JP2001274071A - 荷電ビーム露光装置、アパーチャ、荷電ビーム露光方法、半導体装置の製造方法、フォトマスクの製造方法、露光パターンデータ生成方法、露光パターンデータ生成装置、及び、露光パターンを生成するためのデータを記録した記録媒体 - Google Patents
荷電ビーム露光装置、アパーチャ、荷電ビーム露光方法、半導体装置の製造方法、フォトマスクの製造方法、露光パターンデータ生成方法、露光パターンデータ生成装置、及び、露光パターンを生成するためのデータを記録した記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ロジック製品のような繰り返しパターンの少
ない集積回路でもキャラクタ・プロジェクション（Ｃ
Ｐ）露光が行なえ、ＣＰ露光を行なうことによるスルー
プット向上の効果が得られ、荷電ビーム露光データが容
易に生成できる荷電ビーム露光方法を提供する。 【解決手段】 ＣＰ方式の荷電ビーム露光方法におい
て、荷電ビームをアパーチャによりデバイス設計の際に
用いられるスタンダードセルの形状に成形し、試料に縮
小照射・露光を行なう。このスタンダードセルには、使
用頻度のより高い、あるいは、ＣＰ露光を行なうことに
より可変成形ビーム露光を行なった場合よりショット数
の削減効果のより高いセルを選択する。そして、このス
タンダードセルを用いて電子回路の論理合成とこのスタ
ンダードセルの配置配線を行なう。
ない集積回路でもキャラクタ・プロジェクション（Ｃ
Ｐ）露光が行なえ、ＣＰ露光を行なうことによるスルー
プット向上の効果が得られ、荷電ビーム露光データが容
易に生成できる荷電ビーム露光方法を提供する。 【解決手段】 ＣＰ方式の荷電ビーム露光方法におい
て、荷電ビームをアパーチャによりデバイス設計の際に
用いられるスタンダードセルの形状に成形し、試料に縮
小照射・露光を行なう。このスタンダードセルには、使
用頻度のより高い、あるいは、ＣＰ露光を行なうことに
より可変成形ビーム露光を行なった場合よりショット数
の削減効果のより高いセルを選択する。そして、このス
タンダードセルを用いて電子回路の論理合成とこのスタ
ンダードセルの配置配線を行なう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子やイオンの荷
電ビームを用いる半導体装置やフォトマスクの微細なパ
ターンの生成方法に関し、特に、キャラクタプロジェク
ション（ＣＰ）方式の荷電ビーム露光に関するものであ
る。
電ビームを用いる半導体装置やフォトマスクの微細なパ
ターンの生成方法に関し、特に、キャラクタプロジェク
ション（ＣＰ）方式の荷電ビーム露光に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム露光技術は、光リソグラフィ
では作製できないようなサブマイクロメートル以下の微
細パターンの加工を行なうことができるため、ますます
微細化、高集積化、複雑化が求められる半導体の加工技
術には欠かせないものとなりつつある。しかし、代表的
な電子ビーム露光方法である可変成形ビーム（ＶＳＢ）
露光においては、露光を行なうパターン形状によらずマ
スクを必要としないが、パターンを多数の微細な矩形シ
ョットに分割して露光を繰り返すため、露光にかかる時
間が長くなり、スループットが得られないという欠点が
ある。
では作製できないようなサブマイクロメートル以下の微
細パターンの加工を行なうことができるため、ますます
微細化、高集積化、複雑化が求められる半導体の加工技
術には欠かせないものとなりつつある。しかし、代表的
な電子ビーム露光方法である可変成形ビーム（ＶＳＢ）
露光においては、露光を行なうパターン形状によらずマ
スクを必要としないが、パターンを多数の微細な矩形シ
ョットに分割して露光を繰り返すため、露光にかかる時
間が長くなり、スループットが得られないという欠点が
ある。
【０００３】スループットを高めるために、ある程度の
大きさのパターンを一括してショットできるキャラクタ
・プロジェクション（ＣＰ）露光技術が開発されてい
る。これは図１４に示すように、電子ビーム４１を矩形
に成形し、ＣＰアパーチャ５０上に形成した複数のキャ
ラクタ形状のビーム透過孔４９から所望のキャラクタを
選択して、電子ビーム４１を所望のキャラクタ形状に成
形し、基板３７の所望の部分に縮小して照射する方式で
ある。
大きさのパターンを一括してショットできるキャラクタ
・プロジェクション（ＣＰ）露光技術が開発されてい
る。これは図１４に示すように、電子ビーム４１を矩形
に成形し、ＣＰアパーチャ５０上に形成した複数のキャ
ラクタ形状のビーム透過孔４９から所望のキャラクタを
選択して、電子ビーム４１を所望のキャラクタ形状に成
形し、基板３７の所望の部分に縮小して照射する方式で
ある。
【０００４】図１４では、ＣＰアパーチャ５０上に４種
類のキャラクタを配置し、そのうちの一つを選択してい
るところを示している。このキャラクタの場合、ＶＳＢ
露光を行なうと、キャラクタを５個の微小長方形に分割
し、５回の露光を順次繰り返すことになるが、ＣＰ露光
では、一度の露光で行なえるため、電子ビームのショッ
ト回数は１／５に減少させることができる。また、ＣＰ
露光を行なえないパターン（ＣＰアパーチャ上に配置さ
れていないキャラクタ）については、従来どおりＶＳＢ
露光を行なうため、ＣＰアパーチャ５０上にＶＳＢ用の
透過窓も設けている。
類のキャラクタを配置し、そのうちの一つを選択してい
るところを示している。このキャラクタの場合、ＶＳＢ
露光を行なうと、キャラクタを５個の微小長方形に分割
し、５回の露光を順次繰り返すことになるが、ＣＰ露光
では、一度の露光で行なえるため、電子ビームのショッ
ト回数は１／５に減少させることができる。また、ＣＰ
露光を行なえないパターン（ＣＰアパーチャ上に配置さ
れていないキャラクタ）については、従来どおりＶＳＢ
露光を行なうため、ＣＰアパーチャ５０上にＶＳＢ用の
透過窓も設けている。
【０００５】露光時に選択できるキャラクタの数は、キ
ャラクタ選択用の偏向器４３の偏向領域内に配置できる
数が上限となる。キャラクタの大きさは試料上に露光す
る大きさの数倍〜数十倍にアパーチャ上に加工されるた
め、現在の露光装置では数個〜百個程度のキャラクタし
かＣＰ露光で使用することができない。したがって、こ
れまでは、メモリセルのような繰り返し露光を行なう回
数が多いものについてはＣＰ露光を行うが、その他のパ
ターンはＣＰ露光が行えず、時間はかかるがＶＳＢ露光
で行なうしかなかった。
ャラクタ選択用の偏向器４３の偏向領域内に配置できる
数が上限となる。キャラクタの大きさは試料上に露光す
る大きさの数倍〜数十倍にアパーチャ上に加工されるた
め、現在の露光装置では数個〜百個程度のキャラクタし
かＣＰ露光で使用することができない。したがって、こ
れまでは、メモリセルのような繰り返し露光を行なう回
数が多いものについてはＣＰ露光を行うが、その他のパ
ターンはＣＰ露光が行えず、時間はかかるがＶＳＢ露光
で行なうしかなかった。
【０００６】また、特定用途向きＩＣ（ＡＳＩＣ）やシ
ステムＬＳＩなどのロジック製品においては、メモリよ
りもはるかに多くの種類のパターンが使われている。そ
れらに対してＣＰ露光を行なおうとして、ＣＰ露光を行
なえるキャラクタの上限数までＣＰアパーチャ上にパタ
ーンを並べても、どのパターンをキャラクタ化するのか
によって、ロジック製品毎の電子ビームのショット回数
が変わってしまう。そして、ロジック製品によっては、
ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効果が
得られなくなる場合があった。
ステムＬＳＩなどのロジック製品においては、メモリよ
りもはるかに多くの種類のパターンが使われている。そ
れらに対してＣＰ露光を行なおうとして、ＣＰ露光を行
なえるキャラクタの上限数までＣＰアパーチャ上にパタ
ーンを並べても、どのパターンをキャラクタ化するのか
によって、ロジック製品毎の電子ビームのショット回数
が変わってしまう。そして、ロジック製品によっては、
ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効果が
得られなくなる場合があった。
【０００７】ＡＳＩＣなどのロジック製品のレイアウト
（パターンの生成）は、図１５のようなフローで作成さ
れる。
（パターンの生成）は、図１５のようなフローで作成さ
れる。
【０００８】まず、ステップＳ３１で製品のシステム仕
様を決定する。次に、ステップＳ３２で論理式での設計
記述をする。ステップＳ３３では論理合成システムを使
いゲートレベルの設計記述を生成する。
様を決定する。次に、ステップＳ３２で論理式での設計
記述をする。ステップＳ３３では論理合成システムを使
いゲートレベルの設計記述を生成する。
【０００９】ステップＳ３３の論理合成では、論理式で
記述されたシステムを、従来のスタンダードセルライブ
ラリ５１に含まれるセルパターンの接続（ネットリス
ト）に変換する。この時のセルパターンの選択は、セル
の機能、及び抵抗や容量などから計算した信号伝達のタ
イミングなどから、適当なものが選択される。図１６に
ネットリストを示す。スタンダードセル５３乃至５８
は、セル名であるＡＮ２、ＥＯ、ＦＡ１によって区別さ
れる。スタンダードセル５３乃至５８が配線で接続さ
れ、全体としていわゆる集積回路として機能する。次に
図１５のステップＳ３４の論理最適化で論理シミュレー
ション・タイミング解析を行ない、違反があった所など
の回路の修正を行なう。その後、ステップＳ３５で自動
配置配線ツールを用いて、実レイアウトパターンを生成
する。このとき、自動配置配線（Ｐ＆Ｒ）ステップＳ３
５では、従来のスタンダードセルライブラリ５２を参照
し、ネットリストのセル名に対応した各スタンダードセ
ルを配置する。図１７はスタンダードセルのゲートレベ
ルのレイアウトである。なお、以後の説明ではゲート・
レイヤーを電子ビームで露光することとする。これは説
明の重複を避け明確にするためである。図１７（ａ）が
ＡＮＤ（ＡＮ２）回路、（ｂ）がＤフリップフロップ
（Ｆ／Ｆ）回路、（ｃ）がインバータ（ＩＶ）のレイア
ウトであり、ライブラリ５２に記憶されている。自動配
置配線のステップＳ３５では、論理回路が実現できるよ
うに図１７のようなスタンダードセルのレイアウトを図
１８（ａ）のように基板又はフォトマスクを想定した領
域６５に列べる。最後にそれぞれのスタンダードセル間
の配線を自動で行い、従来のレイアウトが完成する。
記述されたシステムを、従来のスタンダードセルライブ
ラリ５１に含まれるセルパターンの接続（ネットリス
ト）に変換する。この時のセルパターンの選択は、セル
の機能、及び抵抗や容量などから計算した信号伝達のタ
イミングなどから、適当なものが選択される。図１６に
ネットリストを示す。スタンダードセル５３乃至５８
は、セル名であるＡＮ２、ＥＯ、ＦＡ１によって区別さ
れる。スタンダードセル５３乃至５８が配線で接続さ
れ、全体としていわゆる集積回路として機能する。次に
図１５のステップＳ３４の論理最適化で論理シミュレー
ション・タイミング解析を行ない、違反があった所など
の回路の修正を行なう。その後、ステップＳ３５で自動
配置配線ツールを用いて、実レイアウトパターンを生成
する。このとき、自動配置配線（Ｐ＆Ｒ）ステップＳ３
５では、従来のスタンダードセルライブラリ５２を参照
し、ネットリストのセル名に対応した各スタンダードセ
ルを配置する。図１７はスタンダードセルのゲートレベ
ルのレイアウトである。なお、以後の説明ではゲート・
レイヤーを電子ビームで露光することとする。これは説
明の重複を避け明確にするためである。図１７（ａ）が
ＡＮＤ（ＡＮ２）回路、（ｂ）がＤフリップフロップ
（Ｆ／Ｆ）回路、（ｃ）がインバータ（ＩＶ）のレイア
ウトであり、ライブラリ５２に記憶されている。自動配
置配線のステップＳ３５では、論理回路が実現できるよ
うに図１７のようなスタンダードセルのレイアウトを図
１８（ａ）のように基板又はフォトマスクを想定した領
域６５に列べる。最後にそれぞれのスタンダードセル間
の配線を自動で行い、従来のレイアウトが完成する。
【００１０】このレイアウトを基に露光を行うには、図
１９の様にレイアウトである従来のパターンデータ７０
を電子ビーム露光データ７５に変換する必要がある。そ
のためにまず、ＣＰ露光を行うキャラクタの抽出を行
う。従来は、図１８（ａ）のレイアウトを眺めて同一の
キャラクタ６１乃至６４を発見し、この図１８（ｂ）の
キャラクタをＣＰ露光を行うキャラクタとして選んでい
た。この選ばれたキャラクタはＣＰ露光データ７４に変
換され、選ばれなかったパターンデータはＶＳＢ露光デ
ータ７３に変換された。
１９の様にレイアウトである従来のパターンデータ７０
を電子ビーム露光データ７５に変換する必要がある。そ
のためにまず、ＣＰ露光を行うキャラクタの抽出を行
う。従来は、図１８（ａ）のレイアウトを眺めて同一の
キャラクタ６１乃至６４を発見し、この図１８（ｂ）の
キャラクタをＣＰ露光を行うキャラクタとして選んでい
た。この選ばれたキャラクタはＣＰ露光データ７４に変
換され、選ばれなかったパターンデータはＶＳＢ露光デ
ータ７３に変換された。
【００１１】半導体集積回路毎にパターンデータが生成
されると、集積回路毎にＣＰ露光キャラクタの抽出の工
程とＶＳＢ露光データとＣＰ露光データへのパターンデ
ータの分割の工程が必要で、多大な時間と労力を要して
いた。
されると、集積回路毎にＣＰ露光キャラクタの抽出の工
程とＶＳＢ露光データとＣＰ露光データへのパターンデ
ータの分割の工程が必要で、多大な時間と労力を要して
いた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みてなされたものであり、その目的とするところは、ロ
ジック製品のような繰り返しパターンの少ない集積回路
でもＣＰ露光が行なえ、ＣＰ露光を行なうことによるス
ループット向上の効果が得られ、荷電ビーム露光データ
が容易に生成できる荷電ビーム露光装置を提供すること
にある。
みてなされたものであり、その目的とするところは、ロ
ジック製品のような繰り返しパターンの少ない集積回路
でもＣＰ露光が行なえ、ＣＰ露光を行なうことによるス
ループット向上の効果が得られ、荷電ビーム露光データ
が容易に生成できる荷電ビーム露光装置を提供すること
にある。
【００１３】本発明の目的は、ロジック製品のような繰
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
アパーチャを提供することである。
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
アパーチャを提供することである。
【００１４】本発明の目的は、ロジック製品のような繰
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
荷電ビーム露光方法を提供することである。
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
荷電ビーム露光方法を提供することである。
【００１５】本発明の目的は、ロジック製品のような繰
