JP2010510688A - セル投影粒子ビームリソグラフィのためのステンシル設計および方法 - Google Patents
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Abstract
Description
分野
この発明の分野は、粒子ビームリソグラフィに関し、特に、セル投影粒子ビームリソグラフィのためのステンシル設計および方法に関する。
現在の半導体製造プロセスでは、通常、フォトマスクを用いた光学リソグラフィが使用される。フォトマスクは、ガラス基板と、その上に描かれたマスクパターンとからなり、通常、シリコンウェハ上にデバイスのパターンを形成するために使用される。しかしながら、シリコンウェハ上にマスクパターンを光学的に転写するために使用する紫外光の波長よりもフィーチャサイズが小さくなるのに伴い、光近接効果が著しくなり、正確な転写が難しくなる。
EBDWおよびCPの、上で論じた問題を回避するために、この発明は、セル投影機能を最適に利用することにより、EB描画時間を大幅に短縮する技術を提供する。
り合うブロックパターンを取囲む十分な空間をとって、配列され得る。この空間は、個々のブロックパターンのうちの1つの部分投影を選択的に可能にするだけの大きさを有するマージンを含む。
本明細書では、図面を参照してこの発明のさまざまな実施形態を説明する。図面が縮尺通りに描かれていないこと、および、類似する構造または機能の要素が、図面全体に亘って同じ参照番号によって表わされていることに注意されたい。
可能な2個のブロックパターンA150およびB152が含まれ、周辺領域は、空間156および158を含む。ステンシルマスクは、同一のセル領域154内に個々に使用可能な2個以上のブロックパターン150および152を含むセルパターンを含み得、加えて、セル領域154の周辺区域内に十分な空間156および158を保持する。この空間156および158は、隣接するセルパターン160および162が同時に露光されることなく、このセルパターンの一部(ブロックパターン)が部分投影により露光され得るように、十分に広くなければならない。換言すると、隣接するセルパターン160および162はいずれも、露光領域164の場所が、図3の場合においてたとえばブロックパターンA150またはB152の1つのみを含むように調節される場合、当該隣接するセルパターンのどのような部分も露光領域164内に含まれないように、十分に離して位置決めされる。
より小さな数の反復を伴う任意のサブパターンが部分投影によって露光され得るように、十分に広くなければならない。
0を選択することにより、異なる駆動能力を有するインバータのセルパターン400の一例を示す。一局面において、図9の例は、右側に反復パターンを有する実施形態を示すが、この発明は、それとは反対の左側の実施形態、および、これらの構成の各々が垂直方向に存在する実施形態も含む。
したがって、CP機能を用いて描画速度およびスループットを大いに改善することのできるステンシル自体とに関する。
Claims (77)
- 粒子ビームリソグラフィのための方法であって、
ステンシルマスクから複数のセルパターンのうちの1つを選択するステップと、
前記セルパターンを粒子ビームに部分的に曝露して、前記セルパターンの一部を基板上に選択的に投影するステップとを含む、方法。 - 粒子ビームリソグラフィは、電子ビーム(EB)リソグラフィを含み、前記粒子ビームは電子ビームを含む、請求項1に記載の方法。
- 粒子ビームリソグラフィは、光学(光)レーザリソグラフィを含み、前記粒子ビームは光学(光)レーザビームを含む、請求項1に記載の方法。
- 粒子ビームリソグラフィは、X線ビームリソグラフィを含み、前記粒子ビームはX線ビームを含む、請求項1に記載の方法。
- 各セルパターンは、前記ステンシルマスクに形成されたアパーチャを含む、請求項1に記載の方法。
- 各セルパターンは、電子回路ブロックを示すステンシルパターンを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記電子回路ブロックは、インバータ、フリップフロップ、論理ゲート、またはメモリセルを含むスタンダードセルライブラリ内のセルである、請求項6に記載の方法。
- 前記ステンシルマスク内の前記セルパターンは、1つのセル領域内で互いに隣り合う、個々に使用可能な少なくとも2個のブロックパターンを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記セルパターンは、矩形の、三角形の、直線の、または多角形の、形状または輪郭を含む、請求項8に記載の方法。
- 隣り合うブロックパターンを取囲む空間が確保され、前記空間は、個々のブロックパターンの少なくとも1つの部分投影を選択的に可能にするだけの大きさを有するマージンを含む、請求項8に記載の方法。
