JP4778777B2 - 荷電粒子線描画データの作成方法 - Google Patents

荷電粒子線描画データの作成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4778777B2
JP4778777B2 JP2005317891A JP2005317891A JP4778777B2 JP 4778777 B2 JP4778777 B2 JP 4778777B2 JP 2005317891 A JP2005317891 A JP 2005317891A JP 2005317891 A JP2005317891 A JP 2005317891A JP 4778777 B2 JP4778777 B2 JP 4778777B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
area
cell
chip
file
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005317891A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007128933A (ja
Inventor
信二 坂本
重博 原
等 日暮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nuflare Technology Inc
Original Assignee
Nuflare Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nuflare Technology Inc filed Critical Nuflare Technology Inc
Priority to JP2005317891A priority Critical patent/JP4778777B2/ja
Publication of JP2007128933A publication Critical patent/JP2007128933A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4778777B2 publication Critical patent/JP4778777B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、荷電粒子線描画データの作成方法及び荷電粒子線描画データの変換方法に係り、特に、電子線描画装置に用いられる描画データの作成方法と電子線描画装置内で処理される描画データの変換方法に関する。
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、LSIの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン(レチクル或いはマスクともいう。)が必要となる。ここで、電子線(電子ビーム)描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
図21は、従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線描画装置(EB(Electron beam)描画装置)における第1のアパーチャ410には、電子線442を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線442を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線442は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料440の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
かかる電子ビーム描画を行なうにあたり、まず、半導体集積回路のレイアウトが設計され、レイアウトデータ(設計データ)が生成される。そして、かかるレイアウトデータが変換され、電子線描画装置に入力される描画データが生成される。そして、描画データに基づいて、さらに、電子線描画装置内のフォーマットのデータに変換されて描画される。
ここで、データ量を低減することを目的として、基本パターンデータとかかる基本パターンデータを配置する配置情報とを組みとした情報が1つのデータファイルに一続きに羅列された描画データを作成する技術についての記載が文献に開示されている(例えば、特許文献1参照)。
特開平5−29202号公報
LSIの高集積化に伴って電子線描画装置が処理するデータ量が膨大なものとなっているためデータ量の圧縮が求められている。従来、設計データを描画データに変換する際には変換対象となる全図形について逐一描画データへの変換が行なわれていたが、これでは描画データ作成にかかる処理時間が膨大なものとなってしまうといった問題があった。また、作成された描画データを電子線描画装置に転送するだけでも膨大な処理時間が必要になるといった問題もあった。
ここで、上記特許文献1に記載されている描画データのように基本パターンデータと配置情報とを組みとした情報とに分け1つの基本パターンデータに対して複数の配置情報を定義することによってデータ量低減を図ることができるが、1つのデータファイルに一続きに羅列しているため、データの自由度が低く配置情報の再構成などができないといった問題が残る。
ここで、公に知られてはいないが、以下のように描画データを作成することが試みられている。
図22は、セル配置情報ファイルとセルパターン情報ファイルの一例を示す図である。
図22では、描画データを基本パターンデータとなるセルパターンデータとかかるセルの配置情報とに分けて、それぞれセルパターン情報ファイルとセル配置情報ファイルという別のファイルとして生成する。別のファイルとして生成することで、データの自由度を向上させ、配置情報の再構成などを可能としている。そして、配置情報については、1つのチップを複数の領域(エリア)に分け、領域ごとにまとめて格納(登録)している。また、セルパターンデータについては、1つのチップ内で複数の領域(エリア)から参照される共通化できるセルパターンデータについては、コモンデータとして1つのファイルに格納(登録)している。そして、共通化できないセルパターンデータについては、チップ内の領域ごとのローカルデータとしてそれぞれ1つのファイルに格納(登録)している。
コモンデータは、上述したように、1つのチップ内の複数領域に配置されている同一パターンを持つセルを共通化したものである。ここで、チップ内のセルパターンデータは、可能な限りコモンデータファイルに格納(登録)したほうが、チップデータのサイズを小さくすることができるが、コモンデータファイルに格納(登録)されているセルパターンデータは、各領域内に配置されるセルの順序に沿って格納されているわけではないので、セルパターンデータには連続性がない。さらには、個々のセルパターンデータへのアクセスはランダムにアクセスされる。よって、コモンデータファイルのサイズが大きくなるに従い、コモンデータファイルに対するアクセス時間が増大し、これを扱うデータ処理のスループットを低下させてしまうといった問題が生じることになる。
本発明は、かかる問題点を克服し、処理効率の優れた描画データを作成する手法を提供すると共に、処理効率の優れた描画データの変換手法を提供することを目的とする。
本発明の一態様の荷電粒子線描画データの作成方法は、
回路の設計データから荷電粒子線を用いて描画するための描画データを作成する荷電粒子線描画データの作成方法において、
設計データに基づいて、描画する第1のチップ領域を複数の第2のチップ領域に分割するチップ領域分割工程と、
分割された前記複数の第2のチップ領域の各第2のチップ領域を複数の仮想領域に仮想分割し、仮想分割された複数の仮想領域の各仮想領域ごとに複数の構成要素パターンのいずれかのパターンを配置するための配置情報を含む配置情報ファイルを前記描画データの一部として作成する配置情報ファイル作成工程と、
設計データに基づいて、上述した複数の構成要素パターンの各パターン情報を含むパターン情報ファイルを描画データの一部として作成するパターン情報ファイル作成工程と、
を備え、
上述したパターン情報ファイル作成工程において、複数の第2のチップ領域の各第2のチップ領域ごとに、各第2のチップ領域内の複数の仮想領域から参照されるパターン情報を1つのパターン情報ファイルとして作成することを特徴とする。
描画データをパターン情報ファイルと配置情報ファイルという別のファイルとして生成することで、データの自由度を向上させ、配置情報の再構成などを可能とすることができる。さらに、1つのチップ領域をまず複数のチップ領域に分割して、分割された各チップ領域ごとにパターン情報ファイルが分かれて作成されるため、必要なパターン情報へとアクセスする場合に、分割する前の大きな領域のチップ領域用に1つのファイルへアクセスする場合に比べ、アクセス時間を短縮することができる。
そして、本発明におけるパターン情報ファイル作成工程において、複数の第2のチップ領域の各第2のチップ領域ごとにパターン情報ファイルを作成する場合に、隣接する第2のチップ領域内の隣接する仮想領域から参照されるパターン情報を前記パターン情報ファイルに含めることを特徴とする。
隣接する仮想領域のパターン情報を余分に持つことで、後にデータ変換する場合に、近接効果補正を考慮してパターンの図形形状を補正することができる。
或いは、パターン情報ファイル作成工程において、複数の第2のチップ領域の各第2のチップ領域ごとに前記パターン情報ファイルを作成する場合に、当該第2のチップ領域用のパターン情報ファイルの1つとして、隣接する第2のチップ領域内の隣接する仮想領域から参照されるパターン情報を上述したパターン情報ファイルとは別のファイルとして作成するようにしても好適である。
かかる構成にすることで、複数の仮想領域から参照される上述したパターン情報ファイルのデータ量を低減することができる。その結果、アクセス時間を短縮することができる。
そして、上述したパターン情報ファイル作成工程において、複数の第2のチップ領域の各第2のチップ領域ごとに、複数の仮想領域から参照されるパターン情報と1つの仮想領域から参照されるパターン情報とを別々のファイルとして作成することを特徴とする。
複数の仮想領域から参照されるパターン情報と1つの仮想領域から参照されるパターン情報とを別々のファイルとして作成することで、1つの仮想領域から参照されるパターン情報へのアクセス時間を短縮することができる。
本発明の一態様の荷電粒子線描画データの変換方法は、
荷電粒子線を用いて描画するための、複数のチップ領域の各チップ領域ごとに配置される複数の構成要素パターンのパターン情報が含まれる描画データを入力する入力工程と、
入力された描画データを、第1の記憶装置に記憶する第1の記憶工程と、
描画データに含まれる複数の構成要素パターンのパターン情報のうち、上述した複数のチップ領域の各チップ領域ごとに各チップ領域内で複数回参照される構成要素パターンのパターン情報を第1の記憶装置から第2の記憶装置に記憶する第2の記憶工程と、
複数回参照される構成要素パターンのパターン情報を第2の記憶装置から読み出し、1回参照される構成要素パターンのパターン情報を第1の記憶装置から読み出して、それぞれ荷電粒子線描画装置内で用いるフォーマットのデータに変換する装置内フォーマット変換工程と、
を備えたことを特徴とする。
複数回参照される構成要素パターンのパターン情報を第1の記憶装置から第2の記憶装置に記憶して、第2の記憶装置から読み出すようにすることで、読み出すまでにかかるアクセス時間を短縮することができる。
本発明によれば、アクセス時間を短縮することができるので、処理効率の優れた描画データの変換を行なうことができる。すなわち、本発明によれば、処理効率の優れた描画データの変換が可能な描画データを作成することができる。
以下、各実施の形態において、電子線描画装置用のハンドリングデータとして用いられる荷電粒子線描画データの一例となる電子線描画データについて、その作成方法と変換方法とについて説明する。
実施の形態1.
