JP2005017314A - 露光マスクおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】露光装置の占有時間における生産ラインへの影響を減少できる露光マスクおよび半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、1枚の透光性基板10に所定の遮光パターンを有するパターン領域A〜Cが複数のブロックBA1、BA2、BB、BCに分かれて配置される露光マスク1において、この複数のブロックブロックBA1、BA2、BB、BCとして、異なるレイヤへの露光を行うものが透光性基板10に配置されるとともに、一のレイヤへの露光を行うブロックの数と他のレイヤへの露光を行うブロックの数とが異なっているものである。
【選択図】 図1
【解決手段】本発明は、1枚の透光性基板10に所定の遮光パターンを有するパターン領域A〜Cが複数のブロックBA1、BA2、BB、BCに分かれて配置される露光マスク1において、この複数のブロックブロックBA1、BA2、BB、BCとして、異なるレイヤへの露光を行うものが透光性基板10に配置されるとともに、一のレイヤへの露光を行うブロックの数と他のレイヤへの露光を行うブロックの数とが異なっているものである。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、透光性基板に所定の遮光パターン領域を有する複数のブロックが設けられた露光マスクおよび半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子または液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、露光マスクまたはレチクルのパターン像を投影光学系を介して例えば1/4程度に縮小し、感光材(フォトレジスト等)が塗布された基板(ウエハ、ガラスプレート等)上に露光する投影露光装置が使用されている。半導体素子等の集積度が向上するにつれて、投影露光装置に使用されている投影光学系に要求される解像力は益々高まっている。
【0003】
また、使用される光マスクのパターンも微細化されてきており、90nm世代では、露光マスク上でも0.3μm以下のパターンが使用されるようになってきている。このような高精度の露光マスクを製造するためには、より高価な描画装置、検査装置を使用することが必要である。
【0004】
さらに、パターン数の増大に対してマスク描画装置のスループットの性能向上が追いつかず、マスクの生産性が大きく下がってきている。よって、必然的にマスクの製造コストが高騰してきている。
【0005】
従来、1枚の露光マスクには、1つの工程(例えば、素子分離層、ゲート層、配線層、コンタクトホール層)に対応したパターン(チップ)のみが配置されるが、露光マスクの製造コストを抑えるために1枚の基板に対して複数の露光工程で使用するパターンのブロックを混在させた技術が開示されている(例えば、特許文献1参照。)。
【0006】
この特許文献1に記載の技術を用いて、例えば、従来30枚の露光マスクで製造していた半導体装置を5枚の露光マスクで製造すれば、単純には、露光マスクのコストは1/6となって大幅に低減できる。ただし、1回の露光エリアが小さくなるので、1枚のウエハを処理する効率は下がる。したがって、特許文献1に記載の技術では、ウエハから半導体装置を少量製造する場合、あるいは設計回路を検証する場合であって、少量のウエハのみ必要な場合に効果的である。
【0007】
【特許文献1】
実開平5−8935号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、高精度なレイヤの露光に使用する縮小露光装置(ステッパ、スキャナ)は高額であり、装置の占有時間が長いとそれだけ露光マスクの製造コストがかかることになる。この点、1枚の基板に配置される複数のブロックが全て異なるレイヤに対する露光を行うものである場合、1回の露光で形成される領域(チップ数)が同じであることから、クリティカルなレイヤでもラフなレイヤでも1レイヤのブロックに対する露光装置の占有時間が同じとなる。したがって、各レイヤの露光精度に応じた効率の良い露光装置の利用という観点において、従来の技術では十分対応できないという問題が生じる。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような課題を解決するために成されたものである。すなわち、本発明は、1枚の透光性基板に所定の遮光パターンを有するパターン領域が複数のブロックに分かれて配置される露光マスクにおいて、この複数のブロックとして、異なるレイヤへの露光を行うものが透光性基板に配置されるとともに、一のレイヤへの露光を行うブロックの数と他のレイヤへの露光を行うブロックの数とが異なっているものである。
【0010】
