JP2000150344A - 電子線一括露光用マスクおよびそのマスクホルダー - Google Patents
電子線一括露光用マスクおよびそのマスクホルダーInfo
- Publication number
- JP2000150344A JP2000150344A JP31931498A JP31931498A JP2000150344A JP 2000150344 A JP2000150344 A JP 2000150344A JP 31931498 A JP31931498 A JP 31931498A JP 31931498 A JP31931498 A JP 31931498A JP 2000150344 A JP2000150344 A JP 2000150344A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- silicon wafer
- electron beam
- batch exposure
- holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】略円形のシリコンウェハに所望のパターンの開
口部を設け所望の形状に切断されてなる電子線一括露光
用マスクにおいて、面付効率を高くし、材料コストを安
くすることができるような電子線一括露光用マスク、及
びこれを簡易に保持する事のできるマスクホルダーを提
供する。 【解決手段】前記略円形のシリコンウェハの円周の少な
くとも一部をそのまま残した状態で所望の前記形状に断
裁されてなることを特徴とする。
口部を設け所望の形状に切断されてなる電子線一括露光
用マスクにおいて、面付効率を高くし、材料コストを安
くすることができるような電子線一括露光用マスク、及
びこれを簡易に保持する事のできるマスクホルダーを提
供する。 【解決手段】前記略円形のシリコンウェハの円周の少な
くとも一部をそのまま残した状態で所望の前記形状に断
裁されてなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスク及びそのホ
ルダーに関するものであり、特に電子線一括露光用マス
クおよびそのホルダーに関するものである。
ルダーに関するものであり、特に電子線一括露光用マス
クおよびそのホルダーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子線一括露光用マスクは、電子線によ
りウェハ上のレジストに回路パターンを形成するために
用いるステンシルマスクである。材質は通常Ｓｉ（シリ
コン）、ＳｉＯ2（二酸化シリコン）で形成されてお
り、厚さは５００μｍ程度であるが、パターンに対応す
る部分は厚さが２０μｍ程度のメンブレン状で非常に薄
い。上面から電子線を照射すると、このメンブレン状の
部分に孔設されたパターン部、すなわち開口部のみを電
子線が選択的に透過し、下方に設置したウェハ上のレジ
ストに所望のパターンを感光させることができる。電子
線一括露光用マスクの大きさは、開発当初は通常１セン
チメートル平方程度の微小な正方形のものであった。
りウェハ上のレジストに回路パターンを形成するために
用いるステンシルマスクである。材質は通常Ｓｉ（シリ
コン）、ＳｉＯ2（二酸化シリコン）で形成されてお
り、厚さは５００μｍ程度であるが、パターンに対応す
る部分は厚さが２０μｍ程度のメンブレン状で非常に薄
い。上面から電子線を照射すると、このメンブレン状の
部分に孔設されたパターン部、すなわち開口部のみを電
子線が選択的に透過し、下方に設置したウェハ上のレジ
ストに所望のパターンを感光させることができる。電子
線一括露光用マスクの大きさは、開発当初は通常１セン
チメートル平方程度の微小な正方形のものであった。
【０００３】最近では、回路パターンの多様化にともな
い、マスク上にあらかじめ用意すべきパターンの種類が
多くなった。数十〜百種類程度の回路パターンは必要で
ある。このことから、電子線一括露光用マスクのサイズ
が大型化してきた。そのため、円形のシリコンウェハか
ら電子線一括露光用マスクを断裁して切り出す場合に、
１面しか切り出すことができない場合もあり、断裁屑と
して捨てる部分の面積が多くなってきている。したがっ
て、面付効率が低下し、材料コストが増加するという問
題点が発生してきた。尚、シリコンウェハはシリコン結
晶のインゴットをスライスしたものであるが、シリコン
結晶の製造方法に起因して（チョクラルスキー法、フロ
ーティングゾーン法、ゾーンメルティング法等）、通常
インゴットは円柱状となる。このため通常シリコンウェ
ハは円形状となる。
い、マスク上にあらかじめ用意すべきパターンの種類が
多くなった。数十〜百種類程度の回路パターンは必要で
ある。このことから、電子線一括露光用マスクのサイズ
が大型化してきた。そのため、円形のシリコンウェハか
ら電子線一括露光用マスクを断裁して切り出す場合に、