図1は、実施の形態1における電子線描画データの作成方法と電子線描画データの変換方法との要部工程を示すフローチャート図である。
図1に示すように、設計データ10を描画データ作成装置にて変換して描画データ12を作成する。そして、作成された描画データ12を電子線描画装置内に入力して装置内部データ14に変換する。図1において、電子線描画データの作成方法は、チップ領域分割工程(S101)と、配置情報ファイル作成工程の一例となるセル配置情報ファイル作成工程(S102)と、パターン情報ファイル作成工程の一例となるセルパターン情報ファイル作成工程(S104)と、リンク情報ファイル作成工程(S106)という一連の工程を実施する。そして、電子線描画データの変換方法は、入力工程(S108)と、装置内フォーマット変換工程(S112)という一連の工程を実施する。
図2は、描画装置の要部構成の一例を示す概念図である。
図2において、荷電粒子線描画装置の一例となる可変成形型EB描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。制御部160は、制御回路110、描画データ処理回路120を備えている。描画データ処理回路120は、磁気ディスク装置等の記憶装置122、基板の一例となる複数の装置内フォーマット変換回路124を有している。描画部150は、電子鏡筒102、XYステージ105、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、偏向器208、ファラデーカップ209を有している。図2では、本実施の形態1を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。可変成形型EB描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
また、描画データ作成装置300において、描画データ12を作成し、描画データ処理回路120に出力する。そして、描画データ処理回路120は、入力した描画データ12を記憶装置122に記憶する。そして記憶された描画データ12を装置内フォーマット変換回路124にて装置内部データ14に変換して、かかる装置内部データ14に沿って、制御回路110により描画部150が制御され、試料に所望する図形パターンが描画される。その際、後述するように、複数の装置内フォーマット変換回路124にて分散処理することにより効率良く装置内部データ14に変換することができる。
電子銃201から出た荷電粒子線の一例となる電子ビーム200は、照明レンズ202により矩形、例えば長方形の穴を持つ第1のアパーチャ203全体を照明する。ここで、電子ビーム200をまず矩形、例えば長方形に成形する。そして、第1のアパーチャ203を通過した第1のアパーチャ像の電子ビーム200は、投影レンズ204により第2のアパーチャ206上に投影される。かかる第2のアパーチャ206上での第1のアパーチャ像の位置は、偏向器205によって制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第2のアパーチャ206を通過した第2のアパーチャ像の電子ビーム200は、対物レンズ207により焦点を合わせ、偏向器208により偏向されて、移動可能に配置されたXYステージ105上の試料101の所望する位置に照射される。また、ビーム強度等はファラデーカップ209に電子ビーム200を照射して測定することができる。
図3は、描画データ作成装置の主要構成を示すブロック図である。
図3において、描画データ作成装置300は、チップ領域分割回路302、セル配置情報ファイル作成回路310、セルパターン情報ファイル作成回路320、リンク情報ファイル作成回路330を備えている。図3では、本実施の形態1を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画データ作成装置300にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。例えば、入出力手段等の図示は省略している。
図4は、データの階層構造の一例を示す図である。
設計データ10では、チップ上に複数のセルが配置され、そして、各セルには、かかるセルを構成するパターンとなる図形が配置されている。そして、描画データ12では、図4に示すように、描画領域が、チップの層、チップ領域を例えばy方向に向かって短冊状に複数の仮想領域に分割したフレームの層、フレーム領域を所定の大きさの領域に分割したブロックの層、上述したセルの層、かかるセルを構成するパターンとなる図形の層といった一連の複数の内部構成単位ごとに階層化されている。そして、装置内部データ14は、さらに、クラスタの層を内部構成単位として有している。図4では、階層数が多い装置内部データ14を一例として記載している。
半導体集積回路を製造するにあたって、まず、半導体集積回路のレイアウトが設計され、設計データ10が生成される。次に、設計データ10が描画データ作成装置300により変換され、電子線描画装置の一例である可変成形型EB描画装置100において用いられる描画データ12が生成される。かかる描画データ12が可変成形型EB描画装置100に入力されると、描画データ処理回路120において、装置内フォーマットに変換され、装置内部データ14が生成され、描画装置がマスク等の試料にデータに含まれる図形パターンを電子線で描画することになる。
図5は、セル配置の一例を示す図である。
例えば、チップ内の各フレームに図5に示すようなセルA、セルB、セルC、セルD、セルE、セルFが配置されているとする。具体的に言えば、エリア1となるフレーム1の領域には、P1の位置にセルAが、P2の位置にセルB、P3の位置にセルDが配置されている。各セルがフレームのどの位置に配置されるかについては各セルの基準点の位置により決めればよい。エリア2となるフレーム2の領域には、P4の位置にセルBが、P5の位置にセルAが配置されている。エリア3となるフレーム3の領域には、P6の位置にセルCが、P7の位置にセルDが、P8の位置にセルAが配置されている。エリア4となるフレーム4の領域には、P9の位置にセルDが、P10の位置にセルEが、P11の位置にセルFが配置されている。
S(ステップ)101において、チップ領域分割工程として、設計データ10が描画データ作成装置300に入力されると、チップ領域分割回路302は、1つのチップ領域を複数のチップ領域に分割する。
図6は、チップ領域分割した一例を示す図である。
図6に示すように、元々1つのチップ領域であった領域を複数のチップ領域に分割する。図6では、一例として、新たに分割されたチップ領域1には、エリア1となるフレーム1の領域とエリア2となるフレーム2の領域が含まれる。そして、新たに分割されたチップ領域2には、エリア3となるフレーム3の領域とエリア4となるフレーム4の領域が含まれる。元々1つのチップ領域であった領域を複数のチップ領域に分割することで、1つのチップ領域のデータ量を減らすことができる。その結果、各チップ領域のデータ処理時間を短縮することができる。