また、本発明は、露光マスクとして、1枚の透光性基板に所定の遮光パターンを有するパターン領域が複数のブロックに分かれて配置され、かつ複数のブロックとして異なるレイヤへの露光を行うものが透光性基板に配置されているものを用いてレイヤ毎の露光を行う半導体装置の製造方法であり、異なるレイヤのうち、一のレイヤについての1回の露光対象となるブロックの数と、他のレイヤについての1回の露光対象となるブロックの数とが異なっている方法である。
【0011】
このような本発明では、一のレイヤについてのブロックの数が、他のレイヤについてのブロックの数より多くなっていることで、一のレイヤにおける1回の露光対象となるブロックの数が他のレイヤにおけるブロックより多くなるため、1回の露光で一のレイヤにおけるブロックのパターンを他のレイヤにおけるブロックのパターンより多く形成できるようになる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図に基づき説明する。図1は、本実施形態に係る露光マスクを説明する模式図である。すなわち、この露光マスク1は、1枚の透光性基板10に所定の遮光パターンを有するパターン領域A〜Cが複数のブロックBA1、BA2、BB、BCに分かれて配置される構成であり、この配置される複数のブロックBA1、BA2、BB、BCによって異なるレイヤへの露光を行うことができるようになっている。
【0013】
例えば、ブロックBA1およびブロックBA2は第1のレイヤにおける露光を行うパターン領域Aを備え、ブロックBBは第2のレイヤにおける露光を行うパターン領域Bを備え、ブロックBCは第3のレイヤにおける露光を行うパターン領域Cを備えている。なお、ここでは、一つのパターン領域が一つのチップに対応している。
【0014】
本実施形態の露光マスク1では、一のレイヤへの露光を行うブロックの数が、他のレイヤへの露光を行うブロックの数と異なっている点に特徴がある。つまり、図1に示す例では、第1のレイヤへの露光を行うブロックとして、ブロックBA1、BA2の2つが配置され、第2のレイヤへの露光を行うブロックとして、ブロックBBの1つが配置され、第3のレイヤへの露光を行うブロックとして、ブロックBCの1つが配置されている。
【0015】
このようなブロックの配置によって、第1のレイヤへの露光を行う際にはブロックBA1、BA2の2つのブロックを用いた露光を行うことができ、第2、第3のレイヤへの露光を行うブロックBB、BCに比べて2倍の露光領域を得ることができる。
【0016】
したがって、図1に示す例では、1つのブロックに4つのパターン領域(チップ)が配置されているため、第1のレイヤについては1回の露光で2ブロックすなわち8チップ分の露光を行うことができる。なお、第2、第3のレイヤでは1回の露光で各々4チップ分の露光となる。
【0017】
このように、第1のレイヤについてのブロック数を第2、第3のレイヤについてのブロック数より多くすることで、第1のレイヤを形成するための露光装置の占有時間を少なくすることができるようになる。
【0018】
図2は、複数のブロックを連結した例を示す模式図である。すなわち、この露光マスク1では、図1に示す露光マスク1におけるブロックBA1、BA2を連結したものである。この露光マスク1でも、図1に示す露光マスク1と同様に、第1のレイヤに対応したブロックが2つあるため、第1のレイヤに対応したブロックBA1、BA2による1回の露光で2つのブロックに対応した露光を行うことができ、他のレイヤの露光よりも露光装置の占有時間を少なくできるようになる。
【0019】
また、第1のレイヤに対応したブロックBA1、BA2がこのように連結して設けられることで、露光によって形成されるパターン領域(チップ)の形成ピッチを均一にすることができ、1枚のウエハから理収良くチップを形成できるようになる。
【0020】
つまり、1つのブロックBB、BCにおける4つのチップのピッチと、連結した2つのブロックBA1、BA2における8つのチップのピッチとが同じとなり、1つのブロックBB、BCにおける4つのチップのピッチで連続した露光を行うことができ、1枚のウエハから多くのチップを得ることができるようになる。
【0021】
ここで、比較のために図3を用いて従来の露光マスクの説明を行う。図3(a)に示すように、従来では一つのレイヤにおけるパターン領域(例えば、A〜D)についてはそれぞれ1枚の透光性基板10にまとめて形成されている。図3(a)に示す例では、1枚の透光性基板10にパターン領域Aが4×4で合計16個配置され、同様にパターン領域B〜Dも1枚の透光性基板10に4×4で合計16個配置されている。
【0022】
この場合、1回の露光で16チップ分を形成できるため、大量生産を行う場合に適している。しかしながら、各パターン領域毎に1枚の露光マスクが必要となるため、パターン領域の数(種類)だけ露光マスクが必要となる。
【0023】