- 個々に使用可能なブロックパターンは、前記セル領域内において垂直方向または水平方向のいずれかで互いに隣り合うように配列される、請求項8に記載の方法。
- 前記個々に使用可能なブロックパターンは、垂直方向および水平方向の両方で互いに隣り合うように配列される、請求項8に記載の方法。
- 前記ステンシルマスク内の前記セルパターンは、少なくとも1つのブロックパターンと複数の反復パターンとを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記複数の反復パターンは周期的に反復する、請求項13に記載の方法。
- 前記基板上に投影された前記セルパターンの前記一部は、前記少なくとも1つのブロックパターンと少なくとも1つの反復パターンとを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記ステンシルマスク内の隣り合うブロックパターンと反復パターンとを取囲む空間が
確保され、前記空間は、少なくとも1つのブロックパターンと前記反復パターンの指定された一部との部分投影を可能にするだけの大きさを有するマージンを含む、請求項13に記載の方法。 - 粒子ビームリソグラフィのための方法であって、
露光領域を規定する第1のアパーチャを介して粒子ビームを投影するステップと、
セルパターンを規定する第2のアパーチャを介して前記粒子ビームを方向付けるステップと、
前記第1のアパーチャをマスクとして用いて前記第2のアパーチャの前記露光領域を限定することによって、前記粒子ビームに前記セルパターンを部分的に曝露することにより、基板上に前記セルパターンの一部を選択的に投影するステップとを含む、方法。 - 粒子ビームリソグラフィは、電子ビーム(EB)リソグラフィを含み、前記粒子ビームは電子ビームを含む、請求項17に記載の方法。
- 粒子ビームリソグラフィは、光学(光)レーザリソグラフィを含み、前記粒子ビームは光学(光)レーザビームを含む、請求項17に記載の方法。
- 粒子ビームリソグラフィは、X線ビームリソグラフィを含み、前記粒子ビームはX線ビームを含む、請求項17に記載の方法。
- 前記第1のアパーチャは露光マスクに形成される、請求項17に記載の方法。
- 前記第1のアパーチャは、矩形のアパーチャを含む、請求項17に記載の方法。
- 前記第2のアパーチャは、ステンシルマスクに形成される、請求項17に記載の方法。
- 前記第2のアパーチャまたはセルパターンは、ステンシルマスクに形成された複数の第2のアパーチャまたはセルパターンのうちの1つである、請求項17に記載の方法。
- ステンシルマスク内の前記セルパターンは、1つのセル領域内で互いに隣り合う、個々に使用可能な少なくとも2個のブロックパターンを含む、請求項17に記載の方法。
- 前記セルパターンは、矩形の、三角形の、または直線の、形状または輪郭を含む、請求項25に記載の方法。
- 前記隣り合うブロックパターンを取囲む空間が確保され、前記空間は、個々のブロックパターンのうちの1つの部分投影を選択的に可能にするだけの大きさを有するマージンを含む、請求項25に記載の方法。
- 前記個々に使用可能なブロックパターンは、前記セル領域内において垂直方向または水平方向のいずれかで互いに隣り合うように配列される、請求項25に記載の方法。
- 前記個々に使用可能なブロックパターンは、垂直方向および水平方向の両方で互いに隣り合うように配列される、請求項25に記載の方法。
- ステンシルマスク内の前記セルパターンは、少なくとも1つのブロックパターンと複数の反復パターンとを含む、請求項17に記載の方法。
- 前記複数の反復パターンは周期的に反復する、請求項30に記載の方法。
- 前記基板上に投影された前記セルパターンの前記一部は、前記少なくとも1つのブロックパターンと少なくとも1つの反復パターンとを含む、請求項30に記載の方法。
- 前記ステンシルマスク内の隣り合うブロックパターンと反復パターンとを取囲む空間が確保され、前記空間は、1つのブロックパターンと前記反復パターンの指定された一部との部分投影を可能にするだけの大きさを有するマージンを含む、請求項30に記載の方法。
- 粒子ビームリソグラフィのためのシステムであって、
粒子ビーム源と、
セルパターンを規定するアパーチャを有するステンシルマスクとを備え、前記粒子ビーム源に前記セルパターンの一部を選択的に曝露することにより、基板上に前記セルパターンの部分画像が形成される、システム。 - 粒子ビームリソグラフィは、電子ビーム(EB)リソグラフィを含み、前記粒子ビーム源は電子ビーム源を含む、請求項34に記載のシステム。
- 粒子ビームリソグラフィは、光学(光)レーザリソグラフィを含み、前記粒子ビーム源は光学(光)レーザビーム源を含む、請求項34に記載のシステム。
- 粒子ビームリソグラフィは、X線ビームリソグラフィを含み、前記粒子ビーム源はX線ビーム源を含む、請求項34に記載のシステム。