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
半導体装置の製造方法を提供することである。
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
半導体装置の製造方法を提供することである。
【００１６】本発明の目的は、ロジック製品のような繰
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
フォトマスクの製造方法を提供することである。
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
フォトマスクの製造方法を提供することである。
【００１７】本発明の目的は、ロジック製品のような繰
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
露光パターンデータ生成方法を提供することである。
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
露光パターンデータ生成方法を提供することである。
【００１８】本発明の目的は、ロジック製品のような繰
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
露光パターンデータ生成装置を提供することである。
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
露光パターンデータ生成装置を提供することである。
【００１９】本発明の目的は、ロジック製品のような繰
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
露光パターンを生成するためのデータを記録した記録媒
体を提供することである。
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
露光パターンを生成するためのデータを記録した記録媒
体を提供することである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の特徴は、デバイス設計の際に用いら
れるスタンダードセルの形状の荷電ビーム成形用の透過
孔を有するアパーチャであることである。ここで、「ス
タンダードセル」とは、セルライブラリ内で定義されて
いるパターンのことである。「荷電ビーム」とは、電子
ビームとイオンビームのことである。「アパーチャ」と
は、荷電ビームの絞りのことである。このことにより、
特に特定用途向きＩＣ（ＡＳＩＣ）やシステムＬＳＩな
どのロジックデバイスを作製する場合においては、設計
の際に用いられるセルライブラリ内で定義されているパ
ターン（スタンダードセル）の形状を電子ビーム透過窓
としてアパーチャ上に作製しておき、ＣＰ露光を行なう
キャラクタとすることにより、従来よりも高スループッ
トの電子ビーム露光を実現する。さらに、スタンダード
セルをＣＰ露光を行なうキャラクタとすることにより、
充分に電子ビームのショット数を削減することができる
ため、スループットの向上を行なうことができる。
め、本発明の第１の特徴は、デバイス設計の際に用いら
れるスタンダードセルの形状の荷電ビーム成形用の透過
孔を有するアパーチャであることである。ここで、「ス
タンダードセル」とは、セルライブラリ内で定義されて
いるパターンのことである。「荷電ビーム」とは、電子
ビームとイオンビームのことである。「アパーチャ」と
は、荷電ビームの絞りのことである。このことにより、
特に特定用途向きＩＣ（ＡＳＩＣ）やシステムＬＳＩな
どのロジックデバイスを作製する場合においては、設計
の際に用いられるセルライブラリ内で定義されているパ
ターン（スタンダードセル）の形状を電子ビーム透過窓
としてアパーチャ上に作製しておき、ＣＰ露光を行なう
キャラクタとすることにより、従来よりも高スループッ
トの電子ビーム露光を実現する。さらに、スタンダード
セルをＣＰ露光を行なうキャラクタとすることにより、
充分に電子ビームのショット数を削減することができる
ため、スループットの向上を行なうことができる。
【００２１】本発明の第１の特徴は、透過孔が、使用頻
度のより高いスタンダードセル、あるいは、ＣＰ露光を
行なうことによりＶＳＢ露光を行なった場合よりショッ
ト数の削減効果のより高いスタンダードセルの形状であ
ることにより一層効果的である。このことにより、セル
ライブラリ内のスタンダードセルは、製品ごとに変わる
ものではなく、複数の製品について共通に使われるた
め、製品が変わる度に、リソグラフィを行なうためのマ
スクを作製する必要がなく、低コストであり、かつ、設
計パターンデータの入手後すぐに露光にとりかかること
ができる。また、ＣＰアパーチャ上に配置することがで
きるキャラクタ数が限られていて、全てのスタンダード
セルをＣＰ露光を行なうキャラクタ化することが出来な
いような場合でも、複数の製品でのスタンダードセルの
ＣＰ化効率を調べることにより、スタンダードセルライ
ブラリ内のどのスタンダードセルをＣＰ露光で露光する
のが、複数の製品で同じＣＰアパーチャを使用して露光
を行ったときに、効果的にショット数を削減できるのか
を調べることができ、複数のロジック製品間で使用する
ことができるＣＰアパーチャを作製することができる。
度のより高いスタンダードセル、あるいは、ＣＰ露光を
行なうことによりＶＳＢ露光を行なった場合よりショッ
ト数の削減効果のより高いスタンダードセルの形状であ
ることにより一層効果的である。このことにより、セル
ライブラリ内のスタンダードセルは、製品ごとに変わる
ものではなく、複数の製品について共通に使われるた
め、製品が変わる度に、リソグラフィを行なうためのマ
スクを作製する必要がなく、低コストであり、かつ、設
計パターンデータの入手後すぐに露光にとりかかること
ができる。また、ＣＰアパーチャ上に配置することがで
きるキャラクタ数が限られていて、全てのスタンダード
セルをＣＰ露光を行なうキャラクタ化することが出来な
いような場合でも、複数の製品でのスタンダードセルの
ＣＰ化効率を調べることにより、スタンダードセルライ
ブラリ内のどのスタンダードセルをＣＰ露光で露光する
のが、複数の製品で同じＣＰアパーチャを使用して露光
を行ったときに、効果的にショット数を削減できるのか
を調べることができ、複数のロジック製品間で使用する
ことができるＣＰアパーチャを作製することができる。
【００２２】本発明の第１の特徴は、アパーチャがＶＳ
Ｂ用開口部を有することにより一層効果的である。この
ことにより、１つの半導体装置に対してＣＰ露光とＶＳ
Ｂ露光を併用できる。特に、使用回数の少ないスタンダ
ードセルや、ショット数削減の効果の小さいスタンダー
ドセルをＶＳＢ露光で処理することにより、スループッ
トを著しく落とすことなくＣＰアパーチャ上に配置する
キャラクタ数を抑えることができる。
Ｂ用開口部を有することにより一層効果的である。この
ことにより、１つの半導体装置に対してＣＰ露光とＶＳ
Ｂ露光を併用できる。特に、使用回数の少ないスタンダ
ードセルや、ショット数削減の効果の小さいスタンダー
ドセルをＶＳＢ露光で処理することにより、スループッ
トを著しく落とすことなくＣＰアパーチャ上に配置する
キャラクタ数を抑えることができる。
【００２３】本発明の第２の特徴は、荷電ビームをアパ
ーチャにより所望の形状に成形し、試料に縮小照射・露
光を行なうＣＰ方式の荷電ビーム露光装置において、ア
パーチャが、デバイス設計の際に用いられるスタンダー
ドセルの形状の荷電ビーム成形用の透過孔を有する荷電
ビーム露光装置であることである。このことにより、Ｃ
Ｐ露光を行なうキャラクタに割り当てるスタンダードセ
ルは、ロジック製品の世代が変わるまでは大幅な変更は
なく、これらをＣＰアパーチャ上に並べて作製したＣＰ
アパーチャは、複数のロジック製品間で共通して使うこ
とかできる。そのため、同じスタンダードセルライブラ
リを用いて設計したロジック製品であれば、常に同じＣ
Ｐアパーチャを使用することができるため、設計パター
ンのレイアウトデータを作成できたら、すぐに電子ビー
ム露光に取りかかることができる。複数のロジック製品
間で、使われているスタンダードセルの傾向が大幅に異
なる場合に対応するために、複数のＣＰアパーチャを作
製しておき、各ロジック製品の電子ビーム露光を行なう
ときに、ＣＰアパーチャを入れ換える、または、別の偏
向領域にあるＣＰアパーチャを選択する、などの方法を
取ることもでき、より多くのロジック製品に対応するこ
とが可能となる。
ーチャにより所望の形状に成形し、試料に縮小照射・露
光を行なうＣＰ方式の荷電ビーム露光装置において、ア
パーチャが、デバイス設計の際に用いられるスタンダー
ドセルの形状の荷電ビーム成形用の透過孔を有する荷電
ビーム露光装置であることである。このことにより、Ｃ
Ｐ露光を行なうキャラクタに割り当てるスタンダードセ
ルは、ロジック製品の世代が変わるまでは大幅な変更は
なく、これらをＣＰアパーチャ上に並べて作製したＣＰ
アパーチャは、複数のロジック製品間で共通して使うこ
とかできる。そのため、同じスタンダードセルライブラ
リを用いて設計したロジック製品であれば、常に同じＣ
Ｐアパーチャを使用することができるため、設計パター
ンのレイアウトデータを作成できたら、すぐに電子ビー
ム露光に取りかかることができる。複数のロジック製品
間で、使われているスタンダードセルの傾向が大幅に異
なる場合に対応するために、複数のＣＰアパーチャを作
製しておき、各ロジック製品の電子ビーム露光を行なう
ときに、ＣＰアパーチャを入れ換える、または、別の偏
向領域にあるＣＰアパーチャを選択する、などの方法を
取ることもでき、より多くのロジック製品に対応するこ
とが可能となる。
【００２４】本発明の第３の特徴は、荷電ビームをアパ
ーチャにより所望の形状に成形し、試料に縮小照射・露
光を行なうＣＰ方式の荷電ビーム露光方法において、所
望の形状が、デバイス設計の際に用いられるスタンダー
ドセルの形状の荷電ビーム成形用の透過孔である荷電ビ
ーム露光方法であることである。このことにより、本提
案によるロジック製品のレイアウトパターンデータは、
始めからＣＰ露光を行なうスタンダードセルが決められ
ているため、パターンデータからＣＰ露光を行なうキャ
ラクタの抽出を行なう必要もなく、また、既にある汎用
ＣＰアパーチャの使用を前提としているので、製品ごと
にＣＰアパーチャを作製する必要もないため、マスク製
作のコストを削減することができ、そして、パターンデ
ータの生成後、すぐ電子ビーム露光を行なうことができ
るため、製品を発注してから出来上がるまでの時間を短
縮することが可能である。
ーチャにより所望の形状に成形し、試料に縮小照射・露
光を行なうＣＰ方式の荷電ビーム露光方法において、所
望の形状が、デバイス設計の際に用いられるスタンダー
ドセルの形状の荷電ビーム成形用の透過孔である荷電ビ
ーム露光方法であることである。このことにより、本提
案によるロジック製品のレイアウトパターンデータは、
始めからＣＰ露光を行なうスタンダードセルが決められ
ているため、パターンデータからＣＰ露光を行なうキャ
ラクタの抽出を行なう必要もなく、また、既にある汎用
ＣＰアパーチャの使用を前提としているので、製品ごと
にＣＰアパーチャを作製する必要もないため、マスク製
作のコストを削減することができ、そして、パターンデ
ータの生成後、すぐ電子ビーム露光を行なうことができ
るため、製品を発注してから出来上がるまでの時間を短
縮することが可能である。
【００２５】本発明の第４の特徴は、アパーチャが有す
る透過孔の形状に一致するスタンダードセルに係わる情
報を用いて電子回路の論理合成を行なう工程と、その情
報を用いてスタンダードセルの配置配線を行なう工程と
を含む露光パターンデータ生成方法であることである。
このことにより、ＣＰ露光を行なうキャラクタをスタン
ダードセルとしてライブラリ化し、設計時にはこれらの
キャラクタからパターン選択することにより、設計を容
易にすると共に、電子ビーム露光を行なうためのデータ
変換にかかる時間も短縮することができる。また、ＡＳ
ＩＣなどのロジック製品の設計段階で電子ビーム露光を
考慮したパターンデータを生成することができ、適切な
ＣＰアパーチャを使用することにより、最高のスループ
ットが得られることが、設計段階で確認できる。また、
新しいＣＰアパーチャを作製する必要があるとわかった
場合は、使用するスタンダードセルが確定した時点でＣ
Ｐアパーチャの作製に取りかかることができるため、Ｃ
Ｐアパーチャを作製する場合でも開発期間を短縮する事
ができる。
る透過孔の形状に一致するスタンダードセルに係わる情
報を用いて電子回路の論理合成を行なう工程と、その情
報を用いてスタンダードセルの配置配線を行なう工程と
を含む露光パターンデータ生成方法であることである。
このことにより、ＣＰ露光を行なうキャラクタをスタン
ダードセルとしてライブラリ化し、設計時にはこれらの
キャラクタからパターン選択することにより、設計を容
易にすると共に、電子ビーム露光を行なうためのデータ
変換にかかる時間も短縮することができる。また、ＡＳ
ＩＣなどのロジック製品の設計段階で電子ビーム露光を
考慮したパターンデータを生成することができ、適切な
ＣＰアパーチャを使用することにより、最高のスループ
ットが得られることが、設計段階で確認できる。また、
新しいＣＰアパーチャを作製する必要があるとわかった
場合は、使用するスタンダードセルが確定した時点でＣ
Ｐアパーチャの作製に取りかかることができるため、Ｃ
Ｐアパーチャを作製する場合でも開発期間を短縮する事
ができる。
【００２６】本発明の第４の特徴は、そのスタンダード
セルに係わる情報が、スタンダードセルのセル名と、ス
タンダードセルのアパーチャ上での配置位置と、スタン
ダードセルの信号入出力位置と、スタンダードセルの電
子回路の論理シミュレーションで用いるパラメータとを
含むことにより一層効果的である。このことにより、こ
の情報、および、汎用ＣＰアパーチャを使用することよ
り、データサイズの巨大化を防ぐために、ＣＰ露光を行
なうスタンダードセルのポリゴンデータを省略すること
ができる。したがって、この方法でファイルサイズを小
さくしたパターンデータに対しては、インターネットな
どのネットワークを使用した設計データのダウンロード
や、アップロードなどが短時間で行なうことができ、社
外からの発注や、社外でのプロセスなど、これまで困難
であったことも、比較的容易に行なうことができるよう
になる。
セルに係わる情報が、スタンダードセルのセル名と、ス
タンダードセルのアパーチャ上での配置位置と、スタン
ダードセルの信号入出力位置と、スタンダードセルの電
子回路の論理シミュレーションで用いるパラメータとを
含むことにより一層効果的である。このことにより、こ
の情報、および、汎用ＣＰアパーチャを使用することよ
り、データサイズの巨大化を防ぐために、ＣＰ露光を行
なうスタンダードセルのポリゴンデータを省略すること
ができる。したがって、この方法でファイルサイズを小
さくしたパターンデータに対しては、インターネットな
どのネットワークを使用した設計データのダウンロード
や、アップロードなどが短時間で行なうことができ、社