S102において、セル配置情報ファイル作成工程として、元々1つのチップ領域であった領域を複数のチップ領域に分割された後、セル配置情報ファイル作成回路310は、設計データ10に基づいて、分割されたチップ領域ごとにセル配置情報ファイルを作成する。
図7は、実施の形態1におけるセル配置情報ファイルとセルパターン情報ファイルの一例を示す図である。
図7(a)に示すように、分割されたチップ領域ごとの各セル配置情報ファイルには、描画する領域を複数の仮想領域に仮想分割した複数のフレーム領域の各フレーム領域ごとに、複数の構成要素パターンであるセルA〜Fのいずれかを配置するための配置情報が含まれている。セル配置情報は、セルの基準点の位置情報等で示される。ここでは、チップ領域1用のセル配置情報ファイルのファイルヘッダに続き、エリア1ヘッダ、エリア1内に配置されたセル配置情報P1、セル配置情報P2、セル配置情報P3、エリア2ヘッダ、エリア2内に配置されたセル配置情報P4、セル配置情報P5が格納(定義、或いは記載)されている。そして、チップ領域2用のセル配置情報ファイルのファイルヘッダに続き、エリア3ヘッダ、エリア3内に配置されたセル配置情報P6、セル配置情報P7、セル配置情報P8、エリア4ヘッダ、エリア4内に配置されたセル配置情報P9、セル配置情報P10、セル配置情報P11が格納(定義、或いは記載)されている。図7では、一例として、2つのチップ領域しか記載していないが、さらに多くのチップ領域があっても構わないことは言うまでもない。
図8は、セル配置情報の一例を示す図である。
各セル配置情報Pnには、セルサイズ(Xn,Yn)、セル配置位置(Xn,Yn)、リンク情報インデックス(k)が含まれている。かかるデータにより、セル配置情報ファイルでは、各フレームに配置されるセルのサイズ、位置、そして後述するセルパターン情報へとリンクさせるための情報を把握することができる。
S104において、セルパターン情報ファイル作成工程として、設計データ10が描画データ作成装置300に入力されると、セルパターン情報ファイル作成回路320は、設計データ10に基づいて、分割されたチップ領域ごとにセルパターン情報ファイルを作成する。
図7(b)に示すように、セルパターン情報ファイルには、複数の構成要素パターンであるセルA〜Fの各パターン情報が含まれている。ここでは、複数のフレーム領域から参照される共通化できるセルパターンデータについては、コモンデータとして、共通化できないセルパターンデータについては、各チップ内のフレーム領域ごとのローカルデータとしてそれぞれファイルに格納(定義、或いは記載)している。そして、図7(b)に示すように、セルパターン情報ファイル作成回路320は、分割されたチップ領域ごとにコモンデータを1つのファイルとして作成する。そして、各チップ領域ごとに閉じた系となるようにセルパターン情報ファイルが作成されている。特に、コモンデータについて、各チップ領域ごとに閉じた系となるようにセルパターン情報ファイルを作成する。
ここで、MPU(Micro Processing Unit)等のデータ構造は、共通化できるセルがチップ全面に散らばっているわけではなく、一定の領域に固まっていることが多い。よって、かかるデータ構造の特徴を生かして、コモンデータを分割前の元々のチップ領域に対して1つのファイルを作成するようにしないで、分割された複数のチップ領域の各チップ領域ごとに別々のファイルとして作成することで、ファイルサイズを小さくし、1つのファイルに格納(定義、或いは記載)されたセルパターンデータ数を低減することができる。その結果、各セルパターンデータを参照する場合に所望するセルパターンデータへのアクセス時間を短縮することができる。
ここでは、エリア1とエリア2用のコモンデータとして、セルAとセルBのパターンデータを1つのファイル(チップ1用コモンデータファイル)に作成する。そして、エリア3とエリア4用のコモンデータとして、セルDのパターンデータを1つのファイル(チップ2用コモンデータファイル)に作成する。そして、エリア1用のローカルデータとして、セルDのパターンデータを1つのファイル(エリア1用ローカルデータファイル)に作成する。また、エリア3用のローカルデータとして、セルAとセルCのパターンデータを1つのファイル(エリア3用ローカルデータファイル)に作成する。また、エリア4用のローカルデータとして、セルEとセルFのパターンデータを1つのファイル(エリア4用ローカルデータファイル)に作成する。各ファイルは、ファイルヘッダに続き、該当するセルのパターンデータが格納(定義、或いは記載)されている。
S106において、リンク情報ファイル作成工程として、設計データ10が描画データ作成装置300に入力されると、リンク情報ファイル作成回路330は、設計データ10に基づいて、リンク情報ファイルを作成する。
図9は、リンク情報ファイルの一例を示す図である。
図9に示すように、リンク情報ファイルには、セル配置情報とセルパターン情報とをリンクさせるリンク情報が含まれる。ここでは、リンク情報ファイルのファイルヘッダに続き、パターンデータ種別ごとに、ファイル識別子、パターンデータアドレスが順に格納(定義、登録、或いは記載)されている。例えば、図7に示すように、セル配置情報P1には、セルAが配置される。そこで、図8に示したセル配置情報P1におけるリンク情報インデックス(k)に、セルAパターンデータのアドレスへとつながるセルAパターンデータが格納(定義、登録、或いは記載)されたチップ1用コモンデータファイルの識別子を格納(定義、或いは記載)しておくことにより、チップ1用コモンデータファイルとリンクさせることができる。そして、リンク情報ファイルにおけるファイル識別子に続くパターンデータアドレスにより、セルパターンデータAとリンクさせることができる。
以上のように、描画データ作成装置300において、描画データ12の一部として、各チップ領域ごとのセル配置情報ファイルと、各チップ領域ごとのコモンデータファイルが構成ファイルとなるセルパターン情報ファイルとリンク情報ファイルとを作成することで、データ量を圧縮しながらアクセス時間を短縮可能に効率良くデータを読みに行くことができる描画データ12を作成することができる。
また、描画装置では、近接効果補正等を行なうにあたって、分割前の元々のチップについて隣り合うチップからの影響を考慮する必要から複数のチップを1つにまとめてセルを特定の領域に振り分けるチップマージ処理を行なうことが一般的である。ここで、チップマージ処理といった配置情報の再構成処理を行なうにあたり、セル配置情報とセルパターン情報とが混在したデータファイルでは、配置情報の再構成処理を行なうことが困難、或いは処理時間が長くなってしまう。しかしながら、本実施の形態のように、セル配置情報ファイルとセルパターン情報ファイルとを別のファイルとして作成することにより、配置情報の再構成を自由に行なうことができ、配置情報の再構成処理を行ない易くすることができる。