１面しか切り出すことができない場合もあり、断裁屑と
して捨てる部分の面積が多くなってきている。したがっ
て、面付効率が低下し、材料コストが増加するという問
題点が発生してきた。尚、シリコンウェハはシリコン結
晶のインゴットをスライスしたものであるが、シリコン
結晶の製造方法に起因して（チョクラルスキー法、フロ
ーティングゾーン法、ゾーンメルティング法等）、通常
インゴットは円柱状となる。このため通常シリコンウェ
ハは円形状となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題点
を解決するためになされたものであり、面付効率を高く
し、材料コストを安くすることができるような電子線一
括露光用マスク及びこれを簡易に保持する事のできるマ
スクホルダーを提供することを課題とするものである。
を解決するためになされたものであり、面付効率を高く
し、材料コストを安くすることができるような電子線一
括露光用マスク及びこれを簡易に保持する事のできるマ
スクホルダーを提供することを課題とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる課題を解
決するものであり、請求項１の発明は、略円形のシリコ
ンウェハに所望のパターンの開口部を設け所望の形状に
切断されてなる電子線一括露光用マスクにおいて、前記
略円形のシリコンウェハの円周の少なくとも一部をその
まま残した状態で所望の前記形状に断裁されてなること
を特徴とする電子線一括露光用マスク、としたものであ
る。
決するものであり、請求項１の発明は、略円形のシリコ
ンウェハに所望のパターンの開口部を設け所望の形状に
切断されてなる電子線一括露光用マスクにおいて、前記
略円形のシリコンウェハの円周の少なくとも一部をその
まま残した状態で所望の前記形状に断裁されてなること
を特徴とする電子線一括露光用マスク、としたものであ
る。
【０００６】本発明の請求項２の発明は、前記形状が略
扇形であることを特徴とする請求項１に記載の電子線一
括露光用マスク、としたものである。
扇形であることを特徴とする請求項１に記載の電子線一
括露光用マスク、としたものである。
【０００７】本発明の請求項３の発明は、前記形状が略
円形のシリコンウェハの中心点を中心として円の中心角
をｎ等分（ｎは正の整数）し半径に沿って断裁されてな
ることを特徴とする請求項２に記載の電子線一括露光用
マスク、としたものである。
円形のシリコンウェハの中心点を中心として円の中心角
をｎ等分（ｎは正の整数）し半径に沿って断裁されてな
ることを特徴とする請求項２に記載の電子線一括露光用
マスク、としたものである。
【０００８】本発明の請求項４の発明は、請求項３に記
載の電子線一括露光用マスクにおいて、単体（１面）の
マスクに形成されるべき所要のパターンの露光用データ
又はシリコンウェハを２π／ｎずつ回転して、回転方向
と同方向に順次隣り合う単体のマスクパターンに形成し
た後に、円形のシリコンウェハの中心点を中心としてｎ
等分（ｎは正の整数）に半径に沿って断裁してなること
を特徴とする電子線一括露光用マスク、としたものであ
る。
載の電子線一括露光用マスクにおいて、単体（１面）の
マスクに形成されるべき所要のパターンの露光用データ
又はシリコンウェハを２π／ｎずつ回転して、回転方向
と同方向に順次隣り合う単体のマスクパターンに形成し
た後に、円形のシリコンウェハの中心点を中心としてｎ
等分（ｎは正の整数）に半径に沿って断裁してなること
を特徴とする電子線一括露光用マスク、としたものであ
る。
【０００９】本発明の請求項５の発明は、略円形のシリ
コンウェハに所望のパターンの開口部を設けてなる電子
線一括露光用マスクにおいて、前記略円形のシリコンウ
ェハのそのままの形状でなることを特徴とする電子線一
括露光用マスク、としたものである。
コンウェハに所望のパターンの開口部を設けてなる電子
線一括露光用マスクにおいて、前記略円形のシリコンウ
ェハのそのままの形状でなることを特徴とする電子線一
括露光用マスク、としたものである。
【００１０】本発明の請求項６の発明は、請求項１から
５のいずれかに記載の電子線一括露光用マスクを支える
マスクホルダーにおいて、前記マスクの円弧部の一部を
弾性素材により押さえ、前記マスクホルダーのマスク載
置部に圧着固定することを特徴とする電子線一括露光用
マスクのマスクホルダー、としたものである。
５のいずれかに記載の電子線一括露光用マスクを支える
マスクホルダーにおいて、前記マスクの円弧部の一部を
弾性素材により押さえ、前記マスクホルダーのマスク載
置部に圧着固定することを特徴とする電子線一括露光用
マスクのマスクホルダー、としたものである。
【００１１】
【作用】請求項１の電子線一括露光用マスクによれば、
シリコンウェハの円周の少なくとも一部をそのまま残し
た状態で断裁するので、シリコンウェハから正方形の電
子線一括露光用マスクを切り出す場合に比べて面付効率
