）の数が、ロジックデバイスを実用的なスルー
プットで露光するために必要な数（数百から数千個）に
対して、装置で準備できる数（多いもので百個）が大幅
に不足している点にある。

【０００５】一方、本出願人は、部分一括露光方式の電
子ビーム描画方法の発展形として、キャラクタアパーチ
ャ上に設けたデバイスパターン形状をした開口の一部に
ビームを照射し、開口形状の一部分だけを転写露光する
方式を既に提案している（特願２０００−８８９６７
号）。この方式では、３枚のアパーチャを用い、第１及
び第２のアパーチャ（ビーム成形用アパーチャ）で成形
した矩形ビームを第３のアパーチャ（キャラクタアパー
チャ）に照射し、開口形状の一部分を転写露光する。

【０００６】この露光方式を半導体装置のコンタクトホ
ール層に適用すると、任意の個数のホールパターンを一
括転写することができ、ホールを１個ずつ描画する可変
成形ビーム方式に比べて露光回数を大幅に低減できると
期待される。しかしながら、この露光方式を実現するた
めにはキャラクタアパーチャ上を電子ビームで選択的に
照射するための描画データが必要であるが、このような
描画データを作成する方法は未だ実現されていなかっ
た。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このように従来、ビー
ム成形用の第１及び第２のアパーチャとキャラクタ用の
第３のアパーチャを用いることにより、任意の個数のホ
ールパターンを一括転写でき、通常の可変成形ビーム方
式に比べて露光回数を大幅に低減できると期待される
が、この露光方式を実現するための描画データを作成す
る方法は未だ実現されていない。

【０００８】本発明は、上記事情を考慮して成されたも
ので、その目的とするところは、キャラクタアパーチャ
上を荷電ビームで選択的に照射するための描画データを
簡易に作成することができ、描画効率の向上をはかり得
る荷電ビーム描画方法及び描画データ作成方法、更には
描画プログラムを格納した記録媒体を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】（構成）上記課題を解決
するために本発明は次のような構成を採用している。

【００１０】即ち本発明は、所定形状の開口パターンが
周期的に配列されたキャラクタ用アパーチャ上を荷電ビ
ームで選択的に照射することにより開口パターンの複数
個を試料上に同時に転写する荷電ビーム描画方法であっ
て、設計パターンの少なくとも一組の対向する辺を指定
の量だけ外側に移動させる工程と、該移動工程により得
られたパターン間の重なりを除去して融合する工程と、
該融合工程により得られたパターンを複数の長方形に分
解する工程と、該分解工程により得られた各長方形デー
タに基づいて荷電ビームを成形し、この成形ビームで前
記アパーチャ上の開口パターンの複数個を照射する工程
とを含むことを特徴とする。

【００１１】また本発明は、所定形状の開口パターンが
周期的に配列されたキャラクタ用アパーチャ上を荷電ビ
ームで選択的に照射することにより開口パターンの複数
個を試料上に同時に転写する荷電ビーム描画方法に用い
られ、キャラクタ用アパーチャに照射する荷電ビームの
形状を定義付けるための描画データを作成する描画デー
タ作成方法であって、設計パターンの少なくとも一組の
対向する辺を指定の量だけ外側に移動させる工程と、該
移動工程により得られたパターン間の重なりを除去して
融合する工程と、該融合工程により得られたパターンを
長方形に分解する工程とを含み、該分解工程により得ら
れた長方形を描画データとして出力することを特徴とす
る。

【００１２】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は次のものが挙げられる。 (1) 設計パターンの辺の移動量が、パターン配置のスペ
ース距離の２分の１であること。 (2) 開口パターンは矩形状のコンタクトホールパターン
であり、移動工程では設計パターンの対向する各辺をそ
れぞれ指定の量だけ外側に移動させること。 (3) キャラクタ用アパーチャに照射する荷電ビームの形
状を制御するために、キャラクタ用アパーチャよりも荷
電ビーム源側に配置された２枚のビーム成形用アパーチ
ャの光学的重なりを制御すること。