S108において、入力工程として、描画データ処理回路120は、描画データ作成装置300において作成された描画データ12を入力する。ここで、短い数値や識別子といった情報で構成可能なセル配置情報ファイルやリンク情報ファイルと比べ、上述したように、特に、データ量が大きくなるセルパターンデータを分割されたチップ領域ごとに複数回参照されるセルパターンデータについて、図7(b)に示すように、1つのコモンデータファイルとして格納(定義、或いは記載)することによりデータ量の圧縮を図っているため、入力処理(データ転送処理)にかかる時間を大きく短縮することができる。
図10は、実施の形態1における描画データ処理回路の主要構成を示すブロック図である。
図11は、図10に示す描画データ処理回路の動作を説明するためのブロック図である。
図10において、描画データ処理回路120は、基板の一例となる複数の装置内フォーマット変換回路124(a,b,・・・)を備えている。各装置内フォーマット変換回路124内には、それぞれ、メモリ126と例えばCPU(Central Processing Unit)等で構成される複数のデータ変換回路125(a,b,・・・)が配置されている。各装置内フォーマット変換回路124は、バス128を介して記憶装置122に接続されている。そして、各装置内フォーマット変換回路124内でもバス129を介してメモリ126に接続されている。図10では、本実施の形態1を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画データ処理回路120にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。例えば、入出力手段等の図示は省略している。
S112において、装置内フォーマット変換工程として、各装置内フォーマット変換回路124は、描画データ12を装置内フォーマットに変換して装置内部データ14を生成する。例えば、クラスタ分割処理やショットデータ作成処理といった処理を行う。1つ1つの処理を直列に順に行なっていたのでは処理時間が膨大なものとなってしまう。本実施の形態では、複数の装置内フォーマット変換回路124を備えているので、分散処理にて行なうことができ処理時間を短縮させることができる。例えば、エリアごとに1つの装置内フォーマット変換回路124を割り当てて処理を行なえばよい。さらに、本実施の形態では、各装置内フォーマット変換回路124内に複数のデータ変換回路125が配置されているので、各データ変換回路125を用いて並列処理を行なうことができ処理時間を短縮させることができる。例えば、配置情報ごとに1つのデータ変換回路125を割り当てて処理を行なえばよい。さらに、各機能が常に稼動しているように順に処理を進めていくパイプライン処理を行なえば、より効率的に短時間で描画データ12を装置内フォーマットに変換することができ、なお好適である。
以上のように、本実施の形態におけるデータ構成によれば、描画データ作成装置300において、描画データ12の一部として、セル配置情報ファイルと、複数のコモンデータファイルが構成ファイルとなるセルパターン情報ファイルとリンク情報ファイルとを作成することで、描画データ処理回路120において、アクセス時間を短縮可能に効率良くデータを読みに行くことができる。
実施の形態2.
上述した各実施の形態では、セル配置情報ファイルとセルパターン情報ファイルとをリンクさせる場合に、リンク情報ファイルという別のファイルに格納(定義、登録、或いは記載)された情報を用いていたが、実施の形態2では、リンク情報ファイルという別のファイルを用いない場合について説明する。可変成形型EB描画装置100の装置構成は、実施の形態1と同様で構わないため説明を省略する。描画データ作成装置300の装置構成は、図3の構成の内、リンク情報ファイル作成回路330を省略できる点以外は、実施の形態1と同様で構わないため説明を省略する。また、図1において、電子線描画データの作成方法は、リンク情報ファイル作成工程(S106)を省略できる点以外は、実施の形態1と同様である。
まず、図1におけるS101において、チップ領域分割工程として、設計データ10が描画データ作成装置300に入力されると、チップ領域分割回路302は、1つのチップ領域を複数のチップ領域に分割する。
そして、図1におけるS102において、セル配置情報ファイル作成工程として、設計データ10が描画データ作成装置300に入力されると、セル配置情報ファイル作成回路310は、設計データ10に基づいて、セル配置情報ファイルを作成する。
図12は、実施の形態2におけるセル配置情報ファイルとセルパターン情報ファイルの一例を示す図である。
図12(a)に示すように、分割された各チップ領域のセル配置情報ファイルには、描画する領域を複数の仮想領域に仮想分割した前記複数のフレーム領域の各フレーム領域ごとに、複数の構成要素パターンであるセルA〜Fのいずれかを配置するための配置情報が含まれている。ここでは、各セル配置情報に参照するコモンデータファイルの識別子(ID)が格納(定義、或いは記載)されている。その他は、図7(a)と同様であるため説明を省略する。
図13は、セル配置情報の一例を示す図である。
各セル配置情報Pnには、セルサイズ(Xn,Yn)、セル配置位置(Xn,Yn)、セルパターンデータアドレスが含まれている。かかるデータにより、セル配置情報ファイルでは、各フレームに配置されるセルのサイズ、位置を把握することができる。そして、識別されたコモンデータファイル内でのセルパターンデータアドレスを把握することができる。
S104において、セルパターン情報ファイル作成工程として、設計データ10が描画データ作成装置300に入力されると、セルパターン情報ファイル作成回路320は、設計データ10に基づいて、セルパターン情報ファイルを作成する。
図12(b)に示すセルパターン情報ファイルは、図7(b)と同様であるため説明を省略する。実施の形態2でも、実施の形態1と同様、分割された各チップ領域ごとにコモンデータを1つのファイルとして作成することで、ファイルサイズを小さくし、1つのファイルに格納(定義、或いは記載)されたセルパターンデータ数を低減することができる。その結果、各セルパターンデータを参照する場合に所望するセルパターンデータへのアクセス時間を短縮することができる。
かかる構成により、各セル配置情報に格納(定義、或いは記載)されたコモンデータファイル識別子(ID)により、所望するコモンデータファイルとリンクさせることができる。そして、セル配置情報におけるパターンデータアドレスにより、所望するセルパターンデータとリンクさせることができる。例えば、図12に示すように、セル配置情報P1には、セルAが配置される。そこで、図12(a)に示したセル配置情報P1におけるコモンデータファイル識別子(ID1)により、チップ1用コモンデータファイルとリンクさせることができる。そして、セル配置情報P1におけるパターンデータアドレスにより、セルパターンデータAとリンクさせることができる。
以上のように、描画データ作成装置300において、リンク情報ファイルを作成しない場合でも、描画データ12の一部として、チップ領域ごとのセル配置情報ファイルとコモンデータファイルが構成ファイルとなるセルパターン情報ファイルを作成することで、データ量を圧縮しながらアクセス時間を短縮可能に効率良くデータを読みに行くことができる描画データ12を作成することができる。
実施の形態3.