が高くなる。また、シリコンウェハの円周に沿った部分
を断裁して捨てることがないので、材料コストを低く抑
えることができるまた、従来であれば断裁して捨ててい
たシリコンウェハの円周に沿った部分にも所要のパター
ンを設けることができるので、元のシリコンウェハの面
積当たりのパターンの密度を高くすることができる。換
言すればパターン当たりの材料コストを低く抑えること
ができるのである。
シリコンウェハの円周の少なくとも一部をそのまま残し
た状態で断裁するので、シリコンウェハから正方形の電
子線一括露光用マスクを切り出す場合に比べて面付効率
が高くなる。また、シリコンウェハの円周に沿った部分
を断裁して捨てることがないので、材料コストを低く抑
えることができるまた、従来であれば断裁して捨ててい
たシリコンウェハの円周に沿った部分にも所要のパター
ンを設けることができるので、元のシリコンウェハの面
積当たりのパターンの密度を高くすることができる。換
言すればパターン当たりの材料コストを低く抑えること
ができるのである。
【００１２】請求項２の電子線一括露光用マスクによれ
ば、断裁する箇所が半径に沿った２ヵ所だけでよいの
で、断裁する作業が簡単である。
ば、断裁する箇所が半径に沿った２ヵ所だけでよいの
で、断裁する作業が簡単である。
【００１３】請求項３の電子線一括露光用マスクによれ
ば、１枚のシリコンウェハから同一形状のマスクをｎ枚
作成することができるので、単体（１面）のマスク当た
りの材料コストを低く抑えることができる
ば、１枚のシリコンウェハから同一形状のマスクをｎ枚
作成することができるので、単体（１面）のマスク当た
りの材料コストを低く抑えることができる
【００１４】請求項４の電子線一括露光用マスクによれ
ば、同一のデータを用いて簡便な方法によりｎ枚のマス
クを作成することができるので、全体の製造工程を簡単
にすることができる。
ば、同一のデータを用いて簡便な方法によりｎ枚のマス
クを作成することができるので、全体の製造工程を簡単
にすることができる。
【００１５】請求項５の電子線一括露光用マスクによれ
ば、断裁する作業を省略することができるので、製造工
程を簡単にすることができる。
ば、断裁する作業を省略することができるので、製造工
程を簡単にすることができる。
【００１６】請求項６のマスクホルダーによれば、容易
にマスクをホルダーに固定することができるので、簡便
な製造工程で電子線一括露光用マスクを作成することが
できる。
にマスクをホルダーに固定することができるので、簡便
な製造工程で電子線一括露光用マスクを作成することが
できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の電子線一括露光用マスク
を実施形態に基づいて、以下に詳細に説明する。図１は
本発明の電子線一括露光用マスクの一実施形態を示す平
面図である。マスク１上には多数のパターン（開口部）
の設けられた多数の薄膜領域（エリア）２が形成されて
いる。マスクの一部にはこの作成の基となっている略円
形のシリコンウェハの外形が円弧状３として残ってい
る。図２にはこのマスクが断裁される前のシリコンウェ
ハ状のマスクを平面図で示している。シリコンウェハ４
は、マスク製造前に通常オリフラ５と呼ばれる部分が断
裁され略円形状となっている。本実施形態例では図１で
示したマスク単体１を９０度づつ隣接するように回転し
て作成している。これら単体マスクの境界部分（直線Ａ
Ｂ，ＣＤ）と、オリフラと同じ位置関係にある部分（直
線ｌ，ｍ，ｎ）を断裁し、単体マスクを得る。断裁前の
マスクは、既存のシリコンウェハにフォトリソグラフィ
の技術を用いて作成する。以下にこの製造方法について
概略を述べる。
を実施形態に基づいて、以下に詳細に説明する。図１は
本発明の電子線一括露光用マスクの一実施形態を示す平
面図である。マスク１上には多数のパターン（開口部）
の設けられた多数の薄膜領域（エリア）２が形成されて
いる。マスクの一部にはこの作成の基となっている略円
形のシリコンウェハの外形が円弧状３として残ってい
る。図２にはこのマスクが断裁される前のシリコンウェ
ハ状のマスクを平面図で示している。シリコンウェハ４
は、マスク製造前に通常オリフラ５と呼ばれる部分が断
裁され略円形状となっている。本実施形態例では図１で
示したマスク単体１を９０度づつ隣接するように回転し
て作成している。これら単体マスクの境界部分（直線Ａ
Ｂ，ＣＤ）と、オリフラと同じ位置関係にある部分（直
線ｌ，ｍ，ｎ）を断裁し、単体マスクを得る。断裁前の
マスクは、既存のシリコンウェハにフォトリソグラフィ
の技術を用いて作成する。以下にこの製造方法について
概略を述べる。
【００１８】まず、厚さの異なる２枚のシリコンウェハ
をシリコン酸化膜で貼り合わせた貼り合わせ基板を用意
する。薄いシリコンウェハ上に常法の技術でレジストを
塗布し、マスク単体分のパターンを電子ビーム露光装置
等で露光する。次にシリコンウェハもしくは露光データ