外からの発注や、社外でのプロセスなど、これまで困難
であったことも、比較的容易に行なうことができるよう
になる。
【００２７】本発明の第４の特徴は、論理合成を行なう
工程が、ＣＰ露光に使用するアパーチャを決定する工程
と、ＣＰ露光を行なうスタンダードセルを決定する工程
とを含むことにより効果的である。このことにより、論
理合成を行なう工程でＣＰ露光を行なうスタンダードセ
ルが決められているため、パターンデータからＣＰ露光
を行なうキャラクタの抽出を行なう必要もなく、また、
論理合成を行なう工程で決定したＣＰアパーチャの使用
を前提としているので、パターンデータの生成後、すぐ
電子ビーム露光を行なうことができるため、製品を発注
してから出来上がるまでの時間を短縮することが可能で
ある。
工程が、ＣＰ露光に使用するアパーチャを決定する工程
と、ＣＰ露光を行なうスタンダードセルを決定する工程
とを含むことにより効果的である。このことにより、論
理合成を行なう工程でＣＰ露光を行なうスタンダードセ
ルが決められているため、パターンデータからＣＰ露光
を行なうキャラクタの抽出を行なう必要もなく、また、
論理合成を行なう工程で決定したＣＰアパーチャの使用
を前提としているので、パターンデータの生成後、すぐ
電子ビーム露光を行なうことができるため、製品を発注
してから出来上がるまでの時間を短縮することが可能で
ある。
【００２８】本発明の第５の特徴は、アパーチャが有す
る透過孔の形状に一致するスタンダードセルに係わる情
報を用いてＣＰ露光に使用する前記アパーチャとＣＰ露
光を行なうスタンダードセルを決定し電子回路の論理合
成を行なう論理合成手段と、その情報を用いてスタンダ
ードセルの配置配線を行なう配置配線手段とを有する露
光パターンデータ生成装置であることである。このこと
により、特に特定用途向きＩＣ（ＡＳＩＣ）やシステム
ＬＳＩなどのロジックデバイスを作製する場合において
は、設計の際に用いられるセルライブラリ内で定義され
ているパターン（スタンダードセル）の形状を電子ビー
ム透過窓としてアパーチャ上に作製しておき、ＣＰ露光
を行なうキャラクタとすることにより、従来よりも高ス
ループットの電子ビーム露光を実現する。さらに、スタ
ンダードセルをＣＰ露光を行なうキャラクタとすること
により、充分に電子ビームのショット数を削減すること
ができるため、スループットの向上を行なうことができ
る。
る透過孔の形状に一致するスタンダードセルに係わる情
報を用いてＣＰ露光に使用する前記アパーチャとＣＰ露
光を行なうスタンダードセルを決定し電子回路の論理合
成を行なう論理合成手段と、その情報を用いてスタンダ
ードセルの配置配線を行なう配置配線手段とを有する露
光パターンデータ生成装置であることである。このこと
により、特に特定用途向きＩＣ（ＡＳＩＣ）やシステム
ＬＳＩなどのロジックデバイスを作製する場合において
は、設計の際に用いられるセルライブラリ内で定義され
ているパターン（スタンダードセル）の形状を電子ビー
ム透過窓としてアパーチャ上に作製しておき、ＣＰ露光
を行なうキャラクタとすることにより、従来よりも高ス
ループットの電子ビーム露光を実現する。さらに、スタ
ンダードセルをＣＰ露光を行なうキャラクタとすること
により、充分に電子ビームのショット数を削減すること
ができるため、スループットの向上を行なうことができ
る。
【００２９】本発明の第５の特徴は、ＣＰ露光を行なう
スタンダードセル以外の部分をＶＳＢ露光用のデータに
変換する変換手段を有することにより効果的である。こ
のことにより、ＣＰ露光とＶＳＢ露光との併用が可能に
なる。
スタンダードセル以外の部分をＶＳＢ露光用のデータに
変換する変換手段を有することにより効果的である。こ
のことにより、ＣＰ露光とＶＳＢ露光との併用が可能に
なる。
【００３０】本発明の第６の特徴は、アパーチャが有す
る透過孔の形状に一致するスタンダードセルに係わり、
スタンダードセルのセル名と、スタンダードセルのアパ
ーチャ上での配置位置と、スタンダードセルの信号入出
力位置と、スタンダードセルの電子回路の論理シミュレ
ーションで用いるパラメータとを含む電子ビーム露光用
のスタンダードセルライブラリを用いて露光パターンを
生成させるためのデータを記録したコンピュ−タ読取り
可能な記録媒体であることである。ここで、「記録媒
体」としては、例えば半導体メモリ、磁気ディスク、光
ディスク、磁気テ−プなどのプログラムを記録できるよ
うな媒体が含まれる。このことにより、データサイズの
巨大化を防ぐために、ＣＰ露光を行なうスタンダードセ
ルのポリゴンデータを省略することができる。したがっ
て、この方法でファイルサイズを小さくしたパターンデ
ータに対しては、インターネットなどのネットワークを
使用した設計データのダウンロードや、アップロードな
どが短時間で行なうことができ、社外からの発注や、社
外でのプロセスなど、これまで困難であったことも、比
較的容易に行なうことができるようになる。
る透過孔の形状に一致するスタンダードセルに係わり、
スタンダードセルのセル名と、スタンダードセルのアパ
ーチャ上での配置位置と、スタンダードセルの信号入出
力位置と、スタンダードセルの電子回路の論理シミュレ
ーションで用いるパラメータとを含む電子ビーム露光用
のスタンダードセルライブラリを用いて露光パターンを
生成させるためのデータを記録したコンピュ−タ読取り
可能な記録媒体であることである。ここで、「記録媒
体」としては、例えば半導体メモリ、磁気ディスク、光
ディスク、磁気テ−プなどのプログラムを記録できるよ
うな媒体が含まれる。このことにより、データサイズの
巨大化を防ぐために、ＣＰ露光を行なうスタンダードセ
ルのポリゴンデータを省略することができる。したがっ
て、この方法でファイルサイズを小さくしたパターンデ
ータに対しては、インターネットなどのネットワークを
使用した設計データのダウンロードや、アップロードな
どが短時間で行なうことができ、社外からの発注や、社
外でのプロセスなど、これまで困難であったことも、比
較的容易に行なうことができるようになる。
【００３１】本発明の第７の特徴は、半導体装置のスタ
ンダードセルに係わる情報を用いて半導体装置の論理合
成を行なう工程と、スタンダードセルに係わる情報を用
いてスタンダードセルの配置配線を行なう工程と、荷電
ビームをスタンダードセルの形状に成形し半導体基板上
に縮小照射・露光を行ない配置配線を行なう工程とを有
する半導体装置の製造方法であることである。このこと
により、半導体装置の製造の際の露光の工程でＣＰ露光
が可能になる。
ンダードセルに係わる情報を用いて半導体装置の論理合
成を行なう工程と、スタンダードセルに係わる情報を用
いてスタンダードセルの配置配線を行なう工程と、荷電
ビームをスタンダードセルの形状に成形し半導体基板上
に縮小照射・露光を行ない配置配線を行なう工程とを有
する半導体装置の製造方法であることである。このこと
により、半導体装置の製造の際の露光の工程でＣＰ露光
が可能になる。
【００３２】本発明の第８の特徴は、半導体装置のスタ
ンダードセルに係わる情報を用いて半導体装置の論理合
成を行なう工程と、その情報を用いてスタンダードセル
の配置配線を行なう工程と、荷電ビームをスタンダード
セルの形状に成形しフォトマスク基板上に照射・露光を
行ない配置配線を行なう工程とを有するフォトマスクの
製造方法であることである。このことにより、半導体装
置の製造の際の露光の工程で使用するフォトマスクが迅
速に製造できる。
ンダードセルに係わる情報を用いて半導体装置の論理合
成を行なう工程と、その情報を用いてスタンダードセル
の配置配線を行なう工程と、荷電ビームをスタンダード
セルの形状に成形しフォトマスク基板上に照射・露光を
行ない配置配線を行なう工程とを有するフォトマスクの
製造方法であることである。このことにより、半導体装
置の製造の際の露光の工程で使用するフォトマスクが迅
速に製造できる。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一
又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。
ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異
なることに留意すべきである。また図面相互間において
も互いの寸法の関係や比率の異なる部分が含まれるのは
もちろんである。
施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一
又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。
ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異
なることに留意すべきである。また図面相互間において
も互いの寸法の関係や比率の異なる部分が含まれるのは
もちろんである。
【００３４】図１は本発明に係る荷電ビーム露光装置の
概念的な構成図である。本発明に係る荷電ビーム露光装
置は、電子ビーム４１を発生させる電子銃４０と、電子
ビーム４１を矩形に成形する第１成形アパーチャ４２
と、矩形の電子ビーム４１を偏向して望みのスタンダー
ドセル形状の電子ビーム成形孔４に照射するキャラクタ
選択偏向器４３と、成形孔４とＶＳＢ用の開口７を有す
るＣＰアパーチャ４４又はＣＰアパーチャブロックと、
成形孔４で成形された電子ビーム４０を縮小する縮小レ
ンズ４５と、電子ビーム４１を偏向して基板４７上の望
みの位置にスタンダードセル形状の電子ビーム４１を照
射する対物偏向器４６とで構成される。ＣＰアパーチャ
４４上には４種類のスタンダードセル形状の電子ビーム
成形孔４を配置し、そのうちの一つを選択しているとこ
ろを示している。この成形孔４のキャラクタの場合、Ｖ
ＳＢ露光を行なうと、キャラクタを数十個の微小長方形
に分割し露光を順次繰り返すことになるが、ＣＰ露光で
は、スタンダードセル毎に一度の露光で行なえる。ま
た、ＣＰ露光を行なえないパターン（ＣＰアパーチャ上
に配置されていないキャラクタ）については、従来どお
りＶＳＢ露光を行なうため、ＣＰアパーチャ４４上にＶ
ＳＢ用の透過窓７も設けている。
概念的な構成図である。本発明に係る荷電ビーム露光装
置は、電子ビーム４１を発生させる電子銃４０と、電子
ビーム４１を矩形に成形する第１成形アパーチャ４２
と、矩形の電子ビーム４１を偏向して望みのスタンダー
ドセル形状の電子ビーム成形孔４に照射するキャラクタ
選択偏向器４３と、成形孔４とＶＳＢ用の開口７を有す
るＣＰアパーチャ４４又はＣＰアパーチャブロックと、
成形孔４で成形された電子ビーム４０を縮小する縮小レ
ンズ４５と、電子ビーム４１を偏向して基板４７上の望
みの位置にスタンダードセル形状の電子ビーム４１を照
射する対物偏向器４６とで構成される。ＣＰアパーチャ
４４上には４種類のスタンダードセル形状の電子ビーム
成形孔４を配置し、そのうちの一つを選択しているとこ
ろを示している。この成形孔４のキャラクタの場合、Ｖ
ＳＢ露光を行なうと、キャラクタを数十個の微小長方形
に分割し露光を順次繰り返すことになるが、ＣＰ露光で
は、スタンダードセル毎に一度の露光で行なえる。ま
た、ＣＰ露光を行なえないパターン（ＣＰアパーチャ上
に配置されていないキャラクタ）については、従来どお
りＶＳＢ露光を行なうため、ＣＰアパーチャ４４上にＶ
ＳＢ用の透過窓７も設けている。
【００３５】ＡＳＩＣに代表されるロジック製品の設計
パターンは、図２のようなフローで作成される。今回
は、各工程でのシミュレーションやタイミング解析など
は特に関係ないため省略した。ステップＳ１で製品のシ
ステム使用を決定したら、それに対してステップＳ２の
システム論理設計で論理式での設計記述をする。そし
て、ステップＳ３の論理合成とＣＰアパーチャの選択に
おいて、論理合成システムを使いゲートレベルの設計記
述を生成する。ステップＳ３では、論理式で記述された
システムを、ＣＰ情報を有するスタンダードセルライブ
ラリ１に含まれるセルパターンの接続（ネットリスト）
に変換する。この時のセルパターンの選択は、セルの機
能、及び抵抗や容量などから計算した信号伝達のタイミ
ングなどを参考にして、適当なものが選択される。
パターンは、図２のようなフローで作成される。今回
は、各工程でのシミュレーションやタイミング解析など
は特に関係ないため省略した。ステップＳ１で製品のシ
ステム使用を決定したら、それに対してステップＳ２の
システム論理設計で論理式での設計記述をする。そし
て、ステップＳ３の論理合成とＣＰアパーチャの選択に
おいて、論理合成システムを使いゲートレベルの設計記
述を生成する。ステップＳ３では、論理式で記述された
システムを、ＣＰ情報を有するスタンダードセルライブ
ラリ１に含まれるセルパターンの接続（ネットリスト）
に変換する。この時のセルパターンの選択は、セルの機
能、及び抵抗や容量などから計算した信号伝達のタイミ
ングなどを参考にして、適当なものが選択される。
【００３６】次に、ステップＳ４の論理最適化で論理シ
ミュレーション及びタイミング解析を行ない、違反があ
った所などの回路の修正を行なう。その後、ステップＳ
５の自動配置配線で、自動配置配線ツールを用いて、実
レイアウトパターンを生成する。自動配置配線（Ｐ＆
Ｒ）では、ＣＰ情報を有するスタンダードセルライブラ
リ２を参照し、ネットリストに対応した各スタンダード
セルを配置し、（ゲートレベルの設計記述に対応した各
スタンダードセルを配置し、）それぞれのスタンダード
セル間の配線を自動で行なう。そして、ロジック製品の
レイアウトである設計パターンが完成する。
ミュレーション及びタイミング解析を行ない、違反があ
った所などの回路の修正を行なう。その後、ステップＳ
５の自動配置配線で、自動配置配線ツールを用いて、実
レイアウトパターンを生成する。自動配置配線（Ｐ＆
Ｒ）では、ＣＰ情報を有するスタンダードセルライブラ
リ２を参照し、ネットリストに対応した各スタンダード
セルを配置し、（ゲートレベルの設計記述に対応した各
スタンダードセルを配置し、）それぞれのスタンダード
セル間の配線を自動で行なう。そして、ロジック製品の
レイアウトである設計パターンが完成する。
【００３７】スタンダードセルは、論理合成のための情
報、回路配置のための情報とＣＰ情報を有している。論
理合成のための情報は図２のライブラリ１で引き出され
るデータであり、例えばセルの大きさ、機能、性能など
である。回路配置のための情報は図２のライブラリ２で
引き出されるデータであり、例えば回路のゲートレイヤ
ーの具体的な形、配線が接続される入出力の位置などで
ある。ＣＰ情報には、このセルがどのＣＰアパーチャの
どこに配置されているかが記載されている。したがっ
て、セルによっては複数のアパーチャに配置されている
場合もあるし、アパーチャに配置されておらずＣＰ情報
が無い場合もある。
報、回路配置のための情報とＣＰ情報を有している。論
理合成のための情報は図２のライブラリ１で引き出され
るデータであり、例えばセルの大きさ、機能、性能など
である。回路配置のための情報は図２のライブラリ２で
引き出されるデータであり、例えば回路のゲートレイヤ
ーの具体的な形、配線が接続される入出力の位置などで
ある。ＣＰ情報には、このセルがどのＣＰアパーチャの
どこに配置されているかが記載されている。したがっ
て、セルによっては複数のアパーチャに配置されている
場合もあるし、アパーチャに配置されておらずＣＰ情報
が無い場合もある。
【００３８】すなわち、作成された設計レイアウトパタ
ーン・データは、パターンが大規模になるにしたがっ
て、セルの階層構造ができていく。ＣＰ露光を行なう部
分は、ゲート・レイヤーなどでは、すべてそれぞれのス
タンダード・セル単位となるため、例えば、一般的に使
われるＧＤＳＩＩ ＳＴＲＥＡＭ形式のパターンデータ
であっても、ＣＰ露光を行なうスタンダードセルを配置
している位置だけがわかればよいため、そのまま使用す
ることができる。
ーン・データは、パターンが大規模になるにしたがっ
て、セルの階層構造ができていく。ＣＰ露光を行なう部
分は、ゲート・レイヤーなどでは、すべてそれぞれのス
タンダード・セル単位となるため、例えば、一般的に使
われるＧＤＳＩＩ ＳＴＲＥＡＭ形式のパターンデータ
であっても、ＣＰ露光を行なうスタンダードセルを配置
している位置だけがわかればよいため、そのまま使用す
ることができる。
【００３９】図３はＣＰ情報を有するスタンダードセル
ライブラリ１と２を用いたＡＳＩＣ製品の設計パターン
のデータ構造を示している。図２のライブラリ１とライ
ブラリ２はそれぞれから取り出されるデータが異なるの
で分けて表記したが、記録される領域は同じで２つのラ
イブラリを総称してスタンダードセルライブラリと呼ん
でもかまわない。これによると、このＡＳＩＣ製品を構
成する複数の機能ブロックが、それぞれ、数多くのスタ
ンダードセルにより構成されていることが分かる。それ
らスタンダードセルについても、論理合成をしたときに
参照したスタンダードセルライブラリは同じでも、露光
の際に使用すると仮定したＣＰアパーチャによっては、
図３のように、ＣＰ情報を有するものと、ＣＰ情報をも
たないものが存在することになる。
ライブラリ１と２を用いたＡＳＩＣ製品の設計パターン
のデータ構造を示している。図２のライブラリ１とライ
ブラリ２はそれぞれから取り出されるデータが異なるの
で分けて表記したが、記録される領域は同じで２つのラ
イブラリを総称してスタンダードセルライブラリと呼ん
でもかまわない。これによると、このＡＳＩＣ製品を構
成する複数の機能ブロックが、それぞれ、数多くのスタ
ンダードセルにより構成されていることが分かる。それ
らスタンダードセルについても、論理合成をしたときに
参照したスタンダードセルライブラリは同じでも、露光
の際に使用すると仮定したＣＰアパーチャによっては、
図３のように、ＣＰ情報を有するものと、ＣＰ情報をも
たないものが存在することになる。
【００４０】そして、さらに設計の簡便さと、作成した
レイアウトパターン・データからの各電子ビーム露光装
置内の露光データへの変換を簡略にして、変換にかかる
時間を短縮するためにも、電子ビーム露光用のスタンダ
ードセルライブラリを新たに作成し、これを用いた自動
Ｐ＆Ｒ、そしてレイアウト・データの生成を行なうこと
が望ましい。この電子ビーム露光用スタンダードセルラ
イブラリとは、ライブラリ内のどのスタンダードセルが
ＣＰ露光を行なうキャラクタとなっているのか、そのＣ
Ｐアパーチャ上での位置がわかるようになっていればよ
い。すなわち、前記ＣＰ情報を付加すればよい。
レイアウトパターン・データからの各電子ビーム露光装
置内の露光データへの変換を簡略にして、変換にかかる
時間を短縮するためにも、電子ビーム露光用のスタンダ
ードセルライブラリを新たに作成し、これを用いた自動
Ｐ＆Ｒ、そしてレイアウト・データの生成を行なうこと
が望ましい。この電子ビーム露光用スタンダードセルラ
イブラリとは、ライブラリ内のどのスタンダードセルが
ＣＰ露光を行なうキャラクタとなっているのか、そのＣ
Ｐアパーチャ上での位置がわかるようになっていればよ
い。すなわち、前記ＣＰ情報を付加すればよい。
【００４１】図４は、電子ビーム露光用スタンダードセ
ルライブラリのデータ構造を示している。このデータ構
造には、スタンダードセル毎に、セルがアパーチャ上の
セルか否かの情報が納められる。さらに、アパーチャ上
のセルであれば、そのアパーチャ上の位置情報、信号入
出力位置の情報と集積回路のシミュレーションに使用す
るセルの機能と性能を示すパラメータの情報と、アパー
チャに無いセルであれば、セルの詳細なレイアウトと上
記パラメータの情報とが納められる。
ルライブラリのデータ構造を示している。このデータ構
造には、スタンダードセル毎に、セルがアパーチャ上の
セルか否かの情報が納められる。さらに、アパーチャ上
のセルであれば、そのアパーチャ上の位置情報、信号入
出力位置の情報と集積回路のシミュレーションに使用す
るセルの機能と性能を示すパラメータの情報と、アパー
チャに無いセルであれば、セルの詳細なレイアウトと上
記パラメータの情報とが納められる。
【００４２】スタンダードセルライブラリは、一般に数
百のスタンダードセルで構成される。通常のＡＳＩＣ製
品の設計は、これらスタンダードセルの自動Ｐ＆Ｒによ
り行なわれ、大規模のものも、各機能ブロックごとに自
動Ｐ＆Ｒを行ない統合する階層設計が適用される。
百のスタンダードセルで構成される。通常のＡＳＩＣ製
品の設計は、これらスタンダードセルの自動Ｐ＆Ｒによ
り行なわれ、大規模のものも、各機能ブロックごとに自
動Ｐ＆Ｒを行ない統合する階層設計が適用される。
【００４３】したがって、このような手法で設計したＡ
ＳＩＣ製品のパターンは、大部分がスタンダードセルで
構成され、セル内のレイヤーについては、各スタンダー
ドセル内でのみ定義されている。これに対して、これら
各スタンダードセルをつなぐ自動Ｐ＆Ｒで配線されるパ
ターンは、スタンダードセル内では定義されておらず、
セルの入出力の位置の情報を用いて生成される。
ＳＩＣ製品のパターンは、大部分がスタンダードセルで
構成され、セル内のレイヤーについては、各スタンダー
ドセル内でのみ定義されている。これに対して、これら
各スタンダードセルをつなぐ自動Ｐ＆Ｒで配線されるパ
ターンは、スタンダードセル内では定義されておらず、
セルの入出力の位置の情報を用いて生成される。
【００４４】すなわち、ゲートレイヤーなどのスタンダ
ードセル内にしかないパターンの露光をＣＰ方式の電子
ビーム露光により行なう場合は、スタンダードセルライ
ブラリ内で定義されているスタンダードセルのひとつひ
とつをそれぞれＣＰ露光を行なうキャラクタとしてやれ
ば、すべてのパターンをＣＰ露光により作製することが
できることになることがわかる。
ードセル内にしかないパターンの露光をＣＰ方式の電子
ビーム露光により行なう場合は、スタンダードセルライ
ブラリ内で定義されているスタンダードセルのひとつひ
とつをそれぞれＣＰ露光を行なうキャラクタとしてやれ
ば、すべてのパターンをＣＰ露光により作製することが
できることになることがわかる。
【００４５】次に、ＣＰアパーチャを参照したスタンダ
ードセルライブラリを用いたロジック製品の回路パター
ンの設計とレイアウトパターンデータの作成方法につい
て説明する。電子ビーム露光用のスタンダードセルライ
ブラリは、図３のように階層構造になっている。すなわ
ち、パターンが大規模になるにしたがって、使用するス
タンダードセルの種類および使用回数は多くなり、セル
の階層構造が作られて行く。ＣＰ露光を行なう部分は、
すべてそれぞれのスタンダードセル単位となる。ＣＰ露
光を行なうスタンダードセルを配置している位置だけが
わかればよいため、ライブラリをそのまま使用すること
ができる。
ードセルライブラリを用いたロジック製品の回路パター
ンの設計とレイアウトパターンデータの作成方法につい
て説明する。電子ビーム露光用のスタンダードセルライ
ブラリは、図３のように階層構造になっている。すなわ
ち、パターンが大規模になるにしたがって、使用するス
タンダードセルの種類および使用回数は多くなり、セル
の階層構造が作られて行く。ＣＰ露光を行なう部分は、
すべてそれぞれのスタンダードセル単位となる。ＣＰ露
光を行なうスタンダードセルを配置している位置だけが
わかればよいため、ライブラリをそのまま使用すること
ができる。
【００４６】そして、異なる製品に対して異なるＣＰア
パーチャを選択してＣＰ露光を行なう場合には、どのＣ
Ｐアパーチャ上に、各スタンダードセルが形成されてい
るものかも情報として持っているため、以下のようなパ
ターン設計を行なうことができる。
パーチャを選択してＣＰ露光を行なう場合には、どのＣ
Ｐアパーチャ上に、各スタンダードセルが形成されてい
るものかも情報として持っているため、以下のようなパ
ターン設計を行なうことができる。
【００４７】図５のような、複数のキャラクタ選択偏向
領域に対応したアパーチャブロック３をもち、異なった
スタンダードセルの使用傾向のロジック製品の電子ビー
ム露光の際に、異なるアパーチャブロック３内のスタン
ダードセル４を選択することができるように、ＣＰアパ
ーチャ５を機械的に移動させる機構を露光装置に持たせ
ておくことも可能である。このように、ＣＰアパーチャ
５上に複数のアパーチャブロック４を有する場合、ある
いは、複数の製品に対応したＣＰアパーチャが複数ある
場合は、 （１）電子ビーム露光用スタンダードセルライブラリを
用いた自動Ｐ＆Ｒを行なう。
領域に対応したアパーチャブロック３をもち、異なった
スタンダードセルの使用傾向のロジック製品の電子ビー
ム露光の際に、異なるアパーチャブロック３内のスタン
ダードセル４を選択することができるように、ＣＰアパ
ーチャ５を機械的に移動させる機構を露光装置に持たせ
ておくことも可能である。このように、ＣＰアパーチャ
５上に複数のアパーチャブロック４を有する場合、ある
いは、複数の製品に対応したＣＰアパーチャが複数ある
場合は、 （１）電子ビーム露光用スタンダードセルライブラリを
用いた自動Ｐ＆Ｒを行なう。
【００４８】（２）選択したスタンダードセルがどのＣ
Ｐアパーチャ及びアパーチャブロック上にＣＰ露光を行
なうキャラクタとした形成されているかを調べ、電子ビ
ームのショット回数が最も少なくなるようなＣＰアパー
チャ及びアパーチャブロックを選択する。
Ｐアパーチャ及びアパーチャブロック上にＣＰ露光を行
なうキャラクタとした形成されているかを調べ、電子ビ
ームのショット回数が最も少なくなるようなＣＰアパー
チャ及びアパーチャブロックを選択する。
【００４９】（３）選択したＣＰアパーチャ上に形成さ
れているスタンダードセルに対しては、パターンデータ
としてＣＰアパーチャ上のそのスタンダードセルの位置
を、また、それ以外のスタンダードセルに対しては、Ｖ
ＳＢ露光を行なうため、従来どおり、パターンのポリゴ
ンデータを出力する。
れているスタンダードセルに対しては、パターンデータ
としてＣＰアパーチャ上のそのスタンダードセルの位置
を、また、それ以外のスタンダードセルに対しては、Ｖ
ＳＢ露光を行なうため、従来どおり、パターンのポリゴ
ンデータを出力する。
【００５０】また、汎用ＣＰアパーチャを一種類しか持
っていない場合、あるいは、何らかの理由により予め使
用するＣＰアパーチャを複数の中から、あるＣＰアパー
チャ及びアパーチャブロックを選択してＣＰ露光を行な
う場合は、 （１）そのアパーチャ内に構成されているスタンダード
セルを優先的に自動配置する。
っていない場合、あるいは、何らかの理由により予め使
用するＣＰアパーチャを複数の中から、あるＣＰアパー
チャ及びアパーチャブロックを選択してＣＰ露光を行な
う場合は、 （１）そのアパーチャ内に構成されているスタンダード
セルを優先的に自動配置する。
【００５１】（２）（１）のスタンダードセルについて
はＣＰアパーチャ及びアパーチャブロック上の配置位置
を、それ以外のパターンは、ＶＳＢ露光用にポリゴンデ
ータを出力する。
はＣＰアパーチャ及びアパーチャブロック上の配置位置
を、それ以外のパターンは、ＶＳＢ露光用にポリゴンデ
ータを出力する。
【００５２】ライブラリ内では、すべてそれぞれのスタ
ンダードセル内でパターンの形状６が定義されている。
ＣＰ露光を行なうキャラクタを各スタンダードセル単位
とする。各ＣＰ露光を行なうスタンダードセルは、その
パターンの形状６を図６のように、ＣＰアパーチャブロ
ック３上で定義されており、パターンデータ内では、各
セルのチップ上への配置位置がわかればよい。
ンダードセル内でパターンの形状６が定義されている。
ＣＰ露光を行なうキャラクタを各スタンダードセル単位
とする。各ＣＰ露光を行なうスタンダードセルは、その
パターンの形状６を図６のように、ＣＰアパーチャブロ
ック３上で定義されており、パターンデータ内では、各
セルのチップ上への配置位置がわかればよい。
【００５３】スタンダードセル形状のＣＰアパーチャを
用いてＣＰ方式の電子ビーム露光を行なう場合に、ＣＰ
情報を有する電子ビーム露光用スタンダードセルライブ
ラリを用いた、電子ビーム露光に適したパターンデータ
の生成方法について説明する。この生成方法は図２のス
テップＳ３乃至Ｓ５に該当するもので、特に、ステップ
Ｓ３の論理合成の方法に関するものである。
用いてＣＰ方式の電子ビーム露光を行なう場合に、ＣＰ
情報を有する電子ビーム露光用スタンダードセルライブ
ラリを用いた、電子ビーム露光に適したパターンデータ
の生成方法について説明する。この生成方法は図２のス
テップＳ３乃至Ｓ５に該当するもので、特に、ステップ
Ｓ３の論理合成の方法に関するものである。
【００５４】図７に、電子ビーム露光用パターンデータ
生成のフローチャートを示す。また、各ステップの説明
でアパーチャとあるのは、偏向領域ひとつ分に対応した
アパーチャブロックと同等であり、ＣＰアパーチャ上に
複数のアパーチャブロックがある場合は、ひとつひとつ
のアパーチャブロックのことを指す。
生成のフローチャートを示す。また、各ステップの説明
でアパーチャとあるのは、偏向領域ひとつ分に対応した
アパーチャブロックと同等であり、ＣＰアパーチャ上に
複数のアパーチャブロックがある場合は、ひとつひとつ
のアパーチャブロックのことを指す。
【００５５】まずステップＳ１１において、図２で示し
た論理設計において記述された論理式の論理合成を、あ
るＣＰアパーチャを用いて露光することを仮定し、ＣＰ
露光を行なうセル、すなわちＣＰアパーチャ上にあるス
タンダードセルのみを用いて行なう。このとき、合成し
た電子回路の面積や、動作周波数などを設計制約条件と
して指定する。
た論理設計において記述された論理式の論理合成を、あ
るＣＰアパーチャを用いて露光することを仮定し、ＣＰ
露光を行なうセル、すなわちＣＰアパーチャ上にあるス
タンダードセルのみを用いて行なう。このとき、合成し
た電子回路の面積や、動作周波数などを設計制約条件と
して指定する。
【００５６】ステップＳ１２では、すべてのＣＰアパー
チャに対してステップＳ１１の論理合成を行うまでステ
ップＳ１１に繰り返し戻る。
チャに対してステップＳ１１の論理合成を行うまでステ
ップＳ１１に繰り返し戻る。
【００５７】ステップＳ１３において、ステップＳ１１
およびＳ１２で合成したネットリストのうち、指定した
制約条件を満足するものを抽出する。すなわち、使用す
ることができるＣＰアパーチャの候補を抽出する。