図14は、実施の形態3における電子線描画データの作成方法と電子線描画データの変換方法との要部工程を示すフローチャート図である。
図14に示すように、設計データ10を描画データ作成装置にて変換して描画データ12を作成する。そして、作成された描画データ12を電子線描画装置内に入力して装置内部データ14に変換する。図14において、電子線描画データの作成方法は、上述した各実施の形態と同様で構わないため説明を省略する。そして、電子線描画データの変換方法は、入力工程(S108)と、データ記憶工程(1)(S1602)と、データ記憶工程(2)(S1604)と、装置内フォーマット変換工程(S112)という一連の工程を実施する。
可変成形型EB描画装置100や描画データ作成装置300の装置構成は、実施の形態1と同様で構わないため説明を省略する。また、図14におけるS101〜S108までは、各実施の形態と同様であるため説明を省略する。
図15は、チップ1領域における装置内フォーマット変換工程を説明するための図である。
ここで、本実施の形態3では、エリア1,2における装置内フォーマット変換を1つのノード、エリア3,4における装置内フォーマット変換を1つのノードとして処理する。例えば、エリア1,2では、同じ装置内フォーマット変換回路124で処理する。
S1602において、データ記憶工程(1)として、入力工程(S108)で入力された描画データ12を1つの基板となる装置内フォーマット変換回路124とバス128を介して接続された磁気ディスク装置等の記憶装置122に記憶する。
S1604において、データ記憶工程(2)として、記憶装置122に記憶された描画データ12の各ファイルのうち、各ノードに必要なコモンデータファイルを装置内フォーマット変換回路124内に配置されたメモリ126に一端、記憶(コピー)する。図15では、エリア1,2における装置内フォーマット変換に必要なセルAとセルBのパターンデータを格納(定義、登録、或いは記載)したファイル(チップ1用コモンデータファイル)をメモリ126に記憶(コピー)する。
そして、S112において、装置内フォーマット変換工程として、各装置内フォーマット変換回路124は、描画データ12を装置内フォーマットに変換して装置内部データ14を生成する。例えば、クラスタ分割処理やショットデータ作成処理といった処理を行う。ここで、各装置内フォーマット変換回路124、或いは各装置内フォーマット変換回路124内のデータ変換回路125は、コモンデータを参照する場合には、記憶装置122にわざわざ読みに行かず、メモリ126に一端、記憶(コピー)されたコモンデータを読み出して使用する。
図15に示すように、エリア1,2のデータ処理を行なう場合に、1つの基板となる装置内フォーマット変換回路124とバス128を介して接続された磁気ディスク装置等の記憶装置122からその都度データを入力するよりも、同じ基板内でバス129を介して回路接続されたメモリ126から入力するほうが、読み出すまでにかかるアクセス時間を短縮することができる。例えば、図15では、エリア1の領域のデータ処理を行う場合、装置内フォーマット変換回路124内の各データ変換回路125は、メモリ126に記憶(コピー)されたコモンデータファイルから各セルパターンデータを読み出して装置内フォーマットに変換する。同様に、エリア2の領域のデータ処理を行う場合、装置内フォーマット変換回路124は、既にメモリ126に記憶(コピー)されたコモンデータファイルを再利用して各セルパターンデータを読み出して装置内フォーマットに変換する。言い換えれば、エリア1,2のデータ処理を行なう場合に、チップ1用コモンデータファイルの記憶(コピー)回数を1度だけにして再利用する。バス128を介して接続された磁気ディスク装置等の記憶装置122から読み出す回数を1度だけにして記憶(コピー)回数を減らすことで処理速度を向上させることができる。そして、セルDのパターンデータについては記憶装置122に記憶されたエリア1用ローカルデータファイルからパターンデータを読み出して装置内フォーマットに変換する。
図16は、チップ2領域における装置内フォーマット変換工程を説明するための図である。
図16では、エリア3,4の領域のデータ処理を行う場合、装置内フォーマット変換回路124は、コモンデータとして、セルDのパターンデータを格納(定義、登録、或いは記載)したファイル(チップ2用コモンデータファイル)をメモリ126に記憶(コピー)する。そして、装置内フォーマット変換回路124内の各データ変換回路125は、セルDのパターンデータについてはメモリ126に記憶(コピー)されたコモンデータファイルからセルパターンデータを読み出して装置内フォーマットに変換する。そして、セルAとセルCのパターンデータについては記憶装置122に記憶されたエリア3用ローカルデータファイルからパターンデータを読み出して装置内フォーマットに変換する。同様に、エリア4の領域のデータ処理を行う場合、装置内フォーマット変換回路124は、既にメモリ126に記憶(コピー)されたコモンデータファイルからセルDのパターンデータを読み出して再利用し装置内フォーマットに変換する。そして、セルEとセルFのパターンデータについては記憶装置122に記憶されたエリア4用ローカルデータファイルから各セルパターンデータを読み出して装置内フォーマットに変換する。
ここで、1つ1つの処理を直列に順に行なっていたのでは処理時間が膨大なものとなってしまう。本実施の形態でも、上述した各実施の形態と同様、例えば、エリアごとに1つの装置内フォーマット変換回路124を割り当てて処理を行なえばよい。さらに、本実施の形態でも、上述した各実施の形態と同様、各装置内フォーマット変換回路124内に複数のデータ変換回路125が配置されているので、各データ変換回路125を用いて並列処理を行なうことができ処理時間を短縮させることができる。例えば、配置情報ごとに1つのデータ変換回路125を割り当てて処理を行なえばよい。さらに、各機能が常に稼動しているように順に処理を進めていくパイプライン処理を行なえば、より効率的に短時間で描画データ12を装置内フォーマットに変換することができ、なお好適である。
以上のように、各エリアのデータ処理を行なう場合に、コモンデータについては、メモリ126から読み出し、ローカルデータについては、磁気ディスク装置等の記憶装置122から読み出す。コモンデータについては、データサイズが大きくなる場合が多いため、1つの基板となる装置内フォーマット変換回路124とバス128を介して接続された磁気ディスク装置等の記憶装置122からその都度データを入力するよりも、同じ基板内でバス129を介して回路接続されたメモリ126から入力するほうが、アクセス時間を短縮することができる。一方、ローカルデータについては、データサイズが小さくなる場合が多いため、記憶装置122から読み出しても処理時間はあまり変わらない。また、ローカルデータについては、磁気ディスク装置等の記憶装置122から読み出すことで、メモリ126容量が不足して、必要なコモンデータをコピーできなくなるといった事態を防止することができる。
そして、本実施の形態における電子線描画データの変換方法によれば、分割された各チップ領域という限られた一定の領域で閉じた参照するためのパターンデータファイルを作成することで、他の領域が処理している間、参照できなくなるファイルが存在しないようにすることができる。また、各チップ領域内のフレーム領域で、メモリ126へ記憶(コピー)するコモンデータファイルを共有化することで記憶(コピー)回数を減らし、処理時間の短縮化を図ることができる。
実施の形態4.
実施の形態3では、メモリ126へコモンデータファイルを記憶(コピー)していたが、これに限るものではなく、実施の形態4では、メモリ126の代わりに高速アクセス磁気ディスク装置から読み出す。可変成形型EB描画装置100や描画データ作成装置300の装置構成は、以下の点を除いて実施の形態1と同様で構わないため異なっている箇所以外の説明を省略する。電子線描画データの作成方法と電子線描画データの変換方法との要部工程は、図14と同様で構わないため必要な箇所を除いて説明を省略する。
図17は、実施の形態4における描画データ処理回路の主要構成を示すブロック図である。
図17において、描画データ処理回路120は、基板の一例となる複数の装置内フォーマット変換回路124(a,b,・・・)を備えている。各装置内フォーマット変換回路124内には、それぞれ、例えばCPU(Central Processing Unit)等で構成される複数のデータ変換回路125(a,b,・・・)がバス129を介して配置されている。各装置内フォーマット変換回路124は、バス128を介して通常のハードディスク装置等の記憶装置122と、高速アクセス磁気ディスク装置123に接続されている。図17では、図10と同様、本実施の形態4を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画データ処理回路120にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。例えば、入出力手段等の図示は省略している。
図18は、チップ1領域内のエリア1,2における装置内フォーマット変換工程を説明するための図である。
S1602において、データ記憶工程(1)として、入力工程(S108)で入力された描画データ12を1つの基板となる装置内フォーマット変換回路124とバス128を介して接続された磁気ディスク装置等の記憶装置122に記憶する。
S1604において、データ記憶工程(2)として、記憶装置122に記憶された描画データ12の各ファイルのうち、必要なコモンデータファイルを高速アクセス磁気ディスク装置123に記憶(コピー)する。
そして、S112において、装置内フォーマット変換工程として、各装置内フォーマット変換回路124は、描画データ12を装置内フォーマットに変換して装置内部データ14を生成する。例えば、クラスタ分割処理やショットデータ作成処理といった処理を行う。ここで、各装置内フォーマット変換回路124、或いは各装置内フォーマット変換回路124内のデータ変換回路125は、コモンデータを参照する場合には、記憶装置122にわざわざ読みに行かず、高速アクセス磁気ディスク装置123に記憶(コピー)されたコモンデータを読み出して使用する。
図18に示すように、各エリアのデータ処理を行なう場合に、1つの基板となる装置内フォーマット変換回路124とバス128を介して接続された磁気ディスク装置等の記憶装置122からその都度データを入力するよりも、高速アクセス磁気ディスク装置123から入力するほうが、読み出すまでにかかるアクセス時間を短縮することができる。例えば、図18では、エリア1の領域のデータ処理を行う場合、装置内フォーマット変換回路124(ここでは、124a)は、コモンデータとして、セルAとセルBのパターンデータを格納(定義、登録、或いは記載)したファイル(チップ1用コモンデータファイル)を高速アクセス磁気ディスク装置123に記憶(コピー)する。そして、装置内フォーマット変換回路124内の各データ変換回路125は、高速アクセス磁気ディスク装置123に記憶(コピー)されたコモンデータファイルから各セルパターンデータを読み出して装置内フォーマットに変換する。同様に、エリア2の領域のデータ処理を行う場合、装置内フォーマット変換回路124内の各データ変換回路125は、高速アクセス磁気ディスク装置123に記憶(コピー)されたコモンデータファイルから各セルパターンデータを読み出して装置内フォーマットに変換する。エリア3,4のデータ処理を行なう場合については、エリア1,2のデータ処理を行なう場合と同様に進めれば良いので説明を省略する。
以上のように、各装置内フォーマット変換回路124は、バス128を介して高速アクセス磁気ディスク装置123に接続されることで、各エリアのデータ処理をそれぞれ独立したノードで処理する場合、例えば、装置内フォーマット変換回路124ごとにエリアを分けて処理する場合でも、装置内フォーマット変換回路124内に配置されるメモリ126と異なり高速アクセス磁気ディスク装置123を共有ディスクとして各ノードからアクセスすることが可能となる。
実施の形態5.
実施の形態5では、上述した各実施の形態にて説明した分割された各チップ領域ごとにセルパターンデータファイルのうちのコモンデータファイルを閉じた系に構成する場合に、隣接するエリアのセル配置情報とセルパターンデータを含めて閉じる構成について説明する。
図19は、実施の形態5におけるセル配置情報ファイルとセルパターン情報ファイルの一例を示す図である。
図19(a)に示すように、分割されたチップ領域ごとの各セル配置情報ファイルには、描画する領域を複数の仮想領域に仮想分割した複数のフレーム領域の各フレーム領域ごとに、複数の構成要素パターンであるセルA〜Fのいずれかを配置するための配置情報が含まれている。セル配置情報は、セルの基準点の位置情報等で示される。ここでは、チップ領域1用のセル配置情報ファイルのファイルヘッダに続き、エリア1ヘッダ、エリア1内に配置されたセル配置情報P1、セル配置情報P2、セル配置情報P3、エリア2ヘッダ、エリア2内に配置されたセル配置情報P4、セル配置情報P5、エリア3ヘッダ、エリア3内に配置されたセル配置情報P6、セル配置情報P7、セル配置情報P8が格納(定義、或いは記載)されている。そして、チップ領域2用のセル配置情報ファイルのファイルヘッダに続き、エリア2ヘッダ、エリア2内に配置されたセル配置情報P4、セル配置情報P5、エリア3ヘッダ、エリア3内に配置されたセル配置情報P6、セル配置情報P7、セル配置情報P8、エリア4ヘッダ、エリア4内に配置されたセル配置情報P9、セル配置情報P10、セル配置情報P11が格納(定義、或いは記載)されている。図19では、一例として、2つのチップ領域しか記載していないが、図7と同様、さらに多くのチップ領域があっても構わないことは言うまでもない。
また、各セル配置情報Pnの内容も図8と同様で構わないため説明を省略する。また、リンク情報ファイルの内容も図9と同様で構わないため説明を省略する。
S104において、セルパターン情報ファイル作成工程として、設計データ10が描画データ作成装置300に入力されると、セルパターン情報ファイル作成回路320は、設計データ10に基づいて、セルパターン情報ファイルを作成する。
図19(b)に示すように、セルパターン情報ファイルには、複数の構成要素パターンであるセルA〜Fの各パターン情報が含まれている。ここでは、分割された各チップ領域内の複数のフレームから参照される共通化できるセルパターンデータについては、コモンデータとして、共通化できないセルパターンデータについては、チップ内のフレーム領域ごとのローカルデータとしてそれぞれファイルに格納(定義、或いは記載)している。そして、図19(b)に示すように、セルパターン情報ファイル作成回路320は、コモンデータを分割された各チップ領域ごとに1つのファイルとして作成する。図7(b)とは、チップ2用のコモンデータとして、格納(定義、登録、或いは記載)されていたセルDのパターンデータを、チップ1用のコモンデータに追加して格納(定義、登録、或いは記載)した点、チップ1用のコモンデータとして、格納(定義、登録、或いは記載)されていたセルAのパターンデータを、チップ2用のコモンデータに追加して格納(定義、登録、或いは記載)した点が異なっている。さらに、チップ1用のコモンデータとして、格納(定義、登録、或いは記載)されていたセルBのパターンデータを、エリア2用のローカルデータとして追加した点が異なっている。また、セルCのセルパターンデータをエリア3用のローカルデータとした点が異なっている。
エリア1とエリア2とでチップ領域1を構成する場合、エリア1より前のエリアは存在しないので、エリア2と隣接するエリア3のセル配置情報とセルパターンデータのうちのコモンデータもチップ1用の閉じた系の中に格納(定義、登録、或いは記載)する。そして、チップ領域1に含めたセル配置情報P6に対応するセルCのセルパターンデータは、エリア3用のローカルデータから参照する。チップ領域1に含めたセル配置情報P7に対応するセルDのセルパターンデータは、チップ1用のコモンデータから参照する。チップ領域1に含めたセル配置情報P8に対応するセルAのセルパターンデータは、チップ1用のコモンデータから参照する。
同様に、エリア3とエリア4とでチップ領域2を構成する場合、エリア4より後のエリアは存在しないので、エリア3と隣接するエリア2のセル配置情報とセルパターンデータのうちのコモンデータもチップ2用の閉じた系の中に格納(定義、登録、或いは記載)する。もしもエリア4より後のエリアが存在する場合には、エリア4と隣接するエリア5のセル配置情報とセルパターンデータのうちのコモンデータもチップ2用の閉じた系の中に格納(定義、登録、或いは記載)する。そして、チップ領域2に含めたセル配置情報P4に対応するセルBのセルパターンデータは、エリア2用のローカルデータから参照する。チップ領域2に含めたセル配置情報P5に対応するセルAのセルパターンデータは、チップ2用のコモンデータから参照する。
以上のように、分割された各チップ領域の前後1つのチップ領域内の隣接するエリアのセルパターンデータを余分に持つことで、近接効果補正を考慮して前後のエリアのデータを参照し、自己のデータ変換に対して図形形状を補正することができる。