これに対し、図3(b)に示す露光マスクでは、1枚の透光性基板10に複数のパターン領域を配置したものとなっている。ここでは、同じ種類のパターン領域A〜Dの各々について4チップレイアウトし、ブロックBA〜BDを1枚の透光性基板10に配置している。
【0024】
したがって、この露光マスクでは、1回の露光で4チップ分の形成となり、先に説明した露光マスクに比べて露光領域は1/4となるが、露光マスクの枚数を1/4に減らすことができる。
【0025】
ところが、図3(b)に示す露光マスクでは、どのブロックについても露光領域が同じであるため、1つのレイヤを形成するための露光として露光装置を占有する時間が同じとなる。このため、クリティカルレイヤに対する露光を行うブロックでも、ラフレイヤに対する露光を行うブロックでも露光装置の占有時間が同じとなるため、露光装置の効率的な利用を図ることができない。つまり、クリティカルレイヤの露光では高精度(高価)な露光装置を用いるため、なるべく露光装置の占有時間を短くするのが望ましい。
【0026】
そこで、図1、図2に示す本実施形態のように、一のレイヤ(例えば、第1のレイヤ)についてのブロックとしてブロックBA1、BA2の2つを配置し、他のレイヤ(例えば、第2、第3のレイヤ)についてのブロック数より多くすることで、第1のレイヤを形成するための露光装置の占有時間を少なくすることができるようになる。
【0027】
ここでは、クリティカルか否かの判断として、例えば各ブロックによる形成されるパターンの最小線幅によって区別を行っている。すなわち、各ブロックBA1、BA2、BB、BCにより形成されるパターンの最小線幅が異なり、第1のレイヤを露光するブロックBA1、BA2によるパターンの最小線幅が最も小さいとすると、ブロックBA1、BA2がクリティカルレイヤに対応するものとなり、最も高精度の露光装置を使用して1回の露光で2つのブロックBA1、BA2を同時に露光できるようになる。これによって高精度の露光装置を占有する時間を短くでき、製造コストの低減を図ることが可能となる。
【0028】
本実施形態に係る露光マスク1を用いて半導体装置を製造するには、第1のレイヤにおける露光の領域と、第2、第3のレイヤにおける露光の領域とを変えるようにして行う。すなわち、第1のレイヤにおける露光では、ブロックBA1、BA2の2つのブロックを同時に露光できるよう光の照射エリアを広げ、1回の露光でブロックBA1、BA2の2つのブロックを一括して露光できるようにする。
【0029】
また、第2のレイヤについての露光では、ブロックBBの1つを露光するよう光の照射エリアを設定し、1回の露光でブロックBBの1つを露光する。同様に、第3のレイヤについての露光では、ブロックBCの1つを露光するよう光の照射エリアを設定し、1回の露光でブロックBCの1つを露光する。
【0030】
このような露光によって半導体装置を製造すれば、図3(a)に示すようなパターン領域の数だけ露光マスクの枚数が必要となるようなことがなく、全体として露光マスクの枚数を減らすことができるとともに、高精度な露光が要求されるパターンの形成では他のパターンに比べて露光装置の占有時間を短くすることができ、これらのことより半導体装置の製造に関わるトータルのコストを低減できるようになる。
【0031】
また、本実施形態では、同じパターン領域のブロックを複数設け、これらを一括して露光する場合以外にも、一方のブロックを他方のブロックの予備として利用することも可能である。例えば、一方のブロックの遮光パターンに欠陥がある場合でも、他方のブロックを用いるようにすれば露光マスク全体の作り直しを行わなくて済むようになる。
【0032】
また、図4に示す例では、同じレイヤへの露光を行うブロックとして、ブロックBA1、BA2’の2つがある場合、これらのブロックBA1、BA2’を構成するパターン領域A、A’の遮光パターンが一部のみ相違しているものを用いている。
【0033】
例えば、OPC(Optical Proximity Correction)ルールを2通り試してみたい場合、OPC対象レイヤ(図4のパターン領域A)において、パターン領域AおよびOPCルールの異なるパターン領域A’を同じ露光マスクに配置して、ブロックBA1、BA2’を同時に露光することにより、1枚のウエハに1回の露光で2通りのOPCルールを作成することが可能となる。
【0034】
また、図5に示す例では、1つのブロック(ここではブロックBA1)に、遮光パターンの一部のみ異なるパターン領域A、A’を配置している。これにより、1回の露光でブロック内の左右のチップで条件(例えば、OPCルール)の異なるパターンを形成することが可能となる。
【0035】
図4、図5に示すような利用により、同じレイヤに同じ露光条件で異なるパターンを形成でき、露光の条件出しや試作を低コストで実現できるようになる。
【0036】