【００１３】また本発明は、荷電ビーム描画装置をコン
ピュータにより制御し、所定形状の開口パターンが周期
的に配列されたキャラクタ用アパーチャ上を選択的に荷
電ビームで照射することにより開口パターンの複数個を
試料上に同時に転写させるためのプログラムを格納した
コンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、前記プ
ログラムは、設計パターンの少なくとも一組の対向する
辺を指定の量だけ外側に移動させる第１ステップと、こ
の第１ステップにより得られたパターン間の重なりを除
去して融合する第２ステップと、この第２ステップによ
り得られたパターンを複数の長方形に分解する第３ステ
ップと、この第３ステップにより得られた各長方形デー
タに基づいて荷電ビームを成形し、この成形ビームで前
記アパーチャ上の開口パターンの複数個を照射する第４
ステップと、を行わせるようにコンピュータを制御する
ことを特徴とする。

【００１４】また本発明は、所定形状の開口パターンが
周期的に配列されたキャラクタ用アパーチャ上を選択的
に荷電ビームで照射することにより開口パターンの複数
個を試料上に同時に転写する荷電ビーム描画方法に用い
られ、キャラクタ用アパーチャに照射する荷電ビームの
形状を定義付けるための描画データを作成するためのプ
ログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒
体であって、前記プログラムは、設計パターンの少なく
とも一組の対向する辺を指定の量だけ外側に移動させる
第１ステップと、この第１ステップにより得られたパタ
ーン間の重なりを除去して融合する第２のステップと、
この第２ステップにより得られたパターンを長方形に分
解する第３ステップと、この第３ステップにより得られ
た長方形を描画データとして出力する第４ステップと、
を行わせるようにコンピュータを制御することを特徴と
する。

【００１５】（作用）本発明によれば、設計パターンの
少なくとも一組の対向する辺を指定の量だけ外側に移動
させ、得られたパターン間の重なりを除去して融合し、
得られた融合パターンを複数の長方形に分解するという
比較的簡単な工程で、キャラクタ用アパーチャ上の複数
の開口パターンを同時選択するための描画データを作成
することができる。

【００１６】例えば、コンタクトホール層に代表される
ホールアレイパターンにおいては、キャラクタアパーチ
ャにホールアレイ開口を設けておき、その一部にビーム
を照射して任意の配列数のホール形状ビームを発生させ
るための描画データを容易に作成することができる。即
ち、任意のアレイ数のホール形状ビームを、１種類のキ
ャラクタ開口から発生することができる。その結果、１
回のビーム照射で任意のアレイ数のホールパターンを一
括露光することが可能となり、従来の１回に１個のホー
ルパターンを露光していた可変成形ビーム方式の場合に
比べて大幅に露光回数を低減することが可能となる。

【００１７】また、任意の数のホール形状ビームを発生
するために１種類のキャラクタ開口だけしか必要としな
いため、限られた数のキャラクタ開口しか配置できない
キャラクタアパーチャ上の占有率を大幅に低減すること
ができ、空いたスペースを別のキャラクタ開口に割り当
てることで、従来以上にパターンをキャラクタビームで
露光することができるようになる。その結果、描画効率
は大幅に改善され、パターン描画時間は大幅に短縮され
る。

【００１８】

【発明の実施の形態】実施形態を説明する前に、本出願
人が既に提案した電子ビーム描画装置について説明して
おく。

【００１９】図１は、３枚のアパーチャを用いた部分一
括露光方式の電子ビーム露光装置の構成を説明するため
の概略図である。この図を用いて、キャラクタ・アパー
チャ上に設けたデバイスパターン形状をした開口の一部
にビームを照射し、開口形状の一部分を転写露光する電
子ビーム露光装置の基本動作を説明する。

【００２０】電子銃１０１から放射された電子ビーム１
０２は第１コンデンサレンズ１０３及び第２コンデンサ
レンズ１０４で電流密度及びケーラー照明条件が調整さ
れ、第１成形アパーチャ１０５を均一に照明する。この
第１成形アパーチャ１０５のアパーチャ像は、第１投影
レンズ１０６により、第２成形アパーチャ１０７上に結
像される。第１成形アパーチャ１０５を通過した電子ビ
ーム１０２が、第２成形アパーチャ１０７上を照射する
位置は、成形偏向系によって制御する。その結果、第２
成形アパーチャ１０７を通過する電子ビーム１０２の大
きさを制御することができる。この成形偏向系は、成形
偏向器１０８，成形偏向アンプ１２２，成形偏向アンプ
に偏向データを送るパターンデータデコーダ１１９から
構成されている。