を、ウェハの中心点を中心として９０度回転し前記露光
した部分に隣接するようにマスク単体分を露光する。こ
れを繰り返し、ウェハ全体に複数個のマスク単体の領域
を露光する。本実施の形態例では４個の場合を図示して
いる。
をシリコン酸化膜で貼り合わせた貼り合わせ基板を用意
する。薄いシリコンウェハ上に常法の技術でレジストを
塗布し、マスク単体分のパターンを電子ビーム露光装置
等で露光する。次にシリコンウェハもしくは露光データ
を、ウェハの中心点を中心として９０度回転し前記露光
した部分に隣接するようにマスク単体分を露光する。こ
れを繰り返し、ウェハ全体に複数個のマスク単体の領域
を露光する。本実施の形態例では４個の場合を図示して
いる。
【００１９】この後は通常のメンプレンマスク製造方法
で、マスクを作成する。まず、レシジストを現像し、エ
ッチングを行いウェハ上に開口部パターンを形成する。
次に貼り合わせ基板の反対側の厚いシリコンウェハに多
数のエリアパターンのパターニングを行い異方性エッチ
ングをして、エリアパターンの開口部を形成する。次に
上下開口部の間のシリコン酸化膜をエッチングして除去
し、マスクとする。尚、本実施形態では４分割の一部オ
リフラパターンの直線部分のある略扇形マスクの例を挙
げたが、これ以外の分割数でも略扇形マスクとして作用
効果が同じであるので、採用できる。また、マスク単体
のパターンの増加などにより、略円形のシリコンウェハ
形状のまま断裁せずにマスクとして利用することも可能
である。
で、マスクを作成する。まず、レシジストを現像し、エ
ッチングを行いウェハ上に開口部パターンを形成する。
次に貼り合わせ基板の反対側の厚いシリコンウェハに多
数のエリアパターンのパターニングを行い異方性エッチ
ングをして、エリアパターンの開口部を形成する。次に
上下開口部の間のシリコン酸化膜をエッチングして除去
し、マスクとする。尚、本実施形態では４分割の一部オ
リフラパターンの直線部分のある略扇形マスクの例を挙
げたが、これ以外の分割数でも略扇形マスクとして作用
効果が同じであるので、採用できる。また、マスク単体
のパターンの増加などにより、略円形のシリコンウェハ
形状のまま断裁せずにマスクとして利用することも可能
である。
【００２０】図３は本発明のマスクを支えるマスクホル
ダーの一実施例である。図３（ａ）、（ｂ）はマスクを
ホルダーにセットした状態を上方及び下方から見た概念
図、図（ｃ）はマスクとホルダーの相互の位置関係を示
す概念図である。本発明の扇型のマスク１８は、ホルダ
ーの台１４と、留め治具１５と、本発明に係る円弧部分
１９を押さえつける弾性素材であるバネ１１で固定され
る。ホルダーの台１４には、扇型の二辺を成す直線部分
２０の二つの先端点間を結ぶ直線を軸として、二辺を反
転した二直線と扇型の二辺とから成る正方形（又はひし
型）状の凹部（載置部）２１が設けられている。この凹
部２１には後でマスク１８をはめこむがこのとき、マス
ク１８の開口部（エリア）の下に当たる部分には開口部
分１７を設けている。留め治具１５は扇型マスク１８の
直線部分２０を押さえる直線部分２３と、留め治具１５
自体をホルダーの台１４にネジ１６で留める部分２４か
らなる。この為、ホルダーの正方形（もしくはひし型）
状の凹部２１のうち、扇形マスク１８の二直線部分２０
を押さえる事になる部分の３つの頂点には、留め治具１
５をネジ１６でホルダーの台１４に留める部分２４がは
まるように、凹部２２が設けられている。扇型マスク２
０の円弧部分１９は、弾性素材のバネ１１で押さえる。
本実施形態例では、長方形状の弾性素材を長手方向に波
状に曲げ、バネの両端をホルダーの台に固定し、凹部２
１で波状の部分がマスクの円弧部分１９を押さえられる
ように設ける。このバネ１１で円弧部分１９を固定する
ために、ホルダー台１４には外側から凹部２１に向けネ
ジ孔を設け、バネ押しダイヤル１３をこの孔に通し、ダ
イヤル１３の先にバネ押し１２を設けてある。このバネ
押し１２をバネ１１の波状の部分にあて、反対側のバネ
の波の部分を円弧部分１９に当てて押しつけるように、
バネ押しダイヤル１３で調整しながら固定する。マスク
１８をホルダーにセットするには、先ずマスク１８を凹
部（載置部）２１に置き、バネ１１で円弧部１９をダイ
ヤル１３で調整しながら固定する。次に留め治具１５を
マスク１８の直線部２０を押さえるように載置部２１へ
あてはめ、ネジ１６でホルダーの台１４に固定する。
ダーの一実施例である。図３（ａ）、（ｂ）はマスクを
ホルダーにセットした状態を上方及び下方から見た概念
図、図（ｃ）はマスクとホルダーの相互の位置関係を示
す概念図である。本発明の扇型のマスク１８は、ホルダ
ーの台１４と、留め治具１５と、本発明に係る円弧部分
１９を押さえつける弾性素材であるバネ１１で固定され
る。ホルダーの台１４には、扇型の二辺を成す直線部分
２０の二つの先端点間を結ぶ直線を軸として、二辺を反
転した二直線と扇型の二辺とから成る正方形（又はひし