なお、上記実施形態では、主として2×2の4つのチップで1つのブロックを構成し、このブロックが1枚の露光マスク1に4つ配置されている例を説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、1つのブロックに5つ以上のチップを備えていても、また、1枚の露光マスク1に5つ以上のブロックが配置されていてもよい。また、本実施形態では、一のレイヤに対応したブロックが2つ、他のレイヤに対応したブロックが1つの例を示したが、一のレイヤに対応したブロックが3つ以上ある場合でも、他のレイヤに対応したブロックがこれより少ない構成であれば種々のブロックレイアウトで適用可能である。
【0037】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば次のような効果がある。すなわち、1枚に複数工程の回路パターンを有する露光マスクを使用することにより、必要マスク枚数を減らすことができ、マスク作成にかかるコストの低減を図ることが可能となる。また、露光マスク内のブロックの配置数をレイヤによって変えることにより、トータルコストの低減、または露光装置の占有時間における生産ラインへの影響を減少できるようになる。これにより、半導体装置など露光を用いて製造する製品のコストダウンを図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態に係る露光マスクを説明する模式図である。
【図2】複数のブロックを連結した例を示す模式図である。
【図3】従来の露光マスクを説明する模式図である。
【図4】本実施形態の他の例を説明する模式図(その1)である。
【図5】本実施形態の他の例を説明する模式図(その2)である。
【符号の説明】
1…露光マスク、10…透光性基板、BA1…ブロック、BA2…ブロック、BB…ブロック、BC…ブロック
【発明の属する技術分野】
本発明は、透光性基板に所定の遮光パターン領域を有する複数のブロックが設けられた露光マスクおよび半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子または液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、露光マスクまたはレチクルのパターン像を投影光学系を介して例えば1/4程度に縮小し、感光材(フォトレジスト等)が塗布された基板(ウエハ、ガラスプレート等)上に露光する投影露光装置が使用されている。半導体素子等の集積度が向上するにつれて、投影露光装置に使用されている投影光学系に要求される解像力は益々高まっている。
【0003】
また、使用される光マスクのパターンも微細化されてきており、90nm世代では、露光マスク上でも0.3μm以下のパターンが使用されるようになってきている。このような高精度の露光マスクを製造するためには、より高価な描画装置、検査装置を使用することが必要である。
【0004】
さらに、パターン数の増大に対してマスク描画装置のスループットの性能向上が追いつかず、マスクの生産性が大きく下がってきている。よって、必然的にマスクの製造コストが高騰してきている。
【0005】
従来、1枚の露光マスクには、1つの工程(例えば、素子分離層、ゲート層、配線層、コンタクトホール層)に対応したパターン(チップ)のみが配置されるが、露光マスクの製造コストを抑えるために1枚の基板に対して複数の露光工程で使用するパターンのブロックを混在させた技術が開示されている(例えば、特許文献1参照。)。
【0006】
この特許文献1に記載の技術を用いて、例えば、従来30枚の露光マスクで製造していた半導体装置を5枚の露光マスクで製造すれば、単純には、露光マスクのコストは1/6となって大幅に低減できる。ただし、1回の露光エリアが小さくなるので、1枚のウエハを処理する効率は下がる。したがって、特許文献1に記載の技術では、ウエハから半導体装置を少量製造する場合、あるいは設計回路を検証する場合であって、少量のウエハのみ必要な場合に効果的である。
【0007】
【特許文献1】
実開平5−8935号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、高精度なレイヤの露光に使用する縮小露光装置(ステッパ、スキャナ)は高額であり、装置の占有時間が長いとそれだけ露光マスクの製造コストがかかることになる。この点、1枚の基板に配置される複数のブロックが全て異なるレイヤに対する露光を行うものである場合、1回の露光で形成される領域(チップ数)が同じであることから、クリティカルなレイヤでもラフなレイヤでも1レイヤのブロックに対する露光装置の占有時間が同じとなる。したがって、各レイヤの露光精度に応じた効率の良い露光装置の利用という観点において、従来の技術では十分対応できないという問題が生じる。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような課題を解決するために成されたものである。すなわち、本発明は、1枚の透光性基板に所定の遮光パターンを有するパターン領域が複数のブロックに分かれて配置される露光マスクにおいて、この複数のブロックとして、異なるレイヤへの露光を行うものが透光性基板に配置されるとともに、一のレイヤへの露光を行うブロックの数と他のレイヤへの露光を行うブロックの数とが異なっているものである。
【0010】
また、本発明は、露光マスクとして、1枚の透光性基板に所定の遮光パターンを有するパターン領域が複数のブロックに分かれて配置され、かつ複数のブロックとして異なるレイヤへの露光を行うものが透光性基板に配置されているものを用いてレイヤ毎の露光を行う半導体装置の製造方法であり、異なるレイヤのうち、一のレイヤについての1回の露光対象となるブロックの数と、他のレイヤについての1回の露光対象となるブロックの数とが異なっている方法である。
【0011】
このような本発明では、一のレイヤについてのブロックの数が、他のレイヤについてのブロックの数より多くなっていることで、一のレイヤにおける1回の露光対象となるブロックの数が他のレイヤにおけるブロックより多くなるため、1回の露光で一のレイヤにおけるブロックのパターンを他のレイヤにおけるブロックのパターンより多く形成できるようになる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図に基づき説明する。図1は、本実施形態に係る露光マスクを説明する模式図である。すなわち、この露光マスク1は、1枚の透光性基板10に所定の遮光パターンを有するパターン領域A〜Cが複数のブロックBA1、BA2、BB、BCに分かれて配置される構成であり、この配置される複数のブロックBA1、BA2、BB、BCによって異なるレイヤへの露光を行うことができるようになっている。
【0013】
例えば、ブロックBA1およびブロックBA2は第1のレイヤにおける露光を行うパターン領域Aを備え、ブロックBBは第2のレイヤにおける露光を行うパターン領域Bを備え、ブロックBCは第3のレイヤにおける露光を行うパターン領域Cを備えている。なお、ここでは、一つのパターン領域が一つのチップに対応している。
【0014】
本実施形態の露光マスク1では、一のレイヤへの露光を行うブロックの数が、他のレイヤへの露光を行うブロックの数と異なっている点に特徴がある。つまり、図1に示す例では、第1のレイヤへの露光を行うブロックとして、ブロックBA1、BA2の2つが配置され、第2のレイヤへの露光を行うブロックとして、ブロックBBの1つが配置され、第3のレイヤへの露光を行うブロックとして、ブロックBCの1つが配置されている。
【0015】
このようなブロックの配置によって、第1のレイヤへの露光を行う際にはブロックBA1、BA2の2つのブロックを用いた露光を行うことができ、第2、第3のレイヤへの露光を行うブロックBB、BCに比べて2倍の露光領域を得ることができる。
【0016】
したがって、図1に示す例では、1つのブロックに4つのパターン領域(チップ)が配置されているため、第1のレイヤについては1回の露光で2ブロックすなわち8チップ分の露光を行うことができる。なお、第2、第3のレイヤでは1回の露光で各々4チップ分の露光となる。
【0017】
このように、第1のレイヤについてのブロック数を第2、第3のレイヤについてのブロック数より多くすることで、第1のレイヤを形成するための露光装置の占有時間を少なくすることができるようになる。
【0018】
図2は、複数のブロックを連結した例を示す模式図である。すなわち、この露光マスク1では、図1に示す露光マスク1におけるブロックBA1、BA2を連結したものである。この露光マスク1でも、図1に示す露光マスク1と同様に、第1のレイヤに対応したブロックが2つあるため、第1のレイヤに対応したブロックBA1、BA2による1回の露光で2つのブロックに対応した露光を行うことができ、他のレイヤの露光よりも露光装置の占有時間を少なくできるようになる。
【0019】
また、第1のレイヤに対応したブロックBA1、BA2がこのように連結して設けられることで、露光によって形成されるパターン領域(チップ)の形成ピッチを均一にすることができ、1枚のウエハから理収良くチップを形成できるようになる。
【0020】
つまり、1つのブロックBB、BCにおける4つのチップのピッチと、連結した2つのブロックBA1、BA2における8つのチップのピッチとが同じとなり、1つのブロックBB、BCにおける4つのチップのピッチで連続した露光を行うことができ、1枚のウエハから多くのチップを得ることができるようになる。
【0021】
ここで、比較のために図3を用いて従来の露光マスクの説明を行う。図3(a)に示すように、従来では一つのレイヤにおけるパターン領域(例えば、A〜D)についてはそれぞれ1枚の透光性基板10にまとめて形成されている。図3(a)に示す例では、1枚の透光性基板10にパターン領域Aが4×4で合計16個配置され、同様にパターン領域B〜Dも1枚の透光性基板10に4×4で合計16個配置されている。
【0022】