以上の説明において、「〜回路」或いは「〜工程」と記載したものの処理内容或いは動作内容は、コンピュータで動作可能なプログラムにより構成することができる。或いは、ソフトウェアとなるプログラムだけではなく、ハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、ファームウェアとの組合せでも構わない。また、プログラムにより構成される場合、プログラムは、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、FD、或いはROM(リードオンリメモリ)等の記録媒体に記録される。
図20は、プログラムにより構成する場合のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。
コンピュータとなるCPU50は、バス74を介して、RAM(ランダムアクセスメモリ)52、ROM54、磁気ディスク(HD)装置62、キーボード(K/B)56、マウス58、外部インターフェース(I/F)60、モニタ64、プリンタ66、FD68、DVD70、CD72に接続されている。ここで、RAM(ランダムアクセスメモリ)52、ROM54、磁気ディスク(HD)装置62、FD68、DVD70、CD72は、記憶装置の一例である。キーボード(K/B)56、マウス58、外部インターフェース(I/F)60、FD68、DVD70、CD72は、入力手段の一例である。外部インターフェース(I/F)60、モニタ64、プリンタ66、FD68、DVD70、CD72は、出力手段の一例である。
また、例えば、装置内フォーマット変換回路124は、データ変換回路125として作用する複数のCPU50とメモリ126として作用するRAM52をバス74で接続して構成した回路基板としても好適である。
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、各実施の形態では、内部構成要素として、セル情報を中心として記載したが、これに限るものではなく、別の階層データを中心にデータ構成しても構わない。また、各実施の形態では、描画データ作成装置300が、可変成形型EB描画装置100の外部にあるが、可変成形型EB描画装置100の内部、特に、制御部160内にあっても構わない。
また、作成するファイルサイズに制限があるために、コモンデータファイルのサイズの上限を制限する必要がある場合、同一のセルパターンデータの配置数が多いセルパターンデータを優先してコモンデータファイルに格納(定義、或いは記載)することが望ましい。例えば、コモンデータファイルを記憶する磁気ディスク等の記憶装置のメモリ容量を超える場合などである。そして、溢れたセルパターンデータは、別のコモンデータファイルを作成して別の磁気ディスク等の記憶装置に記憶させてもよいし、各エリアごとのローカルデータファイルとして作成してもよい。そして、さらに望ましくは、1つのコモンデータファイルを各装置内フォーマット変換回路124内のメモリ126のメモリ容量内に収めるサイズで作成することが望ましい。メモリ126のメモリ容量内に収めることで、実施の形態3のようにメモリに一端コピーしてから処理することができる。
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、可変成形型EB描画装置100を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子線描画データの作成方法、荷電粒子線描画データの変換方法、及びそれらの装置は、本発明の範囲に包含される。
実施の形態1における電子線描画データの作成方法と電子線描画データの変換方法との要部工程を示すフローチャート図である。 描画装置の要部構成の一例を示す概念図である。 描画データ作成装置の主要構成を示すブロック図である。 データの階層構造の一例を示す図である。 セル配置の一例を示す図である。 チップ領域分割した一例を示す図である。 実施の形態1におけるセル配置情報ファイルとセルパターン情報ファイルの一例を示す図である。 セル配置情報の一例を示す図である。 リンク情報ファイルの一例を示す図である。 実施の形態1における描画データ処理回路の主要構成を示すブロック図である。 図10に示す描画データ処理回路の動作を説明するためのブロック図である。 実施の形態2におけるセル配置情報ファイルとセルパターン情報ファイルの一例を示す図である。 セル配置情報の一例を示す図である。 実施の形態3における電子線描画データの作成方法と電子線描画データの変換方法との要部工程を示すフローチャート図である。 チップ1領域における装置内フォーマット変換工程を説明するための図である。 チップ2領域における装置内フォーマット変換工程を説明するための図である。 実施の形態4における描画データ処理回路の主要構成を示すブロック図である。 チップ1領域内のエリア1,2における装置内フォーマット変換工程を説明するための図である。 実施の形態5におけるセル配置情報ファイルとセルパターン情報ファイルの一例を示す図である。 プログラムにより構成する場合のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。 セル配置情報ファイルとセルパターン情報ファイルの一例を示す図である。
符号の説明
10 設計データ
12 描画データ
14 装置内部データ
50 CPU
52 RAM
54 ROM
56 K/B
58 マウス
60 I/F
62 HD装置
64 モニタ
66 プリンタ
68 FD
70 DVD
72 CD
74 バス
100 可変成形型EB描画装置
101,440 試料
102 電子鏡筒
105 XYステージ
110 制御回路
120 描画データ処理回路
122 記憶装置
123 高速アクセス磁気ディスク装置
124 装置内フォーマット変換回路
125 データ変換回路
126 メモリ
128,129 バス
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
206,420 第2のアパーチャ
204 投影レンズ
205,208 偏向器
207 対物レンズ
209 ファラデーカップ
300 描画データ作成装置
310 セル配置情報ファイル作成回路
320 セルパターン情報ファイル作成回路
330 リンク情報ファイル作成回路
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
442 電子線

Claims (4)

  1. 回路の設計データから荷電粒子線を用いて描画するための描画データを作成する荷電粒子線描画データの作成方法において、
    前記設計データに基づいて、描画する第1のチップ領域を複数の第2のチップ領域に分割するチップ領域分割工程と、
    分割された前記複数の第2のチップ領域の各第2のチップ領域を複数の仮想領域に仮想分割し、仮想分割された前記複数の仮想領域の各仮想領域ごとに複数の構成要素パターンのいずれかのパターンを配置するための配置情報を含む配置情報ファイルを前記描画データの一部として作成する配置情報ファイル作成工程と、
    前記設計データに基づいて、前記複数の構成要素パターンの各パターン情報を含むパターン情報ファイルを前記描画データの一部として作成するパターン情報ファイル作成工程と、
    を備え、
    前記パターン情報ファイル作成工程において、前記複数の第2のチップ領域の各第2のチップ領域ごとに、各第2のチップ領域内の複数の仮想領域から参照されるパターン情報を1つのパターン情報ファイルとして作成することを特徴とする荷電粒子線描画データの作成方法。
  2. 前記パターン情報ファイル作成工程において、前記複数の第2のチップ領域の各第2のチップ領域ごとに前記パターン情報ファイルを作成する場合に、隣接する第2のチップ領域内の隣接する仮想領域から参照されるパターン情報を前記パターン情報ファイルに含めることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子線描画データの作成方法。
  3. 前記パターン情報ファイル作成工程において、前記複数の第2のチップ領域の各第2のチップ領域ごとに前記パターン情報ファイルを作成する場合に、当該第2のチップ領域用のパターン情報ファイルの1つとして、隣接する第2のチップ領域内の隣接する仮想領域から参照されるパターン情報を前記パターン情報ファイルとは別のファイルとして作成することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子線描画データの作成方法。
  4. 前記パターン情報ファイル作成工程において、前記複数の第2のチップ領域の各第2のチップ領域ごとに、複数の仮想領域から参照されるパターン情報と1つの仮想領域から参照されるパターン情報とを別々のファイルとして作成することを特徴とする請求項1〜3いずれか記載の荷電粒子線描画データの作成方法。
JP2005317891A 2005-11-01 2005-11-01 荷電粒子線描画データの作成方法 Expired - Fee Related JP4778777B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005317891A JP4778777B2 (ja) 2005-11-01 2005-11-01 荷電粒子線描画データの作成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005317891A JP4778777B2 (ja) 2005-11-01 2005-11-01 荷電粒子線描画データの作成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007128933A JP2007128933A (ja) 2007-05-24