- 前記ステンシルマスク内の前記セルパターンは、1つのセル領域内で互いに隣り合う、個々に使用可能な少なくとも2個のブロックパターンを含む、請求項34に記載のシステム。
- 前記セルパターンは、矩形の、三角形の、直線の、または多角形の、形状または輪郭を含む、請求項38に記載のシステム。
- 隣り合うブロックパターンを取囲む空間が確保され、前記空間は、個々のブロックパターンの少なくとも1つの部分投影を選択的に可能にするだけの大きさを有するマージンを含む、請求項38に記載のシステム。
- 個々に使用可能なブロックパターンは、前記セル領域内において垂直方向または水平方向のいずれかで互いに隣り合うように配列される、請求項38に記載のシステム。
- 前記個々に使用可能なブロックパターンは、垂直方向および水平方向の両方で互いに隣り合うように配列される、請求項38に記載のシステム。
- 前記ステンシルマスク内の前記セルパターンは、少なくとも1つのブロックパターンと複数の反復パターンとを含む、請求項34に記載のシステム。
- 前記複数の反復パターンは周期的に反復する、請求項43に記載のシステム。
- 前記基板上に投影された前記セルパターンの前記一部は、前記少なくとも1つのブロックパターンと少なくとも1つの反復パターンとを含む、請求項43に記載のシステム。
- 前記ステンシルマスク内の隣り合うブロックパターンと反復パターンとを取囲む空間が
確保され、前記空間は、少なくとも1つのブロックパターンと前記反復パターンの指定された一部との部分投影を可能にするだけの大きさを有するマージンを含む、請求項43に記載のシステム。 - 粒子ビームリソグラフィのためのシステムであって、
粒子ビーム源と、
前記粒子ビーム源への曝露のために位置付けられた第1のマスクとを備え、前記第1のマスクは、露光領域を規定する第1のアパーチャを有し、前記システムはさらに、
前記第1のマスクの下方かつ基板の上方に位置付けられた第2のマスクを備え、前記第2のマスクは、セルパターンを規定する第2のアパーチャを有し、
前記第1のアパーチャに前記粒子ビーム源を露光し、前記第2のアパーチャに前記粒子ビーム源を選択的に露光することにより、前記基板上に前記セルパターンの部分画像が形成される、システム。 - 粒子ビームリソグラフィは、電子ビーム(EB)リソグラフィを含み、前記粒子ビーム源は電子ビーム源を含む、請求項47に記載のシステム。
- 粒子ビームリソグラフィは、光学(光)レーザリソグラフィを含み、前記粒子ビーム源は光学(光)レーザビーム源を含む、請求項47に記載のシステム。
- 粒子ビームリソグラフィは、X線ビームリソグラフィを含み、前記粒子ビーム源はX線ビーム源を含む、請求項47に記載のシステム。
- ステンシルマスク内の前記セルパターンは、1つのセル領域内で互いに隣り合う、個々に使用可能な少なくとも2個のブロックパターンを含む、請求項47に記載のシステム。
- 前記セルパターンは、矩形の、三角形の、直線の、または多角形の、形状または輪郭を含む、請求項51に記載のシステム。
- 隣り合うブロックパターンを取囲む空間が確保され、前記空間は、個々のブロックパターンの少なくとも1つの部分投影を選択的に可能にするだけの大きさを有するマージンを含む、請求項51に記載のシステム。
- 個々に使用可能なブロックパターンは、前記セル領域内において垂直方向または水平方向のいずれかで互いに隣り合うように配列される、請求項51に記載のシステム。
- 前記個々に使用可能なブロックパターンは、垂直方向および水平方向の両方で互いに隣り合うように配列される、請求項51に記載のシステム。
- ステンシルマスク内の前記セルパターンは、少なくとも1つのブロックパターンと複数の反復パターンとを含む、請求項47に記載のシステム。
- 前記複数の反復パターンは周期的に反復する、請求項56に記載のシステム。
- 前記基板上に投影された前記セルパターンの一部は、前記少なくとも1つのブロックパターンと少なくとも1つの反復パターンとを含む、請求項56に記載のシステム。
- 前記ステンシルマスク内の隣り合うブロックパターンと反復パターンとを取囲む空間が確保され、前記空間は、少なくとも1つのブロックパターンと前記反復パターンの指定された一部との部分投影を可能にするだけの大きさを有するマージンを含む、請求項56に
記載のシステム。 - 粒子ビームリソグラフィのためのステンシルであって、
複数のセルパターンを備え、各セルパターンは、セル領域内に個々に選択可能な複数の露光領域を有し、
第1のセルパターンの第1の露光領域を粒子ビームに曝露することにより、前記第1のセルパターンの少なくとも一部の第1の画像が基板上に選択的に投影され、
前記第1の露光領域とは異なる、前記第1のセルパターンの第2の露光領域を粒子ビームに曝露することにより、前記第1の画像とは異なる、前記第1のセルパターンの少なくとも別の一部の第2の画像が前記基板上に選択的に投影される、ステンシル。 - 粒子ビームリソグラフィは、電子ビーム(EB)リソグラフィを含み、前記粒子ビームは電子ビームを含む、請求項60に記載のステンシル。
- 粒子ビームリソグラフィは、光学(光)レーザリソグラフィを含み、前記粒子ビームは光学(光)レーザビームを含む、請求項60に記載のステンシル。
- 粒子ビームリソグラフィは、X線ビームリソグラフィを含み、前記粒子ビームはX線ビームを含む、請求項60に記載のステンシル。
- 各セルパターンは、セル領域内で互いに隣り合う、個々に使用可能な少なくとも2個のブロックパターンを含む、請求項60に記載のステンシル。
- 各セルパターンは、矩形の、三角形の、または直線の、形状または輪郭を含み、それにより、各セルパターンは、互いに結合するように構成される、請求項64に記載のステンシル。
- 前記隣り合うブロックパターンを取囲む空間が確保され、前記空間は、個々のブロックパターンの少なくとも1つの部分投影を選択的に可能にするだけの大きさを有するマージンを含む、請求項64に記載のステンシル。
- 前記個々に使用可能なブロックパターンは、前記セル領域内において垂直方向または水平方向のいずれかで互いに隣り合うように配列される、請求項64に記載のステンシル。
- 前記個々に使用可能なブロックパターンは、垂直方向および水平方向の両方で互いに隣り合うように配列される、請求項64に記載のステンシル。
- 少なくとも1つのセルパターンは、少なくとも1つのブロックパターンと複数の反復パターンとを含む、請求項60に記載のステンシル。
- 前記複数の反復パターンは周期的に反復する、請求項69に記載のステンシル。
- 前記基板上に投影された前記セルパターンは、前記少なくとも1つのブロックパターンと少なくとも1つの反復パターンとを含む、請求項69に記載のステンシル。
- 隣り合うブロックパターンと反復パターンとを取囲む空間が確保され、前記空間は、1つのブロックパターンと前記反復パターンの指定された一部との部分投影を可能にするだけの大きさを有するマージンを含む、請求項69に記載のステンシル。
- 回路を製作するための方法であって、
ウェハを提供するステップと、
粒子ビーム源を提供するステップと、
ステンシルマスクから複数のセルパターンのうちの1つを選択するステップと、
粒子ビームに前記セルパターンを部分的に曝露して、前記ウェハ上に前記セルパターンの一部を選択的に投影して、前記回路を描画するステップとを含む、方法。 - 回路を製作するための方法であって、
ウェハを提供するステップと、
粒子ビーム源を提供するステップと、
露光領域を規定する第1のアパーチャを介して粒子ビームを投影するステップと、
セルパターンを規定する第2のアパーチャを介して前記粒子ビームを方向付けるステップと、
前記第1のアパーチャをマスクとして用いて前記第2のアパーチャの露光領域を限定することによって、前記粒子ビームに前記セルパターンを部分的に曝露することにより、ウェハ上に前記セルパターンの一部を選択的に投影し、前記回路を描画するステップとを含む、方法。 - 回路を製作するための方法であって、
ウェハを提供するステップと、
粒子ビーム源を提供するステップと、
セルパターンを規定するアパーチャを有するステンシルマスクを提供するステップと、
前記粒子ビーム源に前記セルパターンの一部を選択的に曝露することにより、前記ウェハ上に前記セルパターンの部分画像を形成し、前記回路を描画するステップとを含む、方法。 - 回路を製作するための方法であって、
ウェハを提供するステップと、
粒子ビーム源を提供するステップと、
前記粒子ビーム源に曝露するために第1のマスクを位置付けるステップとを含み、前記第1のマスクは露光領域を規定する第1のアパーチャを有し、前記方法はさらに、
前記第1のマスクの下方かつ基板の上方に第2のマスクを位置付けるステップを含み、前記第2のマスクは、セルパターンを規定する第2のアパーチャを有し、前記方法はさらに、
前記第1のアパーチャに前記粒子ビーム源を露光し、前記第2のアパーチャに前記粒子ビーム源を選択的に露光して、前記ウェハ上に前記セルパターンの部分画像を形成し、前記回路を描画するステップを含む、方法。 - 回路を製作するための方法であって、
ウェハを提供するステップと、
粒子ビーム源を提供するステップと、
複数のセルパターンを含むステンシルを提供するステップとを含み、各セルパターンは、セル領域内に個々に選択可能な複数の露光領域を有し、前記方法はさらに、
粒子ビームに第1のセルパターンの第1の露光領域を曝露し、前記ウェハ上に前記第1のセルパターンの少なくとも一部の第1の画像を選択的に投影するステップと、
前記第1の露光領域とは異なる、前記第1のセルパターンの第2の露光領域を、粒子ビームに曝露し、前記第1の画像とは異なる、前記第1のセルパターンの少なくとも別の一部の第2の画像を選択的に前記ウェハ上に投影し、前記回路を描画するステップとを含む、方法。
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