およびＳ１２で合成したネットリストのうち、指定した
制約条件を満足するものを抽出する。すなわち、使用す
ることができるＣＰアパーチャの候補を抽出する。
【００５８】ステップＳ１４では、ＣＰアパーチャ上の
セルだけで論理合成した場合に、条件を満足するような
ＣＰアパーチャがあるか否か判断する。満足するＣＰア
パーチャがあればステップＳ１５へ進み、なければステ
ップＳ１７へ進む。
セルだけで論理合成した場合に、条件を満足するような
ＣＰアパーチャがあるか否か判断する。満足するＣＰア
パーチャがあればステップＳ１５へ進み、なければステ
ップＳ１７へ進む。
【００５９】ステップＳ１５において、使用することが
できるＣＰアパーチャのうち、電子ビームショット数が
最も少なくなるＣＰアパーチャを選択する。
できるＣＰアパーチャのうち、電子ビームショット数が
最も少なくなるＣＰアパーチャを選択する。
【００６０】ステップＳ１６において、ステップＳ１５
で選択したＣＰアパーチャに対して論理合成をしたネッ
トリストを用いてＰ＆Ｒを行ない、パターンデータを生
成して、このフローを終了する。ここで生成したパター
ンデータに対して、選択したＣＰアパーチャを用いて電
子ビーム露光を行なうと、すべてのパターンをＣＰ露光
により形成することができる。
で選択したＣＰアパーチャに対して論理合成をしたネッ
トリストを用いてＰ＆Ｒを行ない、パターンデータを生
成して、このフローを終了する。ここで生成したパター
ンデータに対して、選択したＣＰアパーチャを用いて電
子ビーム露光を行なうと、すべてのパターンをＣＰ露光
により形成することができる。
【００６１】一方、ステップＳ１７に進むと、ステップ
Ｓ１４で既存のＣＰアパーチャを用いてＣＰ露光のみで
パターンを形成することができないと判断されたわけな
ので、ＣＰアパーチャ上のセルのみを用いるという制限
をなくして、再度論理合成を行なう。
Ｓ１４で既存のＣＰアパーチャを用いてＣＰ露光のみで
パターンを形成することができないと判断されたわけな
ので、ＣＰアパーチャ上のセルのみを用いるという制限
をなくして、再度論理合成を行なう。
【００６２】ステップＳ１８において、ステップＳ１７
で合成したパターンについて、各ＣＰアパーチャを用い
て露光する場合の電子ビームショット数を計算する。こ
のとき、用いるＣＰアパーチャ上にあるセルについては
ＣＰ露光、その他のセルはＶＳＢ露光を行なうとして計
算する。
で合成したパターンについて、各ＣＰアパーチャを用い
て露光する場合の電子ビームショット数を計算する。こ
のとき、用いるＣＰアパーチャ上にあるセルについては
ＣＰ露光、その他のセルはＶＳＢ露光を行なうとして計
算する。
【００６３】ステップＳ１９によって、ステップＳ１８
のショット数の計算を、すべてのＣＰアパーチャに対し
て行なう。
のショット数の計算を、すべてのＣＰアパーチャに対し
て行なう。
【００６４】ステップＳ２０において、ステップＳ１８
で計算したショット数が最も少なくなるＣＰアパーチャ
を選択する。
で計算したショット数が最も少なくなるＣＰアパーチャ
を選択する。
【００６５】ステップＳ２１において、ステップＳ２０
で選択したショット数をスループットに換算する。スル
ープットは式１により簡易的に計算することができる。
で選択したショット数をスループットに換算する。スル
ープットは式１により簡易的に計算することができる。
【００６６】 スループット（枚／ｈ） ＝３６００／（ショットサイクル×ショット数×チップ数＋待ち時間）…（１） ここで、ショットサイクルは露光を繰り返す周期で、実
際に電子ビームを照射する時間とビームの偏向待ち時間
の和になる。また、ショット数は、通常のパターン設計
はチップ単位で行なわれるため、チップ単位のショット
数であり、したがってチップ数はウェーハあたりのチッ
プ数である。そして、待ち時間は、その他のウェーハあ
たりの待ち時間の合計であり、フレームの折り返し時
間、主偏向待ち時間、マーク検出やビームアライメント
にかかる時間の、ウェーハあたりの合計時間である。こ
れらのショットサイクルや待ち時間は、プロセス条件
や、用いる電子ビーム露光装置により決まる値である。
したがって、パターンの設計時またはパターンデータ生
成時において、その後のプロセスや露光装置を意識する
ことが必要となる。あるいは、一般的なプロセスおよび
装置の条件で計算を行ない、実際の露光での値に換算し
て、スループットの見当をつけるのでもよい。
際に電子ビームを照射する時間とビームの偏向待ち時間
の和になる。また、ショット数は、通常のパターン設計
はチップ単位で行なわれるため、チップ単位のショット
数であり、したがってチップ数はウェーハあたりのチッ
プ数である。そして、待ち時間は、その他のウェーハあ
たりの待ち時間の合計であり、フレームの折り返し時
間、主偏向待ち時間、マーク検出やビームアライメント
にかかる時間の、ウェーハあたりの合計時間である。こ
れらのショットサイクルや待ち時間は、プロセス条件
や、用いる電子ビーム露光装置により決まる値である。
したがって、パターンの設計時またはパターンデータ生
成時において、その後のプロセスや露光装置を意識する
ことが必要となる。あるいは、一般的なプロセスおよび
装置の条件で計算を行ない、実際の露光での値に換算し
て、スループットの見当をつけるのでもよい。
【００６７】ステップＳ２２において、ステップ２１で
計算したスループットが、希望スループット以上かどう
かを調べる。
計算したスループットが、希望スループット以上かどう
かを調べる。
【００６８】ステップＳ２３において、希望するスルー
プットを下回る結果が出た場合は、ステップＳ１７で合
成したネットリストに含まれるスタンダードセルのＣＰ
化効率の大きい順にセルを抽出し、新たにＣＰアパーチ
ャを製作する。
プットを下回る結果が出た場合は、ステップＳ１７で合
成したネットリストに含まれるスタンダードセルのＣＰ
化効率の大きい順にセルを抽出し、新たにＣＰアパーチ
ャを製作する。
【００６９】ステップＳ２４において、ステップＳ２２
で希望するスループットが得られる場合はステップＳ２
０で選択したＣＰアパーチャ、ステップＳ２３で新しい
ＣＰアパーチャを作製する場合はそのＣＰアパーチャを
用いる場合のパターンデータを、Ｐ＆Ｒにより生成し、
フローは終了する。
で希望するスループットが得られる場合はステップＳ２
０で選択したＣＰアパーチャ、ステップＳ２３で新しい
ＣＰアパーチャを作製する場合はそのＣＰアパーチャを
用いる場合のパターンデータを、Ｐ＆Ｒにより生成し、
フローは終了する。
【００７０】なお、このフローは露光パターンデータ生
成装置で行われる。この生成装置は、ステップＳ１１乃
至Ｓ１５とステップＳ１７乃至Ｓ２３を行う、すなわ
ち、アパーチャが有する透過孔の形状に一致するスタン
ダードセルに係わる情報を用いてＣＰ露光に使用する前
記アパーチャとＣＰ露光を行なう前記スタンダードセル
を決定し電子回路の論理合成を行なう論理合成手段と、
ステップＳ１５とＳ２４を行う、スタンダードセルに係
わる情報を用いてスタンダードセルの配置配線を行なう
配置配線手段と、ＣＰ露光を行なうスタンダードセル以
外の部分をＶＳＢ露光用のデータに変換する変換手段を
含んでいる。
成装置で行われる。この生成装置は、ステップＳ１１乃
至Ｓ１５とステップＳ１７乃至Ｓ２３を行う、すなわ
ち、アパーチャが有する透過孔の形状に一致するスタン
ダードセルに係わる情報を用いてＣＰ露光に使用する前
記アパーチャとＣＰ露光を行なう前記スタンダードセル
を決定し電子回路の論理合成を行なう論理合成手段と、
ステップＳ１５とＳ２４を行う、スタンダードセルに係
わる情報を用いてスタンダードセルの配置配線を行なう
配置配線手段と、ＣＰ露光を行なうスタンダードセル以
外の部分をＶＳＢ露光用のデータに変換する変換手段を
含んでいる。
【００７１】露光を行なうパターンデータを生成する過
程で、露光時に使用するＣＰアパーチャについて、どの
ＣＰアパーチャを使用するのか、あるいは新しく作製す
るのかを決定することができる。
程で、露光時に使用するＣＰアパーチャについて、どの
ＣＰアパーチャを使用するのか、あるいは新しく作製す
るのかを決定することができる。
【００７２】すなわち、ＡＳＩＣなどのロジック製品の
設計段階で電子ビーム露光を考慮したパターンデータを
生成することができる。さらに、適切なＣＰアパーチャ
を使用することにより、最高のスループットが得られる
ことが、設計段階で確認できる。また、新しいＣＰアパ
ーチャを作製する必要があるとわかった場合は、使用す
るスタンダードセルが確定した時点でＣＰアパーチャの
製作にとりかかることができる。この方法では、光露光
用のマスクでは、最終的なパターン・レイアウトが決ま
らないと作製できないのに較べて、開発期間の短縮の面
で大いにメリットがある。
設計段階で電子ビーム露光を考慮したパターンデータを
生成することができる。さらに、適切なＣＰアパーチャ
を使用することにより、最高のスループットが得られる
ことが、設計段階で確認できる。また、新しいＣＰアパ
ーチャを作製する必要があるとわかった場合は、使用す
るスタンダードセルが確定した時点でＣＰアパーチャの
製作にとりかかることができる。この方法では、光露光
用のマスクでは、最終的なパターン・レイアウトが決ま
らないと作製できないのに較べて、開発期間の短縮の面
で大いにメリットがある。
【００７３】
【実施例】以下図面を参照して、本発明の実施例を説明
する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分
には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は
模式的なものであり、現実のものとは異なることに留意
すべきである。また図面相互間においても互いの寸法の
関係や比率の異なる部分が含まれるのはもちろんであ
る。
する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分
には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は
模式的なものであり、現実のものとは異なることに留意
すべきである。また図面相互間においても互いの寸法の
関係や比率の異なる部分が含まれるのはもちろんであ
る。
【００７４】今回の実施例で用いたスタンダードセルラ
イブラリには、約４００個のスタンダードセルが含まれ
ている。すべて配置することができれば、同じスタンダ
ードセルライブラリを用いて自動Ｐ＆Ｒされて設計され
た製品については、すべてＣＰ露光を行なうことができ
ることになる。
イブラリには、約４００個のスタンダードセルが含まれ
ている。すべて配置することができれば、同じスタンダ
ードセルライブラリを用いて自動Ｐ＆Ｒされて設計され
た製品については、すべてＣＰ露光を行なうことができ
ることになる。
【００７５】その中のあるロジック製品のある機能ブロ
ックで、自動Ｐ＆Ｒにより設計された部分について、実
際の設計データを検証してみた。この機能ブロックで使
われているスタンダードセルのリストを、図８に示す。
実際には、Ｎｏ．１からＮｏ．１０１の１０１種類があ
るのだが、図８には８３種類まで示した。ここで、Ｎ
ｏ．１のＦＤ１Ｑという名前のセルのゲート・レイヤー
のパターンは、図１７（ｂ）のＤ・Ｆ／Ｆそのものであ
る。同様に、Ｎｏ．７のＡＮ２およびＮｏ．２８のＩＶ
は、図１７（ａ）のＡＮＤおよび（ｃ）のインバータで
ある。
ックで、自動Ｐ＆Ｒにより設計された部分について、実
際の設計データを検証してみた。この機能ブロックで使
われているスタンダードセルのリストを、図８に示す。
実際には、Ｎｏ．１からＮｏ．１０１の１０１種類があ
るのだが、図８には８３種類まで示した。ここで、Ｎ
ｏ．１のＦＤ１Ｑという名前のセルのゲート・レイヤー
のパターンは、図１７（ｂ）のＤ・Ｆ／Ｆそのものであ
る。同様に、Ｎｏ．７のＡＮ２およびＮｏ．２８のＩＶ
は、図１７（ａ）のＡＮＤおよび（ｃ）のインバータで
ある。
【００７６】スタンダードセルの大きさは、高さはすべ
て１０μｍ以下にそろえられており、幅がそれぞれ異な
っている。
て１０μｍ以下にそろえられており、幅がそれぞれ異な
っている。
【００７７】図８には、そのセルの配置数（使用回数）
と、試料上に照射するときの最大の電子ビームの大きさ
は１０μｍ□として計算した、ＶＳＢ露光でのショット
数とＣＰ露光でのショット数を示している。
と、試料上に照射するときの最大の電子ビームの大きさ
は１０μｍ□として計算した、ＶＳＢ露光でのショット
数とＣＰ露光でのショット数を示している。
【００７８】各セルの高さは１０μｍ以下であるので、
ＣＰ露光一回分であるが、幅が１０μｍを超えるセルに
ついては、ＣＰアパーチャ上に二つ以上のキャラクタに
分割して配置し、そのセルパターンのＣＰ露光は、複数
の電子ビームのショットで行なう必要がある。例えば、
Ｎｏ．１のＦＤ１Ｑの幅は１３．２μｍであるため、Ｃ
Ｐ露光を行なうためには二つのキャラクタとして、ＣＰ
アパーチャ上に配置する必要があることになる。
ＣＰ露光一回分であるが、幅が１０μｍを超えるセルに
ついては、ＣＰアパーチャ上に二つ以上のキャラクタに
分割して配置し、そのセルパターンのＣＰ露光は、複数
の電子ビームのショットで行なう必要がある。例えば、
Ｎｏ．１のＦＤ１Ｑの幅は１３．２μｍであるため、Ｃ
Ｐ露光を行なうためには二つのキャラクタとして、ＣＰ
アパーチャ上に配置する必要があることになる。
【００７９】なお、効果の欄には、スタンダードセルを
ＣＰ露光により露光することにより、ＶＳＢで露光した
場合と比べてどれくらいのショット数の削減効果がある
のかを示すＣＰ化効率を数値で示した。ＣＰ化効率は式
２で計算する。
ＣＰ露光により露光することにより、ＶＳＢで露光した
場合と比べてどれくらいのショット数の削減効果がある
のかを示すＣＰ化効率を数値で示した。ＣＰ化効率は式
２で計算する。
【００８０】 （ＣＰ化効率）＝（ＶＳＢショット数−ＣＰショット数） ×（配置回数）／（ＣＰショット数） …（２） 図８のリストは、このＣＰ化効率の大きいスタンダード
セルから順番に番号を付けて並べている。配置回数の一
番多いのはＮｏ．２８のインバータであるが、ＶＳＢ露
光で必要なショット数が少ないため２８番目となってい
る。
セルから順番に番号を付けて並べている。配置回数の一
番多いのはＮｏ．２８のインバータであるが、ＶＳＢ露
光で必要なショット数が少ないため２８番目となってい
る。
【００８１】この機能ブロックで使われているスタンダ
ードセルは１０１種類であるが、それぞれの大きさを考
えると、全部で１３６個分のキャラクタが必要となるこ
とがわかった。図８には、ちょうど１００個分のキャラ
クタが必要となる、８３個のスタンダードセルまで、リ
ストした。
ードセルは１０１種類であるが、それぞれの大きさを考
えると、全部で１３６個分のキャラクタが必要となるこ
とがわかった。図８には、ちょうど１００個分のキャラ
クタが必要となる、８３個のスタンダードセルまで、リ
ストした。
【００８２】この機能ブロック全体をＶＳＢ露光のみで
露光すると、１１．３Ｍ（メガ）ショットかかるのに対
して、すべてをＣＰ露光できる１３６個のキャラクタを
ＣＰアパーチャ上に配置すれば、３９．３Ｋ（キロ）シ
ョットで済むことになる。すなわち、ショット数はすべ
てＣＰ露光を行なうことにより、約１／２８に削減さ
れ、大幅に電子ビーム露光のスループットを向上させる
ことができる。また、すべてのスタンダードセルをＣＰ
露光で露光しなくても、例えば１００個分のキャラクタ
が必要となる、８３個のスタンダード・セルをＣＰ露光
で露光するとした場合、その他のスタンダード・セルは
ＶＳＢ露光を行なったとして、総ショット回数は４７．
６Ｋである。この場合でも、ＶＳＢ露光のみのときと比
べて、約１／２３に削減でき、充分スループットを向上
させることができる。この関係を、横軸にＣＰ露光を行
なうキャラクタ数、縦軸にこの機能ブロック全体を露光
するのに必要な電子ビームショット回数として示したの
が図９である。
露光すると、１１．３Ｍ（メガ）ショットかかるのに対
して、すべてをＣＰ露光できる１３６個のキャラクタを
ＣＰアパーチャ上に配置すれば、３９．３Ｋ（キロ）シ
ョットで済むことになる。すなわち、ショット数はすべ
てＣＰ露光を行なうことにより、約１／２８に削減さ
れ、大幅に電子ビーム露光のスループットを向上させる
ことができる。また、すべてのスタンダードセルをＣＰ
露光で露光しなくても、例えば１００個分のキャラクタ
が必要となる、８３個のスタンダード・セルをＣＰ露光
で露光するとした場合、その他のスタンダード・セルは
ＶＳＢ露光を行なったとして、総ショット回数は４７．
６Ｋである。この場合でも、ＶＳＢ露光のみのときと比
べて、約１／２３に削減でき、充分スループットを向上
させることができる。この関係を、横軸にＣＰ露光を行
なうキャラクタ数、縦軸にこの機能ブロック全体を露光
するのに必要な電子ビームショット回数として示したの
が図９である。
【００８３】以上のように、ＡＳＩＣやシステムＬＳＩ
などのロジック製品の設計で使われるスタンダードセル
ライブラリに含まれるスタンダードセルひとつひとつ
を、ＣＰ露光を行なうキャラクタとすることにより、図
５あるいは図６のようにＣＰ露光を行うスタンダードセ
ルに対応したＣＰアパーチャを作製する事ができる。
などのロジック製品の設計で使われるスタンダードセル
ライブラリに含まれるスタンダードセルひとつひとつ
を、ＣＰ露光を行なうキャラクタとすることにより、図
５あるいは図６のようにＣＰ露光を行うスタンダードセ
ルに対応したＣＰアパーチャを作製する事ができる。
【００８４】あるロジック製品の機能ブロックについて
は、１０１種類のスタンダードセルを１０μｍ□の電子
ビームに対して必要なキャラクタ数である１３６個のキ
ャラクタをＣＰアパーチャ上に用意できれば、ＶＳＢ露
光のみの場合と比べて、約１／２８に、また。１００個
分のキャラクタとなる８３種類のスタンダードセルをＣ
Ｐ露光を行なうキャラクタとした場合では、約１／２３
にまで、電子ビームのショット回数を削減させられるこ
とがわかった。
は、１０１種類のスタンダードセルを１０μｍ□の電子
ビームに対して必要なキャラクタ数である１３６個のキ
ャラクタをＣＰアパーチャ上に用意できれば、ＶＳＢ露
光のみの場合と比べて、約１／２８に、また。１００個
分のキャラクタとなる８３種類のスタンダードセルをＣ
Ｐ露光を行なうキャラクタとした場合では、約１／２３
にまで、電子ビームのショット回数を削減させられるこ
とがわかった。
【００８５】ＣＰ露光を行なうキャラクタに割り当てる
スタンダードセルは、ロジック製品の世代が変わるまで
は大幅な変更はなく、複数のロジック製品で共通に用い
られる、半導体デバイスを構成する基本的な回路素子で
ある。このことから、プリミティブ・セルとも呼ばれて
いるが、これらをＣＰアパーチャ上に並べて作製したＣ
Ｐアパーチャは、複数のロジック製品間で共通して使う
ことができる。そのため、同じスタンダードセルライブ
ラリを用いて設計したロジック製品であれば、常に同じ
ＣＰアパーチャを使用することができるため、図２で設
計パターンのレイアウトデータを作成できたら、すぐに
電子ビーム露光にとりかかることができる。
スタンダードセルは、ロジック製品の世代が変わるまで
は大幅な変更はなく、複数のロジック製品で共通に用い
られる、半導体デバイスを構成する基本的な回路素子で
ある。このことから、プリミティブ・セルとも呼ばれて
いるが、これらをＣＰアパーチャ上に並べて作製したＣ
Ｐアパーチャは、複数のロジック製品間で共通して使う
ことができる。そのため、同じスタンダードセルライブ
ラリを用いて設計したロジック製品であれば、常に同じ
ＣＰアパーチャを使用することができるため、図２で設
計パターンのレイアウトデータを作成できたら、すぐに
電子ビーム露光にとりかかることができる。
【００８６】一方、現在の光での露光では、レイアウト
データを作成した後、光近接効果補正をしてから、露光
用マスクを作製するため、実際に露光を行なうまでに非
常に時間がかかる。ここで、このようにスタンダードセ
ルをＣＰ露光を行なうキャラクタとすることにより、充
分に電子ビームのショット数を削減することができるた
め、光露光に匹敵するスループットも期待できる。
データを作成した後、光近接効果補正をしてから、露光
用マスクを作製するため、実際に露光を行なうまでに非
常に時間がかかる。ここで、このようにスタンダードセ
ルをＣＰ露光を行なうキャラクタとすることにより、充
分に電子ビームのショット数を削減することができるた
め、光露光に匹敵するスループットも期待できる。
【００８７】また、ＣＰアパーチャ上に配置することが
できるキャラクタ数が限られていて、すべてのスタンダ
ードセルをＣＰ露光を行なうキャラクタ化することがで
きないような場合でも、複数の製品でのスタンダードセ
ルのＣＰ化効率を調べることにより、スタンダードセル
ライブラリ内のどのスタンダードセルをＣＰ露光で露光
するのが、複数の製品で同じＣＰアパーチャを使用して
露光を行なったときに、効果的にショット数を削減でき
るかを調べることができ、複数のロジック製品間で使用
することができるＣＰアパーチャを作製することができ
る。
できるキャラクタ数が限られていて、すべてのスタンダ
ードセルをＣＰ露光を行なうキャラクタ化することがで
きないような場合でも、複数の製品でのスタンダードセ
ルのＣＰ化効率を調べることにより、スタンダードセル
ライブラリ内のどのスタンダードセルをＣＰ露光で露光
するのが、複数の製品で同じＣＰアパーチャを使用して
露光を行なったときに、効果的にショット数を削減でき
るかを調べることができ、複数のロジック製品間で使用
することができるＣＰアパーチャを作製することができ
る。
【００８８】また、このとき、ＣＰ化効率の大きいもの
ほどアパーチャの中央に配置するなどして、ＣＰ化効率
の大きなスタンダードセル間のＣＰアパーチャ上での距
離を小さくして配置することにより、ＣＰアパーチャ上
に照射する電子ビームの移動距離が短く抑制されるた
め、露光時間の短縮を期待することができる。
ほどアパーチャの中央に配置するなどして、ＣＰ化効率
の大きなスタンダードセル間のＣＰアパーチャ上での距
離を小さくして配置することにより、ＣＰアパーチャ上
に照射する電子ビームの移動距離が短く抑制されるた
め、露光時間の短縮を期待することができる。
【００８９】さらに、複数のロジック製品間で、使われ
ているスタンダードセルの傾向が大幅に異なる場合に対
応するために、複数のＣＰアパーチャ５を作製してお
き、各ロジック製品の電子ビーム露光を行なうときに、
ＣＰアパーチャ５を入れ換えることにより、より多くの
ロジック製品に対応することが可能となる。また、図５
に示すようにＣＰアパーチャ５上に、複数のキャラクタ
選択偏向領域に対応できるように、複数のアパーチャブ
ロック３が用意してあれば、各ロジック製品の露光毎
に、使用するアパーチャブロック３を選択すればよい。
ているスタンダードセルの傾向が大幅に異なる場合に対
応するために、複数のＣＰアパーチャ５を作製してお
き、各ロジック製品の電子ビーム露光を行なうときに、
ＣＰアパーチャ５を入れ換えることにより、より多くの
ロジック製品に対応することが可能となる。また、図５
に示すようにＣＰアパーチャ５上に、複数のキャラクタ
選択偏向領域に対応できるように、複数のアパーチャブ
ロック３が用意してあれば、各ロジック製品の露光毎
に、使用するアパーチャブロック３を選択すればよい。
【００９０】ライブラリ内では、すべてそれぞれのスタ
ンダードセル内でパターンの形状が定義されている。Ｃ
Ｐ露光を行なうキャラクタを各スタンダード・セル単位
とする。各ＣＰ露光を行なうスタンダードセルは、その
パターンの形状６を図６のように、ＣＰアパーチャブロ
ック３上で定義されており、パターンデータ内では、各
セルのチップ上への配置位置がわかればよい。例えば、
一般的に使われるＧＤＳＩＩ ＳＴＲＥＡＭ形式のよう
なパターンデータであっても、ＣＰ露光を行なうスタン
ダードセルについては、配置している位置だけが記述さ
れておればよく、それに対してＶＳＢ露光を行なうパタ
ーンについては、従来通り、パターンの形状を頂点座標
列などの形式でもっていなければならない。
ンダードセル内でパターンの形状が定義されている。Ｃ
Ｐ露光を行なうキャラクタを各スタンダード・セル単位
とする。各ＣＰ露光を行なうスタンダードセルは、その
パターンの形状６を図６のように、ＣＰアパーチャブロ
ック３上で定義されており、パターンデータ内では、各
セルのチップ上への配置位置がわかればよい。例えば、
一般的に使われるＧＤＳＩＩ ＳＴＲＥＡＭ形式のよう
なパターンデータであっても、ＣＰ露光を行なうスタン
ダードセルについては、配置している位置だけが記述さ
れておればよく、それに対してＶＳＢ露光を行なうパタ
ーンについては、従来通り、パターンの形状を頂点座標
列などの形式でもっていなければならない。
【００９１】さらに、設計の簡便さと、作成したレイア
ウトパターン・データからの各電子ビーム露光装置内の
露光データへの変換を簡略にして、変換にかかる時間を
短縮するためにも、電子ビーム露光用のスタンダードセ
ルライブラリを用意し、これを用いた論理合成および自
動Ｐ＆Ｒ、そしてレイアウト・データの生成を行なうこ
とが望ましい。
ウトパターン・データからの各電子ビーム露光装置内の
露光データへの変換を簡略にして、変換にかかる時間を
短縮するためにも、電子ビーム露光用のスタンダードセ
ルライブラリを用意し、これを用いた論理合成および自
動Ｐ＆Ｒ、そしてレイアウト・データの生成を行なうこ
とが望ましい。
【００９２】この電子ビーム露光用スタンダードセルラ
イブラリは、ライブラリ内のどのスタンダードセルがＣ
Ｐ露光を行なうキャラクタとなっているのか、そのＣＰ
アパーチャ上での位置がわかるようになっていればよ
い。すなわち、図４のように、ＣＰ露光を行なうセル
は、アパーチャ上に形状が定義されているためパターン
形状は必要なく以下の３つの情報を持っている。
イブラリは、ライブラリ内のどのスタンダードセルがＣ
Ｐ露光を行なうキャラクタとなっているのか、そのＣＰ
アパーチャ上での位置がわかるようになっていればよ
い。すなわち、図４のように、ＣＰ露光を行なうセル
は、アパーチャ上に形状が定義されているためパターン
形状は必要なく以下の３つの情報を持っている。
【００９３】１．セルのＣＰアパーチャ上の配置位置の
指定 ２．電子回路のタイミング解析や論理シミュレーション
を行なうのに必要な、遅延、抵抗や容量その他のパラメ
ータ ３．自動Ｐ＆Ｒを行なうときに参照される、特に配線を
接続するための信号の入出力位置 ＣＰアパーチャが複数ある場合、または、ＣＰアパーチ
ャ上に複数のアパーチャブロックがある場合は、そのセ
ルの形状があるＣＰアパーチャ又はアパーチャブロック
の指定も１の配置位置の指定に含まれる。したがって、
通常のスタンダードセルライブラリに対して、パターン
形状のかわりに、１．のセルのＣＰアパーチャ上の配置
位置を持っていることになる。ただし、複数のＣＰアパ
ーチャを持つ場合は、使用するＣＰアパーチャによっ
て、ＣＰ露光を行なったりＶＳＢ露光を行なうことにな
るため、通常通り、パターンの形状も所有しておく必要
がある。ＣＰアパーチャ上にないパターンについては、
通常のスタンダードセルライブラリと同じである。すな
わち、電子ビーム露光用のスタンダードセルライブラリ
とは、通常のスタンダードセルに対して、ＣＰ露光を行
なうセルのＣＰアパーチャ上の配置位置を加えたものと
考えてよい。
指定 ２．電子回路のタイミング解析や論理シミュレーション
を行なうのに必要な、遅延、抵抗や容量その他のパラメ
ータ ３．自動Ｐ＆Ｒを行なうときに参照される、特に配線を
接続するための信号の入出力位置 ＣＰアパーチャが複数ある場合、または、ＣＰアパーチ
ャ上に複数のアパーチャブロックがある場合は、そのセ
ルの形状があるＣＰアパーチャ又はアパーチャブロック
の指定も１の配置位置の指定に含まれる。したがって、
通常のスタンダードセルライブラリに対して、パターン
形状のかわりに、１．のセルのＣＰアパーチャ上の配置
位置を持っていることになる。ただし、複数のＣＰアパ
ーチャを持つ場合は、使用するＣＰアパーチャによっ
て、ＣＰ露光を行なったりＶＳＢ露光を行なうことにな
るため、通常通り、パターンの形状も所有しておく必要
がある。ＣＰアパーチャ上にないパターンについては、
通常のスタンダードセルライブラリと同じである。すな
わち、電子ビーム露光用のスタンダードセルライブラリ
とは、通常のスタンダードセルに対して、ＣＰ露光を行
なうセルのＣＰアパーチャ上の配置位置を加えたものと
考えてよい。
【００９４】このような、電子ビーム露光用スタンダー
ドセルライブラリを用いると、図２のステップＳ３の論
理合成で生成されるネットリストは、図１０のようなイ
メージになる。図１６の従来のネットリストと同様、各
セルの入出力端子の他のセルとの接続の様子が示されて
いる。図１６の従来のネットリストでは、各セルはそれ
らの名前で記述されるが、図１０の本実施例によるネッ
トリストでは、ＣＰ露光を行うセル８乃至１３について
は、そのアパーチャ（あるいは、アパーチャブロック）
上の位置、あるいは、ＣＰ露光を行うキャラクタの番号
（図８のＮＯ．）で示される。
ドセルライブラリを用いると、図２のステップＳ３の論
理合成で生成されるネットリストは、図１０のようなイ
メージになる。図１６の従来のネットリストと同様、各
セルの入出力端子の他のセルとの接続の様子が示されて
いる。図１６の従来のネットリストでは、各セルはそれ
らの名前で記述されるが、図１０の本実施例によるネッ
トリストでは、ＣＰ露光を行うセル８乃至１３について
は、そのアパーチャ（あるいは、アパーチャブロック）
上の位置、あるいは、ＣＰ露光を行うキャラクタの番号
（図８のＮＯ．）で示される。
【００９５】さらに、Ｐ＆Ｒにより生成される図２のス
テップＳ６のレイアウトデータは、図１１のように、Ｃ
Ｐ露光を行うセルについては、それらのアパーチャ（ま
たは、アパーチャブロック）上の位置、あるいは、キャ
ラクタの番号により、パターンを代用することが可能と
なる。図１８（ａ）の従来のレイアウトデータと比較
し、ＣＰ露光を行うセルは、セル内の図形の情報が省略
できることがわかる。
テップＳ６のレイアウトデータは、図１１のように、Ｃ
Ｐ露光を行うセルについては、それらのアパーチャ（ま
たは、アパーチャブロック）上の位置、あるいは、キャ
ラクタの番号により、パターンを代用することが可能と
なる。図１８（ａ）の従来のレイアウトデータと比較
し、ＣＰ露光を行うセルは、セル内の図形の情報が省略
できることがわかる。
【００９６】したがって、従来は図１９のような流れ
で、レイアウトパターン・データから電子ビーム露光装
置用の露光データに変換していたのだが、予め、どのパ
ターンをＣＰ露光により露光を行なうかがわかってお
り、さらに、実際のパターンデータも各パターンを形成
する頂点列などのポリゴンデータはすべてＶＳＢ露光用
のパターンについてのみであるため、図１２のように、
ＣＰ露光キャラクタの抽出、および、ＶＳＢ露光データ
とＣＰ露光データへのパターンデータの分割の工程が不
要となり、データ変換を行なうコンピュータにかかる負
荷も小さくなり、データ変換にかかる時間も短くなる。
なお、このデータ変換は露光パターンデータ生成装置を
構成する、ＣＰ露光を行なうスタンダードセル以外の部
分をＶＳＢ露光用のデータに変換する変換手段で実行さ
れる。
で、レイアウトパターン・データから電子ビーム露光装
置用の露光データに変換していたのだが、予め、どのパ
ターンをＣＰ露光により露光を行なうかがわかってお
り、さらに、実際のパターンデータも各パターンを形成
する頂点列などのポリゴンデータはすべてＶＳＢ露光用
のパターンについてのみであるため、図１２のように、
ＣＰ露光キャラクタの抽出、および、ＶＳＢ露光データ
とＣＰ露光データへのパターンデータの分割の工程が不
要となり、データ変換を行なうコンピュータにかかる負
荷も小さくなり、データ変換にかかる時間も短くなる。
なお、このデータ変換は露光パターンデータ生成装置を
構成する、ＣＰ露光を行なうスタンダードセル以外の部
分をＶＳＢ露光用のデータに変換する変換手段で実行さ
れる。
【００９７】これより、電子ビーム露光用スタンダード
セルライブラリは、最低限、以下の情報を持っていれば
よい。
セルライブラリは、最低限、以下の情報を持っていれば
よい。
【００９８】１．スタンダードセル名。
【００９９】２．どのＣＰアパーチャのどの位置にその
スタンダードセルの形状に電子ビームを形成する透過孔
が形成されているかの位置情報。これらは、複数のＣＰ
アパーチャに対してそれぞれのアパーチャ上の位置とい
う形で、複数の組合せをもつことができる。また、スタ
ンダードセルでも、ＣＰ露光を行なうことによるショッ
ト数の削減効果が低いものは、始めからＶＳＢ露光を行
なうよう、ＣＰアパーチャ上の配置位置を持たないもの
もあり得る。
スタンダードセルの形状に電子ビームを形成する透過孔
が形成されているかの位置情報。これらは、複数のＣＰ
アパーチャに対してそれぞれのアパーチャ上の位置とい
う形で、複数の組合せをもつことができる。また、スタ
ンダードセルでも、ＣＰ露光を行なうことによるショッ
ト数の削減効果が低いものは、始めからＶＳＢ露光を行
なうよう、ＣＰアパーチャ上の配置位置を持たないもの
もあり得る。
【０１００】３．タイミング解析、論理シミュレーショ
ンで必要なパラメータ ４．自動配線を行なうときに使用する入力・出力の位置
の４つである。これらは、２．のアパーチャの情報を加
えるだけで、現在のライブラリから容易に生成すること
ができる。
ンで必要なパラメータ ４．自動配線を行なうときに使用する入力・出力の位置
の４つである。これらは、２．のアパーチャの情報を加
えるだけで、現在のライブラリから容易に生成すること
ができる。
【０１０１】電子ビーム露光用スタンダードセルライブ
ラリを用いて、論理合成および自動Ｐ＆Ｒを行なって生
成したロジック製品のレイアウトパターン・データは、
始めからＣＰ露光を行なうスタンダードセルが決められ
ているため、パターンデータからＣＰ露光を行なうキャ
ラクタの抽出を行う必要もなく、従来のデータ変換の工
程数を削減することができ、また、すでにある汎用ＣＰ
アパーチャの使用を前提としているので、製品ごとにＣ
Ｐアパーチャを作製する必要もないため、マスク作製の
コストを削減することができるだけでなく、パターンデ
ータの生成後、すぐに電子ビーム露光を行なうことがで
き、製品を発注してからできあがるまでの時間を短縮す
ることが可能である。
ラリを用いて、論理合成および自動Ｐ＆Ｒを行なって生
成したロジック製品のレイアウトパターン・データは、
始めからＣＰ露光を行なうスタンダードセルが決められ
ているため、パターンデータからＣＰ露光を行なうキャ
ラクタの抽出を行う必要もなく、従来のデータ変換の工
程数を削減することができ、また、すでにある汎用ＣＰ
アパーチャの使用を前提としているので、製品ごとにＣ
Ｐアパーチャを作製する必要もないため、マスク作製の
コストを削減することができるだけでなく、パターンデ
ータの生成後、すぐに電子ビーム露光を行なうことがで
き、製品を発注してからできあがるまでの時間を短縮す
ることが可能である。
【０１０２】さらに、この電子ビーム露光用スタンダー
ドセルライブラリ、および、汎用ＣＰアパーチャを使用
することより、データサイズの巨大化を防ぐために、Ｃ
Ｐ露光を行なうスタンダードセルのポリゴンデータを省
略することができる。現在のＧＤＳＩＩ ＳＴＲＥＡＭ
形式のパターンデータでは、すべてのレイヤーを含むも
のでは、数百Ｍバイトからギガバイトのオーダーに達す
るものも多い。それに対して、この方法で、ファイルサ
イズを小さくしたパターンデータに対しては、インター
ネットなどのネットワークを使用した設計データのダウ
ンロードや、アップロードなどが短時間で行なうことが
でき、社外からの発注や、社外でのプロセスなど、これ
まで困難であったことも、比較的容易に行なうことがで
きるようになる。
ドセルライブラリ、および、汎用ＣＰアパーチャを使用
することより、データサイズの巨大化を防ぐために、Ｃ
Ｐ露光を行なうスタンダードセルのポリゴンデータを省
略することができる。現在のＧＤＳＩＩ ＳＴＲＥＡＭ
形式のパターンデータでは、すべてのレイヤーを含むも
のでは、数百Ｍバイトからギガバイトのオーダーに達す
るものも多い。それに対して、この方法で、ファイルサ
イズを小さくしたパターンデータに対しては、インター
ネットなどのネットワークを使用した設計データのダウ
ンロードや、アップロードなどが短時間で行なうことが
でき、社外からの発注や、社外でのプロセスなど、これ
まで困難であったことも、比較的容易に行なうことがで
きるようになる。
【０１０３】ＣＰ方式の電子ビーム露光に適したパター
ンデータの生成方法について説明する。生成方法は図７
のフローチャートに従う。ここで、ＣＰアパーチャが一
組ある場合に、ある製品のパターンデータを生成すると
きの例を示す。
ンデータの生成方法について説明する。生成方法は図７
のフローチャートに従う。ここで、ＣＰアパーチャが一
組ある場合に、ある製品のパターンデータを生成すると
きの例を示す。
【０１０４】図１３に示すように、製品Ａ用に作製した
ＣＰアパーチャがあるとき、別の製品Ｂのパターンデー
タを生成する。また、製品Ｂの許容される露光スループ
ットは最小で１０枚／ｈである。プロセスおよび使用す
る電子ビーム露光装置を仮定して製品Ａについて、ショ
ット数を計算し、スループットに換算すると、１２枚／
ｈであった。
ＣＰアパーチャがあるとき、別の製品Ｂのパターンデー
タを生成する。また、製品Ｂの許容される露光スループ
ットは最小で１０枚／ｈである。プロセスおよび使用す
る電子ビーム露光装置を仮定して製品Ａについて、ショ
ット数を計算し、スループットに換算すると、１２枚／
ｈであった。
【０１０５】まず図７のステップＳ１１において、図２
で示した論理設計において記述された論理式の論理合成
を、製品Ａ用に作製したＣＰアパーチャを用いて行な
う。このとき、合成した電子回路の面積や、動作周波数
などを設計制約条件として指定する。
で示した論理設計において記述された論理式の論理合成
を、製品Ａ用に作製したＣＰアパーチャを用いて行な
う。このとき、合成した電子回路の面積や、動作周波数
などを設計制約条件として指定する。
【０１０６】ステップＳ１２では、製品Ａ用に作製した
ＣＰアパーチャが１つしかないのでステップＳ１３に進
む。
ＣＰアパーチャが１つしかないのでステップＳ１３に進
む。
【０１０７】ステップＳ１３において、合成したネット
リストが、指定した制約条件を満足するものを抽出す
る。
リストが、指定した制約条件を満足するものを抽出す
る。
【０１０８】ステップＳ１４では、ＣＰアパーチャ上の
セルだけで論理合成した場合に、条件を満足するような
ＣＰアパーチャがあるか否か判断する。すなわち、製品
Ｂの設計時に、使用するＣＰアパーチャを上記の製品Ａ
のものとして、論理合成をした。しかし、製品Ａ用に作
製したＣＰアパーチャのみでネットリストを生成するこ
とができなかった。製品Ａ用に作製したＣＰアパーチャ
は満足しないのでステップＳ１７へ進む。
セルだけで論理合成した場合に、条件を満足するような
ＣＰアパーチャがあるか否か判断する。すなわち、製品
Ｂの設計時に、使用するＣＰアパーチャを上記の製品Ａ
のものとして、論理合成をした。しかし、製品Ａ用に作
製したＣＰアパーチャのみでネットリストを生成するこ
とができなかった。製品Ａ用に作製したＣＰアパーチャ
は満足しないのでステップＳ１７へ進む。
【０１０９】ステップＳ１７に進むと、製品Ａ用に作製
したＣＰアパーチャ上のセルのみを用いるという制限を
なくして、再度論理合成を行なう。
したＣＰアパーチャ上のセルのみを用いるという制限を
なくして、再度論理合成を行なう。
【０１１０】ステップＳ１８において、ステップＳ１７
で合成したパターンについて、既存の製品Ａ用に作製し
たＣＰアパーチャを用いて露光する場合の電子ビームシ
ョット数を計算する。このとき、用いるＣＰアパーチャ
上にあるセルについてはＣＰ露光、その他のセルはＶＳ
Ｂ露光を行なうとして計算する。すなわち、回路で使わ
れているスタンダード・セルのうち、製品Ａ用のＣＰア
パーチャ上にあるセルはＣＰ露光、その他のセルはＶＳ
Ｂ露光するとしてショット数を計算したところ、４．９
０Ｍショット／チップであった。
で合成したパターンについて、既存の製品Ａ用に作製し
たＣＰアパーチャを用いて露光する場合の電子ビームシ
ョット数を計算する。このとき、用いるＣＰアパーチャ
上にあるセルについてはＣＰ露光、その他のセルはＶＳ
Ｂ露光を行なうとして計算する。すなわち、回路で使わ
れているスタンダード・セルのうち、製品Ａ用のＣＰア
パーチャ上にあるセルはＣＰ露光、その他のセルはＶＳ
Ｂ露光するとしてショット数を計算したところ、４．９
０Ｍショット／チップであった。
【０１１１】ステップＳ１９によって、ステップＳ１８
のショット数の計算を、既存の製品Ａ用に作製したＣＰ
アパーチャに対して行なう。
のショット数の計算を、既存の製品Ａ用に作製したＣＰ
アパーチャに対して行なう。
【０１１２】ステップＳ２０において、ＣＰアパーチャ
は１つしかないので、製品Ａ用に作製したＣＰアパーチ
ャを選択する。
は１つしかないので、製品Ａ用に作製したＣＰアパーチ
ャを選択する。
【０１１３】ステップＳ２１において、ステップＳ２０
で選択したショット数を式１によりスループットに換算
すると、３．１３枚／ｈとなった。
で選択したショット数を式１によりスループットに換算
すると、３．１３枚／ｈとなった。
【０１１４】ステップＳ２２において、ステップ２１で
計算したスループットが、希望するスループットを下回
った。ステップＳ２３に進む。
計算したスループットが、希望するスループットを下回
った。ステップＳ２３に進む。
【０１１５】ステップＳ２３において、製品Ｂ用のＣＰ
アパーチャを作製する。図８のようにステップＳ１７で
合成したネットリストに含まれるスタンダード・セルの
ＣＰ化効率の大きい順にセルを抽出し、新たにＣＰアパ
ーチャを製作する。
アパーチャを作製する。図８のようにステップＳ１７で
合成したネットリストに含まれるスタンダード・セルの
ＣＰ化効率の大きい順にセルを抽出し、新たにＣＰアパ
ーチャを製作する。
【０１１６】ステップＳ２４において、新しいＣＰアパ
ーチャを用いてパターンデータを、Ｐ＆Ｒにより生成す
る。この場合のショット数を同様にして計算したら１．
３５Ｍショット／チップとなり、スループットは１１．
５５枚／ｈとなった。以上で図７のフローは終了する。
ーチャを用いてパターンデータを、Ｐ＆Ｒにより生成す
る。この場合のショット数を同様にして計算したら１．
３５Ｍショット／チップとなり、スループットは１１．
５５枚／ｈとなった。以上で図７のフローは終了する。
【０１１７】このフローにより、製品Ｂの設計時に、ど
のＣＰアパーチャを使った電子ビーム露光を行なうの
か、あるいは新しくＣＰアパーチャを作るべきないのを
容易に判断でき、特にこの場合は、新しいＣＰアパーチ
ャを作製する必要があるとわかる。
のＣＰアパーチャを使った電子ビーム露光を行なうの
か、あるいは新しくＣＰアパーチャを作るべきないのを
容易に判断でき、特にこの場合は、新しいＣＰアパーチ
ャを作製する必要があるとわかる。
【０１１８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ロ
ジック製品のような繰り返しパターンの少ない集積回路
でもＣＰ露光が行なえ、ＣＰ露光を行なうことによるス
ループット向上の効果が得られ、荷電ビーム露光データ
が容易に生成できる荷電ビーム露光装置を提供できる。
ジック製品のような繰り返しパターンの少ない集積回路
でもＣＰ露光が行なえ、ＣＰ露光を行なうことによるス
ループット向上の効果が得られ、荷電ビーム露光データ
が容易に生成できる荷電ビーム露光装置を提供できる。
【０１１９】本発明によれば、ロジック製品のような繰
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
アパーチャを提供できる。
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
アパーチャを提供できる。
【０１２０】本発明によれば、ロジック製品のような繰
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
荷電ビーム露光方法を提供できる。
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
荷電ビーム露光方法を提供できる。
【０１２１】本発明によれば、ロジック製品のような繰
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
半導体装置の製造方法を提供できる。
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
半導体装置の製造方法を提供できる。
【０１２２】本発明によれば、ロジック製品のような繰
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
フォトマスクの製造方法を提供できる。
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
フォトマスクの製造方法を提供できる。
【０１２３】本発明によれば、ロジック製品のような繰
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
露光パターンデータ生成方法を提供できる。
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
露光パターンデータ生成方法を提供できる。
【０１２４】本発明によれば、ロジック製品のような繰
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
露光パターンデータ生成装置を提供できる。
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
露光パターンデータ生成装置を提供できる。
【０１２５】本発明によれば、ロジック製品のような繰
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
露光パターンを生成するためのデータを記録した記録媒
体を提供できる。
り返しパターンの少ない集積回路でもＣＰ露光が行な
え、ＣＰ露光を行なうことによるスループット向上の効
果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる
露光パターンを生成するためのデータを記録した記録媒
体を提供できる。
【図１】本発明の実施の形態に係るＣＰ方式電子ビーム
露光装置の概念図である。
露光装置の概念図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るレイアウト方法を示
すフローチャート（その１）である。
すフローチャート（その１）である。
【図３】ＣＰ情報を有するスタンダードセルライブラリ
を用いて生成したＡＳＩＣ製品のデータ構造の階層構造
図である。
を用いて生成したＡＳＩＣ製品のデータ構造の階層構造
図である。
【図４】ＣＰ方式電子ビーム露光方法で用いるスタンダ
ードセルライブラリのデータ構造図である。
ードセルライブラリのデータ構造図である。
【図５】本発明の実施の形態に係るＣＰアパーチャの構
成図である。
成図である。
【図６】本発明の実施の形態に係るＣＰアパーチャブロ
ックの構成図である。
ックの構成図である。
【図７】本発明の実施の形態に係るレイアウト方法を示
すフローチャート（その２）である。
すフローチャート（その２）である。
【図８】本発明の実施例に係る半導体装置でのスタンダ
ードセルの使用リストである。
ードセルの使用リストである。
【図９】ＣＰ露光を行なうキャラクタ数と電子ビームシ
ョットの総数との関係を示すグラフである。
ョットの総数との関係を示すグラフである。
【図１０】本発明の実施の形態に係るレイアウト方法の
論理合成によって生成される論理回路図である。
論理合成によって生成される論理回路図である。
【図１１】本発明の実施の形態に係るレイアウト方法の
自動配置配線によって生成されるレイアウト図である。
自動配置配線によって生成されるレイアウト図である。
【図１２】本発明の実施の形態に係るレイアウト方法を
行なう場合に、レイアウトのデータから電子ビーム露光
用のデータへのデータの取り扱いを示す図である。
行なう場合に、レイアウトのデータから電子ビーム露光
用のデータへのデータの取り扱いを示す図である。
【図１３】本発明の実施の形態に係るレイアウト方法を
行なう事による、電子ビームショット数減少の効果と、
露光装置のスループット向上の効果を示す表である。
行なう事による、電子ビームショット数減少の効果と、
露光装置のスループット向上の効果を示す表である。
【図１４】従来のＣＰ方式電子ビーム露光装置の概念図
である。
である。
【図１５】従来の半導体装置のレイアウト方法を示すフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図１６】従来の半導体装置のレイアウト方法の論理合
成によって生成される論理回路図である。
成によって生成される論理回路図である。
【図１７】スタンダードセルのレイアウトである。
【図１８】従来のレイアウト方法の自動配置配線によっ
て生成されるレイアウト図である。
て生成されるレイアウト図である。
【図１９】従来のレイアウト方法を行なう場合に、レイ
アウトのデータから電子ビーム露光用のデータへのデー
タの取り扱いを示す図である。
アウトのデータから電子ビーム露光用のデータへのデー
タの取り扱いを示す図である。
１、２ ＣＰ情報を有するスタンダードセルライブラリ ３ アパーチャブロック ４ スタンダードセル形状の電子ビーム成形孔 ５ ＣＰアパーチャ ６ スタンダードセル形状 ７ ＶＳＢ用の開口 ８乃至１３ スタンダードセル １４乃至１８、２０、２２乃至２７ ＣＰ露光されるス
タンダードセル １９、２１ ＶＳＢ露光されるスタンダードセル ２８、４７、６５ 基板又はフォトマスク ３０ パターンデータ ３１ ＶＳＢ露光データ ３２ ＣＰ露光データ ３３ 電子ビーム露光データ ３７ 基板 ４０ 電子銃 ４１ 電子ビーム ４２ 第１成形アパーチャ ４３ キャラクタ選択偏向器 ４４ ＣＰアパーチャ及びＣＰアパーチャブロック ４５ 縮小レンズ ４６ 対物偏向器 ４８、６１乃至６４ キャラクタ ４９ キャラクタ形状の電子ビーム成形孔 ５０ 従来のＣＰアパーチャ及びＣＰアパーチャブロッ
ク ５１、５２ 従来のスタンダードセルライブラリ ５３乃至５８ スタンダードセル
タンダードセル １９、２１ ＶＳＢ露光されるスタンダードセル ２８、４７、６５ 基板又はフォトマスク ３０ パターンデータ ３１ ＶＳＢ露光データ ３２ ＣＰ露光データ ３３ 電子ビーム露光データ ３７ 基板 ４０ 電子銃 ４１ 電子ビーム ４２ 第１成形アパーチャ ４３ キャラクタ選択偏向器 ４４ ＣＰアパーチャ及びＣＰアパーチャブロック ４５ 縮小レンズ ４６ 対物偏向器 ４８、６１乃至６４ キャラクタ ４９ キャラクタ形状の電子ビーム成形孔 ５０ 従来のＣＰアパーチャ及びＣＰアパーチャブロッ
ク ５１、５２ 従来のスタンダードセルライブラリ ５３乃至５８ スタンダードセル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/82 Ｃ Ｆターム(参考） 2H095 BB01 BB02 BB10 2H097 CA16 GB00 5F056 AA04 AA06 CA04 5F064 AA04 DD02 DD10 EE02 EE42 EE43 HH09 HH12 (54)【発明の名称】 荷電ビーム露光装置、アパーチャ、荷電ビーム露光方法、半導体装置の製造方法、フォトマスク の製造方法、露光パターンデータ生成方法、露光パターンデータ生成装置、及び、露光パターン を生成するためのデータを記録した記録媒体
Claims (17)
- 【請求項１】 デバイス設計の際に用いられるスタンダ
ードセルの形状の荷電ビーム成形用の透過孔を有するこ
とを特徴とするアパーチャ。 - 【請求項２】 前記透過孔は、使用頻度のより高い前記
スタンダードセル、あるいは、キャラクタ・プロジェク
ション（ＣＰ）露光を行なうことにより可変成形ビーム
（ＶＳＢ）露光を行なった場合よりショット数の削減効
果のより高いスタンダードセルの形状であることを特徴
とする請求項１に記載のアパーチャ。 - 【請求項３】 前記アパーチャがＶＳＢ用開口部を有す
ることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のアパ
ーチャ。 - 【請求項４】 荷電ビームをアパーチャにより所望の形
状に成形し、試料に縮小照射・露光を行なうＣＰ方式の
荷電ビーム露光装置において、 前記アパーチャが、デバイス設計の際に用いられるスタ
ンダードセルの形状の荷電ビーム成形用の透過孔を有す
ることを特徴とする荷電ビーム露光装置。 - 【請求項５】 前記透過孔は、使用頻度のより高い前記
スタンダードセル、あるいは、ＣＰ露光を行なうことに
よりＶＳＢ露光を行なった場合よりショット数の削減効
果のより高いスタンダードセルの形状であることを特徴
とする請求項４に記載の荷電ビーム露光装置。 - 【請求項６】 前記アパーチャがＶＳＢ用開口部を有す
ることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の荷電
ビーム露光装置。 - 【請求項７】 荷電ビームをアパーチャにより所望の形
状に成形し、試料に縮小照射・露光を行なうＣＰ方式の
荷電ビーム露光方法において、 前記形状が、デバイス設計の際に用いられるスタンダー
ドセルの形状の荷電ビーム成形用の透過孔であることを
特徴とする荷電ビーム露光方法。 - 【請求項８】 前記スタンダードセルが、使用頻度のよ
り高い、あるいは、ＣＰ露光を行なうことによりＶＳＢ
露光を行なった場合よりショット数の削減効果のより高
いことを特徴とする請求項７に記載の荷電ビーム露光方
法。 - 【請求項９】 アパーチャが有する透過孔の形状に一致
するスタンダードセルに係わる情報を用いて電子回路の
論理合成を行なう工程と、 前記情報を用いて前記スタンダードセルの配置配線を行
なう工程とを含むことを特徴とする露光パターンデータ
生成方法。 - 【請求項１０】 前記情報は、 前記スタンダードセルのセル名と、 前記スタンダードセルの前記アパーチャ上での配置位置
と、 前記スタンダードセルの信号入出力位置と、 前記スタンダードセルの電子回路の論理シミュレーショ
ンで用いるパラメータとを含むことを特徴とする請求項
９に記載の露光パターンデータ生成方法。 - 【請求項１１】 前記論理合成を行なう工程が、 ＣＰ露光に使用する前記アパーチャを決定する工程と、 ＣＰ露光を行なう前記スタンダードセルを決定する工程
とを含むことを特徴とする請求項９又は請求項１０に記
載のパターンデータ生成方法。 - 【請求項１２】 アパーチャが有する透過孔の形状に一
致するスタンダードセルに係わる情報を用いて、ＣＰ露
光に使用する前記アパーチャとＣＰ露光を行なう前記ス
タンダードセルを決定し、電子回路の論理合成を行なう
論理合成手段と、 前記情報を用いて前記スタンダードセルの配置配線を行
なう配置配線手段とを有することを特徴とする露光パタ
ーンデータ生成装置。 - 【請求項１３】 前記情報は、 前記スタンダードセルのセル名と、 前記スタンダードセルの前記アパーチャ上での配置位置
と、 前記スタンダードセルの信号入出力位置と、 前記スタンダードセルの電子回路の論理シミュレーショ
ンで用いるパラメータとを含むことを特徴とする請求項
１２に記載の露光パターンデータ生成装置。 - 【請求項１４】 前記ＣＰ露光を行なう前記スタンダー
ドセル以外の部分をＶＳＢ露光用のデータに変換する変
換手段とを有することを特徴とする請求項１２又は請求
項１３に記載の露光パターンデータ生成装置。 - 【請求項１５】 アパーチャが有する透過孔の形状に一
致するスタンダードセルに係わり、 前記スタンダードセルのセル名と、 前記スタンダードセルの前記アパーチャ上での配置位置
と、 前記スタンダードセルの信号入出力位置と、 前記スタンダードセルの電子回路の論理シミュレーショ
ンで用いるパラメータとを含むことを特徴とするコンピ
ュ−タに露光パターンデータを生成させるためのデータ
を記録したコンピュ−タ読取り可能な記録媒体。 - 【請求項１６】 半導体装置のスタンダードセルに係わ
る情報を用いて前記半導体装置の論理合成を行なう工程
と、 前記情報を用いて前記スタンダードセルの配置配線を行
なう工程と、 荷電ビームを前記スタンダードセルの形状に成形し、半
導体基板上に縮小照射・露光を行ない前記配置配線を行
なう工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項１７】 半導体装置のスタンダードセルに係わ
る情報を用いて前記半導体装置の論理合成を行なう工程
と、 前記情報を用いて前記スタンダードセルの配置配線を行
なう工程と、 荷電ビームを前記スタンダードセルの形状に成形し、フ
ォトマスク基板上に照射・露光を行ない前記配置配線を
行なう工程とを有することを特徴とするフォトマスクの
製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000087930A JP3886695B2 (ja) | 2000-03-28 | 2000-03-28 | 露光パターンデータ生成方法、露光パターンデータ生成装置、半導体装置の製造方法、及びフォトマスクの製造方法 |
| US09/817,270 US20010028991A1 (en) | 2000-03-28 | 2001-03-27 | Exposure pattern data generation apparatus associated with standard cell library and charged beam exposure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000087930A JP3886695B2 (ja) | 2000-03-28 | 2000-03-28 | 露光パターンデータ生成方法、露光パターンデータ生成装置、半導体装置の製造方法、及びフォトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001274071A true JP2001274071A (ja) | 2001-10-05 |
| JP3886695B2 JP3886695B2 (ja) | 2007-02-28 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000087930A Expired - Lifetime JP3886695B2 (ja) | 2000-03-28 | 2000-03-28 | 露光パターンデータ生成方法、露光パターンデータ生成装置、半導体装置の製造方法、及びフォトマスクの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20010028991A1 (ja) |
| JP (1) | JP3886695B2 (ja) |
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| US10418324B2 (en) | 2016-10-27 | 2019-09-17 | Asml Netherlands B.V. | Fabricating unique chips using a charged particle multi-beamlet lithography system |
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- 2000-03-28 JP JP2000087930A patent/JP3886695B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010028991A1 (en) | 2001-10-11 |
| JP3886695B2 (ja) | 2007-02-28 |
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