JP4778777B2 true JP4778777B2 (ja) 2011-09-21

Family

ID=38151350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005317891A Expired - Fee Related JP4778777B2 (ja) 2005-11-01 2005-11-01 荷電粒子線描画データの作成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4778777B2 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4778776B2 (ja) * 2005-11-01 2011-09-21 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子線描画データの作成方法
JP5068515B2 (ja) * 2006-11-22 2012-11-07 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データの作成方法、描画データの変換方法及び荷電粒子線描画方法
JP5063320B2 (ja) 2007-12-11 2012-10-31 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置及び描画データの変換方法
JP5216347B2 (ja) * 2008-02-04 2013-06-19 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置及び描画データの変換方法
JP5200571B2 (ja) * 2008-02-18 2013-06-05 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及びフォトマスクの製造方法
JP2009271830A (ja) * 2008-05-09 2009-11-19 Nuflare Technology Inc 描画データ分散処理方法およびマスク描画装置
JP6690216B2 (ja) * 2015-12-10 2020-04-28 株式会社ニューフレアテクノロジー データ処理方法、データ処理プログラム、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04122049A (ja) * 1990-09-12 1992-04-22 Mitsubishi Electric Corp Lsiのマスク作画用データ作成システム
JPH0529202A (ja) * 1991-07-23 1993-02-05 Hitachi Ltd 電子線描画データ作成装置、及び電子線描画システム
JPH07191199A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Fujitsu Ltd 荷電粒子ビーム露光システム及び露光方法
JPH10154754A (ja) * 1996-11-21 1998-06-09 Fujitsu Ltd 半導体装置のレイアウトコンパクション方法
JP3999301B2 (ja) * 1997-03-07 2007-10-31 富士通株式会社 露光データ作成方法
JP3022381B2 (ja) * 1997-03-14 2000-03-21 日本電気株式会社 集積回路パターンデータ処理方法
JP2000156342A (ja) * 1998-06-30 2000-06-06 Toshiba Corp 電子線描画システムおよびその制御方法
JP3116914B2 (ja) * 1998-08-12 2000-12-11 日本電気株式会社 荷電粒子線露光装置および直描用マスク並びに描画方法
JP3562975B2 (ja) * 1998-09-29 2004-09-08 株式会社東芝 集積回路設計方法及び集積回路設計装置
JP3734650B2 (ja) * 1999-08-24 2006-01-11 富士通株式会社 マスクデータファイル作成方法及び装置並びに記録媒体
WO2001041198A1 (fr) * 1999-11-30 2001-06-07 Hitachi, Ltd Dispositif a circuit integre a semi-conducteurs et procede de fabrication de ce dernier
JP2003017388A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Fujitsu Ltd ブロックマスク製造方法、ブロックマスク、および、露光装置
JP4989158B2 (ja) * 2005-09-07 2012-08-01 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子線描画データの作成方法及び荷電粒子線描画データの変換方法
JP4778776B2 (ja) * 2005-11-01 2011-09-21 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子線描画データの作成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007128933A (ja) 2007-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4989158B2 (ja) 荷電粒子線描画データの作成方法及び荷電粒子線描画データの変換方法
JP5001563B2 (ja) 荷電粒子線描画データの作成方法
US7926007B2 (en) Writing apparatus, writing data conversion method, and computer-readable recording medium storing program using Huffman tree for converting writing data in lithographic process
JP4778777B2 (ja) 荷電粒子線描画データの作成方法
US7698682B2 (en) Writing error verification method of pattern writing apparatus and generation apparatus of writing error verification data for pattern writing apparatus
JP4751353B2 (ja) データ検証方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JPH11274036A (ja) 荷電ビーム描画装置
JP2016184605A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び描画データ作成方法
JP4778776B2 (ja) 荷電粒子線描画データの作成方法
US8076656B2 (en) Writing apparatus and writing data conversion method
JP4695942B2 (ja) データの検証方法
JP4828460B2 (ja) 描画データ作成方法及び描画データファイルを格納した記憶媒体
JP5305601B2 (ja) 描画装置内の演算処理装置の割当て方法
JP5403603B2 (ja) 描画装置の描画エラー検証方法及び描画装置の描画エラー検証用データの作成装置
JP5148233B2 (ja) 描画装置及び描画方法
JP5068515B2 (ja) 描画データの作成方法、描画データの変換方法及び荷電粒子線描画方法
JP5232429B2 (ja) 描画装置及び描画方法
JP5314937B2 (ja) 描画装置及び描画用データの処理方法
JP5586343B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2010067808A (ja) 描画装置、描画データの変換方法及び描画方法
JP5068549B2 (ja) 描画データの作成方法及びレイアウトデータファイルの作成方法
JP2009088313A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び描画データの検証方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20081007

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110328

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110426

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110607

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110628

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110704

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4778777

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140708

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees