JP3116914B2

JP3116914B2 - 荷電粒子線露光装置および直描用マスク並びに描画方法

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Publication number: JP3116914B2
Application number: JP10228145A
Authority: JP
Inventors: 泰久山田
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1998-08-12
Filing date: 1998-08-12
Publication date: 2000-12-11
Anticipated expiration: 2018-08-12
Also published as: JP2000058424A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、所望の露光パター
ンを一括して転写する荷電粒子線露光装置、直描用マス
クおよび描画方法に関し、特に同一パターンの反転や回
転パターンが用いられる荷電粒子線露光装置、直描用マ
スクおよび描画方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置の製造には高いスルー
プットが要求されており、微細パターンをウェーハ上に
形成するリソグラフィー技術においても同様である。こ
のため、紫外光を用いる光リソグラフィーやＸ線を用い
るＸ線リソグラフィーに加えて波長の短い荷電粒子線を
用いる電子線リソグラフィーが導入されている。この電
子線リソグラフィーにおいても従来の第１のマスクと直
描用マスクの長方形の開口部の組み合わせによって任意
の大きさの長方形のパターンを生成し、その組み合わせ
で所望の描画を行う可変成形型の描画方法に加えて、予
め所望のパターンの開口が形成された荷電粒子線用の一
括描画用のマスクを直描用マスクとして用いた部分一括
直描方式が、特に繰り返しパターンの多く用いられるメ
モリ領域などの用途に対して適用されてスル−プットを
向上させている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】部分一括直描方式を用
いて、高いスループットで実デバイスを描画するには、
周辺回路も含めて部分一括化する必要がある。しかし荷
電粒子線の光軸中心から離れたところでは、ビームの偏
向ひずみなどが大きくなるため、直描用マスク上に搭載
できるパターンの数は、荷電粒子線露光装置が安定して
ビーム偏向可能な領域サイズで制限されてしまう。

【０００４】一方で、デバイスを設計する際には、ある
セルをもとに、それを回転あるいは反転してデバイス回
路が設計されることが多い。これに対応して描画に使用
する直描用マスク上には基本パターンのほかに反転や回
転されたパターンを別のパターンとして搭載しなければ
ならない。そのために、直描用マスクの領域の制限もあ
って、同じ直描用マスクにデバイスの露光に必要なすべ
てのパターンの搭載が困難になる場合があり、この対策
が求められている。図９は従来例の荷電粒子線露光装置
１の描画方法を説明するための荷電粒子線直描用マスク
の構造を示す模式図であり、（ａ）は直描用マスクの模
式的平面図、（ｂ）は直描用マスクの（ａ）の切断線ａ
−ｂの模式的断面図、（ｃ）は基本セルＡのパターン、
（ｄ）は基本セルＢのパターンを示す。デバイスパター
ンでは基本セルＡ９１、基本セルＢ９２の他にセルＡ反
転パターン、セルＢ回転パターンが用いられているとす
ると、基本セル搭載開口９３の他に、セルＡ反転パター
ン開口９４、セルＢ回転パターン開口９５が必要とな
り、図示のような通常用いられている６開口を有する直
描用マスクでは、中央の開口が可変成形用の開口として
用いられるので一般パターン用としては一般パターン搭
載開口９７の１個しか使用できない。

【０００５】また、直描用マスクはＳＯＩ（Ｓｉｒｉｃ
ｏｎｏｎＩｎｓｕｒａｔｏｒ）の２層の貼り合わせ
基板が用いられ、リブ形成部をエッチング処理すること
によってパターン形成層９８の片面の周囲にリブ９９が
形成され、マスクパターンは電子の透過を阻止するに十
分な厚さを持つ貼り合せ基板のパターン形成層９８に形
成された構造を有している。リブ９９は片面にのみ形成
されているので、熱等の影響により薄いパターン形成層
９８に応力による影響を生じ易いという問題点がある。

【０００６】本発明の目的は、基本パターンのみで反転
・回転されたパターンの描画も可能でマスク応力の緩和
できる荷電粒子線露光装置、直描用マスクおよび描画方
法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の荷電粒子線露光
装置は、直描用マスクを用いてウェーハ上のフォトレジ
ストの露光を行う荷電粒子線露光装置であって、荷電粒
子線をウェーハに所望の形状で照射する直描電子照射手
段と、ＣＡＤ等を含む情報の入出力手段と、入力された
情報に基づいて直描電子照射系を制御する制御手段と、
ウェーハを搭載してそのウェーハの所望の位置を荷電粒
子線の照射位置に移動させるウェーハ移動手段と、ウェ
ーハを外部とウエーハ移動手段との間で移送するウェー
ハ移送手段とを備え、直描電子照射手段は、複数の所望
の形状の露光パターンを形成した直描用マスクを回転並
びに反転可能に保持するマスクホルダを有する。

【０００８】さらに、荷電粒子線露光装置の描画動作の
制御プログラムを記録した記録媒体を備えていてもよ
い。

【０００９】また、直描電子照射手段が、荷電粒子線を
照射する荷電粒子ソースと、荷電粒子線を成形するため
の開口を有する第１マスクと、所望の露光パターンが形
成された直描用マスクを回転および反転可能に保持する
マスクホルダと、第１マスクを通過した荷電粒子線を直
描用マスク上で所望の形状に成形するための成形偏向器
と、荷電粒子線を直描用マスクの所望の露光パターン上
に照射させるための選択偏向器と、荷電粒子線をウェー
ハ上に収束させるための対物レンズと、荷電粒子線の収
束位置を決める位置決め偏向器とを備えていてもよい。

【００１０】さらに、マスクホルダは、直描電子照射手
段の直描用マスクステージに取り付けられた複数の回転
支持ローラにより荷電粒子線光軸にほぼ直交する平面で
回転可能に支持され、回転駆動ローラを介して回転駆動
モータにより任意の角度に回転できる回転ステージと、
その回転ステージの窓部内に反転軸で反転可能に軸支さ
れ、反転駆動モータで１８０度反転する反転ステージと
を備え、その反転ステージの窓部内には直描用マスクの
厚さの中心が反転軸の回転中心線と一致し、反転ステー
ジの正転・反転時には直描用マスクのパターン面が荷電
粒子線光軸に直交するように直描用マスクを保持するた
めの保持手段が設けられていてもよい。

【００１１】

【００１２】

【００１３】本発明の荷電粒子線露光装置の描画方法
は、ウェーハ上の照射位置を選択し、選択した照射位置
の露光パターンデータのセル情報を入手し、そのセル情
報が基本パターンか、一般図形か、可変成形かを判断
し、基本パターンであれば、直描用マスク上の基本パタ
ーンの種類を選択し、露光パターンの露光形態が基本型
か、回転型か、反転型かを判断し、露光パターンの露光
形態が基本型であればそのまま、回転型であれば回転角
度を入手して直描用マスクの回転を実行し、反転型であ
れば、直描用マスクの反転を実行して、照射工程に移行
し、一般図形であれば、直描用マスク上の指定の一般図
形を選択し、可変成形であれば直描用マスク上の照射位
置を入手して、照射工程に移行し、照射工程ではウェー
ハを移動させて照射位置を所定の位置に設定し、荷電粒
子線を直描用マスク上の照射位置に設定し、荷電粒子線
を照射してウェーハ上のフォトレジストの露光を実行す
る。

【００１４】

【発明の実施の形態】次に、本発明の第１の実施の形態
の荷電粒子線露光装置と直描用マスクとその描画方法に
ついて図面を参照して説明する。図１は本発明の第１の
実施の形態の荷電粒子線露光装置の構成を示すブロック
構成図であり、図２は本発明の第１の実施の形態の荷電
粒子線露光装置の直描電子照射系の構成を示す模式的斜
視図であり、図３は本発明の第１の実施の形態のマスク
ホルダの模式的斜視図である。

【００１５】図１に示すように荷電粒子線露光装置１は
ＣＡＤ等を含む入出力部２と、入力された情報に基づい
て直描電子照射系５を制御する制御部３と、電源部４
と、荷電粒子線をウェーハに照射してウェーハ上のフォ
トレジストを露光させる直描電子照射系５と、ウェーハ
を搭載してウェーハの所望の位置を荷電粒子線の照射位
置に移動させるウェーハ移動ステージ７と、ウェーハを
外部とウエーハ移動ステージ７の間で移送するウェーハ
ローダ８とを備えている。

【００１６】図２に示すように、直描電子照射系５は、
荷電粒子線を放射する荷電粒子ソース５１と、荷電粒子
線を成形するための長方形の開口を有する第１マスク５
２と、第１マスクを通過した荷電粒子線を直描用マスク
５５上で所望の形状に成形するための成形偏向器５３
と、荷電粒子線を直描用マスク５５の所望のパターン上
に照射させるための選択偏向器５４と、マスクホルダ６
０で回転および反転可能に保持され、部分一括開口５６
や可変成形開口５７を有する直描用マスク５５と、荷電
粒子線をウェーハ上に収束させるための対物レンズ５８
と、荷電粒子線の収束位置を決める位置決め偏向器５９
と不図示の移動用ステージに保持されたウェーハ７０と
から構成される。

【００１７】図３に示すようにマスクホルダ６０は、直
描電子照射系５の不図示の直描用マスクステージに取り
付けられた複数の回転支持ローラ６２により荷電粒子線
光軸にほぼ直交する平面で回転可能に支持され、回転駆
動ローラ６３を介して回転駆動モータにより任意の角度
に回転できる回転ステージ６１と、回転ステージ６１の
窓部内に反転軸６６で反転可能に軸支され、反転駆動モ
ータ６７で１８０度反転する反転ステージ６５とを備
え、反転ステージ６５の窓部内には直描用マスク５５の
厚さの中心が反転軸６６の回転中心線と一致し、反転ス
テージ６５の正転および反転時には直描用マスク５５の
パターン面が荷電粒子線光軸に直交するように直描用マ
スク５５が保持される。この構造は一例であり、直描用
マスク５５が回転かつ反転可能に保持される構造であれ
ばよい。

【００１８】図４は本発明の荷電粒子線露光装置１の描
画方法を説明するための荷電粒子線直描用マスクの構造
を示す模式図であり、（ａ）は直描用マスクの模式的平
面図、（ｂ）は直描用マスクの（ａ）の切断線ａ−ｂの
模式的断面図、（ｃ）は基本セルＡのパターン、（ｄ）
は基本セルＢのパターンを示す。図５は直描用マスクを
用いた描画方法を説明するための模式的斜視図であり、
（ａ）は直描用マスクを反転させる動作、（ｂ）は直描
用マスクを回転させる動作を示す。図６はデバイスパタ
ーンの一例を示す模式的平面図であり、（ａ）は基本図
形、（ｂ）はウェーハ上のパターンの配列を示す。

【００１９】図４の直描用マスク５５上の基本セル搭載
開口７３には、一括描画パターンとして図６に示すデバ
イスパターンから抽出された基本図形である基本セルＡ
７１・基本セルＢ７２が形成されている。このパターン
はＳＯＩの中間ＳｉＯ₂層７７である酸化膜に形成され
ており、酸化膜の厚さは１０μｍ以上である。また、表
面および裏面のＳｉ層には表面リブ７６および裏面リブ
７８が形成されており、反転した際にも焦点深度が変化
しないようにマスクホルダ６０により保持されている。

【００２０】図２、図３に示すように、このマスクはマ
スクホルダ６０に載せて直描用マスク５５として荷電粒
子線露光装置１の直描電子照射系５に搭載される。描画
時には、描画データの露光パターンの配置情報に基づい
て、直描用マスク５５を搭載したマスクホルダー６０を
そのまま、回転あるいは反転させて、選択偏向器５４で
集光した荷電粒子線を所望の露光パターン上に照射して
ウェーハ７０上に描画を行う。

【００２１】図６に示すデバイスパターン８３は、セル
Ａ基準パターン８５と、基本セルＡ８１をミラー反転し
たセルＡ反転パターン８６、および基本セルＢ８２を９
０度回転したセルＢ回転パターン８４から構成されてい
る。このパターンデータから部分一括用のマスクデータ
として基本セルＡ８１と基本セルＢ８２とを抽出して、
図４に示す直描用マスク５５にパターンを作成する。こ
の直描用マスク５５には中心部に可変矩形描画用の可変
成形用開口７５および３種類の一般図形搭載用開口７４
を含めて、合計6種のパターンを搭載することができ
る。図９に示されるように同じデバイスパターンに対応
した従来例の直描用マスクでは一般図形搭載用開口は１
種類より搭載できなかった。

【００２２】図４に示すように直描用マスク５５の表面
および裏面のＳｉ膜にはマスク強度の維持および熱・電
気の排出を目的として表面リブ７６および裏面リブ７８
が形成され、中間ＳｉＯ₂層７７である酸化膜にはマス
クパターンが形成されている。この中間ＳｉＯ₂層７７
はマスクの表面および裏面の両方から等しい距離にある
ので、マスクの反転によって焦点深度が変化しない。

【００２３】この直描用マスク５５をマスクホルダ６０
に取り付け荷電粒子線露光装置１の直描電子照射系５の
直描用マスクステージ上に搭載し、描画に用いる。図６
に示すデバイスパターン８３を描画する際には、制御部
３の記憶部に記憶された露光パターンデータのセル参照
情報に基づいて、直描用マスク５５をそのままあるいは
回転および反転させながら描画する。図５に示すよう
に、例えば基本セルであるセルＡおよびセルＢが配列さ
れているデータ領域を描画する際には、直描用マスクは
通常位置で開口Ａおよび開口Ｂを用いて描画が行われる
（回転角度＝０）。つぎにミラー反転したセルＡ反転パ
ターン８６を描画する際には、反転軸６６の中心線ｒを
中心にマスクホルダ６０を回転し、開口Ａの反転開口を
用いて描画を行う。更にセルＢを90度回転したセルＢ回
転パターン８４を描画する際には、マスクステージを回
転軸６８の中心線ｚを中心に90度回転し、開口Ｂの回転
開口を用いて描画を行う。このように各パターンにおけ
る基本セルの参照状況に応じて直描用マスクを回転ある
いは反転して描画を行うことで、種々のパターンを描画
することができる。

【００２４】図７は本発明の荷電粒子線露光装置の直描
電子照射系を用いた描画方法のフローチャートである。
図７を参照して本発明の荷電粒子線露光装置の直描電子
照射系を用いた描画方法を詳細に説明する。

【００２５】処理を開始すると（ステップＳ１０１）、
ウェーハ上の照射位置を選択し（Ｓ１０２）、選択した
照射位置の露光パターンデータのセル情報を入手する
（Ｓ１０３）。セル情報が基本パターンであれば（Ｓ１
０４Ｙ）、直描用マスク上の基本パターンの種類を選択
し（Ｓ１０５）、パターンの露光形態が基本型であれば
（Ｓ１０６Ｙ）、ステップＳ１１６のウェーハ位置設定
に移行する。

【００２６】パターンの露光形態が基本型でなく（Ｓ１
０６Ｎ）、回転型であれば（Ｓ１０７Ｙ）、回転角度を
入手し（Ｓ１０８）、直描用マスクの回転を実行して
（Ｓ１０９）、ステップＳ１１６のウェーハ位置設定に
移行する。パターンの露光形態が回転型でなく（Ｓ１０
７Ｎ）、反転型であれば（Ｓ１１０Ｙ）、直描用マスク
の反転を実行して（Ｓ１１１）、ステップＳ１１６のウ
ェーハ位置設定に移行する。パターンの露光形態が反転
型でもなければ（Ｓ１１０Ｎ）、過程に誤りのおそれが
あるのでアラームを発信して（Ｓ１２０）、処理を終了
する（Ｓ１２２）。

【００２７】ステップＳ１０４で、セル情報が基本パタ
ーンでなく（Ｓ１０４Ｎ）、一般図形であれば（Ｓ１１
２Ｙ）、直描用マスク上の一般図形を選択して（Ｓ１１
３）、ステップＳ１１６のウェーハ位置設定に移行す
る。一般図形でなく（Ｓ１１２Ｎ）、可変成形であれば
（Ｓ１１４Ｙ）、直描用マスク上の照射位置を入手して
（Ｓ１１５）、ステップＳ１１６のウェーハ位置設定に
移行する。パターンが可変成形でもなければ（Ｓ１１４
Ｎ）、過程に誤りのおそれがあるのでアラームを発信し
て（Ｓ１２１）、処理を終了する（Ｓ１２２）。

【００２８】ステップ１１６ではウェーハを移動させて
照射位置を所定の位置に設定し（Ｓ１１６）、荷電粒子
線を直描用マスク上の照射位置に設定し（Ｓ１１７）、
荷電粒子線を照射してウェーハ上のフォトレジストの露
光を実行する（Ｓ１１８）。照射の処理プロセスが未了
であれば（Ｓ１１９Ｎ）、ステップＳ１０２へ戻ってパ
ターンの選択と照射を繰り返す。照射の処理プロセスが
終了すれば（Ｓ１１９Ｙ）、処理を終了する（Ｓ１２
２）。

【００２９】次に、本発明の第２の実施の形態の荷電粒
子線露光装置について図面を参照して説明する。図８は
本発明の第２の実施の形態の荷電粒子線露光装置の構成
を示すブロック構成図である。

【００３０】第２の実施の形態では、荷電粒子線露光装
置１０１は、本発明の直描電子照射系１０５を用いた描
画方法の処理プログラムを記録したＦＤ，ＣＤ−ＲＯ
Ｍ、半導体メモリ等の記録媒体１０９を有する。荷電粒
子線露光装置の構成や直描電子照射系を用いた描画方法
は第１の実施の形態と同じなので説明を省略する。

【００３１】制御プログラムは記録媒体１０９から制御
部１０３のデータ処理装置１３１に読み込まれてデータ
処理装置１３１の動作を制御する。制御部１０３は制御
プログラムの制御により以下の処理を実行する。

【００３２】即ち、ウェーハ上の照射位置を選択し、選
択した照射位置の露光パターンデータのセル情報を入手
する処理と、セル情報が基本パターンか、一括図形か、
可変成形かを判断する処理と、基本パターンであれば、
直描用マスク上の基本パターンの種類を選択し、パター
ンが基本型か、回転型か、反転型かを判断し、パターン
が基本型であればそのまま、回転型であれば回転角度を
入手して直描用マスクの回転を実行し、反転型であれ
ば、直描用マスクの反転を実行して、照射工程に移行す
る処理と、一般図形であれば、直描用マスク上の一般図
形を選択し、可変成形であれば直描用マスク上の照射位
置を入手して、照射工程に移行する処理と、照射工程で
はウェーハを移動させて照射位置を所定の位置に設定
し、荷電粒子線を直描用マスク上の照射位置に設定し、
荷電粒子線を照射してウェーハ上のフォトレジストの露
光を実行する処理と、を実行する。

【００３３】

【発明の効果】以上説明したように本発明の荷電粒子線
露光装置と描画方法では、次のような効果がある。

【００３４】第１の効果は、直描用マスク上に搭載する
露光パターンの種類を増加できることである。これは直
描用マスクを回転および反転描画できる装置構成になっ
ているため、デバイスパターン上で回転あるいは反転し
た図形として参照される図形は、基本となる基本図形を
直描用マスクに搭載するのみで描画可能であり、それぞ
れをマスクパターンとして搭載する必要がないからであ
る。

【００３５】第２の効果は、開口間のマスク作成精度の
描画への影響を低減できることである。これは同一の開
口を回転あるいは反転して描画するため、マスクの寸法
バラツキ等がないからである。

【００３６】第３の効果は、マスクのチャージアップ抑
制、熱による歪みの低減、マスク応力の緩和を実現でき
ることである。これはマスクの両面リブ形状により電気
・熱伝導性が向上し、また表裏対称な構造であることか
ら作成時の応力の不均衡がないからである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の荷電粒子線露光装
置の構成を示すブロック構成図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態の荷電粒子線露光装
置の直描電子照射系の構成を示す模式的斜視図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態のマスクホルダの模
式的斜視図である。

【図４】本発明の荷電粒子線露光装置１の描画方法を説
明するための荷電粒子線直描用マスクの構造を示す模式
図である。（ａ）は直描用マスクの模式的平面図を示
す。（ｂ）は直描用マスクの（ａ）の切断線ａ−ｂの模
式的断面図を示す。（ｃ）は基本セルＡのパターンを示
す。（ｄ）は基本セルＢのパターンを示す。

【図５】直描用マスクを用いた描画方法を説明するため
の模式的斜視図である。（ａ）は直描用マスクを反転さ
せる動作を示す。（ｂ）は直描用マスクを回転させる動
作を示す。

【図６】デバイスパターンの一例を示す模式的平面図で
ある。（ａ）は基本図形を示す。（ｂ）はウェーハ上の
パターンの配列を示す。

【図７】本発明の荷電粒子線露光装置の直描電子照射系
を用いた描画方法のフローチャートである。

【図８】本発明の第２の実施の形態の荷電粒子線露光装
置の構成を示すブロック構成図である。

【図９】従来例の荷電粒子線露光装置１の描画方法を説
明するための荷電粒子線直描用マスクの構造を示す模式
図である。（ａ）は直描用マスクの模式的平面図を示
す。（ｂ）は直描用マスクの（ａ）の切断線ａ−ｂの模
式的断面図を示す。（ｃ）は基本セルＡのパターンを示
す。（ｄ）は基本セルＢのパターンを示す。

【符号の説明】

１、１００荷電粒子線露光装置２、１０２入出力部３、１０３制御部４、１０４電源部５、１０５直描電子照射系７、１０７ウェーハ移動ステージ８、１０８ウェーハローダ１１光軸中心５１荷電粒子ソース５２第１マスク５３成形偏向器５４選択偏向器５５直描用マスク５６部分一括開口５７可変成形開口５８対物レンズ５９位置決め偏向器６０マスクホルダ６１回転ステージ６２回転支持ローラ６３回転駆動ローラ６４回転駆動モータ６５反転ステージ６６反転軸６７反転駆動モータ６８回転軸６９描画パターン７０ウェーハ７１、８１、９１基本セルＡ７２、８２、９２基本セルＢ７３、９３基本セル搭載開口７４、９７一般図形搭載用開口７５、９６可変成形用開口７６表面リブ７７中間ＳｉＯ₂層７８裏面リブ７９、１００パターン開口部８０基本図形８３デバイスパターン８４セルＢ回転パターン８５セルＡ基準パターン８６セルＡ反転パターン９４セルＡ反転パターン開口９５セルＢ回転パターン開口９８パターン形成層９９リブ１０９記録媒体Ｓ１０１〜Ｓ１２２ステップ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】直描用マスクを用いてウェーハ上のフォ
トレジストの露光を行う荷電粒子線露光装置であって、荷電粒子線を前記ウェーハに所望の形状で照射する直描
電子照射手段と、ＣＡＤ等を含む情報の入出力手段と、
入力された情報に基づいて前記直描電子照射系を制御す
る制御手段と、前記ウェーハを搭載して該ウェーハの所
望の位置を荷電粒子線の照射位置に移動させるウェーハ
移動手段と、前記ウェーハを外部と前記ウエーハ移動手
段との間で移送するウェーハ移送手段と、を備え、前記直描電子照射手段は、複数の所望の形状の露光パタ
ーンを形成した直描用マスクを回転並びに反転可能に保
持するマスクホルダを有することを特徴とする荷電粒子
線露光装置。
【請求項２】さらに、前記荷電粒子線露光装置の描画
動作の制御プログラムを記録した記録媒体を備えてい
る、請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項３】前記直描電子照射手段が、荷電粒子線を
照射する荷電粒子ソースと、前記荷電粒子線を成形する
ための開口を有する第１マスクと、所望の露光パターン
が形成された直描用マスクを回転および反転可能に保持
するマスクホルダと、前記第１マスクを通過した前記荷
電粒子線を前記直描用マスク上で所望の形状に成形する
ための成形偏向器と、前記荷電粒子線を前記直描用マス
クの所望の露光パターン上に照射させるための選択偏向
器と、前記荷電粒子線を前記ウェーハ上に収束させるた
めの対物レンズと、前記荷電粒子線の収束位置を決める
位置決め偏向器とを備えた、請求項１または請求項２に
記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項４】前記マスクホルダは、前記直描電子照射
手段の直描用マスクステージに取り付けられた複数の回
転支持ローラにより荷電粒子線光軸にほぼ直交する平面
で回転可能に支持され、回転駆動ローラを介して回転駆
動モータにより任意の角度に回転できる回転ステージ
と、該回転ステージの窓部内に反転軸で反転可能に軸支
され、反転駆動モータで１８０度反転する反転ステージ
とを備え、該反転ステージの窓部内には前記直描用マス
クの厚さの中心が前記反転軸の回転中心線と一致し、前
記反転ステージの正転・反転時には前記直描用マスクの
パターン面が荷電粒子線光軸に直交するように前記直描
用マスクを保持するための保持手段が設けられている請
求項１または請求項２に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項５】ウェーハ上の照射位置を選択し、選択し
た照射位置の露光パターンデータのセル情報を入手し、該セル情報が基本パターンか、一般図形か、可変成形か
を判断し、基本パターンであれば、直描用マスク上の基本パターン
の種類を選択し、露光パターンの露光形態が基本型か、
回転型か、反転型かを判断し、露光パターンの露光形態が基本型であればそのまま、回
転型であれば回転角度を入手して前記直描用マスクの回
転を実行し、反転型であれば、前記直描用マスクの反転
を実行して、照射工程に移行し、一般図形であれば、前記直描用マスク上の指定の一般図
形を選択し、可変成形であれば前記直描用マスク上の照
射位置を入手して、照射工程に移行し、照射工程ではウェーハを移動させて照射位置を所定の位
置に設定し、荷電粒子線を直描用マスク上の照射位置に
設定し、荷電粒子線を照射して前記ウェーハ上のフォト
レジストの露光を実行することを特徴とする荷電粒子線
露光装置の描画方法。
【請求項６】荷電粒子線露光装置において直描用マス
クを用いてウェーハ上のフォトレジストの露光を行うた
めの制御プログラムを記録した記録媒体であって、前記ウェーハ上の照射位置を選択し、選択した照射位置
の露光パターンデータのセル情報を入手する手順と、入手した該セル情報が基本パターンか、一括図形か、可
変成形かを判断する手順と、基本パターンであれば、直描用マスク上の基本パターン
の種類を選択し、パターンが基本型であるか、回転型で
あるか、反転型であるかを判断し、パターンが基本型で
あればそのまま、回転型であれば回転角度を入手して前
記直描用マスクの回転を実行し、反転型であれば、前記
直描用マスクの反転を実行して、照射工程に移行する手
順と、一般図形であれば、前記直描用マスク上の一般図形を選
択し、可変成形であれば前記直描用マスク上の照射位置
を入手して、照射工程に移行する手順と、照射工程では前記ウェーハを移動させて照射位置を所定
の位置に設定し、荷電粒子線を前記直描用マスク上の照
射位置に設定し、荷電粒子線を照射して前記ウェーハ上
のフォトレジストの露光を実行する手順と、を実行させ
るためのプログラムを記録した機械読み取り可能な記録
媒体。