型）状の凹部（載置部）２１が設けられている。この凹
部２１には後でマスク１８をはめこむがこのとき、マス
ク１８の開口部（エリア）の下に当たる部分には開口部
分１７を設けている。留め治具１５は扇型マスク１８の
直線部分２０を押さえる直線部分２３と、留め治具１５
自体をホルダーの台１４にネジ１６で留める部分２４か
らなる。この為、ホルダーの正方形（もしくはひし型）
状の凹部２１のうち、扇形マスク１８の二直線部分２０
を押さえる事になる部分の３つの頂点には、留め治具１
５をネジ１６でホルダーの台１４に留める部分２４がは
まるように、凹部２２が設けられている。扇型マスク２
０の円弧部分１９は、弾性素材のバネ１１で押さえる。
本実施形態例では、長方形状の弾性素材を長手方向に波
状に曲げ、バネの両端をホルダーの台に固定し、凹部２
１で波状の部分がマスクの円弧部分１９を押さえられる
ように設ける。このバネ１１で円弧部分１９を固定する
ために、ホルダー台１４には外側から凹部２１に向けネ
ジ孔を設け、バネ押しダイヤル１３をこの孔に通し、ダ
イヤル１３の先にバネ押し１２を設けてある。このバネ
押し１２をバネ１１の波状の部分にあて、反対側のバネ
の波の部分を円弧部分１９に当てて押しつけるように、
バネ押しダイヤル１３で調整しながら固定する。マスク
１８をホルダーにセットするには、先ずマスク１８を凹
部（載置部）２１に置き、バネ１１で円弧部１９をダイ
ヤル１３で調整しながら固定する。次に留め治具１５を
マスク１８の直線部２０を押さえるように載置部２１へ
あてはめ、ネジ１６でホルダーの台１４に固定する。
【００２１】尚、本実施形態ではホルダーの凹部（載置
部）の形状を正方形もしくはひし型としたが、マスクの
直線部分を支え、バネで円弧を押さえられるようにでき
る形状であればよく、特にこれに限定されるものではな
い。又、留め治具もマスクを上部より固定できれば良
く、この目的にかなうものであれば良い。シリコンウェ
ハ形状のままの略円形のマスクを固定する場合は、一部
直線状（オリフラ部）の部分は同様に直線状の載置部で
押さえ、残り円弧状の部分を一ヶ所以上についてバネで
押さえるようにすればよい。
部）の形状を正方形もしくはひし型としたが、マスクの
直線部分を支え、バネで円弧を押さえられるようにでき
る形状であればよく、特にこれに限定されるものではな
い。又、留め治具もマスクを上部より固定できれば良
く、この目的にかなうものであれば良い。シリコンウェ
ハ形状のままの略円形のマスクを固定する場合は、一部
直線状（オリフラ部）の部分は同様に直線状の載置部で
押さえ、残り円弧状の部分を一ヶ所以上についてバネで
押さえるようにすればよい。
【００２２】
【実施例】次に、本発明の具体的実施例を以下に詳細に
説明する。 ＜実施例＞図４及び図５は本発明に係る電子線一括露光
用マスクの一実施例を示す平面図である。図４は直径Ｌ
が１５２．４ｍｍ（６inch）のシリコンウェハ上に、そ
の中心点を中心として４等分に面付された状態（角度９
０°の扇形）で多数の薄膜領域（エリア）が形成されて
いる。それを半径に沿って単体の境界を断裁することに
より、本発明の電子線一括露光用マスクの単体（１面）
が得られる。エリアの部分は膜厚２０μｍのメンブレン
状に形成されている。単体には２７個の同一のエリアが
形成されている。
説明する。 ＜実施例＞図４及び図５は本発明に係る電子線一括露光
用マスクの一実施例を示す平面図である。図４は直径Ｌ
が１５２．４ｍｍ（６inch）のシリコンウェハ上に、そ
の中心点を中心として４等分に面付された状態（角度９
０°の扇形）で多数の薄膜領域（エリア）が形成されて
いる。それを半径に沿って単体の境界を断裁することに
より、本発明の電子線一括露光用マスクの単体（１面）
が得られる。エリアの部分は膜厚２０μｍのメンブレン
状に形成されている。単体には２７個の同一のエリアが
形成されている。
【００２３】なお、単体にこのように多数の同一のエリ
アを形成する理由は下記のとおりである。電子線一括露
光用マスクは通常のフォトマスクに比較して、使用時に
おける寿命が短いので、１個のエリアが使用できなくな
ったら、他のエリアを使用するようにしたい。そのため
に単体に多数の同一のエリアを形成するのである。
アを形成する理由は下記のとおりである。電子線一括露
光用マスクは通常のフォトマスクに比較して、使用時に
おける寿命が短いので、１個のエリアが使用できなくな
ったら、他のエリアを使用するようにしたい。そのため
に単体に多数の同一のエリアを形成するのである。
【００２４】図５は１個のエリアをさらに詳細に見た図
である。すなわち、１個のエリアは１００個のセルより
構成されている。セルの寸法は、セル６（４個）は３１
０μｍ平方であり、その他の９６個のセルは２４０μｍ
平方である。これら１００個のセルには各々異なる開口
パターンが孔設されている。この電子線一括露光用マス
クを使用してウェハ面に回路を形成する際には、１個の
セルに１ショットの電子線を照射し、ウェハ上のレジス
トに１個のセルに対応する回路パターンを縮小転写す
る。
である。すなわち、１個のエリアは１００個のセルより
構成されている。セルの寸法は、セル６（４個）は３１
０μｍ平方であり、その他の９６個のセルは２４０μｍ
平方である。これら１００個のセルには各々異なる開口
パターンが孔設されている。この電子線一括露光用マス
クを使用してウェハ面に回路を形成する際には、１個の
セルに１ショットの電子線を照射し、ウェハ上のレジス
トに１個のセルに対応する回路パターンを縮小転写す
る。
【００２５】
【発明の効果】本発明は以上の構成で、以上のような作
用があるから、面付効率を高くし、材料コストを安くす
ることができるような電子線一括露光用マスク及びこれ
を簡易に保持する事のできるマスクホルダーとすること
ができる。
用があるから、面付効率を高くし、材料コストを安くす
ることができるような電子線一括露光用マスク及びこれ
を簡易に保持する事のできるマスクホルダーとすること
ができる。
【図１】本発明に係る電子線一括露光用マスクの一実施
形態例を示す平面図である。
形態例を示す平面図である。
【図２】本発明に係る電子線一括露光用マスクの一実施
形態例をさらに詳細に説明する平面図である。
形態例をさらに詳細に説明する平面図である。
【図３】本発明に係る電子線一括露光用マスクのマスク
ホルダーの一実施例を示す概念図であり、図（ａ）はマ
スクをホルダーにセットした状態を上方から見た概念
図、図（ｂ）はマスクをホルダーにセットした状態を下
方から見た概念図、図（ｃ）はマスクとホルダーの相互
の位置関係を示す概念図である。
ホルダーの一実施例を示す概念図であり、図（ａ）はマ
スクをホルダーにセットした状態を上方から見た概念
図、図（ｂ）はマスクをホルダーにセットした状態を下
方から見た概念図、図（ｃ）はマスクとホルダーの相互
の位置関係を示す概念図である。
【図４】本発明に係る電子線一括露光用マスクの一実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図５】本発明に係る電子線一括露光用マスクの一実施
例をさらに詳細に説明する平面図である。
例をさらに詳細に説明する平面図である。
１・・・電子線一括露光用マスク ２・・・薄膜領域 ３・・・円弧部分 ４・・・シリコンウェハ ５・・・オリフラ ６・・・セル １１・・・バネ １２・・・バネ押し １３・・・バネ押しダイヤル １４・・・ホルダーの台 １５・・・留め治具 １６・・・ネジ １７・・・ホルダー台の開口部分 １８・・・電子線一括露光用マスク １９・・・マスクの円弧部分 ２０・・・マスクの直線部分 ２１・・・ホルダーの台の凹部 ２２・・・留め治具用凹部 ２３・・・留め治具の直線部分 ２４・・・留め治具のネジ留め部分 ＡＢ・・・マスク単体の境界線 ＣＤ・・・マスク単体の他の境界線 ｌ・・・マスク断裁線 ｍ・・・マスク断裁線 ｎ・・・マスク断裁線 Ｌ・・・シリコンウェハの直径
Claims (6)
- 【請求項１】略円形のシリコンウェハに所望のパターン
の開口部を設け所望の形状に切断されてなる電子線一括
露光用マスクにおいて、前記略円形のシリコンウェハの
円周の少なくとも一部をそのまま残した状態で所望の前
記形状に断裁されてなることを特徴とする電子線一括露
光用マスク。 - 【請求項２】前記形状が略扇形であることを特徴とする
請求項１に記載の電子線一括露光用マスク。 - 【請求項３】前記形状が略円形のシリコンウェハの中心
点を中心として円の中心角をｎ等分（ｎは正の整数）し
半径に沿って断裁されてなることを特徴とする請求項２
に記載の電子線一括露光用マスク。 - 【請求項４】請求項３に記載の電子線一括露光用マスク
において、単体（１面）のマスクに形成されるべき所要
のパターンの露光用データまたはシリコンウェハを２π
／ｎずつ回転して、回転方向と同方向に順次隣り合う単
体のマスクパターンに形成した後に、円形のシリコンウ
ェハの中心点を中心としてｎ等分（ｎは正の整数）に半
径に沿って断裁してなることを特徴とする電子線一括露
光用マスク。 - 【請求項５】略円形のシリコンウェハに所望のパターン
の開口部を設けてなる電子線一括露光用マスクにおい
て、前記略円形のシリコンウェハのそのままの形状でな
ることを特徴とする電子線一括露光用マスク。 - 【請求項６】請求項１から５のいずれかに記載の電子線
一括露光用マスクを支えるマスクホルダーにおいて、前
記マスクの円弧部の一部を弾性素材により押さえ、前記
マスクホルダーのマスク載置部に圧着固定することを特
徴とする電子線一括露光用マスクのマスクホルダー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31931498A JP4366736B2 (ja) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | 電子線一括露光用マスクおよびそのマスクホルダー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31931498A JP4366736B2 (ja) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | 電子線一括露光用マスクおよびそのマスクホルダー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150344A true JP2000150344A (ja) | 2000-05-30 |
| JP4366736B2 JP4366736B2 (ja) | 2009-11-18 |
Family
ID=18108823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31931498A Expired - Fee Related JP4366736B2 (ja) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | 電子線一括露光用マスクおよびそのマスクホルダー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4366736B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004008508A1 (ja) * | 2002-07-11 | 2004-01-22 | Octec Inc. | 露光用転写マスクおよび露光用転写マスクのパターン交換方法 |
| US8189167B2 (en) * | 2002-02-21 | 2012-05-29 | Lg Display Co., Ltd. | Mask holder for irradiating UV-rays |
| CN105679793A (zh) * | 2014-12-08 | 2016-06-15 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置和用于制造该有机发光显示装置的薄膜沉积掩模 |
-
1998
- 1998-11-10 JP JP31931498A patent/JP4366736B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8189167B2 (en) * | 2002-02-21 | 2012-05-29 | Lg Display Co., Ltd. | Mask holder for irradiating UV-rays |
| WO2004008508A1 (ja) * | 2002-07-11 | 2004-01-22 | Octec Inc. | 露光用転写マスクおよび露光用転写マスクのパターン交換方法 |
| EP1557869A1 (en) * | 2002-07-11 | 2005-07-27 | Octec Inc. | Exposure transfer mask and exposure transfer mask pattern exchange method |
| EP1557869A4 (en) * | 2002-07-11 | 2006-11-02 | Octec Inc | EXPOSURE TRANSFER MASK AND METHOD FOR REPLACING THE TRANSFER MASK CONFIGURATION |
| US7862959B2 (en) | 2002-07-11 | 2011-01-04 | Octec Inc. | Transfer mask for exposure and pattern exchanging method of the same |
| CN105679793A (zh) * | 2014-12-08 | 2016-06-15 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置和用于制造该有机发光显示装置的薄膜沉积掩模 |
| US9929218B2 (en) | 2014-12-08 | 2018-03-27 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus and thin film deposition mask for manufacturing the same |
| CN105679793B (zh) * | 2014-12-08 | 2019-04-26 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置和用于制造该有机发光显示装置的薄膜沉积掩模 |