この場合、1回の露光で16チップ分を形成できるため、大量生産を行う場合に適している。しかしながら、各パターン領域毎に1枚の露光マスクが必要となるため、パターン領域の数(種類)だけ露光マスクが必要となる。
【0023】
これに対し、図3(b)に示す露光マスクでは、1枚の透光性基板10に複数のパターン領域を配置したものとなっている。ここでは、同じ種類のパターン領域A〜Dの各々について4チップレイアウトし、ブロックBA〜BDを1枚の透光性基板10に配置している。
【0024】
したがって、この露光マスクでは、1回の露光で4チップ分の形成となり、先に説明した露光マスクに比べて露光領域は1/4となるが、露光マスクの枚数を1/4に減らすことができる。
【0025】
ところが、図3(b)に示す露光マスクでは、どのブロックについても露光領域が同じであるため、1つのレイヤを形成するための露光として露光装置を占有する時間が同じとなる。このため、クリティカルレイヤに対する露光を行うブロックでも、ラフレイヤに対する露光を行うブロックでも露光装置の占有時間が同じとなるため、露光装置の効率的な利用を図ることができない。つまり、クリティカルレイヤの露光では高精度(高価)な露光装置を用いるため、なるべく露光装置の占有時間を短くするのが望ましい。
【0026】
そこで、図1、図2に示す本実施形態のように、一のレイヤ(例えば、第1のレイヤ)についてのブロックとしてブロックBA1、BA2の2つを配置し、他のレイヤ(例えば、第2、第3のレイヤ)についてのブロック数より多くすることで、第1のレイヤを形成するための露光装置の占有時間を少なくすることができるようになる。
【0027】
ここでは、クリティカルか否かの判断として、例えば各ブロックによる形成されるパターンの最小線幅によって区別を行っている。すなわち、各ブロックBA1、BA2、BB、BCにより形成されるパターンの最小線幅が異なり、第1のレイヤを露光するブロックBA1、BA2によるパターンの最小線幅が最も小さいとすると、ブロックBA1、BA2がクリティカルレイヤに対応するものとなり、最も高精度の露光装置を使用して1回の露光で2つのブロックBA1、BA2を同時に露光できるようになる。これによって高精度の露光装置を占有する時間を短くでき、製造コストの低減を図ることが可能となる。
【0028】
本実施形態に係る露光マスク1を用いて半導体装置を製造するには、第1のレイヤにおける露光の領域と、第2、第3のレイヤにおける露光の領域とを変えるようにして行う。すなわち、第1のレイヤにおける露光では、ブロックBA1、BA2の2つのブロックを同時に露光できるよう光の照射エリアを広げ、1回の露光でブロックBA1、BA2の2つのブロックを一括して露光できるようにする。
【0029】
また、第2のレイヤについての露光では、ブロックBBの1つを露光するよう光の照射エリアを設定し、1回の露光でブロックBBの1つを露光する。同様に、第3のレイヤについての露光では、ブロックBCの1つを露光するよう光の照射エリアを設定し、1回の露光でブロックBCの1つを露光する。
【0030】
このような露光によって半導体装置を製造すれば、図3(a)に示すようなパターン領域の数だけ露光マスクの枚数が必要となるようなことがなく、全体として露光マスクの枚数を減らすことができるとともに、高精度な露光が要求されるパターンの形成では他のパターンに比べて露光装置の占有時間を短くすることができ、これらのことより半導体装置の製造に関わるトータルのコストを低減できるようになる。
【0031】
また、本実施形態では、同じパターン領域のブロックを複数設け、これらを一括して露光する場合以外にも、一方のブロックを他方のブロックの予備として利用することも可能である。例えば、一方のブロックの遮光パターンに欠陥がある場合でも、他方のブロックを用いるようにすれば露光マスク全体の作り直しを行わなくて済むようになる。
【0032】
また、図4に示す例では、同じレイヤへの露光を行うブロックとして、ブロックBA1、BA2’の2つがある場合、これらのブロックBA1、BA2’を構成するパターン領域A、A’の遮光パターンが一部のみ相違しているものを用いている。
【0033】
例えば、OPC(Optical Proximity Correction)ルールを2通り試してみたい場合、OPC対象レイヤ(図4のパターン領域A)において、パターン領域AおよびOPCルールの異なるパターン領域A’を同じ露光マスクに配置して、ブロックBA1、BA2’を同時に露光することにより、1枚のウエハに1回の露光で2通りのOPCルールを作成することが可能となる。
【0034】
また、図5に示す例では、1つのブロック(ここではブロックBA1)に、遮光パターンの一部のみ異なるパターン領域A、A’を配置している。これにより、1回の露光でブロック内の左右のチップで条件(例えば、OPCルール)の異なるパターンを形成することが可能となる。
【0035】
図4、図5に示すような利用により、同じレイヤに同じ露光条件で異なるパターンを形成でき、露光の条件出しや試作を低コストで実現できるようになる。
【0036】
なお、上記実施形態では、主として2×2の4つのチップで1つのブロックを構成し、このブロックが1枚の露光マスク1に4つ配置されている例を説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、1つのブロックに5つ以上のチップを備えていても、また、1枚の露光マスク1に5つ以上のブロックが配置されていてもよい。また、本実施形態では、一のレイヤに対応したブロックが2つ、他のレイヤに対応したブロックが1つの例を示したが、一のレイヤに対応したブロックが3つ以上ある場合でも、他のレイヤに対応したブロックがこれより少ない構成であれば種々のブロックレイアウトで適用可能である。
【0037】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば次のような効果がある。すなわち、1枚に複数工程の回路パターンを有する露光マスクを使用することにより、必要マスク枚数を減らすことができ、マスク作成にかかるコストの低減を図ることが可能となる。また、露光マスク内のブロックの配置数をレイヤによって変えることにより、トータルコストの低減、または露光装置の占有時間における生産ラインへの影響を減少できるようになる。これにより、半導体装置など露光を用いて製造する製品のコストダウンを図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態に係る露光マスクを説明する模式図である。
【図2】複数のブロックを連結した例を示す模式図である。
【図3】従来の露光マスクを説明する模式図である。
【図4】本実施形態の他の例を説明する模式図(その1)である。
【図5】本実施形態の他の例を説明する模式図(その2)である。
【符号の説明】
1…露光マスク、10…透光性基板、BA1…ブロック、BA2…ブロック、BB…ブロック、BC…ブロック
Claims (5)
- 1枚の透光性基板に所定の遮光パターンを有するパターン領域が複数のブロックに分かれて配置される露光マスクにおいて、
前記複数のブロックとして、異なるレイヤへの露光を行うものが前記透光性基板に配置されるとともに、一のレイヤへの露光を行うブロックの数と他のレイヤへの露光を行うブロックの数とが異なっている
ことを特徴とする露光マスク。 - 前記複数のブロックとして、露光によって形成するパターンの最小線幅が異なる場合、前記最小線幅が最も小さくなるブロックの数を、それ以外のブロックの数より多くする
ことを特徴とする請求項1記載の露光マスク。 - 前記一のレイヤへの露光を行うブロックが複数ある場合、それらのブロックを構成するパターン領域の遮光パターンの一部のみが相違している
ことを特徴とする請求項1記載の露光マスク。 - 露光マスクとして、1枚の透光性基板に所定の遮光パターンを有するパターン領域が複数のブロックに分かれて配置され、かつ前記複数のブロックとして異なるレイヤへの露光を行うものが前記透光性基板に配置されているものを用いて前記レイヤ毎の露光を行う半導体装置の製造方法において、
前記異なるレイヤのうち、一のレイヤについての1回の露光対象となるブロックの数と、他のレイヤについての1回の露光対象となるブロックの数とが異なっている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記複数のブロックとして、露光によって形成するパターンの最小線幅が異なる場合、前記最小線幅が最も小さくなるブロックについて予め複数のブロックを用意しておき、その最小線幅が最も小さくなるブロックについて1回の露光対象となるブロックの数を、それ以外のブロックの数より多くすることを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2005084379A (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Renesas Technology Corp | フォトマスクおよび半導体装置の製造方法 |
WO2014123030A1 (ja) * | 2013-02-07 | 2014-08-14 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | フォトマスク、フォトマスクの製造方法及び露光装置 |
CN106292199A (zh) * | 2016-09-09 | 2017-01-04 | 武汉华星光电技术有限公司 | 曝光方法 |
-
2003
- 2003-06-23 JP JP2003177682A patent/JP2005017314A/ja active Pending
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