【００２１】さらに、第２成形アパーチャ１０７の像
は、第２投影レンズ１２７により、第３成形アパーチャ
（キャラクタアパーチャ）１０９上に結像される。第３
成形アパーチャ１０９上には、基本パターン形状をした
開口（これを以下、キャラクタ開口と呼ぶ）が複数個設
けられており、描画データに定義された順番に従って、
これらのキャラクタ開口が順次選択されてビームで照射
される。このキャラクタ開口の選択は、キャラクタ選択
偏向系によってビームを偏向してアパーチャ上のビーム
照射位置を制御することで行われる。キャラクタ選択偏
向系は、キャラクタ選択偏向器１１０，キャラクタ選択
偏向アンプ１２１，キャラクタ選択偏向アンプ１２１に
偏向データを送るパターンデータデコーダ１１９から構
成されている。

【００２２】第２成形アパーチャ１０７を通過した電子
ビームは、キャラクタ開口上の照射位置をキャラクタ選
択偏向器１１０によって制御される。また、照射領域
は、第１，第２成形アパーチャ１０５，１０７の各アパ
ーチャの光学的重なりを成形偏向器１０８によって制御
することにより決定される。これにより、キャラクタ開
口の一部だけを照射することが可能となり、一つのキャ
ラクタ開口から種類の異なる形状の電子ビームを発生す
ることが可能となる。

【００２３】キャラクタアパーチャ１０９を通過した電
子ビーム１０２は、縮小レンズ１１１及び対物レンズ１
１３により縮小され試料１１５上に結像される。そし
て、電子ビーム１０２の試料面上の位置は対物偏向器１
１２により試料１１５上に設定される。試料１１５上の
電子ビーム１０２の位置は、位置データを送るパターン
データデコーダ１１９、対物偏向器１１２に電圧を印加
する対物偏向アンプ１２０で制御される。試料１１５
は、ファラデーカップ１１６，電子ビーム寸法測定用マ
ーク台１１７と共に可動ステージ１１４上に設置され
る。そして、可動ステージ１１４を移動することで、試
料１１５，ファラデーカップ１１６，又は電子ビーム寸
法測定用マーク台１１７を選択することができるように
なっている。

【００２４】試料１１５上の電子ビーム１０２の位置を
移動する場合、試料１１５上の不必要な場所に露光され
ないように、電子ビーム１０２をブランキング電極１２
８で電子ビーム１０２を偏向し、ブランキングアパーチ
ャ１２９で電子ビーム１０２をカットして試料面上に到
達しないようにする。ブランキング偏向器１２８への偏
向電圧の制御はブランキングアンプ１２３で制御され
る。

【００２５】なお、全ての描画制御データはパターンデ
ータメモリ１１８に格納されており、このメモリ１１８
の内容をパターンデータデコーダ１１９で読み出して、
各種の制御を行うようになっている。また、図中の１２
４はクロスオーバ像、１２５は重金属粒子、１２６は反
射電子検出器を示している。

【００２６】この露光方式を半導体装置のコンタクトホ
ール層に適用する場合、キャラクタアパーチャ１０９上
にホールアレイの開口を設け、その一部にビームを照射
することにより、任意の個数のホールパターンを一括転
写することができる。これにより、ホールを１個ずつ露
光する可変成形ビーム方式に比べて露光回数を大幅に低
減できる。また、ホールの配列数に応じて別々のキャラ
クタ開口を用意する場合に比べて、１個の開口を用意す
るだけで任意の個数のホールアレイに対応可能であり、
アパーチャ上に配置するキャラクタ種類数を増やし、ひ
いてはキャラクタビームを用いて露光するパターンの比
率を大幅に高め、ビーム照射回数の低減、描画スループ
ットの向上を図ることができる。

【００２７】このような露光方式を実現するためにはキ
ャラクタアパーチャ上を電子ビームで選択的に照射する
ための描画データが必要である。そこで本発明では、以
下の実施形態のようにして描画データを作成する。

【００２８】図２は、本発明の一実施形態に係わる描画
データ作成方法及び電子ビーム描画方法を説明するため
のフローチャートである。

【００２９】まず、第１の工程として、設計パターンの
少なくとも一組の対向する辺を指定の量だけ外側に移動
させる（Ｐ１）。コンタクトホールパターンの場合は、
全ての辺を指定量だけ外側に移動させる。次いで、第２
の工程として、Ｐ１工程によって得られたパターン間の
重なりを除去し、パターンを融合処理する（Ｐ２）。続
いて、第３の工程として、Ｐ２工程により得られた融合
パターンを複数の長方形に分解する（Ｐ３）。そして、
第４の工程として、Ｐ３工程により得られた長方形デー
タに基づいて電子ビームを成形し、この成形した電子ビ
ームを用いてキャラクタアパーチャ１０９上のデバイス
パターン開口を部分的に照射する（Ｐ４）。

【００３０】次に、図３に示した半導体デバイスのコン
タクトホール層のパターンを例に、本実施形態の各工程
の作用をより具体的に説明する。図３に示した設計パタ
ーンは、ホール寸法と配置ピッチとが１：２の比率で配
置されている例であるが、この比率は必ずしも１：２で
ある必要はない。

【００３１】図３に示す設計パターンに対しＰ１工程を
施すことにより、図４に示すように、設計データ中の各
ホールパターン１０の辺はパターン外側方向に移動され
る。本実施形態では、ホールパターン間の距離の２分の
１だけ辺を移動した。その結果、隣り合ったホールパタ
ーン同士は互いに接することになる。次いで、Ｐ２工程
を施すことにより、図５に示すように、パターンの重な
りが除去され、ホールパターン１０は融合され、１つの
融合パターン２０が形成される。次いで、この融合され
たパターン２０に対しＰ３工程を施すことにより、図６
に示すように融合パターン２０は複数の長方形２１，２
２，２３に分解される。

【００３２】そして、Ｐ４工程において、Ｐ３工程で得
られた長方形データに基づいて、電子ビームを成形し、
キャラクタアパーチャ上のキャラクタ開口を照射する。
前記図１の装置では、成形偏向器１０８により第１，第
２成形アパーチャ１０５，１０７の各アパーチャの光学
的重なりを制御し、成形されたアパーチャ像（電子ビー
ム）をキャラクタ選択偏向器１１０によりキャラクタア
パーチャ１０９上の所定の領域に照射する。

【００３３】図７は、マトリックス配置されたキャラク
タ開口（ａ）と、ビーム照射状態（ｂ）を説明するため
の図である。このように設計パターンのホール寸法と配
置ピッチに対応したキャラクタ開口がキャラクタアパー
チャ上に設けられており、描画時にはその一部に電子ビ
ームが照射され、キャラクタ開口の一部が試料面上に転
写される。

【００３４】なお、図７の塗りつぶし部分３０はコンタ
クトホール、ハッチング部分４１，４２，４３は長方形
ビームを示している。（ｂ）の（b1）は長方形ビーム２
１、（b2）は長方形ビーム２２、（b3）は長方形ビーム
２３に対応している。何れの場合も、図の左下を長方形
ビームの座標原点としている。また、キャラクタアパー
チャは必ずしも図７（ａ）のようなコンタクトホールの
みが形成されたものである必要はなく、図８に示すよう
に、複数の領域にピッチの異なるコンタクトホール群を
設けたものであってもよい。

【００３５】このように本実施形態によれば、複数のホ
ールパターンを囲む長方形データを容易に発生すること
ができる。そして、この長方形データに基づいて、その
大きさに電子ビームを成形し、キャラクタ開口上の一部
を１種類の開口から多種類の形状を切り出す制御データ
を容易に作成することが可能となる。

【００３６】図７では、３種類の転写を例として示して
いるが、各々１回のビーム照射で、１２個、８個、３個
のホールパターンを転写している。可変成形ビーム方式
で１個ずつ露光する場合には２３回のビーム照射が必要
だが、本実施形態では３回のビーム照射で露光を終了す
ることができ、８分の１に露光回数を減らすことができ
る。

【００３７】さらに、図７に示した６×６個のアレイ形
状のキャラクタ開口からは、その一部にビームを照射す
ることにより、３６種類の形状のビームを発生すること
ができる。従来のキャラクタプロジェクション方式で
は、これと同じ種類のキャラクタビームを発生しようと
すると、３６種類のキャラクタ開口をキャラクタアパー
チャ上に形成しなければならなかった。本実施形態で想
定した改良型キャラクタプロジェクション方式描画装置
の場合には、１種類の開口だけを用いて３６種類のビー
ムが発生できるため、従来の装置に比べてキャラクタア
パーチャ上に３５個の空きスペースが生まれる。その空
きスペースに他の形状の開口（例えば、ホール寸法が異
なったり、配置ピッチが異なる開口）を作ることが可能
となり、さらに多種類の形状のビームを発生させること
が可能となる。このため、描画装置のスループットを大
幅に向上させることが可能となる。その結果、キャラク
タを用いて露光できるパターンの割合が増え、露光回数
を大幅に削減することができる。

【００３８】なお、本発明は上述した実施形態に限定さ
れるものではない。実施形態では、キャラクタアパーチ
ャに形成するパターンとしてコンタクトホールを用いた
が、ライン＆スペースのパターンに適用することもでき
る。この場合はＰ１工程において、パターンの全ての辺
を外側に広げる必要はなく、ライン方向と平行な辺のみ
を外側に広げるようにすればよい。また、本発明に用い
る描画装置は図１に何ら限定されるものではなく、仕様
に応じて適宜変更可能である。さらに、本発明は電子ビ
ーム描画装置に限らず、イオンビーム描画装置に適用す
ることも可能である。

【００３９】また、実施形態において記載した手法は、
コンピュータに実行させることのできるプログラムとし
て、例えば磁気ディスク（フロッピー（登録商標）ディ
スク，ハードディスク等）、光ディスク（ＣＤ−ＲＯ
Ｍ，ＤＶＤ等）、半導体メモリなどの記録媒体に書き込
んで各種装置に適用したり、通信媒体により伝送して各
種装置に適用することも可能である。本発明を実現する
コンピュータは、記録媒体に記録されたプログラムを読
み込み、このプログラムによって動作が制御されること
により、上述した処理を実行するものであればよい。

【００４０】その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。

【００４１】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、設
計パターンの少なくとも一組の対向する辺を指定の量だ
け外側に移動させ、得られたパターン間の重なりを除去
して融合し、得られたパターンを複数の長方形に分解す
るという比較的簡単な工程で、キャラクタ用アパーチャ
上の複数の開口パターンを同時選択するための描画デー
タを作成することができる。従って、キャラクタアパー
チャ上を荷電ビームで選択的に照射するための制御デー
タを簡易に作成することができ、描画効率の向上をはか
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】電子ビーム描画装置の基本構成とその動作を説
明するための概略図。

【図２】本発明の一実施形態に係わる電子ビーム描画デ
ータの作成手順を示すフローチャート。

【図３】描画すべきコンタクトホールの設計パターンの
一例を示す図。

【図４】Ｐ１工程によりパターンの辺を配置ピッチの４
分の１だけ外側方向に移動させた状態を示す図。

【図５】Ｐ２工程によりパターンの重なりを除去して融
合させた状態を示す図。

【図６】Ｐ３工程により融合パターンを長方形に分解し
た状態を示す図。

【図７】キャラクタ開口と長方形ビームの照射状態を説
明するための図。

【図８】複数種のコンタクトホール群を配置したキャラ
クタアパーチャの例を示す図。

【符号の説明】

１０…コンタクトホールパターン２０…融合パターン２１，２２，２３…長方形パターン３０…コンタクトホール４１，４２，４３…長方形ビーム１０１…電子銃１０２…電子ビーム１０３…第１コンデンサレンズ１０４…第２コンデンサレンズ１０５…第１成形アパーチャ１０６…第１投影レンズ１０７…第２成形アパーチャ１０８…成形偏向器１０９…第３成形アパーチャ（キャラクタアパーチャ）１１０…キャラクタ選択偏向器１１１…縮小レンズ１１２…対物偏向器１１３…対物レンズ１１４…可動ステージ１１５…試料１１６…ファラデーカップ１１７…ビーム寸法測定用マーク台１１８…パターンデータメモリ１１９…パターンデータデコーダ１２０…対物偏向アンプ１２１…キャラクタ選択偏向アンプ１２２…成形偏向アンプ１２３…ブランキングアンプ１２４…クロスオーバ像１２５…重金属粒子１２６…検出器１２７…第２投影レンズ１２８…ブランキング電極１２９…ブランキング用アパーチャ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定形状の開口パターンが周期的に配列さ
れたキャラクタ用アパーチャ上を荷電ビームで選択的に
照射することにより開口パターンの複数個を試料上に同
時に転写する荷電ビーム描画方法であって、設計パターンの少なくとも一組の対向する辺を指定の量
だけ外側に移動させる工程と、該移動工程により得られ
たパターン間の重なりを除去して融合する工程と、該融
合工程により得られたパターンを複数の長方形に分解す
る工程と、該分解工程により得られた各長方形データに
基づいて荷電ビームを成形し、この成形ビームで前記ア
パーチャ上の開口パターンの複数個を照射する工程とを
含むことを特徴とする荷電ビーム描画方法。
【請求項２】前記設計パターンの辺の移動量が、パター
ン配置のスペース距離の２分の１であることを特徴とす
る請求項１記載の荷電ビーム描画方法。
【請求項３】前記開口パターンは矩形状のコンタクトホ
ールパターンであり、前記移動工程では、前記設計パタ
ーンの対向する各辺をそれぞれ指定の量だけ外側に移動
させることを特徴とする請求項１又は２記載の荷電ビー
ム描画方法。
【請求項４】前記キャラクタ用アパーチャに照射する荷
電ビームの形状を制御するために、前記キャラクタ用ア
パーチャよりも荷電ビーム源側に配置された２枚のビー
ム成形用アパーチャの光学的重なりを制御することを特
徴とする請求項１記載の荷電ビーム描画方法。
【請求項５】所定形状の開口パターンが周期的に配列さ
れたキャラクタ用アパーチャ上を荷電ビームで選択的に
照射することにより開口パターンの複数個を試料上に同
時に転写する荷電ビーム描画方法に用いられ、キャラク
タ用アパーチャに照射する荷電ビームの形状を定義付け
るための描画データを作成する描画データ作成方法であ
って、設計パターンの少なくとも一組の対向する辺を指定の量
だけ外側に移動させる工程と、該移動工程により得られ
たパターン間の重なりを除去して融合する工程と、該融
合工程により得られたパターンを長方形に分解する工程
とを含み、該分解工程により得られた長方形を描画デー
タとして出力することを特徴とする描画データ作成方
法。
【請求項６】前記設計パターンの辺の移動量が、パター
ン配置のスペース距離の２分の１であることを特徴とす
る請求項５記載の描画データ作成方法。
【請求項７】前記開口パターンは矩形状のコンタクトホ
ールパターンであり、前記移動工程では、前記設計パタ
ーンの対向する各辺をそれぞれ指定の量だけ外側に移動
させることを特徴とする請求項５又は６記載の描画デー
タ作成方法。
【請求項８】荷電ビーム描画装置をコンピュータにより
制御し、所定形状の開口パターンが周期的に配列された
キャラクタ用アパーチャ上を荷電ビームで選択的に照射
することにより開口パターンの複数個を試料上に同時に
転写させるためのプログラムであって、設計パターンの少なくとも一組の対向する辺を指定の量
だけ外側に移動させる第１ステップと、この第１ステッ
プにより得られたパターン間の重なりを除去して融合す
る第２ステップと、この第２ステップにより得られたパ
ターンを複数の長方形に分解する第３ステップと、この
第３ステップにより得られた各長方形データに基づいて
荷電ビームを成形し、この成形ビームで前記アパーチャ
上の開口パターンの複数個を照射する第４ステップと、
を実行するようにコンピュータを制御するためのプログ
ラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項９】所定形状の開口パターンが周期的に配列さ
れたキャラクタ用アパーチャ上を荷電ビームで選択的に
照射することにより開口パターンの複数個を試料上に同
時に転写する荷電ビーム描画方法に用いられ、キャラク
タ用アパーチャに照射する荷電ビームの形状を定義付け
るための描画データを作成するためのプログラムであっ
て、設計パターンの少なくとも一組の対向する辺を指定の量
だけ外側に移動させる第１ステップと、この第１ステッ
プにより得られたパターン間の重なりを除去して融合す
る第２のステップと、この第２ステップにより得られた
パターンを長方形に分解する第３ステップと、この第３
ステップにより得られた長方形を描画データとして出力
する第４ステップと、を実行するようにコンピュータを
制御するためのプログラムを格納したコンピュータ読み
取り可能な記録媒体。