| US10283573B2 (en) | 2014-12-08 | 2019-05-07 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus and thin film deposition mask for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4366736B2 (ja) | 2009-11-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5663018A (en) | Pattern writing method during X-ray mask fabrication | |
| US6916582B2 (en) | Mask for fabrication of semiconductor devices, process for production of the same, and process for fabrication of semiconductor devices | |
| JP3244894B2 (ja) | マスク保持方法、マスク及びマスクチャック、ならびにこれを用いた露光装置とデバイス製造方法 | |
| JPS5842031B2 (ja) | インクジエツトプリンタ用ノズルアレイ製造方法 | |
| KR20010060165A (ko) | 반도체 웨이퍼 분할방법 | |
| US5485495A (en) | X-ray mask, and exposure apparatus and device production using the mask | |
| WO1982002979A1 (en) | A method of fabricating screen lens array plates | |
| JPH10233433A (ja) | 基板の保持装置とこれを用いた露光装置、及びデバイスの製造方法 | |
| JP2002252157A (ja) | マスク作製用部材およびその製造方法ならびにマスクおよびその製造方法ならびに露光方法ならびに半導体装置の製造方法 | |
| KR100426249B1 (ko) | 진보된 물질 및 멤브레인 크기를 이용하는 투사 전자빔리소그라피 마스크 | |
| JP2001028334A (ja) | Ｘ線用マスクのペリクルの構造およびその製造 | |
| JPH10135103A (ja) | 荷電粒子線転写用マスクまたはｘ線転写用マスクの製造方法 | |
| JP4366736B2 (ja) | 電子線一括露光用マスクおよびそのマスクホルダー | |
| US20030059726A1 (en) | Method of recording identifier and set of photomasks | |
| JP3634539B2 (ja) | マスク保持装置、露光装置、デバイス製造方法、及びマスク構造体 | |
| JPH11212250A (ja) | マスクブランクとマスクの製造方法 | |
| JP2000113533A (ja) | 記録媒体用基板およびその製造方法 | |
| JPH0562888A (ja) | Ｘ線マスクおよびそれを用いたパターン転写方法 | |
| JP2001296650A (ja) | レチクル | |
| KR100548532B1 (ko) | 스텐실 마스크 및 그 제조방법 | |
| JPH11168049A (ja) | ステンシルマスクの製造方法 | |
| KR100338934B1 (ko) | 엑스레이 마스크 제조방법 | |
| JPH0492411A (ja) | Ｘ線マスク及びその製造方法及びｘ線露光装置 | |
| JP2639374B2 (ja) | Ｘ線露光マスクの製造方法 | |
| JP2003068615A (ja) | 転写マスクブランクス、その製造方法、転写マスク、その製造方法及び露光方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050916 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090114 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090127 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090310 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090804 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090817 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120904 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |